JP4657068B2 - 裏面接合型太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 236
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 207
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 205
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 205
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 205
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 143
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 132
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 132
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 99
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 33
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 31
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 20
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 13
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 36
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 15
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 10
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 4
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 4
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- -1 propylene carbonate Chemical compound 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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Description
図1(a)に、本発明の裏面接合型太陽電池の製造方法によって得られる裏面接合型太陽電池の裏面の模式的な平面図を示す。ここで、第2導電型であるn型のシリコン基板1の裏面の端部には第2導電型不純物としてのn型不純物が拡散した第2導電型不純物拡散層としてのn+層5および第1導電型不純物としてのp型不純物が拡散した第1導電型不純物拡散層としてのp+層6がそれぞれ1本の太い帯状に互いに平行となるように間隔をあけて配列されており、その帯状のn+層5およびp+層6からそれぞれ細い帯状のn+層5およびp+層6が複数、シリコン基板1の裏面の内側に向かって伸びている。そして、シリコン基板1の裏面の内側に向かって伸びる細い帯状のn+層5およびp+層6はそれぞれ交互に配列されている。また、n+層5上には第2電極としてのn電極12が形成されており、p+層6上には第1電極としてのp電極11が形成されている。なお、ここでは、n型のシリコン基板1とp+層6とによってpn接合が形成されている。
図3(a)〜(n)の模式的断面図に、図1(a)および図1(b)に示す裏面接合型太陽電池を得ることができる本発明の裏面接合型太陽電池の製造方法の製造工程の他の一例を示す。本実施の形態においては、実施の形態1とエッチングペーストのエッチング成分が異なることに特徴がある。なお、図3(a)〜(n)においては説明の便宜のためシリコン基板の裏面にはn+層とp+層を1つずつしか形成していないが、実際には複数形成されている。
まず、N−メチル−2−ピロリドン、ナイロン6およびリン酸水溶液(リン酸の濃度は85質量%)を、N−メチル−2−ピロリドン:ナイロン6:リン酸水溶液=4:3:3の質量比で混合して十分に攪拌することによってリン酸をエッチング成分とするエッチングペーストを作製した。また、このエッチングペーストの粘度は25Pa・sであった。
まず、水、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチルセルロースおよびフッ化水素アンモニウムを、水:エチレングリコールモノブチルエーテル:エチルセルロース:フッ化水素アンモニウム=10:4:3:3の質量比で混合して十分に攪拌することによってリン酸をエッチング成分とするエッチングペーストを作製した。また、このエッチングペーストの粘度は15Pa・sであった。
Claims (10)
- 第1導電型または第2導電型のシリコン基板の入射光側の表面とは反対側の裏面にpn接合が形成された裏面接合型太陽電池を製造する方法であって、
前記シリコン基板の裏面に酸化シリコン膜からなる第1拡散マスクを形成する工程と、
前記酸化シリコン膜からなる第1拡散マスクをエッチング可能なリン酸であるエッチング成分を含有する第1エッチングペーストを前記酸化シリコン膜からなる第1拡散マスクの表面の一部に印刷する工程と、
前記シリコン基板を第1加熱処理することにより前記酸化シリコン膜からなる第1拡散マスクのうち前記第1エッチングペーストが印刷された部分を除去して前記シリコン基板の裏面の一部を露出させる工程と、
第1導電型不純物を拡散することにより前記シリコン基板の露出した裏面に第1導電型不純物拡散層を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜からなる第1拡散マスクを除去する工程と、
前記シリコン基板の裏面に酸化シリコン膜からなる第2拡散マスクを形成する工程と、
前記酸化シリコン膜からなる第2拡散マスクをエッチング可能なリン酸であるエッチング成分を含有する第2エッチングペーストを前記酸化シリコン膜からなる第2拡散マスクの表面の一部に印刷する工程と、
前記シリコン基板を第2加熱処理することにより前記酸化シリコン膜からなる第2拡散マスクのうち前記第2エッチングペーストが印刷された部分を除去して前記シリコン基板の裏面の一部を露出させる工程と、
第2導電型不純物を拡散することにより前記シリコン基板の露出した裏面に第2導電型不純物拡散層を形成する工程と、
前記酸化シリコン膜からなる第2拡散マスクを除去する工程と、を含む、裏面接合型太陽電池の製造方法。 - 前記リン酸は、前記第1エッチングペースト全体の質量に対して10質量%以上40質量%以下含有されているとともに、前記第2エッチングペースト全体の質量に対して10質量%以上40質量%以下含有されていることを特徴とする、請求項1に記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。
- 前記第1エッチングペーストおよび前記第2エッチングペーストのそれぞれの粘度が10Pa・s以上40Pa・s以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。
- 前記第1加熱処理および前記第2加熱処理におけるそれぞれの加熱温度が200℃以上400℃以下であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。
- 前記第1加熱処理および前記第2加熱処理におけるそれぞれの処理時間が30秒以上180秒以下であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。
- 前記第1導電型不純物拡散層と前記第2導電型不純物拡散層とは互いに接することがなく、前記第1導電型不純物拡散層と前記第2導電型不純物拡散層との間には10μm以上200μm以下の間隔があけられていることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。
- 前記第1加熱処理後の前記第1エッチングペーストおよび前記第2加熱処理後の前記第2エッチングペーストの少なくとも一方は、超音波洗浄および流水洗浄により除去されることを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。
- 前記酸化シリコン膜からなる第2拡散マスクを除去した後に、
前記シリコン基板の裏面にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜をエッチング可能なエッチング成分を含有する第3エッチングペーストを前記パッシベーション膜の表面の一部に印刷する工程と、
前記シリコン基板を第3加熱処理することにより前記パッシベーション膜のうち前記第3エッチングペーストが印刷された部分を除去して前記第1導電型不純物拡散層の少なくとも一部および前記第2導電型不純物拡散層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる工程と、
を含む、請求項1から7のいずれかに記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。 - 前記第3エッチングペーストのエッチング成分がフッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも1種またはリン酸であることを特徴とする、請求項8に記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。
