TWI515852B - 主動元件基板與其之製作方法 - Google Patents

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主動元件基板與其之製作方法
本發明是有關於一種主動元件基板。
近年來，業界推出了以可撓性材料作為主動元件基板材質的顯示器，由於這種顯示器本身可彎折，因此可用來取代傳統的紙張或廣告看板。
由於主動元件基板的材質具可撓性，因此為了方便製程進行，製造者需要將可撓性基板固定在玻璃載板上後再形成主動元件，最後再將可撓性基板自玻璃載板剝離，即完成主動元件基板。然而當剝離可撓性基板時，可撓性基板與玻璃載板之間的吸附力可能會導致可撓性基板不易剝離，甚至可能會產生主動元件受損等狀況，因此如何改善主動元件基板的剝離製程成為業界需解決之問題之一。
一種主動元件基板，包含可撓性基板、無機離型層及至少一主動元件。可撓性基板具有相對之第一表面與第 二表面，其中第一表面為平坦表面。無機離型層覆蓋可撓性基板之第一表面。無機離型層的材質為金屬、金屬氧化物或上述組合。主動元件位於可撓性基板之第二表面上。
在一或多個實施方式中，無機離型層的材質為金屬，且無機離型層的厚度為約0.001至1微米，其中無機離型層的材質為金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鉛(Pd)、銠(Rh)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋅(Zn)、錫(Sn)或上述組合。
在一或多個實施方式中，無機離型層的材質為金屬氧化物，且無機離型層的厚度為約0.001至1微米，其中無機離型層的材質為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN、In2O3：Sn(ITO)、ZnO：In(IZO)、ZnO：Ga(GZO)、ZnO：Al(AZO)、SnO2：F、TiO2：Ta、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4或上述組合。
在一或多個實施方式中，可撓性基板的材質為聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylene benzobisimidazole),PBI)、聚苯并噁唑(poly(p-phenylene benzobisoxazole),PBO)、聚對苯二甲酰對苯二胺(poly(p-phenylene terephthalamide),PPTA)或上述組合。
本發明之另一態樣提供一種主動元件基板的製作方法，包含下列步驟(應瞭解到，在本實施方式中所提及的 步驟，除特別敘明其順序者外，均可依實際需要調整其前後順序，甚至可同時或部分同時執行)：提供載板；形成有機離型層於載板上；形成無機離型層於有機離型層上，其中無機離型層的材質為金屬、金屬氧化物或上述組合；形成可撓性基板於無機離型層上，其中可撓性基板與無機離型層鄰接之一面為平坦表面；以及形成至少一主動元件於可撓性基板上。
在一或多個實施方式中，上述之製作方法更包含切割可撓性基板與無機離型層，以形成包含無機離型層、可撓性基板與主動元件之疊層結構；以及分開無機離型層與有機離型層。
在一或多個實施方式中，上述之製作方法更包含切割有機離型層。
在一或多個實施方式中，有機離型層之形成方法為物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、旋轉塗佈法、網版印刷法或噴墨塗佈法。有機離型層之材質為聚對二甲苯(Parylene)、矽烷(Silane)、矽氧烷(Siloxane)、矽氟烷(FAS)或上述組合，無機離型層之形成方法為物理氣相沉積法、化學氣相沉積法或濺鍍法，上述之製作方法更包含在形成無機離型層前，對有機離型層進行加熱退火。
本發明之再一態樣提供一種顯示器的製作方法，包含上述之主動元件基板的製作方法，以及形成至少一顯示元件於至少一主動元件上。
在一或多個實施方式中，於形成顯示元件於主動元 件上之步驟前或形成顯示元件於主動元件上之步驟後，更包含切割可撓性基板與無機離型層以分開有機離型層與無機離型層。
上述之主動元件基板在製作時，因其可撓性基板與載板之間具有無機離型層與有機離型層，因此在主動元件基板製作完成後，利用無機離型層與有機離型層之間的弱吸附力，可使得主動元件基板更容易自載板上剝離下來，以減少主動元件受損的機率。
10‧‧‧疊層結構
50‧‧‧切割線
100‧‧‧載板
200‧‧‧有機離型層
300‧‧‧無機離型層
400‧‧‧可撓性基板
410‧‧‧第一表面
420‧‧‧第二表面
450‧‧‧緩衝層
500‧‧‧主動元件陣列
502、702‧‧‧主動元件
520、740‧‧‧閘極
530、730‧‧‧閘介電層
540、720‧‧‧通道層
550、750‧‧‧源極
560、760‧‧‧汲極
570、770‧‧‧保護層
572、772‧‧‧連接孔
600‧‧‧顯示元件
610‧‧‧第一電極
620‧‧‧畫素定義層
622‧‧‧畫素開口
