KR20100127593A - 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100127593A KR20100127593A KR1020090046098A KR20090046098A KR20100127593A KR 20100127593 A KR20100127593 A KR 20100127593A KR 1020090046098 A KR1020090046098 A KR 1020090046098A KR 20090046098 A KR20090046098 A KR 20090046098A KR 20100127593 A KR20100127593 A KR 20100127593A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- source
- thin film
- drain electrode
- film transistor
- drain electrodes
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 64
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical group [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 4
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- -1 oxide Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
- H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
Abstract
본 발명의 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 비정질 아연 산화물(ZnO)계 반도체를 액티브층으로 사용한 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터에 있어서, 얇은 두께의 제 1 소오스/드레인전극 위에 상기 제 1 소오스/드레인전극보다 폭이 좁은 형태로 제 2 소오스/드레인전극을 형성하여 채널영역의 단차를 감소시킴으로써 소오스/드레인전극의 단차에 의한 액티브층의 단선을 방지하는 한편 소자의 열화 및 균일도 저하를 방지하기 위한 것으로, 기판 위에 제 1 도전막으로 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 제 2 도전막으로 형성되며, 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 소오스/드레인전극 위에 제 3 도전막으로 형성되며, 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 소오스/드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 소오스/드레인전극 상부에 비정질 아연 산화물계 반도체로 이루어진 액티브층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1, 제 2 소오스/드레인전극의 에지부는 채널영역에서 계단형태를 가져 상기 액티브층과 넓은 영역에서 콘택 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 본 발명에 따른 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 상기 제 2 소오스/드레인전극의 두께를 두껍게 할 수 있어 저저항 배선설계가 가능한 것을 특징으로 한다.
산화물 박막 트랜지스터, 제 1, 제 2 소오스/드레인전극, 단차
Description
본 발명은 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비정질 아연 산화물계 반도체를 액티브층으로 사용한 바텀 게이트 구조의 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.
상기 액정표시장치는 크게 컬러필터(color filter) 기판과 어레이(array) 기판 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)으로 구성된다.
상기 액정표시장치에 주로 사용되는 구동 방식인 능동 매트릭스(Active Matrix; AM) 방식은 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon Thin Film Transistor; a-Si TFT)를 스위칭소자로 사용하여 화소부의 액정을 구동하는 방식이다.
이하, 도 1을 참조하여 일반적인 액정표시장치의 구조에 대해서 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타내는 분해사시도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 상기 액정표시장치는 크게 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 및 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)(30)으로 구성된다.
상기 컬러필터 기판(5)은 적(Red; R), 녹(Green; G) 및 청(Blue; B)의 색상을 구현하는 다수의 서브-컬러필터(7)로 구성된 컬러필터(C)와 상기 서브-컬러필터(7) 사이를 구분하고 액정층(30)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(black matrix)(6), 그리고 상기 액정층(30)에 전압을 인가하는 투명한 공통전극(8)으로 이루어져 있다.
또한, 상기 어레이 기판(10)은 종횡으로 배열되어 복수개의 화소영역(P)을 정의하는 복수개의 게이트라인(16)과 데이터라인(17), 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에 형성된 스위칭소자인 박막 트랜지스터(T) 및 상기 화소영역(P) 위에 형성된 화소전극(18)으로 이루어져 있다.
상기의 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)은 화상표시 영역의 외곽에 형성 된 실런트(sealant)(미도시)에 의해 대향하도록 합착되어 액정표시패널을 구성하며, 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)의 합착은 상기 컬러필터 기판(5) 또는 어레이 기판(10)에 형성된 합착키(미도시)를 통해 이루어진다.
한편, 전술한 액정표시장치는 가볍고 전력소모가 작아 지금가지 가장 주목받는 디스플레이 소자이지만, 상기 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 기술적 한계가 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 소자에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.
새로운 평판표시장치 중 하나인 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diode; OLED)는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.
최근 유기전계발광 디스플레이의 대면적화에 관한 연구가 활발하게 진행되고 있으며, 이를 달성하기 위하여 유기전계발광소자의 구동 트랜지스터로서 정전류 특성을 확보하여 안정된 작동 및 내구성이 확보된 트랜지스터 개발이 요구되고 있다.
전술한 액정표시장치에 사용되는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 저온 공정에서 제작할 수 있지만 이동도(mobility)가 매우 작고 정전류 테스트(constant current bias) 조건을 만족하지 않는다. 반면에 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 높은 이동도와 만족스러운 정전류 테스트 조건을 가지는 반면에 균일한 특성 확보 가 어려워 대면적화가 어렵고 고온 공정이 필요하다.
이에 산화물 반도체로 액티브층을 형성한 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 개발하고 있는데, 이때 산화물 반도체를 기존의 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터에 적용하는 경우 소오스/드레인전극의 식각공정 중에 산화물 반도체가 손상을 받아 변성을 일으키는 문제가 있다.
도 2는 일반적인 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 바텀 게이트 구조의 산화물 박막 트랜지스터는 기판(10) 위에 게이트전극(21)과 게이트절연막(15)이 형성되고, 상기 게이트절연막(15) 위에 산화물 반도체로 이루어진 액티브층(24)이 형성되게 된다.
이후, 상기 액티브층(24) 위에 소오스/드레인전극(22, 23)이 형성되게 되는데, 이때 상기 소오스/드레인전극(22, 23)을 증착하고 식각하는 과정에서 그 하부의 액티브층(24)(특히, A부분)이 손상을 받아 변성이 되는 경우가 있다. 이에 따라 소자의 신뢰성에 문제점을 가지게 된다.
