CN104851905A - 集成触控透明amoled显示器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种集成触控透明AMOLED显示器件制备方法，包括：在载体上制作缓冲层；在所述缓冲层上制作第一透明薄膜硬化层；在所述第一透明薄膜硬化层上制作第一阻障层；在所述第一阻障层上制作触摸屏传感器；在所述触摸屏传感器上制作透明柔性基板；在所述透明柔性基板上制作屏蔽层和第二阻障层；在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层；在所述低温多晶硅薄膜晶体管层上制作透明OLED元件层；在所述透明OLED元件层上制作保护层；在所述保护层上制作透明封装盖板；在所述透明封装盖板上制作第二透明薄膜硬化层；去除所述载体和所述缓冲层。应用本发明技术方案，能够降低集成触控透明AMOLED显示器件的厚度和成本，并消除视差。

Description

集成触控透明AMOLED显示器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别是涉及一种集成触控透明AMOLED显示器件及其制备方法。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)是公认的新一代显示面板，相比于一般的液晶面板，具有反应速度更快、对比度更高、视角更广的技术优点。

随着AMOLED技术的日益进步，AMOLED的应用场景也越来越广泛，AMOLED显示器件的透明化一直是市场的需求。此外，显示器件为了便于用户使用和操作，也需要集成触摸屏技术，因此在显示技术领域就需要将透明AMOLED显示技术和触控技术结合起来。在传统技术中，是在透明AMOLED外部的封装盖板上贴合触摸屏传感器，再在触摸屏传感器上贴盖板玻璃(CoverLens)，有时为了需要增强Cover Lens强度，甚至需要使用强化玻璃，这就造成传统技术中的显示器件整体厚度比较大，重量大，成本较高的问题，同时AMOLED屏与触摸屏之间有空隙，会造成可读性下降引起视差的技术问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种集成触控透明AMOLED显示器件及其制备方法，应用本发明技术方案，能够降低集成触控透明AMOLED显示器件的厚度和成本，并消除视差。

一种集成触控透明AMOLED显示器件制备方法，包括：

在载体上制作缓冲层；

在所述缓冲层上制作第一透明薄膜硬化层；

在所述第一透明薄膜硬化层上制作第一阻障层；

在所述第一阻障层上制作触摸屏传感器；

在所述触摸屏传感器上制作透明柔性基板；

在所述透明柔性基板上制作屏蔽层和第二阻障层；

在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层；

在所述低温多晶硅薄膜晶体管层上制作透明OLED元件层；

在所述透明OLED元件层上制作保护层；

在所述保护层上制作透明封装盖板；

在所述透明封装盖板上制作第二透明薄膜硬化层；

去除所述载体和所述缓冲层。

在一个实施例中，所述缓冲层为SiN膜和SiO2膜相互交替的结构。

在一个实施例中，所述第一透明薄膜硬化层和所述第二透明薄膜硬化层为硬度级别为7H～10H的薄膜硬化层。

在一个实施例中，所述第一阻障层和所述第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层；

所述有机物膜为丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯或聚丙烯中的一种或多种；

所述无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种。

在一个实施例中，所述在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层的步骤，包括：

对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长形成低温多晶硅薄膜晶体管层。

在一个实施例中，所述OLED元件层中的电极为透明电极。

在一个实施例中，所述保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的保护层。

在一个实施例中，所述透明封装盖板的材料为透明PET或PI膜。

在一个实施例中，所述方法还包括模组制作的步骤。

一种集成触控透明AMOLED显示器件，包括：

第一透明薄膜硬化层；

在所述第一透明薄膜硬化层上的第一阻障层；

在所述第一阻障层上的触摸屏传感器；

在所述触摸屏传感器上的透明柔性基板；

在所述透明柔性基板上的屏蔽层和第二阻障层；

在所述第二阻障层上的低温多晶硅薄膜晶体管层；

在所述低温多晶硅薄膜晶体管层上的透明OLED元件层；

在所述透明OLED元件层上的保护层；

在所述保护层上的透明封装盖板；

在所述透明封装盖板上的第二透明薄膜硬化层。

上述集成触控透明AMOLED显示器件及其制备方法，将触摸屏传感器集成到AMOLED器件的内部，相比于传统技术在在AMOLED显示器件封装盖板之外贴合触摸屏，降低了器件厚底和制备成本，并消除了视差问题，同时保证显示器件的高柔性要求。

附图说明

图1为一个实施例中的集成触控透明AMOLED显示器件的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参见图1，在一个实施例中提供了一种集成触控透明AMOLED显示器件，包括：

