KR20100102113A

KR20100102113A - 보론과 인의 공동 확산을 사용한 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법

Info

Publication number: KR20100102113A
Application number: KR1020107012964A
Authority: KR
Inventors: 발렌틴 단 미하일레치; 유찌 코마쯔
Original assignee: 쉬티흐틴크 에네르지온데르조크 센트룸 네델란드
Priority date: 2007-11-13
Filing date: 2008-11-13
Publication date: 2010-09-20
Also published as: ES2375324T3; US20100319771A1; CN101919070B; EP2210283B2; NL2000999C2; ATE529897T1; EP2210283B1; AU2008321599A1; WO2009064183A1; EP2210283A1; CN101919070A; KR101515255B1; JP2011503896A; US8445312B2

Abstract

본 발명은 하기를 포함하는 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법을 제공한다:
- 제1 면과 상기 제1 면의 반대쪽 면인 제2 면을 갖는 결정 실리콘 기판을 제공하는 단계; - 초회 깊이를 갖는 인 확산 층을 제공하도록 상기 기판의 제1 면에 인을 예비-확산시키는 단계; - 상기 기판의 상기 제1 면을 블로킹하는 단계; - 상기 기판의 상기 제2 면을 보론 확산원(Boron diffusion source)에 노출시키는 단계; - 상기 기판의 상기 제2 면에 보론을 확산시키고 동시적으로 상기 인을 상기 기판에 더욱 확산시키기 위하여 일정 온도에서 일정 시간 동안 상기 기판을 가열하는 단계.

Description

보론과 인의 공동 확산을 사용한 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING CO DIFFUSION OF BORON AND PHOSPHORUS}

본 발명은 결정 실리콘(Si) 기판(crystalline silicon (Si) substrate)을 사용한 태양 전지의 제조에 관한 것이다. 상기 태양 전지의 예로는, 인-확산(Phosphorous-diffusion)으로부터 생성된 후면 장(back side field)을 갖는 보론-이미터 n-베이스 태양 전지(Boron-emitter n-base solar cells)가 있다.

두 종류의 확산 공정(보론 및 인)이 요구되는 경우에, 높은 온도의 보론-확산 단계가 통상적으로 저온 인-확산 단계보다 먼저 이루어진다(문헌 [T.Buck et al., Proceedings of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference (4-8 September 2006, Dresden, Germany) p.1264-1267]참조). 상기 연속적인 공정에 있어서는, 인 확산 단계가 이루어지는 동안 인이 보론-확산 면으로 확산되는 것을 방지하기 위한 특별한 보호층이 필요하게 된다. 간혹 보론이 보론-확산층으로부터 상기 보호층으로 확산되어 나와, 계면 근방에서 고갈되기도 한다. 이로 인해 이미터(emitter)의 시트 저항성(sheet resistance)이 증가되는데, 이는 상기 공정으로 제조된 태양 전지의 시리즈 저항성(series resistance)을 증가시킨다. 게다가, 상기 보호층을 제거하기 위한 추가적인 공정이 필요하거나, 또는 상기 보호층이 실리콘 기판 상에 유지되는 경우에는 보호층의 최적의 성질이 요구된다(예컨대, 패시베이션(passivation) 및 반사방지 코팅(anti-reflection coating).

반면, 인 확산 단계가 보론 확산 단계 전에 진행되는 경우에는, 보론 확산 단계가 이루어지는 동안 인-확산 면은 보론으로부터 보호되어야 한다. 또한, 인은 인-확산이 이루어지는 동안 보론-면으로 확산되지 않도록 보호되어야 하는데, 이는 보론에 의해 쉽게 보상되지(compensated)않을 수 있기 때문이다. 또한, 인은 보론 확산 온도에서 인-확산 층으로부터 유출되고, 따라서 인이 보론-확산 층의 표면으로 보론과 함께 확산된다. 이로 인해 보론-도핑된 이미터(Boron-doped emitter)의 우수한 특성을 얻는 것이 방해된다. 이러한 어려움으로 인해, 보론 확산(Boron diffusion)에 앞서 인 확산(Phosphorous diffusion)하는 것이 거의 시도된 바 없으며, 시도가 되었더라도 태양 전지의 제조에서 성공한 적이 없었다.