즉, 소오스/드레인전극용 금속은 산화물 반도체와의 콘택저항을 고려하여 몰리브덴 계열의 금속으로 제한되게 되는데, 소오스/드레인전극을 습식식각으로 형성하는 경우에는 에천트(etchant)에 취약한 산화물 반도체의 물성(物性)으로 인해 액티브층의 유실 혹은 손상을 초래하며, 상기 소오스/드레인전극을 건식식각으로 형성하는 경우에도 산화물 반도체의 백-스퍼터링(back-sputtering) 및 산소 결핍(oxygen deficiency)으로 인해 액티브층이 변성되게 된다.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 비정질 아연 산화물계 반도체를 액티브층으로 사용한 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 소오스/드레인전극 위에 액티브층을 형성함으로써 상기 소오스/드레인전극 식각시 발생하는 상기 비정질 아연 산화물계 반도체의 변성을 방지하도록 한 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같이 소오스/드레인전극 위에 액티브층을 형성하는 경우에 있어, 상기 소오스/드레인전극의 단차에 의한 액티브층의 단선불량을 방지하고 소오스/드레인전극의 두께를 두껍게 함으로써 저저항 설계를 가능하도록 한 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 산화물 박막 트랜지스터는 기판 위에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 위에 형성되며, 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극; 상기 제 1 소오스/드레인전극 위에 형성되며, 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 소오스/드레인전극; 및 상기 제 2 소오스/드레인전극 상부에 형성되며, 비정질 아연 산화 물계 반도체로 이루어진 액티브층을 포함하며, 상기 제 1, 제 2 소오스/드레인전극의 에지부는 채널영역에서 계단형태를 가져 상기 액티브층과 넓은 영역에서 콘택 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법은 기판 위에 제 1 도전막으로 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 제 2 도전막으로 형성되며, 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 소오스/드레인전극 위에 제 3 도전막으로 형성되며, 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 소오스/드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 소오스/드레인전극 상부에 비정질 아연 산화물계 반도체로 이루어진 액티브층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1, 제 2 소오스/드레인전극의 에지부는 채널영역에서 계단형태를 가져 상기 액티브층과 넓은 영역에서 콘택 하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 비정질 아연 산화물계 반도체를 액티브층으로 사용함에 따라 균일도가 우수하여 대면적 디스플레이에 적용 가능한 효과를 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 소오스/드레인전극 위에 액티브층을 형성함으로써 상기 소오스/드레인전극 식각시 발생하는 산화물 반도체의 변성 및 균일도 저하를 방지할 수 있게 된다.
특히, 본 발명에 따른 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법은 얇은 두께 의 제 1 소오스/드레인전극 위에 상기 제 1 소오스/드레인전극보다 폭이 좁은 형태로 제 2 소오스/드레인전극을 형성하여 채널영역의 단차를 감소시킴으로써 소오스/드레인전극의 단차에 의한 액티브층의 단선을 방지할 수 있게 된다. 그 결과 콘택불량을 방지할 수 있으며 소자 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 상기 제 2 소오스/드레인전극의 두께를 두껍게 할 수 있어 저저항 배선설계가 가능하여 대면적 디스플레이나 고해상도 디스플레이에 적용할 수 있는 효과를 제공한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 비정질 아연 산화물계 반도체를 액티브층으로 사용한 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타내고 있다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 소정의 기판(110) 위에 형성된 게이트전극(121), 상기 게이트전극(121) 위에 형성된 게이트절연막(115), 상기 게이트절연막(115) 위에 형성된 소오스/드레인전극(122, 123) 및 비정질 아연 산화물계 반도체로 형성되어 상기 소오스/드레인전극(122, 123)과 전기적으로 접속하는 액티브층(124)으로 이루어져 있다.
이때, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 비정질 아연 산화물계 반도체를 이용하여 액티브층(124)을 형성함에 따라 높은 이동도와 정전류 테스트 조건을 만족하는 한편 균일한 특성이 확보되어 대면적 디스플레이에 적용 가능한 장점을 가지고 있다.
상기 아연 산화물(ZnO)은 산소 함량에 따라 전도성, 반도체성 및 저항성의 3가지 성질을 모두 구현할 수 있는 물질로, 비정질 아연 산화물계 반도체 물질을 액티브층(124)으로 적용한 산화물 박막 트랜지스터는 액정표시장치와 유기전계발광 디스플레이를 포함하는 대면적 디스플레이에 적용될 수 있다.
또한, 최근 투명 전자회로에 엄청난 관심과 활동이 집중되고 있는데, 상기 비정질 아연 산화물계 반도체 물질을 액티브층(124)으로 적용한 산화물 박막 트랜지스터는 높은 이동도를 가지는 한편 저온에서 제작이 가능함에 따라 상기 투명 전자회로에 사용될 수 있는 장점이 있다.
특히, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 상기 ZnO에 인듐(indium; In)과 갈륨(gallium; Ga)과 같은 중금속이 함유된 a-IGZO 반도체로 액티브층(124)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 a-IGZO 반도체는 가시광선을 통과시킬 수 있어 투명하며, 또한 상기 a-IGZO 반도체로 제작된 산화물 박막 트랜지스터는 1~100cm2/Vs의 이동도를 가져 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 높은 이동도 특성을 나타낸다.