- 前記第1導電型不純物拡散層の露出面に接触する第1電極および前記第2導電型不純物拡散層の露出面に接触する第2電極をそれぞれ形成する工程を含む、請求項8または9に記載の裏面接合型太陽電池の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005275927A JP4657068B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 裏面接合型太陽電池の製造方法 |
PCT/JP2006/314261 WO2007034614A1 (ja) | 2005-09-22 | 2006-07-19 | 裏面接合型太陽電池の製造方法 |
EP06768287A EP1936702A1 (en) | 2005-09-22 | 2006-07-19 | Method of manufacturing back junction solar cell |
US11/991,838 US20090305456A1 (en) | 2005-09-22 | 2006-07-19 | Method of Manufacturing Back Junction Solar Cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005275927A JP4657068B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 裏面接合型太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007088254A JP2007088254A (ja) | 2007-04-05 |
JP4657068B2 true JP4657068B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=37888670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005275927A Expired - Fee Related JP4657068B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 裏面接合型太陽電池の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090305456A1 (ja) |
EP (1) | EP1936702A1 (ja) |
JP (1) | JP4657068B2 (ja) |
WO (1) | WO2007034614A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7741225B2 (en) * | 2007-05-07 | 2010-06-22 | Georgia Tech Research Corporation | Method for cleaning a solar cell surface opening made with a solar etch paste |
KR101370225B1 (ko) * | 2007-05-30 | 2014-03-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지 |
JP5226255B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2013-07-03 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP4947654B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-06-06 | シャープ株式会社 | 誘電体膜のパターニング方法 |
NL2000999C2 (nl) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Stichting Energie | Werkwijze voor het fabriceren van kristallijn silicium zonnecellen met gebruikmaking van co-diffusie van boor en fosfor. |
JP2011503910A (ja) * | 2007-11-19 | 2011-01-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パターン付きエッチング剤を用いた太陽電池コンタクト形成プロセス |
TW200939509A (en) * | 2007-11-19 | 2009-09-16 | Applied Materials Inc | Crystalline solar cell metallization methods |
EP2245655A4 (en) * | 2008-02-01 | 2012-11-21 | Newsouth Innovations Pty Ltd | METHOD FOR STRUCTURED HEATING OF CHOSEN MATERIAL |
DE102008013445A1 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Ersol Solar Energy Ag | Verfahren zur Herstellung monokristalliner Silizium-Solarzellen mit rückseitigen Emitter- und Basiskontakten sowie Solarzelle, hergestellt nach einem derartigen Verfahren |
KR101330973B1 (ko) | 2009-03-11 | 2013-11-18 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
WO2010032933A2 (en) | 2008-09-16 | 2010-03-25 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and texturing method thereof |
CN101764175B (zh) * | 2008-10-27 | 2012-09-05 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 硅太阳能电池的制造方法 |
KR101002282B1 (ko) * | 2008-12-15 | 2010-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
KR101142861B1 (ko) * | 2009-02-04 | 2012-05-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
US20100218821A1 (en) * | 2009-03-02 | 2010-09-02 | Sunyoung Kim | Solar cell and method for manufacturing the same |
KR101122048B1 (ko) | 2009-03-02 | 2012-03-12 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
JP2010232530A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法および光電変換素子 |
KR101159276B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2012-06-22 | 주식회사 효성 | 후면접합 구조의 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101093114B1 (ko) | 2009-07-16 | 2011-12-13 | 주식회사 효성 | 후면접합 구조의 태양전지 |
KR101110825B1 (ko) | 2009-08-18 | 2012-02-24 | 엘지전자 주식회사 | 이면 접합형 태양 전지 및 그 제조 방법 |
US8779280B2 (en) | 2009-08-18 | 2014-07-15 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and method of manufacturing the same |
KR101153377B1 (ko) | 2009-08-24 | 2012-06-07 | 주식회사 효성 | 개선된 후면구조를 구비한 후면접합 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101248163B1 (ko) | 2009-09-10 | 2013-03-27 | 엘지전자 주식회사 | 이면 접합형 태양 전지 및 그 제조 방법 |
TW201115749A (en) * | 2009-10-16 | 2011-05-01 | Motech Ind Inc | Surface structure of crystalline silicon solar cell and its manufacturing method |
US20120146172A1 (en) * | 2010-06-18 | 2012-06-14 | Sionyx, Inc. | High Speed Photosensitive Devices and Associated Methods |
KR20120009682A (ko) | 2010-07-20 | 2012-02-02 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 제조 방법 |
CN101937945A (zh) * | 2010-09-09 | 2011-01-05 | 浙江百力达太阳能有限公司 | 太阳电池的制备方法 |