예컨대 확산 공정에 앞서 한쪽 면에 각 확산원(diffusion source)을 프린팅(printing)하는 것과 같은 방법에 의해 동시에 보론과 인 확산을 형성시키는 것도 가능하지만, 이와 같은 방법은 보론-면의 적어도 엣지에서 인에 의한 보론의 보상(compensation)이라는 결과를 가져오는데, 이는 인이 더 빨리 확산되고, 실리콘에서 더욱 가용성이어서, 쉽게 보론으로 보상되기 때문이다.

다른 공지된 방법은, 쌍으로 위치한 웨이퍼로 보론과 인의 확산을 분리하는 방법이다. 두 개의 기판의 두 개의 면이 서로 접촉(touch)하여 부분적으로 확산으로부터 보호된다. 이로 인해 웨이퍼의 엣지에서 인에 의한 보론의 보상(compensation of Boron by Phosphorous)이라는 문제는 제한될 것이다. 그러나, 상기 웨이퍼의 엣지는 후속적으로 절단되어야 하는데, 이는 제조된 Wp 당 비용을 현저히 상승시키게 된다.

본 발명의 목적은, 상기 적어도 하나의 문제점을 해결한, 보론과 인 확산 모두를 사용한 실리콘 기판으로부터 태양 전지를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적은, 하기를 포함하는 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법에 의해 달성된다:

제1 면과 상기 제1 면의 반대쪽 면인 제2 면을 갖는 결정 실리콘 기판을 제공하는 단계;

초회 깊이를 갖는 인 확산 층을 제공하도록 상기 기판의 제1 면에 인을 예비-확산시키는 단계;

상기 기판의 상기 제1 면을 블로킹하는 단계;

상기 기판의 상기 제2 면을 보론 확산원(Boron diffusion source)에 노출시키는 단계;

상기 기판의 상기 제2 면에 보론을 확산시키고 동시적으로 상기 인을 상기 기판에 더욱 확산시키기 위하여 일정 온도에서 일정 시간 동안 상기 기판을 가열하는 단계.

본 발명은 보론 확산 전에 표면으로 이미 어느 정도의 양의 인을 확산시킴으로써, 보론 확산 공정이 일어나는 동안 대기 중에서 인의 유출(effused Phosphorous)을 안정화(stabilizing) 및 감소(reducing)시키는 것과 관련이 있다. 이로써 보론 확산 전에 인 확산원(Phosphorous diffusion source)을 제거할 수 있게 된다. 확산원(diffusion source)으로부터 유출된 인(effused Phosphorous)의 양은, 인이 미리 확산되어 투입된(diffused-in) 경우, 실리콘 표면으로부터의 경우보다 더 크고 변동이 있다(more fluctuating). 따라서, 상기 방법은 보론-확산된 p-형 이미터(Boron-diffused p-type emitter)의 품질과 생산성을 향상시킨다. 이는 또한, 보론-확산면에서의 n-형 엣지(n-type edge)의 형성을 방지할 수 있게 되어, 태양 전지의 션팅(shunting)을 방지한다.

이러한 점에서, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 태양 전지에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법에 의해 제조된 태양 전지의 구조의 예시를 도시한 것이다.
도 2는 p-형 실리콘 기판의 또 다른 예시를 도시한 것이다.
도 3a 내지 3d는 기판의 한쪽 면에 P-확산층을 형성하는 제조 단계를 도시한 것이다.
도 4a 내지 4f는 또 다른 예시로서 기판의 한쪽 면에 P-확산층을 형성하는 제조 단계를 도시한 것이다.
도 5a 내지 5d는 또 다른 예시로서 기판의 한쪽 면에 P-확산층을 형성하는 제조 단계를 도시한 것이다.
도 6a, 6b는 보론 확산 단계가 이루어지는 동안 기판의 한쪽 면을 블로킹하는 두 개의 가능한 유형을 예시한 것이다.
도 7은 보론 확산 단계가 이루어지는 동안 백-투-백 컨피규레이션을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 방법으로 제조된 태양 전지의 효율을 공지의 태양 전지와 비교한 그래프이다.