第一透明薄膜硬化层101；

在第一透明薄膜硬化层101上的第一阻障层102；

在第一阻障层102上的触摸屏传感器103；

在触摸屏传感器103上的透明柔性基板104；

在透明柔性基板104上的屏蔽层105和第二阻障层106；

在第二阻障层106上的低温多晶硅薄膜晶体管层107；

在低温多晶硅薄膜晶体管层107上的透明OLED元件层108；

在透明OLED元件层108上的保护层109：

在保护层109上的透明封装盖板110：

在透明封装盖板110上的第二透明薄膜硬化层111。

相应地，本发明实施例提供了一种与图1实施例中显示器件对应的制备方法，包括：

步骤1，在载体上制作缓冲层。

步骤2，在缓冲层上制作第一透明薄膜硬化层。

步骤3，在第一透明薄膜硬化层上制作第一阻障层。

步骤4，在第一阻障层上制作触摸屏传感器。

步骤5，在触摸屏传感器上制作透明柔性基板。

步骤6，在透明柔性基板上制作屏蔽层和第二阻障层。

步骤7，在第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层。

步骤8，在低温多晶硅薄膜晶体管层上制作透明OLED元件层。

步骤9，在透明OLED元件层上制作保护层。

步骤10，在保护层上制作透明封装盖板。

步骤11，在透明封装盖板上制作第二透明薄膜硬化层。

步骤12，去除载体和缓冲层。

具体的，上述步骤中所述的缓冲层为SiN膜和SiO2膜相互交替的结构。第一透明薄膜硬化层和第二透明薄膜硬化层为硬度级别为7H～10H的薄膜硬化层。第一阻障层和第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层；其中，有机物膜为丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯或聚丙烯中的一种或多种；无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种。

在本实施例中，对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长形成低温多晶硅薄膜晶体管层。对非晶硅进行激光晶化，降低了原料成本，同时结合人工控制超级横向成长技术，使形成的多晶硅中含有较少的晶界，从而使TFT器件性能均衡。

本实施例中，OLED元件层中的电极为透明电极。保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的保护层。透明封装盖板的材料为透明PET或PI膜。

此外，本实施例所提供的集成触控透明AMOLED制备方法，在去除载体和缓冲层之后，还包括模组制作的步骤，如检测、修复、清洗、IC绑定等工艺过程。

上述实施例中的集成触控透明AMOLED显示器件及其制备方法，将触摸屏传感器集成到AMOLED器件的内部，相比于传统技术在在AMOLED显示器件封装盖板之外贴合触摸屏，降低了器件厚底和制备成本，并消除了视差问题，同时保证显示器件的高柔性要求。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种集成触控透明AMOLED显示器件制备方法，其特征在于，包括：

在载体上制作缓冲层；

在所述缓冲层上制作第一透明薄膜硬化层；

在所述第一透明薄膜硬化层上制作第一阻障层；

在所述第一阻障层上制作触摸屏传感器；

在所述触摸屏传感器上制作透明柔性基板；

在所述透明柔性基板上制作屏蔽层和第二阻障层；

在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层；

在所述低温多晶硅薄膜晶体管层上制作透明OLED元件层；

在所述透明OLED元件层上制作保护层；

在所述保护层上制作透明封装盖板；

在所述透明封装盖板上制作第二透明薄膜硬化层；

去除所述载体和所述缓冲层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层为SiN膜和SiO2膜相互交替的结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一透明薄膜硬化层和所述第二透明薄膜硬化层为硬度级别为7H～10H的薄膜硬化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻障层和所述第二阻障层为有机物膜组成的阻障层，或无机物膜组成的阻障层，或者有机物膜与无机物膜相互交替而组成的阻障层；

所述有机物膜为丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯或聚丙烯中的一种或多种；

所述无机物膜为石墨烯膜、SiN、SiO2、a-Si、AL2O3中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二阻障层上制备低温多晶硅薄膜晶体管层的步骤，包括：

对非晶硅采用激光晶化方式，实现人工控制超级横向成长形成低温多晶硅薄膜晶体管层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述OLED元件层中的电极为透明电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层为有机物膜与无机物膜交替而成的保护层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明封装盖板的材料为透明PET或PI膜。

9.根据权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括模组制作的步骤。

10.一种集成触控透明AMOLED显示器件，其特征在于，包括：

第一透明薄膜硬化层；

在所述第一透明薄膜硬化层上的第一阻障层；

在所述第一阻障层上的触摸屏传感器；

在所述触摸屏传感器上的透明柔性基板；

在所述透明柔性基板上的屏蔽层和第二阻障层；

在所述第二阻障层上的低温多晶硅薄膜晶体管层；

在所述低温多晶硅薄膜晶体管层上的透明OLED元件层；

在所述透明OLED元件层上的保护层；

在所述保护层上的透明封装盖板；

在所述透明封装盖板上的第二透明薄膜硬化层。