또한, 상기 a-IGZO 반도체는 넓은 밴드 갭을 가져 높은 색 순도를 갖는 UV 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED), 백색 LED와 그밖에 다른 부품들을 제작할 수 있으며, 저온에서 공정이 가능하여 가볍고 유연한 제품을 생산할 수 있는 특징을 가지고 있다.
더욱이 상기 a-IGZO 반도체로 제작된 산화물 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와 비슷한 균일한 특성을 나타냄에 따라 부품 구조도 비정질 실리콘 박막 트랜지스터처럼 간단하며, 대면적 디스플레이에 적용할 수 있는 장점을 가지고 있다.
이와 같은 특징을 가진 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 스퍼터링 중의 반응 가스 내의 산소 농도를 조절함으로써 액티브층(124)의 캐리어 농도를 조절할 수 있어 박막 트랜지스터의 소자특성을 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 소오스/드레인전극(122, 123)을 형성한 후에 a-IGZO 산화물 반도체를 증착하여 액티브층(124)을 형성함으로써 전술한 소오스/드레인전극(122, 123) 식각시 발생하는 산화물 반도체의 변성문제를 근본적으로 해결할 수 있게 된다.
즉, 산화물 반도체는 소자 제작 중의 공정, 즉 소오스/드레인전극의 건식식각과 같은 공정에 노출됨에 따라 그 특성이 변성되어 소자의 열화 또는 균일도의 저하가 발생한다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해서 본 발명은 소오스/드레인전극(122, 123)을 형성한 후, 그 위에 채널로 사용되는 액티브층(124)을 형성하는 구조를 적용하게 된다.
다만, 이와 같은 구조는 소오스/드레인전극의 단차에 의해서 액티브층의 단선 및 콘택 등이 문제가 되어 실효성이 낮은 단점을 가지고 있다. 즉, 도 4를 참조 하면, 500Å 정도의 두께로 소오스/드레인전극을 형성한 후 비정질 아연 산화물계 반도체층을 증착하여 액티브층을 형성할 경우 상기 액티브층은 상기 소오스/드레인전극의 단차에 의해 상기 소오스/드레인전극의 에지부에서 단선되는 문제가 발생하게 되는데, 이에 얇은 두께의 제 1 소오스/드레인전극 위에 상기 제 1 소오스/드레인전극보다 폭이 좁은 형태로 제 2 소오스/드레인전극을 형성하여 채널영역의 단차를 감소시킴으로써 전술한 소오스/드레인전극의 단차에 의한 액티브층의 단선을 방지할 수 있게 되는데, 이를 다음의 본 발명의 제 2 실시예를 통해 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 소오스/드레인전극을 이중층으로 구성하는 한편 채널영역의 단차를 감소시킨 것을 제외하고는 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터와 동일한 구성요소로 이루어져 있다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 소정의 기판(210) 위에 형성된 게이트전극(221), 상기 게이트전극(221) 위에 형성된 게이트절연막(215), 상기 게이트절연막(215) 위에 형성된 소오스/드레인전극(222, 223) 및 비정질 아연 산화물계 반도체로 형성되어 상기 소오스/드레인전극(222, 223)과 전기적으로 접속하는 액티브층(224)으로 이루어져 있다.
이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 전술한 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터와 동일하게 비정질 아연 산화물계 반도체를 이용하여 액티브층(224)을 형성함에 따라 높은 이동도와 정전류 테스트 조 건을 만족하는 한편 균일한 특성이 확보되어 대면적 디스플레이에 적용 가능한 장점을 가지고 있다.
특히, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 상기 ZnO에 인듐과 갈륨과 같은 중금속이 함유된 a-IGZO 반도체로 액티브층(224)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 스퍼터링 중의 반응 가스 내의 산소 농도를 조절함으로써 액티브층(224)의 캐리어 농도를 조절할 수 있어 박막 트랜지스터의 소자특성을 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 소오스/드레인전극(222, 223)을 형성한 후에 a-IGZO 산화물 반도체를 증착하여 채널용 액티브층(224)을 형성함으로써 전술한 소오스/드레인전극(222, 223) 식각시 발생하는 산화물 반도체의 변성문제를 근본적으로 해결할 수 있게 된다.
여기서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 산화물 반도체, 즉 액티브층(224)과 소오스/드레인전극(222, 223) 사이의 오믹접촉 특성을 향상시키기 위해 상기 소오스/드레인전극(222, 223)을 이중층으로 형성하는데, 상기 소오스/드레인전극(222, 223)은 게이트절연막(215)과 접촉하는 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a) 및 상기 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a) 위에 형성되어 상기 액티브층(224)과 접촉하는 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)으로 이루어진다.
이때, 상기 액티브층(224)과 직접 접촉하는 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)은 산소와의 결합력이 우수한 티타늄(titanium; Ti), 티타늄 합금(Ti alloy) 또는 상기 a-IGZO 산화물 반도체와 오믹접촉 특성이 우수한 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 등의 금속으로 이루어질 수 있다.
특히, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 얇은 두께로 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)을 형성하고 그 위에 상기 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)보다 폭이 줄어든 형태로 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)을 형성하여 채널영역의 단차를 감소시킴으로써 상기 소오스/드레인전극(222, 223)의 단차에 의한 액티브층(224)의 단선을 방지할 수 있게 되는데, 이를 다음의 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법을 통해 상세히 설명한다.