630‧‧‧發光層
640‧‧‧第二電極
732‧‧‧第一開口
734‧‧‧第二開口
第1~7圖繪示依照本發明一實施方式之主動元件基板的製造流程剖面圖。
第8圖繪示本發明一實施方式之顯示器的剖面圖。
第9圖繪示本發明另一實施方式之顯示器的剖面圖。
以下將以圖式揭露本發明的複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1~7圖繪示依照本發明一實施方式之主動元件 基板的製造流程剖面圖。請先參照第1圖。如圖所示，製造者可先提供載板100。本實施方式之載板100可為硬質基板，如玻璃、石英或矽基板。
接著請參照第2圖。此時製造者可先於載板100上形成有機離型層200。製造者可選擇將有機離型層200全面形成覆蓋於載板100上。或者，製造者亦可依主動元件基板的尺寸，選擇形成於載板100上之有機離型層200的大小。基本上，只要能夠將主動元件基板製作於有機離型層200的上方，皆在本發明之範疇內。此外，在形成有機離型層200後，製造者可選擇對有機離型層200進行加熱退火以去除雜質，然本發明不以此為限。
上述之有機離型層200的材質可為聚對二甲苯(Parylene)、矽烷(Silane)、矽氧烷(Siloxane)、矽氟烷(FAS)或上述組合，而有機離型層200的形成方法可為物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、旋轉塗佈法、網版印刷法或噴墨塗佈法。
接著請參照第3圖。此時製造者可形成無機離型層300於有機離型層200上，例如將無機離型層300全面包覆有機離型層200，然而此並不限制本發明。在部分實施方式中，所形成之無機離型層300亦可僅覆蓋部分之有機離型層200。基本上，只要製造者後續能夠將主動元件製作於無機離型層300與有機離型層200的上方，皆在本發明之範疇內。無機離型層300的形成方法可為物理氣相沉積法(例如：濺鍍法)或化學氣相沉積法。
接著請參照第4圖。此時製造者可於無機離型層300上形成可撓性基板400。製造者可選擇將可撓性基板400全面形成於有機離型層200與無機離型層300上，使得有機離型層200與無機離型層300皆被包覆於可撓性基板400與載板100之間，如第4圖所繪示。亦或者製造者可將可撓性基板400僅形成於部分的無機離型層300上。基本上，只要製造者後續能夠將主動元件製作於可撓性基板400、無機離型層300與有機離型層200的上方，皆在本發明之範疇內。
上述之可撓性基板400的材質舉例為聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylene benzobisimidazole),PBI)、聚苯并噁唑(poly(p-phenylene benzobisoxazole),PBO)、聚對苯二甲酰對苯二胺(poly(p-phenylene terephthalamide),PPTA)或上述組合。而可撓性基板400的形成方法可為旋塗法(Spin Coating)、狹縫模具式塗佈法(slot-die coating)或壓合法(lamination)。
接著請參照第5圖。製造者可接著形成至少一主動元件於可撓性基板400上。主動元件例如可為薄膜電晶體(Thin-Film Transistor)，且若本實施方式之主動元件基板應用於顯示器，則主動元件也可為複數個，例如形成主動元件陣列500於可撓性基板400上，以對應顯示器中的複數 個畫素單元。這些主動元件用以分別作為各個畫素單元的開關元件。而在第5圖的製程之後，無機離型層300、可撓性基板400與主動元件陣列500將構成主動元件基板。
接著請參照第6圖。製造者此時可進行切割步驟，以定義並切齊主動元件基板之邊界。詳細而言，製造者可沿著切割線50，至少切割可撓性基板400與無機離型層300，以定義包含無機離型層300、可撓性基板400與主動元件陣列500之疊層結構10，此疊層結構10即為主動元件基板。而上述之切割方式可為雷射切割或機械切割。
應注意的是，雖然上述之切割步驟僅切割至無機離型層300，然而在一或多個實施方式中，當進行切割步驟時，為了方便起見，有機離型層200也可一併進行切割。另外雖然在第6圖中之主動元件陣列500並未被切割，然而製造者也可依實際情況選擇是否一併切割主動元件陣列500，本發明不以此為限。
接著請參照第7圖。製造者此時可分開有機離型層200與無機離型層300，使得疊層結構10自有機離型層200上剝離下來。詳細而言，載板100與有機離型層200之間、有機離型層200與無機離型層300之間，以及無機離型層300與可撓性基板400之間皆具有不同的吸引力，這些吸引力使得上述各層之間能夠結合在一起。然而，因有機離型層200與無機離型層300之間的吸引力，較載板100與有機離型層200之間的吸引力，以及無機離型層300與可撓性基板400之間的吸引力皆來得小，使得當製造者剝離載 板100上之結構時，有機離型層200與無機離型層300之間會首先分開，也因此疊層結構10得以自載板100剝離。另一方面，在完成剝離製程後，有機離型層200仍附著於載板100上，而切割製程在有機離型層200所形成的切割痕跡在第7圖中以虛線表示。
