CN104966790A - 集成触控amoled显示器件及其制备方法 - Google Patents

集成触控amoled显示器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种集成触控AMOLED显示器件制备方法，包括：在载体上制作柔性基板；在所述柔性基板上直接制作触摸屏传感器，或者先在所述柔性基板上制作第一阻障层，再在所述第一阻障层上制作触摸屏传感器；在所述触摸屏传感器上制作第二阻障层；在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层；在所述低温多晶硅薄膜晶体管层上制作OLED元件层；在所述OLED元件层上制作封装保护层；在所述封装保护层上制作柔性后盖；去除所述载体。应用本发明技术方案，能够降低集成触控AMOLED显示器件的厚度和成本，并消除视差。

Description

集成触控AMOLED显示器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别是涉及一种集成触控AMOLED显示器件及其制备方法。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)是公认的新一代显示面板，相比于一般的液晶面板，具有反应速度更快、对比度更高、视角更广的技术优点。
随着AMOLED技术的日益进步，AMOLED的应用场景也越来越广泛，例如在智能移动显示终端也应用了AMOLED显示器。通常，智能移动显示终端为了便于用户使用和操作，也需要集成触摸屏技术，因此在智能移动显示终端就需要将AMOLED显示技术和触控技术结合起来。在传统技术中，是在AMOLED外部的封装盖板上贴合触摸屏传感器，再在触摸屏传感器上贴盖板玻璃(CoverLens)，有时为了需要增强Cover Lens强度，甚至需要使用强化玻璃，这就造成传统技术中的显示器件整体厚度比较大，重量大，成本较高的问题，同时AMOLED屏与触摸屏之间有空隙，会造成可读性下降引起视差的技术问题。
发明内容
基于此，有必要提供一种集成触控AMOLED显示器件及其制备方法，应用本发明技术方案，能够降低集成触控AMOLED显示器件的厚度和成本，并消除视差。
一种集成触控AMOLED显示器件制备方法，包括：
在载体上制作柔性基板；
在所述柔性基板上直接制作触摸屏传感器，或者先在所述柔性基板上制作第一阻障层，再在所述第一阻障层上制作触摸屏传感器；
在所述触摸屏传感器上制作第二阻障层；
在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层；
在所述低温多晶硅薄膜晶体管层上制作OLED元件层；
在所述OLED元件层上制作封装保护层；
在所述封装保护层上制作柔性后盖
去除所述载体。
在一个实施例中，所述在载体上制作柔性基板的步骤，包括：
在玻璃载体上涂覆PI膜，对所述PI膜进行热烘形成柔性基板。
在一个实施例中，所述第一阻障层和所述第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层；
所述有机物膜为丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种；
所述无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种。
在一个实施例中，所述在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层的步骤，包括：
对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长形成低温多晶硅薄膜晶体管层。
在一个实施例中，所述封装保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的封装保护层。
在一个实施例中，在所述在载体上制作柔性基板的步骤之前，所述方法还包括：
在所述载体上制作硬度级别为7H～10H的薄膜硬化层。
在一个实施例中，所述方法还包括模组制作的步骤。
一种集成触控AMOLED显示器件，包括：
柔性基板；
所述柔性基板之上的第一阻障层及触摸屏传感器，或者所述柔性基板之上的触摸屏传感器；
所述触摸屏传感器之上的第二阻障层；
所述第二阻障层之上的低温多晶硅薄膜晶体管层；
所述低温多晶硅薄膜晶体管层之上的OLED元件层；
所述OLED元件层之上的封装保护层；以及
所述封装保护层上的柔性后盖。
在一个实施例中，所述柔性基板为对PI膜进行热烘而形成的柔性基板；
所述第一阻障层和所述第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层；所述有机物膜为丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种；所述无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种；
所述低温多晶硅薄膜晶体管层为对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长而形成的低温多晶硅薄膜晶体管层；
所述封装保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的封装保护层。
在一个实施例中，在所述柔性基板之下，还包括硬度级别为7H～10H的薄膜硬化层。
上述集成触控AMOLED显示器件及其制备方法，将触摸屏传感器集成到AMOLED器件中的柔性基板与低温多晶硅薄膜晶体管层之间，相比于传统技术在在AMOLED显示器件封装盖板之外贴合触摸屏，降低了器件厚底和制备成本，并消除了视差问题，同时保证显示器件的高柔性要求。