본 발명의 또 다른 장점 및 특성들은 본 명세서에 포함된 실시예 및 도면에 기초하여 더욱 명확하게 될 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방법에 의해 제조된 태양 전지의 구조의 예시를 도시한 것이다. 태양 전지(10)는 한 쪽 면에 보론-확산층(12) 및 다른 쪽 면에 인-확산층(13)을 갖는 n-형 실리콘 기판(11)을 포함한다. 실제 태양 전지 구조는 금속 컨택트(metal contacts)와 반사 방지 코팅을 또한 포함하나, 이러한 구성들은 도에 표현되어 있지 않다. 도 2는 한 쪽 면에 인-확산층(22) 및 다른 쪽 면에 보론-확산층(23)을 형성하기 위하여 p-형 실리콘 기판(21)을 프로세싱하는 또 다른 예를 도시한 것이다. 도 1의 태양 전지는 바람직한 실시예인데, 디바이스 퍼포먼스(device performance )가 도 2의 경우보다 우수하기 때문이다. 하기에서는 도 1에 도시된(예컨대, n-형 기판) 태양 전지의 제조 방법의 구체예를 기술하였다.

본 발명의 제1 단계는 기판의 한 쪽 면에 P-확산층을 형성하는 것이다. 일 실시예에 따르면, 기판(30)을 O₂ 및 P₂O₅ 증기를 포함하는 대기 중에 5 내지 50 분 동안 800 내지 900 ℃의 온도에서 가열한다. 이어서, 기판(30)의 모든 표면을 P₂O₅ 를 포함하는 SiO₂ 필름(이하, SiO₂:P₂O₅)으로 덮는다. 상기 SiO₂는 기판(30)의 Si 및 산소로부터 성장하고, P₂O₅는 SiO₂ 필름(31)에 포함된다. 실리콘(33)과 SiO₂:P₂O₅필름(31)의 인터페이스에서, P₂O₅는 P로 감소되고, P는 기판(30)의 중심으로 0.01 내지 1.0 μm의 깊이까지 확산된다(도 3B의 코어(33)참조). 따라서, SiO₂:P₂O₅필름(31) 및 P-확산층(32)이 실리콘 기판(30)의 모든 표면에서 형성된다. 다음으로, SiO₂:P₂O₅필름(31)은 기판(30)을 1 내지 50% HF 용액에 0.5 내지 10 분 동안 담그거나, 상기 기판(30)을 HF 증기에 노출시키거나, 반응성 이온 에칭(reactive ion etching)을 사용하여 에칭함으로써 제거한다(도 3c참조). 다음으로, P-확산층(32)을 한쪽 면을 제외하고, 1 내지 30 % HF 및 0.1 내지 50% HNO₃ 혼합 용액을 사용하거나, 반응성 이온 에칭을 사용하여 에칭함으로써 에칭한다. 에치-블럭 코팅(etch-block coating)으로 기판(30)의 한 쪽 면을 감추거나(sealing) 또는 상기 기판(30)을 용액 위에 띄움으로써 한 쪽 면 에칭(One side etching)이 가능하다. 결과적으로, 상기 기판(30)은 한 쪽 면에 P-확산층(32')을 포함한다.

기판의 한 쪽 면에 P-확산층을 제조하는 또 다른 방법이 도 4a 내지 4f에 예시되어 있다. 우선, 기판(40)의 한 쪽 표면을 스핀-코팅, 스프레이-코팅 또는 프린팅 등의 방법에 의해 P₂O₅ 및 SiO₂ 미세한 파티클을 포함하는 액체, 페이스트 또는 겔(41)을 코팅한다(도 4b참조). 기판의 다른 쪽 면 역시 코팅할 수 있으나, 이는 상기 제조 방법의 최종 결과에 영향을 미치지 않는다. 다음으로 코팅(41)을 250 내지 500 ℃에서 가열한다. 유기물을 포함하는 경우 용매는 증발 또는 타버린다. P₂O₅ 및 SiO₂ 는 코팅 안에 남아있게 되는데, 도 4c를 참조하면 코팅(41')이 도시되어 있다. 이어서 추가적인 가열 단계에서, 기판(40)을 800 내지 900 ℃에서 2 내지 50 분 동안 가열한다. 결과적으로, 모든 표면이 SiO₂:P₂O₅으로 덮이게 되며, 도 4d에 도시되어 있다. 대기 중으로부터의 산소와, 제1 코팅 필름(41)으로부터의 P₂O₅ 가 대기 중으로 이동된다. P는 도 3b와 마찬가지로 Si 코어로 확산되고, SiO₂:P₂O₅필름(42)은 및 P-확산층(43)은 실리콘 기판(40)의 모든 표면에서 형성된다. 상기 SiO₂:P₂O₅ 필름(42)을 1 내지 50% HF 용액을 사용하거나 다른 공지된 방법으로 제거한다. 상기 첫번 째 코팅면을 제외하고 1 내지 30% HF 및 0.1 내지 50 % HNO₃ 혼합 용액 또는 반응성 이온 에칭을 사용하여 상기 P-확산층을 에칭 아웃한다. 에치-블럭 코팅(etch-block coating) 또는 상기 기판을 용액 위에 띄움으로써 한 쪽 면 에칭(One side etching)이 가능하다. 결과는 도 4f에 도시되어 있으며, 한 쪽 면에 P-확산층(44)을 갖는 기판(40)이 도시되어 있다.