因有機離型層200與無機離型層300之間的弱吸引力，製造者不需花費太大的力氣即可施行剝離製程，也因此本實施方式的主動元件基板之製作方法，在剝離過程中，能夠減少對位於無機離型層300上方的主動元件陣列500的損害。
因此，在第7圖的製程完成後，本實施方式之主動元件基板(即疊層結構10)包含無機離型層300、可撓性基板400與主動元件陣列500。可撓性基板400具有相對之第一表面410與第二表面420，其中第一表面410為平坦表面。無機離型層300全面覆蓋可撓性基板400之第一表面410，而主動元件陣列500則位於可撓性基板400之第二表面420上方。
在本實施方式中，無機離型層300的材質可為金屬、金屬氧化物或上述組合。因有機離型層200與主動元件基板10之無機離型層300的材質差異性較大，因此有機離型層200與無機離型層300之間的吸引力十分微弱，讓製造者在製程完成後可輕易地分開兩者。
詳細而言，在一或多個實施方式中，無機離型層300的材質可為金屬，例如金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、銅(Cu)、 鈦(Ti)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鉛(Pd)、銠(Rh)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋅(Zn)、錫(Sn)或上述組合。無機離型層300之分子間的吸引力主要是金屬鍵，而有機離型層200之分子間的吸引力主要是凡德瓦爾力(Van der Waals’ forces)，這兩種不同型態的力會讓無機離型層300與有機離型層200之間的吸引力十分微弱，因此製造者在製程完成後可以很輕易地將兩者分開。當無機離型層300的材質為金屬時，無機離型層300的厚度可為約0.001至1微米。此外，若要無機離型層300呈現透明狀，無機離型層300的厚度可為約0.001至0.02微米。
在一或多個實施方式中，無機離型層300的材質亦可為金屬氧化物，例如：In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN、In2O3：Sn(ITO)、ZnO：In(IZO)、ZnO：Ga(GZO)、ZnO：Al(AZO)、SnO2：F、TiO2：Ta、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4或上述組合。當無機離型層300的材質為金屬氧化物時，無機離型層300的厚度可為約0.001至1微米。
接下來對本實施方式之顯示器的細節作詳細說明。請參照第8圖，其繪示本發明一實施方式之顯示器的剖面圖。在本實施方式中，主動元件502為底閘(bottom gate)型薄膜電晶體。主動元件502包含閘極520、閘介電層530、通道層540、源極550與汲極560。閘極520置於可撓性基板400上方。通道層540位於閘極520上方。閘介電層530介於通道層540與閘極520之間。源極550與汲極560置於通道層540上，並分別電性連接通道層540。
詳細而言，閘極520的材質可包含鈦、鉬、鉻、銥、鋁、銅、銀、金、鋅、銦、鎵等上述之組合或合金。製造者例如可先形成第一導電層，隨之以微影蝕刻製程圖案化此第一導電層，藉此在可撓性基板400上形成閘極520。第一導電層的形成方法可為物理氣相沉積法，如濺鍍法，或是化學氣相沉積法，而圖案化第一導電層的方法則可為微影蝕刻法、網版印刷法、噴墨法或雷射剝除法。
閘介電層530的材質可包含氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述組合。而閘介電層530的形成方式可為例如化學氣相沉積法。
通道層540的材質可包含非晶矽、多晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體(organic semiconductor)、氧化物半導體(oxide semiconductor)或上述組合。製造者例如可先形成半導體層，隨之以微影蝕刻製程圖案化此半導體層，藉此在閘介電層530上形成通道層540。半導體層的形成方法可為物理氣相沉積法，如濺鍍法，或是化學氣相沉積法，而圖案化半導體層的方法則可為微影蝕刻法、網版印刷法、噴墨法或雷射剝除法。
源極550與汲極560的材質可包含鈦、鉬、鉻、銥、鋁、銅、銀、金、鋅、銦、鎵等上述組合或合金。製造者例如可先形成第二導電層，此第二導電層全面覆蓋通道層540與閘介電層530。接著，製造者可圖案化此第二導電層，藉此於通道層540之兩側分別形成源極550與汲極560。第二導電層的形成方法可為物理氣相沉積法，如濺鍍法，或 是化學氣相沉積法。而圖案化第二導電層的方法則可為微影蝕刻法、網版印刷法、噴墨法或雷射剝除法。