도 6a 내지 도 6c는 상기 도 5에 도시된 산화물 박막 트랜지스터의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 투명한 절연물질로 이루어진 기판(210) 위에 소정의 게이트전극(221)을 형성한다.
이때, 본 발명의 산화물 박막 트랜지스터에 적용되는 비정질 아연 산화물계 복합 반도체는 저온 증착이 가능하여, 플라스틱 기판, 소다라임 글라스 등의 저온 공정에 적용이 가능한 기판(210)을 사용할 수 있다. 또한, 비정질 특성을 나타냄으로 인해 대면적 디스플레이용 기판(210)의 사용이 가능하다.
또한, 상기 게이트전극(221)은 제 1 도전막을 상기 기판(210) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.
여기서, 상기 제 1 도전막으로 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 니켈(nickel; Ni), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo), 티타늄(titanium; Ti), 백금(platinum; Pt), 탄탈(tantalum; Ta) 등과 같은 저저항 불투명 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 투명한 도전물질을 사용할 수 있으며, 상기 도전물질이 두 가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(221)이 형성된 기판(210) 전면에 게이트절연막(215)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트절연막(215)이 형성된 기판(210) 전면에 제 2 도전막 및 제 3 도전막을 형성한 후 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 제 2 도전막과 제 3 도전막을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 게이트절연막(215) 상부에 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)과 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)으로 이루어진 이중층 구조의 소오스/드레인전극(222, 223)을 형성하게 된다.
이때, 상기 게이트절연막(215)과 접촉하는 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)은 두께를 얇게 하여 형성하고 그 위에 상기 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)보다 폭이 줄어든 형태로 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)을 형성함으로써 채널영역의 단차를 감소시킬 수 있게 된다.
이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 먼저 제 2 도전막과 3 도전막을 식각하여 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)을 형성한 다음 애싱(ashing)된 감광막패턴을 이용하여 상기 제 3 도전막을 재차 식각함으로써 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)을 형성하게 되는데, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 7a 내지 도 7e는 상기 도 6b에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 2 마스크공정을 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(221)이 형성된 기판(210) 전면에 실리콘질화막(SiNx), 실리콘산화막(SiO2)과 같은 무기절연막 또는 하프늄(hafnium; Hf) 옥사이드, 알루미늄 옥사이드와 같은 고유전성 산화막으로 이루어진 게이트절연막(215)을 형성한다.
이때, 상기 게이트절연막(215)은 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition; CVD) 또는 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition; PECVD)으로 형성할 수 있다.
그리고, 상기 게이트절연막(215)이 형성된 기판(210) 전면에 소정의 제 2 도전막(230) 및 제 3 도전막(240)을 형성한다.
이때, 상기 제 2 도전막(230)은 상기 게이트절연막(215) 위에 제 1 소오스/드레인전극을 형성하기 위해 금속 종류에 관계없이 사용할 수 있으며, 상기 제 3 도전막(240)은 산소와의 결합력이 우수한 티타늄, 티타늄 합금 또는 상기 a-IGZO 산화물 반도체와 오믹접촉 특성이 우수한 인듐-틴-옥사이드, 몰리브덴 등의 금속으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 소오스/드레인전극은 이중층 이상의 다층구조로 형성할 수도 있다.
또한, 상기 제 2 도전막(230)은 채널영역에서의 소오스/드레인전극의 단차에 의한 액티브층의 단선불량을 방지하기 위해 얇은 두께로 형성할 수 있다.
그리고, 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(210) 전면에 포토레지스트와 같은 감광성물질로 이루어진 감광막을 형성한 후, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 2 마스크공정을 통해 소정의 제 1 감광막패턴(270)을 형성한다.
다음으로, 도 7c에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 1 감광막패턴(270)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 제 2 도전막과 제 3 도전막을 선택적으로 제거하게 되면, 상기 게이트절연막(215) 상부에 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)이 형성되게 된다.
이때, 상기 제 2 도전막과 제 3 도전막의 식각은 습식식각을 이용할 수 있으며, 상기 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)의 상부에는 상기 제 3 도전막으로 이루어지며 실질적으로 상기 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)과 동일한 형태로 패터닝된 제 3 도전막패턴(222b', 223b')이 형성되게 된다.
이후, 상기 제 1 감광막패턴(270)의 일부를 제거하는 애싱공정을 진행하게 되면, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 도전막패턴(222b', 223b') 위에 소정의 제 2 감광막패턴(270')이 형성되게 된다.
이때, 상기 제 2 감광막패턴(270')은 애싱공정을 통해 폭과 두께 일부가 제 거됨에 따라 상기 제 1 감광막패턴보다 폭이 줄어든 형태로 제 2 소오스/드레인전극영역에만 남아있게 된다.
이후, 도 7e에 도시된 바와 같이, 상기 남아있는 제 2 감광막패턴(270')을 마스크로 하여 상기 제 3 도전막패턴의 일부를 선택적으로 제거함으로써 상기 기판(210)에 상기 제 3 도전막으로 이루어진 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)이 형성되게 된다.
이때, 상기 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)은 그 하부의 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)보다 폭이 줄어든 제 2 폭을 가지게 되며, 그에 따라 채널영역에서 상기 소오스/드레인전극(222, 223)의 에지부는 계단형태를 가져 실질적으로 단차가 감소하는 효과를 얻게 된다.
