CN104485344A - 一种柔性显示器制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种柔性显示器制备方法，包括：在载体上镀剥离层，并在剥离层上镀隔离层；对隔离层进行刻蚀，在其中部形成凹槽，并在所述凹槽中涂覆有机物薄膜；加热并形成柔性衬底；在所述柔性衬底上制作阻障层；在所述阻障层上制作OLED器件；在所述OLED器件上制作封装层；对所述剥离层进行刻蚀，将柔性显示器从载体上剥离下来。应用本发明技术方案，能够避免柔性有机物膜遭受制备过程中各种液体以及高温的影响，始终严密地贴在器件上，满足高精度图形对位的要求。

Description

一种柔性显示器制备方法
技术领域
本发明涉及半导体显示器制备技术领域，特别是涉及一种柔性显示器制备方法。
背景技术
柔性显示器，采用了磷光性OLED技术，具有低功耗、直接可视柔性面板，并且由于更加轻薄，利于携带，其耐用程度也大大高于以往的刚性屏幕，越来越受到业界的重视。
目前柔性显示器难以量产的一个难点在于柔性薄膜高精度对位。柔性显示器采用柔韧性有机物薄膜作为OLED器件衬底，柔性薄膜需要图形化与其上的OLED器件进行对位。而在实际生产中，柔性薄膜与载体的热膨胀系数相差较大，在显示器件制备过程中，衬底多次与水、显影液、刻蚀液等相互接触，再加上部分环节需要在高温环境中完成，因此很难保证柔性薄膜严密地粘在显示器上，很可能发生翘曲、变形，甚至脱落，故柔性薄膜很难完成高精度对位。
发明内容
基于此，有必要提供一种柔性显示器件制备方法，应用本发明技术方案，能够避免柔性有机物膜遭受制备过程中各种液体以及高温的影响，始终严密地贴在器件上，满足高精度图形对位的要求。
一种柔性显示器制备方法，包括：
在载体上镀剥离层，并在剥离层上镀隔离层；
对隔离层进行刻蚀，在其中部形成凹槽，并在所述凹槽中涂覆有机物薄膜；
加热并形成柔性衬底；
在所述柔性衬底上制作阻障层；
在所述阻障层上制作OLED器件；
在所述OLED器件上制作封装层；
对所述剥离层进行刻蚀，将柔性显示器从载体上剥离下来。
在一个实施例中，所述载体为玻璃基板或者钢制基板。
在一个实施例中，所述剥离层包括SiO2、SiN、非晶硅和正性光刻胶中一种或多种薄膜；所述隔离层包括SiO2、SiN一种或两种薄膜。
在一个实施例中，所述隔离层由SiO2薄膜组成；所述SiO2薄膜采用化学气相沉积、真空蒸镀或磁控溅射方式制备得到。
在一个实施例中，对隔离层进行刻蚀的步骤包括：通过涂胶、曝光、显影后采用干刻工艺或湿刻工艺；
所述湿刻工艺采用HF酸或者BOE刻蚀液。
在一个实施例中，所述有机物薄膜为含有掺杂纳米级SiO2粉末的聚酰亚胺薄膜；所述掺杂纳米级SiO2粉末的含量为3％～5％。
在一个实施例中，所述加热并形成柔性衬底的步骤，包括：
将有机物薄膜在80～120℃N2环境下热烘4～6小时，接着在160～200℃N2环境下热烘2～4小时，最后在280～320℃N2环境中热烘1～2小时。
在一个实施例中，所述阻障层包括多层相互交替的无机膜和有机膜；所述无机膜材质包括SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种，所述有机膜材质包括丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种。
在一个实施例中，在所述阻障层上制作OLED器件的步骤包括：制作阳极，沉积空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层，以及制作阴极的步骤；
所述阳极材质为ITO、Cu、Ni或者ITO/Ag/ITO；所述阴极材料为Mg、Ag合金，其质量比为1∶9。
在一个实施例中，所述封装层包括多层相互交替的无机膜和有机膜；所述无机膜材质包括SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种，所述有机膜材质包括丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种。
上述柔性显示器件制备方法，通过在载体上镀剥离层，并在剥离层上镀隔离层，对隔离层进行刻蚀，将有机物薄膜涂覆在经刻蚀形成的凹槽中，能够避免柔性有机物膜遭受制备过程中各种液体以及高温的影响，始终严密地贴在器件上，满足高精度图形对位的要求。
附图说明
图1为一个实施例中的柔性显示器制备方法的流程示意图；
图2为一个实施例中的柔性显示器制备方法的应用场景图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参见图1和图2，在一个实施例中提供了一种柔性显示器制备方法。该方法包括：
步骤101，在载体上镀剥离层，并在剥离层上镀隔离层。
具体的，载体为玻璃基板或者钢制基板。剥离层包括SiO2、SiN、非晶硅和正性光刻胶中一种或多种薄膜。隔离层包括SiO2、SiN一种或两种薄膜。
在一个实施例中，如图2所示，载体优选为玻璃基板20。剥离层201为多层SiN薄膜，可以用PECVD(等离子增强化学气相沉积)方式制备。隔离层202由SiO2薄膜组成。SiO2薄膜采用化学气相沉积、真空蒸镀或磁控溅射方式制备得到。隔离层202可对后续覆盖其中的有机物薄膜隔水隔热，避免柔性显示器制备过程中发生卷曲和形变。
步骤102，对隔离层进行刻蚀，在其中部形成凹槽，并在凹槽中涂覆有机物薄膜。
具体的，对隔离层进行刻蚀，可以通过涂胶、曝光、显影后采用干刻工艺或湿刻工艺。其中，湿刻工艺采用HF酸或BOE刻蚀液。在隔离层刻蚀后形成凹槽中涂覆有机物薄膜，例如在图2中，选择旋涂的方式，将含有掺杂纳米级SiO2粉末的聚酰亚胺薄膜203涂覆到凹槽中，掺杂纳米级SiO2粉末的含量为3％～5％，通过掺杂SiO2粉末，使有机物薄膜进一步隔热，并提高韧性。