而在一或多個實施方式中，可撓性基板400與主動元件502之間亦可形成緩衝層450。緩衝層450可完全覆蓋可撓性基板400，使可撓性基板400免於受後續製程的破壞。緩衝層450的材質可為氮化矽，而緩衝層450之形成方法可為物理氣相沉積法，如濺鍍法或是化學氣相沉積法。
另外，主動元件502可更包含保護層570。保護層570覆蓋閘介電層530、通道層540、源極550與汲極560。而為了使主動元件502與其他元件電性連接，保護層570可具有連接孔572，以暴露出汲極560。在本實施方式中，保護層570的材質可包含氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或上述組合。保護層570的形成方式可為例如旋塗法，而形成連接孔572的方法可為微影蝕刻法(lithography and etching)。
主動元件502可作為顯示器之畫素的開關元件。以液晶顯示器而言，主動元件502之汲極560可電性連接一畫素電極，用以改變液晶分子的指向。以電激發光顯示器而言，主動元件502之汲極560可電性連接電激發光元件(如發光二極體或有機發光二極體)之一電極，以提供電激發光元件之驅動電壓。以電溼潤顯示器而言，主動元件502之汲極560可電性連接一畫素電極，以改變其極性分子的位置。而以電泳顯示器而言，主動元件502之汲極560可電性連接一畫素電極，用以改變其微膠囊中之彩色粒子的 位置。
因此，為了方便起見，在完成主動元件502的製程後，製造者可選擇繼續製作顯示器的顯示元件600。顯示元件600包含第一電極610、畫素定義層620、發光層630與第二電極640。第一電極610置於主動元件502上方，且與主動元件502之汲極560電性連接。畫素定義層620覆蓋第一電極610與主動元件502。畫素定義層620具有畫素開口622，以暴露出部分之第一電極610。發光層630置於第一電極610上，且位於畫素開口622內。第二電極640覆蓋發光層630以及畫素定義層620。
詳細而言，第一電極610的材質可包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或上述組合。製造者例如可先在主動元件502上形成第三導電層，此第三導電層全面覆蓋主動元件502。接著，製造者可圖案化此第三導電層，藉此形成第一電極610。在本實施方式中，第三導電層的形成方法可為物理氣相沉積法，如濺鍍法或是化學氣相沉積法，而圖案化第三導電層的方式可為例如微影蝕刻法。
在本實施方式中，畫素定義層620的材質可包含有機材料、無機材料或上述組合。而畫素定義層620的形成方法例如為旋塗法，且形成畫素開口622的方法可為微影蝕刻法。
在一或多個實施方式中，發光層630的結構由第一電極610之一端依序可為電洞傳輸層、有機發光材料層與電子傳輸層，然而本發明並不以上述所形成之結構為限。
第二電極640的材質可包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或上述組合。而第二電極640的形成方法可為物理氣相沉積法，如濺鍍法或是化學氣相沉積法。
然而上述之主動元件502的種類並非用以限制本發明，在一或多個實施方式中，主動元件可為頂閘(top gate)型薄膜電晶體。請參照第9圖，其繪示本發明另一實施方式之顯示器的剖面圖。主動元件702包含通道層720、閘介電層730、閘極740、源極750與汲極760。通道層720置於可撓性基板400上方。閘介電層730覆蓋通道層720。閘介電層730具有第一開口732與第二開口734，以分別暴露出部分之通道層720。閘極740置於閘介電層730上，使得閘介電層730介於通道層720與閘極740之間。源極750與汲極760置於閘介電層730上，並分別透過第一開口732與第二開口734而電性接觸通道層720。
主動元件702亦可作為顯示器之畫素單元的開關元件。即主動元件702的上方可再製作顯示元件600。至於其他的細節因與第8圖的實施方式相同，因此便不再贅述。
在一或多個實施方式中，切割步驟可在完成顯示元件600後進行。詳細而言，製作者在完成第4圖的製程後，接著可將第8圖或第9圖之主動元件502或702以及顯示元件600依序製作於可撓性基板400上。如第6圖所示，在完成顯示元件600後，即可進行切割步驟，其中切割步驟包含切割可撓性基板400與無機離型層300，以定義出疊層結構10的邊界。因此在本實施方式中，疊層結構10即 包含無機離型層300、可撓性基板400、主動元件502(或702)與顯示元件600。而在進行切割步驟後，藉由分開無機離型層300與有機離型層200，疊層結構10即可自載板100上剝離下來，以完成顯示器的製程。
然而在其他的實施方式中，切割步驟亦可於主動元件基板形成後以及顯示元件600(如第8圖與第9圖所繪示)形成前進行，即在完成主動元件基板後便進行切割步驟。詳細而言，製作者在完成第4圖的製程後，接著可將第8圖或第9圖之主動元件502或702製作於可撓性基板400上。之後進行切割步驟，如第6圖所示。製作者接著形成顯示元件600於主動元件502或702上。而在完成顯示元件600後，製作者可分開無機離型層300與有機離型層200，以完成顯示器的製程。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧疊層結構