기판의 한 쪽 면에 P-확산층을 제조하는 가능한 세 번째 방법은, 도 5a 내지 5d 를 참조한다. 기판(50)의 첫 번째 한쪽 면을 방지층(51)이라는 확산 방지 층(diffusion blocking layer)을 사용하여 블로킹한다. 상기 방지층(51)은 하기 방법으로 형성될 수 있다:

_● SiO₂ 또는 TiO₂를 포함하거나, 또는 스핀-코팅 또는 스프레이-코팅 또는 프링팅에 의해 실리콘으로 확산 되지 않는 것들을 포함하는, 액체, 페이스트, 또는 겔로 표면을 코팅한다.

_● 상기 기판(50)을 850 내지 1100 ℃의 온도에서, O₂ 또는 O₂ + H₂O 대기 중에 0.5 내지 몇 시간 동안 가열한다. 이어서, 0.1 μm 보다 두꺼운 SiO₂ 필름을 상기 모든 표면 상에 형성시킨다. 상기 기판(50)을 1 내지 10 % HF 용액 중에 담금으로써 한 쪽 면에서만 필름을 제거한다.

_● 두께 0.1 μm 초과로 침착된 SiO₂ 또는 SiN 또는 TiO₂ 등을 화학적 증기 침착(chemical vapor deposition)으로 사용한다.

다음 단계로, 도 3b 또는 4d를 참조하여 기술된 방법을 사용하여 Si 코어(54)로 P을 확산시킨다. SiO₂:P₂O₅ 층(52)이 형성되고, P이 확산되지만, 방지층(51)에 의해 한 쪽면에 Si 코어로 확산되어 들어가는 것은 방지된다(도 5c참조). 이어서, 상기 기판(50)을 1 내지 50 % HF 용액에 담금으로써 SiO₂:P₂O₅ 층(52) 및 방지층(51)을 제거한다.

또 다른 실시예에 따르면, 두 개의 기판이 그들의 표면을 서로 접촉시키는 백-투-백 확산법(back-to-back diffusion method)을 사용하여 기판의 한쪽 면에만 P 를 확산시킬 수 있다.

상기 기재된 바와 같이 기판의 제1 면으로 인을 예비-확산시킨 후에, 상기 기판을 추가적인 공정을 위해 오븐에 넣기 전에, 상기 기판의 상기 동일한 제1 면을 블로킹한다. 구체적으로, 상기 기판(60)의 상기 제1 면(61)을 다른 기판(63)의 제1 면(62)으로 막는다. 상기 다른 기판을 유사하게 처리된 기판일 수 있다(도 6a 참조). 이와 같은 블로킹 방법이 백-투-백 방법이다. 백-투-백 컨피규레이션의 장점 중 하나는, 각 기판을 개별적으로 블로킹하는 경우와 비교하였을 때 오븐에서의 공간을 덜 차지한다는 점이다. 더욱이, 마주 본 기판이 높은 인 농도를 가지고 있어서 더욱 우수한 조건에서 인 농도를 유지할 수 있기 때문에 제1 면(61)으로부터의 인의 누출이 가장 효과적으로 방지된다. 도 6b는 기판(60)이 아직 프로페싱 되지 않은 새로운 기판(fresh substrate)으로 블로킹되어 있는 또 다른 예시를 도시한다.