附图说明
图1为一个实施例中的集成触控AMOLED显示器件制备方法的流程示意图；
图2为又一个实施例中的集成触控AMOLED显示器件制备方法的流程示意图；
图3为一个实施例中的集成触控AMOLED显示器件的结构示意图；
图4为又一个实施例中的集成触控AMOLED显示器件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参见图1，在一个实施例中提供了一种集成触控AMOLED显示器件制备方法，包括：
步骤101，在载体上制作柔性基板。
具体的，本步骤中的载体可以是玻璃载体。本步骤具体为：在玻璃载体上涂覆PI膜(Polymide Film，聚酰亚胺薄膜)，对PI膜进行热烘(如在氮气，160～280℃环境下热烘3至4小时)而形成柔性基板。
步骤102，在柔性基板上直接制作触摸屏传感器，或者先在柔性基板上制作第一阻障层，再在第一阻障层上制作触摸屏传感器。
步骤103，在触摸屏传感器上制作第二阻障层。
具体的，前述两步骤中的第一阻障层和第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层。优选的，有机物膜为丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种，无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si(非晶硅)、AL2O3中的一种或多种。第一阻障层和第二阻障层起到阻挡水汽、保证平整的作用。
步骤104，在第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层。
具体的，本步骤中对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长形成低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT，Low Temperature Poly-Silicon，ThinFilm Transistor)层。对非晶硅进行激光晶化，降低了原料成本，同时结合人工控制超级横向成长技术，使形成的多晶硅中含有较少的晶界，从而使TFT器件性能均衡。
步骤105，在低温多晶硅薄膜晶体管层上制作OLED元件层。
具体的，制作OLED(Organic Light-Emitting Diode)元件层的步骤可以参照传统技术，其中的OLED器件可以但不限于包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层及电子注入层。
步骤106，在OLED元件层上制作封装保护层。
具体的，封装保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的封装保护层，起到保护OLED器件的作用。
步骤107，在封装保护层上制作柔性后盖。
具体的，柔性后盖可以采用PET(Polyethylene Terephthalate，聚对苯二甲酸类塑料)材料。
步骤108，去除载体。
具体的，采用激光刻蚀的技术去除玻璃载体。在本步骤之后，还可以包括模组制作的工序，如检测、修复、清洗、IC绑定等工艺过程。
参见图2，在另一个实施例中提供了一种集成触控AMOLED显示器件制备方法，包括：
步骤201，在载体上制作硬度级别为7H-10H(硬度定义及计量单位可参见对铅笔笔芯的硬度等级划分，硬度等级分为13等级，以H和B相区别，H表示硬，B表示软)的薄膜硬化层。
具体的，薄膜硬化层起到对器件的防刮伤的作用。可选的，在制作薄膜硬化层之前可以先制作一层阻障层，该阻障层最终在步骤208中，和载体一起去除。
步骤202，制作柔性基板。
步骤203，在柔性基板上直接制作触摸屏传感器，或者先在柔性基板上制作第一阻障层，再在第一阻障层上制作触摸屏传感器。
步骤204，在触摸屏传感器上制作第二阻障层。
具体的，前述两步骤中的第一阻障层和第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层。优选的，有机物膜为丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种，无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种。第一阻障层和第二阻障层起到阻挡水汽、保证平整的作用。
步骤205，在第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层。
具体的，本步骤中对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长形成低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)层。对非晶硅进行激光晶化，降低了原料成本，同时结合人工控制超级横向成长技术，使形成的多晶硅中含有较少的晶界，从而使TFT器件性能均衡。
步骤206，在低温多晶硅薄膜晶体管层上制作OLED元件层。
具体的，制作OLED元件层的步骤可以参照传统技术，其中的OLED器件可以但不限于包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层及电子注入层。
步骤207，在OLED元件层上制作封装保护层。
具体的，封装保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的封装保护层，起到保护OLED器件的作用。
步骤208，在封装保护层上制作柔性后盖。
步骤209，去除载体。
步骤210，模组制作。