步骤103，加热并形成柔性衬底。
具体的，将载体、剥离层、隔离层以及有机物薄膜一起置于高温环境中进行加热，由隔离层和有机物薄膜粘合形成柔性衬底。
在一个实施例中，将载体、剥离层、隔离层以及有机物薄膜在80～120℃N2环境下热烘4～6小时，接着在160～200℃N2环境下热烘2～4小时，最后在280～320℃N2环境中热烘1～2小时，形成柔性衬底。
步骤104，在柔性衬底上制作阻障层。
具体的，在一个实施例中，如图2，在柔性衬底上制作阻障层204，所述阻障碍层204包括多层相互交替的无机膜2041和有机膜2042，其中，无机膜2041材质包括SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种，有机膜2042材质包括丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种。
步骤105，在阻障层上制作OLED器件。
具体的，制作OLED器件205包括制作阳极，沉积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、有机发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)，以及制作阴极的步骤。其中，阳极材质为ITO、Cu、Ni或者ITO/Ag/ITO，优选为ITO/Ag/ITO，阴极材料优选为Mg、Ag合金，其质量比为1∶9。
步骤106，在OLED器件上制作封装层。
具体的，如图2，封装层206包括多层相互交替的无机膜和有机膜；所述无机膜材质包括SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种，所述有机膜材质包括丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种。
步骤107，对剥离层进行刻蚀，将柔性显示器从载体上剥离下来。
具体的，对剥离层201进行激光刻蚀或照射紫外线，将整个柔性显示器从载体上剥离下来。
上述实施例中的柔性显示器件制备方法，通过在载体上镀剥离层，并在剥离层上镀隔离层，对隔离层进行刻蚀，将有机物薄膜涂覆在经刻蚀形成的凹槽中，能够避免柔性有机物膜遭受制备过程中各种液体以及高温的影响，始终严密地贴在器件上，满足高精度图形对位的要求。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种柔性显示器制备方法，其特征在于，包括：
在载体上镀剥离层，并在剥离层上镀隔离层；
对隔离层进行刻蚀，在其中部形成凹槽，并在所述凹槽中涂覆有机物薄膜；
加热并形成柔性衬底；
在所述柔性衬底上制作阻障层；
在所述阻障层上制作OLED器件；
在所述OLED器件上制作封装层；
对所述剥离层进行刻蚀，将柔性显示器从载体上剥离下来。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载体为玻璃基板或者钢制基板。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离层包括SiO2、SiN、非晶硅和正性光刻胶中一种或多种薄膜；所述隔离层包括SiO2、SiN一种或两种薄膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述隔离层由SiO2薄膜组成；所述SiO2薄膜采用化学气相沉积、真空蒸镀或磁控溅射方式制备得到。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对隔离层进行刻蚀的步骤包括：通过涂胶、曝光、显影后采用干刻工艺或湿刻工艺；
所述湿刻工艺采用HF酸或者BOE刻蚀液。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机物薄膜为含有掺杂纳米级SiO2粉末的聚酰亚胺薄膜所述掺杂纳米级SiO2粉末的含量为3％～5％。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热并形成柔性衬底的步骤，包括：
将有机物薄膜在80～120℃N2环境下热烘4～6小时，接着在160～200℃N2环境下热烘2～4小时，最后在280～320℃N2环境中热烘1～2小时。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻障层包括多层相互交替的无机膜和有机膜；所述无机膜材质包括SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种，所述有机膜材质包括丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述阻障层上制作OLED器件的步骤包括：制作阳极，沉积空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层，以及制作阴极的步骤；
所述阳极材质为ITO、Cu、Ni或者ITO/Ag/ITO；所述阴极材料为Mg、Ag合金，其质量比为1∶9。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装层包括多层相互交替的无机膜和有机膜；所述无机膜材质包括SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种，所述有机膜材质包括丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种。
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