오븐 중에서, 기판의 제2 면을 보론 확산원(Boron diffusion source) 중에 노출시킨다. 상기 보론 확산원은 증기원(vapour source) 또는 코팅원(coating source)일 수 있다. 오븐 중에서, 상기 기판을 일정 시간 및 일정 온도에서 동안 가열하여 보론을 상기 기판의 제2 면에 확산시키고, 동시적으로 상기 기판에 인을 더욱 확산시킨다(즉, 상기 최초 깊이보다 더 깊게). 확산용 보론 증기원(Boron vapor source)으로 성공적인 결과를 수득할 수 있다. 하기에, 구체적인 실시예에 도 7을 참조하여 기재되어 있다. 두 개의 기판(70, 71)을 오븐에 백-투-백으로 넣고, 900 내지 1000 ℃의 온도에서 30 내지 120 분간 N₂ 을 BBr₃ 액체를 통하여 리딩(leading)함으로써 제조된 O₂ 및 B₂O₃ 을 포함하는 증기 중에 넣는다. BCl₃ 또는 트리메틸보레이트와 같은 보론의 다른 액체원(liquid sources)을 BBr₃ 대신 사용할 수 있다. 이어서, 노출된 표면(즉, 블로킹되지 않은 면)을 B₂O₃을 포함하는 SiO₂ 필름(72)(이하, SiO₂:B₂O₃)으로 덮는다. Si 코어(70, 71)과 SiO₂:B₂O₃ 필름(72)사이의 인터페이스에서, B-확산층(73, 74)이 0.01 내지 1.0 μm 두께로 형성될 때까지 B는 Si로 확산된다. B₂O₃ 의 일부는 기판(70, 71) 사이의 작은 틈으로 샐 수 있으나, 상기 영역에서 크게 확산된 P의 존재로 인해 그 영향은 매우 적을 것이다. 이와 유사하게, P-확산층(76, 77)에 존재하는 P는 사용된 열에 의해 각각의 Si 코어(70, 71)로 확산된다. 이로써 원래의 깊이보다 더 깊은 P-확산층을 얻을 수 있다.

도 7의 보론 확산은 증기원 확산(vapor source diffusion)을 사용하였고, 도 4a 내지 4f의 인 확산 단계에 기재된 것과 같이 코팅원 확산의 경우에 있어서 당업자들에게 유효할 것이다.

인의 예비-확산과, 보론과 인의 동시적인 확산이 일어나는 동안의 추가적인 확산의 조합으로, 매우 우수한 성질을 갖는 태양 전지를 수득할 수 있었고, 그 결과를 도 8에 도시하였다. 도 8은 신규한 방법(본 명세서에 기재된)과 공지된 방법(문헌 [T.Buck et al., Proceedings of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference (4-8 September 2006, Dresden, Germany) p.1264-1267]참조)을 사용한 n-형 멀티 결정성 기판상에서의 태양 전지 효율값을 나타낸 그래프이다.

상기 기재된 제조 방법의 결과, 인이 개별적으로 확산될 때(보론과의 동시적인 확산이 아니라)보다 인이 더 깊게 확산되었다. 본 발명에 따르면, 0.5 μm 깊이에서 기판 중 인의 농도는 5 μm 깊이의 경우보다 100 배 이상 컸다.

본 발명에 따른 방법에서, 인 소량이 인이 있는 면(Phosphorous-side)에서 반대쪽 면(보론-확산 면)으로 유출되기 때문에 보론 확산면에서 실리콘으로 인이 확산될 수 있다. 그러나, 보론 확산면에서, 확산된 인의 양은 확산된 보론의 양보다 적었으며, 확산층은 p-형 이미터에 대한 적합한 조건을 용이하게 만족할 수 있다.

확산된 인의 양은 기판의 도핑된 배경(background)보다 여전히 크다. 0.2 μm 깊이에서 인의 농도는 5 μm 깊이에서보다 100 배 정도 클 수 있다.

본 발명은,보론보다 다량의 인이 보론-확산면으로 확산되거나 인보다 다량의 보론이 인-확산면으로 확산됨 없이 이미터에 있어서 요구되는 조건을 충족하는 보론 도핑된 프로파일(Boron doping profile)의 제조를 가능하게 한다.

상기 명세서로부터 당업자는 다양하게 변형시킬 수 있으며, 이와 같은 변형예는 본 발명의 범주에 포함되는 것이다.