参见图3，一种集成触控AMOLED显示器件，包括：
柔性基板301；
柔性基板301之上的第一阻障层302及触摸屏传感器303；
触摸屏传感器303之上的第二阻障层304；
第二阻障层304之上的低温多晶硅薄膜晶体管层305；
低温多晶硅薄膜晶体管层305之上的OLED元件层306；
OLED元件层306之上的封装保护层307；以及
封装保护层307之上的柔性后盖308。
具体的，柔性基板301为对PI膜进行热烘而形成的柔性基板。第一阻障层302和第二阻障层304为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层；有机物膜为丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种；无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种。低温多晶硅薄膜晶体管层305为对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长而形成的低温多晶硅薄膜晶体管层。封装保护层307为有机物膜与无机物膜交替而成的封装保护层。柔性后盖308采用PET材料。
参见图4，在另一个实施例中的集成触控AMOLED显示器件，与图3实施例相比，还包括硬度级别为7H～10H的薄膜硬化层400，对整体器件起到保护作用。该器件的其它部分401至408，与图3实施例相类似，在此不再赘述。
上述实施例中的集成触控AMOLED显示器件及其制备方法，将触摸屏传感器集成到AMOLED器件中的柔性基板与低温多晶硅薄膜晶体管层之间，相比于传统技术在在AMOLED显示器件封装盖板之外贴合触摸屏，降低了器件厚底和制备成本，并消除了视差问题，同时保证显示器件的高柔性要求。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种集成触控AMOLED显示器件制备方法，其特征在于，包括：
在载体上制作柔性基板；
在所述柔性基板上直接制作触摸屏传感器，或者先在所述柔性基板上制作第一阻障层，再在所述第一阻障层上制作触摸屏传感器；
在所述触摸屏传感器上制作第二阻障层；
在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层；
在所述低温多晶硅薄膜晶体管层上制作OLED元件层；
在所述OLED元件层上制作封装保护层；
在所述封装保护层上制作柔性后盖；
去除所述载体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在载体上制作柔性基板的步骤，包括：
在玻璃载体上涂覆PI膜，对所述PI膜进行热烘形成柔性基板。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻障层和所述第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层；
所述有机物膜为丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种；
所述无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层的步骤，包括：
对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长形成低温多晶硅薄膜晶体管层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的封装保护层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在载体上制作柔性基板的步骤之前，所述方法还包括：
在所述载体上制作硬度级别为7H～10H的薄膜硬化层。
7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括模组制作的步骤。
8.一种集成触控AMOLED显示器件，其特征在于，包括：
柔性基板；
所述柔性基板之上的第一阻障层及触摸屏传感器，或者所述柔性基板之上的触摸屏传感器；
所述触摸屏传感器之上的第二阻障层；
所述第二阻障层之上的低温多晶硅薄膜晶体管层；
所述低温多晶硅薄膜晶体管层之上的OLED元件层；
所述OLED元件层之上的封装保护层；以及
所述封装保护层之上的柔性后盖。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述柔性基板为对PI膜进行热烘而形成的柔性基板；
所述第一阻障层和所述第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层；所述有机物膜为丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚烯苯基胺中的一种或多种；所述无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种；
所述低温多晶硅薄膜晶体管层为对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长而形成的低温多晶硅薄膜晶体管层；
所述封装保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的封装保护层。
10.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，在所述柔性基板之下，还包括硬度级别为7H～10H的薄膜硬化层。
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