다음으로, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 이중층의 소오스/드레인전극(222, 223)이 형성된 기판(210) 전면에 비정질 아연 산화물계 반도체를 증착하여 소정의 비정질 아연 산화물계 반도체층을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝함으로써 상기 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)과 전기적으로 접속하는 액티브층(224)을 형성한다.
이때, 상기 비정질 아연 산화물계 복합 반도체, 특히 a-IGZO 반도체는 갈륨산화물(Ga2O3), 인듐산화물(In2O3) 및 아연산화물(ZnO)의 복합체 타겟을 이용하여 스퍼터링(sputtering) 방법에 의해 형성될 수 있으며, 이 이외에도 화학기상증착이나 원자증착(Atomic Layer Deposition; ALD) 등의 화학적 증착방법을 이용하는 것도 가능하다.
또한, 상기 a-IGZO 반도체는 갈륨, 인듐 및 아연의 원자비가 각각 1:1:1, 2:2:1, 3:2:1, 4:2:1 등의 복합 산화물 타겟을 사용하여 비정질 아연 산화물계 반도체층을 형성할 수 있다.
여기서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 상기 비정질 아연 산화물계 반도체층을 형성하기 위한 스퍼터링 중의 반응 가스 내의 산소 농도를 조절함으로써 액티브층(224)의 캐리어 농도를 조절할 수 있는데, 이때 산소 농도 1 ~ 10% 및 두께 500 ~ 1000Å 조건에서 소자특성의 확보가 가능하다.
이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 상기 액티브층(224)은 계단형태의 단차를 가진 소오스/드레인전극(222, 223)과 넓은 영역에서 콘택 됨으로써 단선이나 들뜸과 같은 상기 액티브층(224)의 콘택불량을 방지할 수 있게 된다.
또한, 이와 같이 하부 제 1 소오스/드레인전극(222a, 223a)으로 콘택영역을 확보함에 따라 제 2 소오스/드레인전극(222b, 223b)의 두께를 두껍게 할 수 있어 저저항 배선설계가 가능하게 된다. 그 결과 대면적 디스플레이나 고해상도 디스플레이에 적용할 수 있는 효과를 제공한다.
한편, 상기의 이중층 구조의 소오스/드레인전극은 회절마스크 또는 하프-톤 마스크(이하, 회절마스크를 지칭하는 경우에는 하프-톤 마스크를 포함하는 것으로 한다)를 이용하여 형성할 수도 있는데, 이를 다음의 본 발명의 제 3 실시예를 통해 상세히 설명한다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개 략적으로 나타내는 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 소정의 기판(310) 위에 형성된 게이트전극(321), 상기 게이트전극(321) 위에 형성된 게이트절연막(315), 상기 게이트절연막(315) 위에 형성된 소오스/드레인전극(322, 323) 및 비정질 아연 산화물계 반도체로 형성되어 상기 소오스/드레인전극(322, 323)과 전기적으로 접속하는 액티브층(324)으로 이루어져 있다.
이때, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 전술한 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터와 동일하게 비정질 아연 산화물계 반도체를 이용하여 액티브층(324)을 형성함에 따라 높은 이동도와 정전류 테스트 조건을 만족하는 한편 균일한 특성이 확보되어 대면적 디스플레이에 적용 가능한 장점을 가지고 있다.
특히, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 상기 ZnO에 인듐과 갈륨과 같은 중금속이 함유된 a-IGZO 반도체로 액티브층(324)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 스퍼터링 중의 반응 가스 내의 산소 농도를 조절함으로써 액티브층(324)의 캐리어 농도를 조절할 수 있어 박막 트랜지스터의 소자특성을 조절할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 소오스/드레인전극(322, 323)을 형성한 후에 a-IGZO 산화물 반도체를 증착하여 채널용 액 티브층(324)을 형성함으로써 전술한 소오스/드레인전극(322, 323) 식각시 발생하는 산화물 반도체의 변성문제를 근본적으로 해결할 수 있게 된다.
여기서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 산화물 반도체, 즉 액티브층(324)과 소오스/드레인전극(322, 323) 사이의 오믹접촉 특성을 향상시키기 위해 상기 소오스/드레인전극(322, 323)을 이중층으로 형성하는데, 상기 소오스/드레인전극(322, 323)은 게이트절연막(315)과 접촉하는 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a) 및 상기 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a) 위에 형성되어 상기 액티브층(324)과 접촉하는 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)으로 이루어진다.
이때, 상기 액티브층(324)과 직접 접촉하는 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)은 산소와의 결합력이 우수한 티타늄, 티타늄 합금 또는 상기 a-IGZO 산화물 반도체와 오믹접촉 특성이 우수한 인듐-틴-옥사이드, 몰리브덴 등의 금속으로 이루어질 수 있다.
특히, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 전술한 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터와 동일하게 얇은 두께로 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)을 형성하고 그 위에 상기 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)보다 폭이 줄어든 형태로 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)을 형성하여 채널영역의 단차를 감소시킴으로써 상기 소오스/드레인전극(322, 323)의 단차에 의한 액티브층(324)의 단선을 방지할 수 있게 된다.
도 9a 내지 도 9c는 상기 도 8에 도시된 산화물 박막 트랜지스터의 제조공정 을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 투명한 절연물질로 이루어진 기판(310) 위에 소정의 게이트전극(321)을 형성한다.
이때, 상기 게이트전극(321)은 제 1 도전막을 상기 기판(310) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.