Claims

하기를 포함하는 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법:
- 제1 면과 상기 제1 면의 반대쪽 면인 제2 면을 갖는 결정 실리콘 기판을 제공하는 단계;
- 초회 깊이를 갖는 인 확산 층을 제공하도록 상기 기판의 제1 면에 인을 예비-확산시키는 단계;
- 상기 기판의 상기 제1 면을 블로킹하는 단계;
- 상기 기판의 상기 제2 면을 보론 확산원(Boron diffusion source)에 노출시키는 단계;
- 상기 기판의 상기 제2 면에 보론을 확산시키고 동시적으로 상기 인을 상기 기판에 더욱 확산시키기 위하여 일정 온도에서 일정 시간 동안 상기 기판을 가열하는 단계.
제1항에 있어서,
상기 초회 깊이를 갖는 인 확산 층을 제공하도록 상기 기판의 제1 면에 인을 예비-확산시키는 단계는 하기를 포함하는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법:
- SiO₂ 및 P₂O₅를 포함하는 필름 및 상기 기판의 모든 면 위에 중간체로서 인이 확산된 층을 생성하기 위하여 O₂ 및 P₂O₅ 를 포함하는 대기 중에 상기 기판을 가열하는 단계;
- 상기 기판의 모든 면으로부터 상기 SiO₂:P₂O₅필름을 제거하는 단계;
- 상기 제1 면을 제외하고 상기 인 확산 층을 에칭하는 단계.
제1항에 있어서,
상기 기판의 제1 면으로의 인의 예비-확산은 하기를 포함하는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법:
- 스크린-프린트법(screen-printed method), 싱글 사이드 스핀-온 법(single side spin-on method), 또는 싱글 사이드 스프레이-온 법(single side spray-on method)을 사용하여 상기 제1 면에 코팅을 형성하되, 상기 코팅은 P₂O₅ 및 SiO₂을 포함하는 단계;
- SiO₂ 및 P₂O₅, 그리고 상기 기판의 모든 면에 중간체 인 확산층(intermediate Phosphorus diffused layer)을 포함하는 필름을 형성하도록 상기 기판을 가열하는 단계;
- 상기 기판의 모든 면으로부터 상기 SiO₂;P₂O₅필름을 제거하는 단계;
- 상기 제1 면을 제외하고 상기 인 확산층을 에칭하는 단계.
제1항에 있어서,
상기 기판의 제1 면으로의 인의 예비-확산은 하기를 포함하는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법:
- 상기 기판의 제2 면을 블로킹하는 단계;
- SiO₂ 및 P₂O₅, 그리고 상기 기판의 모든 면에 중간체 인 확산층(intermediate Phosphorus diffused layer)을 포함하는 필름을 제조하기 위하여 O₂ 및 P₂O₅ 을 포함하는 대기 중에 상기 기판을 가열하는 단계;
- 상기 기판의 모든 면으로부터 상기 SiO₂:P₂O₅ 필름을 제거하는 단계.
제1항에 있어서,
상기 기판의 제1 면으로의 인의 예비-확산은 하기를 포함하는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법:
- 상기 기판의 제2 면을 블로킹하는 단계;
- 스크린-프린트법(screen-printed method), 싱글 사이드 스핀-온 법(single side spin-on method), 또는 싱글 사이드 스프레이-온 법(single side spray-on method)을 사용하여 상기 제1 면에 코팅을 형성하되, 상기 코팅은 P₂O₅ 및 SiO₂을 포함하는 단계;
- SiO₂ 및 P₂O₅, 그리고 상기 기판의 모든 면에 중간체 인 확산층(intermediate Phosphorus diffused layer)을 포함하는 필름을 제조하기 위하여 상기 기판을 가열하는 단계;
- 상기 기판의 모든 면으로부터 상기 SiO₂:P₂O₅ 필름을 제거하는 단계.
제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 기판의 상기 제2 면은 상기 제2면 상이 확산 방지층(diffusion blocking layer)을 형성함으로써 블로킹되는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 기판의 상기 제2 면은 다른 기판으로 블로킹되는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 상기 제1 면은 다른 기판의 제1 면으로 블로킹되는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제8항에 있어서,
상기 다른 기판은 상기 블로킹이 이루어지는 동안 상기 기판과 유사하게 처리되는 처리 기판(processed substrate)을 포함하는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 상기 제1 면은 코팅층으로 상기 기판의 상기 제1 면을 커버링하는 방법으로 블로킹하는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 상기 제2 면의 보론 확산원(Boron diffusion source)으로의 노출은 상기 기판을 O₂ 및 B₂O₃을 포함하는 대기에 노출시키는 것을 포함하는, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제11항에 있어서,
상기 일정 시간은 30 내지 120 분인, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 일정 온도는 900 내지 1000 ℃인, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 B₂O₃는 N₂를 BBr₃ 액으로 리딩(leading)함으로써 제조된, 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법.
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 태양 전지.