US20140021400A1 (en) * | 2010-12-15 | 2014-01-23 | Sun Chemical Corporation | Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film |
JP2014514768A (ja) * | 2011-04-28 | 2014-06-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Pet上のポリマーマトリックスの選択的エッチング |
JP5275415B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2013-08-28 | シャープ株式会社 | 結晶太陽電池セルおよび結晶太陽電池セルの製造方法 |
JP5129369B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2013-01-30 | シャープ株式会社 | 結晶太陽電池セルおよび結晶太陽電池セルの製造方法 |
WO2012176527A1 (ja) * | 2011-06-20 | 2012-12-27 | シャープ株式会社 | 結晶太陽電池セルおよび結晶太陽電池セルの製造方法 |
US20150000731A1 (en) * | 2011-10-21 | 2015-01-01 | Trina Solar Energy Development Pte Ltd | All-back-contact solar cell and method of fabricating the same |
WO2013062727A1 (en) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of removing a passivation film and improving contact resistance in rear point contact solar cells |
KR101977927B1 (ko) | 2012-07-11 | 2019-05-13 | 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 | 광전소자 및 그 제조방법 |
JP5781488B2 (ja) * | 2012-11-07 | 2015-09-24 | シャープ株式会社 | 結晶太陽電池セルおよび結晶太陽電池セルの製造方法 |
TWI518924B (zh) * | 2013-06-18 | 2016-01-21 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太陽能電池 |
CN104638055A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-20 | 江苏天宇光伏科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池制造工艺方法 |
KR101740522B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2017-06-08 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지와 그 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1117201A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-01-22 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
JP2002057352A (ja) * | 2000-06-02 | 2002-02-22 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2003298078A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Ebara Corp | 光起電力素子 |
JP2003531807A (ja) * | 2000-04-28 | 2003-10-28 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 無機表面用エッチングペースト |
JP2005506705A (ja) * | 2001-10-10 | 2005-03-03 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | エッチングおよびドーピング複合物質 |
JP2005510885A (ja) * | 2001-11-26 | 2005-04-21 | シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー | 背面接点を有する太陽電池の製造 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3653970A (en) * | 1969-04-30 | 1972-04-04 | Nasa | Method of coating solar cell with borosilicate glass and resultant product |
US4927770A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-22 | Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia | Method of fabricating back surface point contact solar cells |
US5209814A (en) * | 1991-09-30 | 1993-05-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for diffusion patterning |
JP4244549B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2009-03-25 | トヨタ自動車株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
DE10241300A1 (de) * | 2002-09-04 | 2004-03-18 | Merck Patent Gmbh | Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten |
US7144751B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-12-05 | Advent Solar, Inc. | Back-contact solar cells and methods for fabrication |
DE102005032807A1 (de) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien für Siliziumdioxidschichten und darunter liegendes Silizium |
-
2005
- 2005-09-22 JP JP2005275927A patent/JP4657068B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-19 US US11/991,838 patent/US20090305456A1/en not_active Abandoned
- 2006-07-19 EP EP06768287A patent/EP1936702A1/en not_active Withdrawn
- 2006-07-19 WO PCT/JP2006/314261 patent/WO2007034614A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1117201A (ja) * | 1997-04-28 | 1999-01-22 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
JP2003531807A (ja) * | 2000-04-28 | 2003-10-28 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 無機表面用エッチングペースト |
JP2002057352A (ja) * | 2000-06-02 | 2002-02-22 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2005506705A (ja) * | 2001-10-10 | 2005-03-03 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | エッチングおよびドーピング複合物質 |
JP2005510885A (ja) * | 2001-11-26 | 2005-04-21 | シェル・ゾラール・ゲーエムベーハー | 背面接点を有する太陽電池の製造 |
JP2003298078A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Ebara Corp | 光起電力素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007088254A (ja) | 2007-04-05 |
WO2007034614A1 (ja) | 2007-03-29 |
EP1936702A1 (en) | 2008-06-25 |
US20090305456A1 (en) | 2009-12-10 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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