JP2007318105A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 基板上にモリブデン膜を形成し、
   前記モリブデン膜上に酸化モリブデン膜を形成し、
   前記酸化モリブデン膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
   前記絶縁膜及び前記非晶質構造を有する半導体膜を前記基板から剥離して、可撓性基板に前記絶縁膜及び前記非晶質構造を有する半導体膜を転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上にモリブデン膜を形成し、
   前記モリブデン膜上に酸化モリブデン膜を形成し、
   前記酸化モリブデン膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に有機化合物を有する半導体膜を形成し、
   前記絶縁膜及び前記有機化合物を有する半導体膜を前記基板から剥離して、可撓性基板に前記絶縁膜及び前記有機化合物を有する半導体膜を転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上にモリブデン膜を形成し、
   前記モリブデン膜上に酸化モリブデン膜を形成し、
   前記酸化モリブデン膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に第１電極を形成し、
   前記第１電極上に有機化合物または無機化合物を有する発光層を形成し、
   前記発光層上に第２電極を形成し、
   前記絶縁膜、前記第１電極、前記発光層、及び前記第２電極を前記基板から剥離して、可撓性基板に前記絶縁膜、前記第１電極、前記発光層、及び前記第２電極を転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 基板上にモリブデン膜を形成し、
   前記モリブデン膜上に酸化モリブデン膜を形成し、
   前記酸化モリブデン膜上に印刷法により導電層を印刷し、
   前記導電層を焼成し、前記導電層を覆う絶縁膜を形成し、
   前記導電層、及び前記絶縁膜を前記基板から剥離して、可撓性基板に前記導電層、及び前記絶縁膜を転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記導電層は、アンテナであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４または５において、
   前記導電層は、前記酸化モリブデン膜と接して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記基板から剥離する際、前記酸化モリブデン膜と、前記絶縁膜との界面が分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記基板から剥離する際、前記モリブデン膜と、前記酸化モリブデン膜との界面が分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記基板から剥離する際、前記モリブデン膜内が分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至６のいずれか一において、
    前記基板から剥離する際、前記酸化モリブデン膜内が分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一において、
    前記モリブデン膜は、前記基板と接して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一において、
    前記モリブデン膜は、スパッタ法により形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一において、
    前記基板から剥離する前に部分的にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一において、
    ５００℃以上の加熱処理を行わず、前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１乃至１４のいずれか一において、
    前記基板は、ガラス基板、セラミックス基板、或いは石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 可撓性基板と、
    モリブデン膜及び酸化モリブデン膜が順次形成された基板を剥離して、前記可撓性基板に転置された絶縁膜及び非晶質構造を有する半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
17. 可撓性基板と、
    モリブデン膜及び酸化モリブデン膜が順次形成された基板を剥離して、前記可撓性基板に転置された絶縁膜及び有機化合物を有する半導体膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
18. 請求項１６または１７において、
    前記可撓性基板に対向して設けられた第２可撓性基板と、
    前記可撓性基板と、前記第２可撓性基板との間に設けられた電子インクと、を有することを特徴とする半導体装置。