100‧‧‧載板
200‧‧‧有機離型層
300‧‧‧無機離型層
400‧‧‧可撓性基板
410‧‧‧第一表面
420‧‧‧第二表面
500‧‧‧主動元件陣列

Claims (8)

  1. 一種主動元件基板，包含：一可撓性基板，具有相對之一第一表面與一第二表面，其中該第一表面為一平坦表面；一無機離型層，覆蓋該可撓性基板之該第一表面，其中該無機離型層的材質為金屬氧化物，且該無機離型層的材質為In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN、In2O3：Sn(ITO)、ZnO：In(IZO)、ZnO：Ga(GZO)、ZnO：Al(AZO)、SnO2：F、TiO2：Ta、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4或上述組合；以及至少一主動元件，位於該可撓性基板之該第二表面上。
  2. 如請求項1所述的主動元件基板，其中該無機離型層的厚度為約0.001至1微米。
  3. 如請求項1所述的主動元件基板，其中該可撓性基板的材質為聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylene benzobisimidazole),PBI)、聚苯并噁唑(poly(p-phenylene benzobisoxazole),PBO)、聚對苯二甲酰對苯二胺(poly(p-phenylene terephthalamide),PPTA)或上述組合，其中該無機離型層全面覆蓋該可撓性基板之該第一表面。
  4. 一種主動元件基板的製作方法，包含：提供一載板；形成一有機離型層於該載板上；形成一無機離型層於該有機離型層上，其中該無機離型層的材質為金屬、金屬氧化物或上述組合；形成一可撓性基板於該無機離型層上，其中該可撓性基板與該無機離型層鄰接之一面為一平坦表面；形成至少一主動元件於該可撓性基板上切割該可撓性基板與該無機離型層，以形成包含該無機離型層、該可撓性基板與該主動元件之一疊層結構；以及分開該有機離型層與該無機離型層。
  5. 如請求項4所述的製作方法，更包含：切割該有機離型層。
  6. 如請求項4所述的製作方法，其中該有機離型層之形成方法為物理氣相沉積法、化學氣相沉積法、旋轉塗佈法、網版印刷法或噴墨塗佈法，其中該有機離型層之材質為聚對二甲苯(Parylene)、矽烷(Silane)、矽氧烷(Siloxane)、矽氟烷(FAS)或上述組合，其中該無機離型層之形成方法為物理氣相沉積法、化學氣相沉積法或濺鍍法，該製作方法更包含：在形成該無機離型層前，對該有機離型層進行加熱退 火。
  7. 一種顯示器的製作方法，包含：如請求項4所述之主動元件基板的製作方法；以及形成至少一顯示元件於該至少一主動元件上。
  8. 如請求項7所述的製作方法，其中於形成該至少一顯示元件於該至少一主動元件上之步驟前或形成該至少一顯示元件於該至少一主動元件上之步驟後，更包含切割該可撓性基板與該無機離型層以分開該有機離型層與該無機離型層。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014114982B4 (de) * 2014-10-15 2023-01-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bilden einer Chip-Baugruppe
US9515272B2 (en) * 2014-11-12 2016-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Display device manufacture using a sacrificial layer interposed between a carrier and a display device substrate
CN104821294B (zh) * 2015-04-23 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置及其制作方法
WO2017115484A1 (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN105810687A (zh) * 2016-03-11 2016-07-27 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板的制作方法
KR102610028B1 (ko) * 2016-04-12 2023-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10261310B2 (en) 2016-06-27 2019-04-16 Amazon Technologies, Inc. Amorphous silicon layer as optical filter for thin film transistor channel