다음으로, 도 9b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(321)이 형성된 기판(310) 전면에 게이트절연막(315)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트절연막(315)이 형성된 기판(310) 전면에 제 2 도전막 및 제 3 도전막을 형성한 후 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 제 2 도전막과 제 3 도전막을 선택적으로 패터닝함으로써 상기 게이트절연막(315) 상부에 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)과 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)으로 이루어진 이중층 구조의 소오스/드레인전극(322, 323)을 형성하게 된다.
이때, 상기 게이트절연막(315)과 접촉하는 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)은 두께를 얇게 하여 형성하고 그 위에 상기 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)보다 폭이 줄어든 형태로 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)을 형성함으로써 채널영역의 단차를 감소시킬 수 있게 된다.
이때, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 채널영역의 에지부에 회절패턴을 적용함으로써 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a) 위에 상기 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)보다 폭이 좁은 형태로 제 2 소오스/드레 인전극(322b, 323b)을 형성할 수 있게 되는데, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 10a 내지 도 10f는 상기 도 9b에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 제 2 마스크공정을 구체적으로 나타내는 단면도이다.
도 10a에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(321)이 형성된 기판(310) 전면에 실리콘질화막, 실리콘산화막과 같은 무기절연막 또는 하프늄) 옥사이드, 알루미늄 옥사이드와 같은 고유전성 산화막으로 이루어진 게이트절연막(315)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트절연막(315)이 형성된 기판(310) 전면에 소정의 제 2 도전막(330) 및 제 3 도전막(340)을 형성한다.
이때, 상기 제 2 도전막(330)은 상기 게이트절연막(315) 위에 제 1 소오스/드레인전극을 형성하기 위해 금속 종류에 관계없이 사용할 수 있으며, 상기 제 3 도전막(340)은 산소와의 결합력이 우수한 티타늄, 티타늄 합금 또는 상기 a-IGZO 산화물 반도체와 오믹접촉 특성이 우수한 인듐-틴-옥사이드, 몰리브덴 등의 금속으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 소오스/드레인전극은 이중층 이상의 다층구조로 형성할 수도 있다.
또한, 상기 제 2 도전막(330)은 채널영역에서의 소오스/드레인전극의 단차에 의한 액티브층의 단선불량을 방지하기 위해 얇은 두께로 형성할 수 있다.
그리고, 도 10b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(310) 전면에 포토레지스트와 같은 감광성물질로 이루어진 감광막(370)을 형성한 후, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 회절마스크(380)를 통해 상기 감광막(370)에 선택적으로 광을 조사한다.
이때, 상기 회절마스크(380)에는 조사된 광을 모두 투과시키는 제 1 투과영역(I)과 회절패턴이 적용되어 광의 일부만 투과시키고 일부는 차단하는 제 2 투과영역(II) 및 조사된 모든 광을 차단하는 차단영역(III)이 마련되어 있으며, 상기 회절마스크(380)를 투과한 광만이 감광막(370)에 조사되게 된다.
이어서, 상기 회절마스크(380)를 통해 노광된 감광막(370)을 현상하고 나면, 도 10c에 도시된 바와 같이, 상기 차단영역(III)과 제 2 투과영역(II)을 통해 광이 모두 차단되거나 일부만 차단된 영역에는 소정 두께의 제 1 감광막패턴(370a) 내지 제 4 감광막패턴(370d)이 남아있게 되고, 모든 광이 투과된 제 1 투과영역(I)에는 상기 감광막이 완전히 제거되어 상기 제 3 도전막(340) 표면이 노출되게 된다.
이때, 상기 차단영역(III)에 형성된 제 1 감광막패턴(370a)과 제 2 감광막패턴(370b)은 제 2 투과영역(II)을 통해 형성된 제 3 감광막패턴(370c)과 제 4 감광막패턴(370d)보다 두껍게 형성된다. 또한, 상기 제 1 투과영역(I)을 통해 광이 모두 투과된 영역에는 상기 감광막이 완전히 제거되는데, 이것은 포지티브 타입의 포토레지스트를 사용했기 때문이며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 네거티브 타입의 포토레지스트를 사용하여도 무방하다.
다음으로, 도 10d에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 1 감광막패턴(370a) 내지 제 4 감광막패턴(370d)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 제 2 도전막과 제 3 도전막을 선택적으로 제거하게 되면, 상기 게이트절연막(315) 상부에 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)이 형성되게 된다.
이때, 상기 제 2 도전막과 제 3 도전막의 식각은 습식식각을 이용할 수 있으 며, 상기 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)의 상부에는 상기 제 3 도전막으로 이루어지며 실질적으로 상기 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)과 동일한 형태로 패터닝된 제 3 도전막패턴(322b', 323b')이 형성되게 된다.
이후, 상기 제 1 감광막패턴(370a) 내지 제 4 감광막패턴(370d)의 일부를 제거하는 애싱공정을 진행하게 되면, 도 10e에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 투과영역(II)의 제 3 감광막패턴과 제 4 감광막패턴이 완전히 제거되게 된다.
이때, 상기 제 1 감광막패턴과 제 2 감광막패턴은 상기 제 3 감광막패턴과 제 4 감광막패턴의 두께만큼이 제거된 제 5 감광막패턴(370a')과 제 6 감광막패턴(370b')으로 상기 차단영역(III)에 대응하는 제 2 소오스/드레인영역에만 남아있게 된다.
