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  1. 基板上にモリブデン膜を形成し、
    前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
    前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
    前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に非晶質半導体膜を形成し、
    前記非晶質半導体膜を用いて半導体素子を形成した後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 基板上にモリブデン膜を形成し、
    前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
    前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
    前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に有機化合物を有する半導体膜を形成し、
    前記有機化合物を有する半導体膜を用いて半導体素子を形成した後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 基板上にモリブデン膜を形成し、
    前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
    前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
    前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に第１電極を形成し、
    前記第１電極上に発光層を形成し、
    前記発光層上に第２電極を形成し、
    前記第２の電極上に可撓性基板を貼り付けた後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、前記第１電極、前記発光層、前記第２電極、及び可撓性基板を含む積層体を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 基板上にモリブデン膜を形成し、
    前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
    前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
    前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に印刷法により導電層を印刷した後焼成し、
    前記導電層に半導体部品を貼り付けた後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記導電層を含む積層体、並びに前記半導体部品を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 基板上にモリブデン膜を形成し、
    前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
    前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
    前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
    前記有機化合物膜上に印刷法により導電層を印刷した後焼成し、
    前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記導電層を含む積層体を前記基板から剥離した後、前記導電層に半導体部品を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項４または５において、前記導電層は、アンテナであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一において、前記有機化合物膜は、１８０℃以上５００℃未満の加熱により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一において、剥離する前に部分的にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  9. 請求項１乃至８のいずれか一において、前記基板は、ガラス基板、セラミックス基板、或いは石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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