EP3311994B1 (de) * 2016-10-21 2020-01-08 Carl Zeiss Vision International GmbH 3d-druckverfahren zur herstellung eines brillenglases
TWI635626B (zh) * 2017-10-19 2018-09-11 友達光電股份有限公司 發光裝置
WO2019104691A1 (zh) * 2017-11-30 2019-06-06 深圳市柔宇科技有限公司 柔性部件及柔性显示面板的制造方法
KR20200054425A (ko) * 2018-11-09 2020-05-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100592467C (zh) * 1996-08-27 2010-02-24 精工爱普生株式会社 转移方法
EP1363319B1 (en) * 2002-05-17 2009-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of transferring an object and method of manufacturing a semiconductor device
US7927971B2 (en) * 2004-07-30 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4650066B2 (ja) * 2005-04-01 2011-03-16 セイコーエプソン株式会社 転写用基板、可撓性配線基板の製造方法および電子機器の製造方法
TWI611565B (zh) * 2006-09-29 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI505410B (zh) 2008-12-30 2015-10-21 Ind Tech Res Inst 應用於軟性電子元件之基板結構及其製造方法
TWI419091B (zh) * 2009-02-10 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法
US8604485B2 (en) * 2009-07-08 2013-12-10 E Ink Holdings Inc. Intermediate structure, method and substrate for fabricating flexible display device
KR101617280B1 (ko) 2009-10-21 2016-05-03 엘지디스플레이 주식회사 플라스틱 기판을 이용한 표시장치 제조 방법
JP5042297B2 (ja) * 2009-12-10 2012-10-03 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
TWI486259B (zh) * 2010-12-27 2015-06-01 Au Optronics Corp 可撓式基板結構及其製作方法
KR101724005B1 (ko) 2011-04-29 2017-04-07 삼성에스디아이 주식회사 태양전지와 그 제조 방법
TWI433625B (zh) * 2011-07-04 2014-04-01 Ind Tech Res Inst 軟性電子元件的製法
TWI539414B (zh) * 2011-09-21 2016-06-21 友達光電股份有限公司 可撓式顯示器的製作方法
US9293291B2 (en) * 2012-08-31 2016-03-22 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device manufacturing method and carrier substrate for the method
WO2014047640A1 (en) * 2012-09-24 2014-03-27 Akron Polymer Systems, Inc. Solution of aromatic polyamide for producing display element, optical element, or illumination element
CN102931255B (zh) 2012-11-20 2016-04-27 上饶光电高科技有限公司 一种背接触太阳能电池及其制造方法
CN103035490A (zh) * 2012-12-11 2013-04-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器件的制备方法

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