이후, 도 10f에 도시된 바와 같이, 상기 남아있는 제 5 감광막패턴(370a')과 제 6 감광막패턴(370b')을 마스크로 하여 상기 제 3 도전막패턴의 일부를 선택적으로 제거함으로써 상기 기판(310)에 상기 제 3 도전막으로 이루어진 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)이 형성되게 된다.
이때, 상기 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)은 그 하부의 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)보다 채널영역에서 폭이 줄어든 제 2 폭을 가지게 되며, 그에 따라 채널영역에서 상기 소오스/드레인전극(322, 323)의 에지부는 계단형태를 가져 실질적으로 단차가 감소하는 효과를 얻게 된다.
다음으로, 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 이중층의 소오스/드레인전극(322, 323)이 형성된 기판(310) 전면에 비정질 아연 산화물계 반도체를 증착하여 소정의 비정질 아연 산화물계 반도체층을 형성한 후, 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝함으로써 상기 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)과 전기적으로 접속하는 액티브층(324)을 형성한다.
이때, 상기 비정질 아연 산화물계 복합 반도체, 특히 a-IGZO 반도체는 갈륨산화물, 인듐산화물 및 아연산화물의 복합체 타겟을 이용하여 스퍼터링 방법에 의해 형성될 수 있으며, 이 이외에도 화학기상증착이나 원자증착( 등의 화학적 증착방법을 이용하는 것도 가능하다.
또한, 상기 a-IGZO 반도체는 갈륨, 인듐 및 아연의 원자비가 각각 1:1:1, 2:2:1, 3:2:1, 4:2:1 등의 복합 산화물 타겟을 사용하여 비정질 아연 산화물계 반도체층을 형성할 수 있다.
여기서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 상기 비정질 아연 산화물계 반도체층을 형성하기 위한 스퍼터링 중의 반응 가스 내의 산소 농도를 조절함으로써 액티브층(324)의 캐리어 농도를 조절할 수 있는데, 이때 산소 농도 1 ~ 10% 및 두께 500 ~ 1000Å 조건에서 소자특성의 확보가 가능하다.
이때, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 상기 액티브층(324)은 계단형태의 단차를 가진 소오스/드레인전극(322, 323)과 넓은 영역에서 콘택 됨으로써 단선이나 들뜸과 같은 상기 액티브층(324)의 콘택불량을 방지할 수 있게 된다.
또한, 이와 같이 하부 제 1 소오스/드레인전극(322a, 323a)으로 콘택영역을 확보함에 따라 제 2 소오스/드레인전극(322b, 323b)의 두께를 두껍게 할 수 있어 저저항 배선설계가 가능하게 된다. 그 결과 대면적 디스플레이나 고해상도 디스플 레이에 적용할 수 있는 효과를 제공한다.
전술한 바와 같이 본 발명은 액정표시장치뿐만 아니라 박막 트랜지스터를 이용하여 제작하는 다른 표시장치, 예를 들면 구동 트랜지스터에 유기전계발광소자가 연결된 유기전계발광 디스플레이장치에도 이용될 수 있다.
또한, 본 발명은 높은 이동도를 가지는 한편 저온에서 공정이 가능한 비정질 아연 산화물계 반도체 물질을 액티브층으로 적용함에 따라 투명 전자회로나 플렉서블(flexible) 디스플레이에 사용될 수 있는 장점이 있다.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
도 1은 일반적인 액정표시장치를 개략적으로 나타내는 분해사시도.
도 2는 일반적인 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 4는 상기 도 3에 도시된 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 소오스/드레인전극의 단차에 의한 액티브층의 단선을 나타내는 SEM 사진.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 6a 내지 도 6c는 상기 도 5에 도시된 산화물 박막 트랜지스터의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 7a 내지 도 7e는 상기 도 6b에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 2 마스크공정을 구체적으로 나타내는 단면도.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 9a 내지 도 9c는 상기 도 8에 도시된 산화물 박막 트랜지스터의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 10a 내지 도 10f는 상기 도 9b에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 제 2 마스크공정을 구체적으로 나타내는 단면도.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
110,210,310 : 기판 115,215,315 : 게이트절연막
121,221,321 : 게이트전극 122,222,322 : 소오스전극
123,223,323 : 드레인전극 124,224,324 : 액티브층
222a,322a : 제 1 소오스전극 222b,322b : 제 2 소오스전극
223a,323a : 제 1 드레인전극 223b,323b : 제 2 드레인전극
Claims (9)
- 기판 위에 제 1 도전막으로 게이트전극을 형성하는 단계;상기 기판 위에 게이트절연막을 형성하는 단계;상기 게이트절연막 위에 제 2 도전막으로 형성되며, 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극을 형성하는 단계;상기 제 1 소오스/드레인전극 위에 제 3 도전막으로 형성되며, 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 소오스/드레인전극을 형성하는 단계; 및상기 제 2 소오스/드레인전극 상부에 비정질 아연 산화물계 반도체로 이루어진 액티브층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1, 제 2 소오스/드레인전극의 에지부는 채널영역에서 계단형태를 가져 상기 액티브층과 넓은 영역에서 콘택 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리기판 또는 플라스틱 기판으로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 액티브층은 비정질 아연 산화물(ZnO)계 반도체로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 소오스/드레인전극은 상기 비정질 아연 산화물 계 반도체에 대해서 낮은 접촉저항을 가지는 티타늄, 몰리브덴 티타늄과 같은 티타늄 합금, 몰리브덴, 구리 등의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 소오스/드레인전극을 형성하는 단계는 제 2 도전막과 제 3 도전막을 식각하여 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극을 형성한 다음 애싱(ashing)된 감광막패턴을 이용하여 상기 제 3 도전막을 재차 식각함으로써 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 소오스/드레인전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 소오스/드레인전극을 형성하는 단계는상기 게이트절연막이 형성된 기판 전면에 소정의 제 2 도전막 및 제 3 도전막을 형성하는 단계;채널영역의 에지부에 회절패턴이 적용되는 회절마스크를 이용하여 상기 기판 위에 제 1 두께의 제 1 감광막패턴과 제 2 감광막패턴 및 제 2 두께의 제 3 감광막패턴과 제 4 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막패턴 내지 제 4 감광막패턴을 마스크로 상기 제 2 도전막과 제 3 도전막을 선택적으로 패터닝하여 상기 게이트절연막 상부에 상기 제 2 도전막으로 이루어지며 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극을 형성하는 단계;상기 제 3 감광막패턴과 제 4 감광막패턴을 제거하는 동시에 상기 제 1 감광 막패턴과 제 2 감광막패턴의 두께 일부를 제거하여 제 3 두께의 제 5 감광막패턴과 제 6 감광막패턴을 형성하는 단계; 및상기 제 5 감광막패턴과 제 6 감광막패턴을 마스크로 상기 제 3 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 기판에 상기 제 3 도전막으로 이루어지며, 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 소오스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 기판 위에 형성된 게이트전극;상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연막;상기 게이트절연막 위에 형성되며, 제 1 폭을 가진 제 1 소오스/드레인전극;상기 제 1 소오스/드레인전극 위에 형성되며, 상기 제 1 폭보다 좁은 제 2 폭을 가진 제 2 소오스/드레인전극; 및상기 제 2 소오스/드레인전극 상부에 형성되며, 비정질 아연 산화물계 반도체로 이루어진 액티브층을 포함하며, 상기 제 1, 제 2 소오스/드레인전극의 에지부는 채널영역에서 계단형태를 가져 상기 액티브층과 넓은 영역에서 콘택 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터.
- 제 7 항에 있어서, 상기 액티브층은 비정질 아연 산화물(ZnO)계 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 소오스/드레인전극은 상기 비정질 아연 산화물계 반도체에 대해서 낮은 접촉저항을 가지는 티타늄, 몰리브덴 티타늄과 같은 티타늄 합금, 몰리브덴, 구리 등의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090046098A KR101640812B1 (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090046098A KR101640812B1 (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100127593A true KR20100127593A (ko) | 2010-12-06 |
| KR101640812B1 KR101640812B1 (ko) | 2016-08-01 |
Family
ID=43504802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090046098A KR101640812B1 (ko) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101640812B1 (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2492627A (en) * | 2011-06-09 | 2013-01-09 | Lg Display Co Ltd | Oxide thin film transistor and method of fabricating the same |
| KR20130129723A (ko) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속 산화물 반도체를 구비하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR20140013522A (ko) * | 2012-07-24 | 2014-02-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터, 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR20140083136A (ko) * | 2012-12-24 | 2014-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| US9190526B2 (en) | 2011-04-18 | 2015-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor, display panel, and method for fabricating thin film transistor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004193248A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
| KR20070096086A (ko) * | 2005-12-09 | 2007-10-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 |
| JP2009004787A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Samsung Electronics Co Ltd | Ｚｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法 |
| KR20090048651A (ko) * | 2005-11-15 | 2009-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
-
2009
- 2009-05-26 KR KR1020090046098A patent/KR101640812B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004193248A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 画像表示装置及びその製造方法 |
| KR20090048651A (ko) * | 2005-11-15 | 2009-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
| KR20070096086A (ko) * | 2005-12-09 | 2007-10-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 |
| JP2009004787A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Samsung Electronics Co Ltd | Ｚｎ酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びＺｎ酸化物のエッチング溶液とその製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9190526B2 (en) | 2011-04-18 | 2015-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor, display panel, and method for fabricating thin film transistor |
| GB2492627A (en) * | 2011-06-09 | 2013-01-09 | Lg Display Co Ltd | Oxide thin film transistor and method of fabricating the same |
| GB2492627B (en) * | 2011-06-09 | 2013-11-13 | Lg Display Co Ltd | Oxide thin film transistor and method of fabricating the same |
| KR101425064B1 (ko) * | 2011-06-09 | 2014-08-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US9059296B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-06-16 | Lg Display Co., Ltd. | Oxide thin film transistor and method of fabricating the same |
| KR20130129723A (ko) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속 산화물 반도체를 구비하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR20140013522A (ko) * | 2012-07-24 | 2014-02-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터, 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR20140083136A (ko) * | 2012-12-24 | 2014-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101640812B1 (ko) | 2016-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101218090B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JP6262276B2 (ja) | 酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| KR101578694B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| US8735883B2 (en) | Oxide thin film transistor and method of fabricating the same | |
| KR101658533B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR20110125105A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR101622733B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR20110027472A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR20100002899A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR101375854B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR101640812B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR101545923B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR101298611B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR20110055274A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR101616368B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR101605723B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR102039424B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR101375853B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR102082660B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 | |
| KR20110073038A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR20120075110A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR20100010300A (ko) | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR20110070561A (ko) | 비정질 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190617 Year of fee payment: 4 |