TW201405833A - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Hidekazu Miyake
Norihiro Uemura
Takeshi Noda
Isao Suzumura
Toshiki Kaneko
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Abstract

本發明係一種顯示裝置，其包括：閘極電極，其形成於透明基板上；閘極絕緣膜，其被覆閘極電極；氧化物半導體，其形成於閘極絕緣膜上；汲極電極及源極電極，其等夾持氧化物半導體之通道區域且分離形成；層間電容膜，其被覆汲極電極及源極電極；共用電極，其形成於層間電容膜上；及像素電極，其與共用電極對向而形成；其特徵在於：於氧化物半導體與汲極電極及源極電極之間形成有被覆上述通道區域之蝕刻終止層，汲極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，且汲極電極及源極電極與氧化物半導體直接接觸。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種顯示裝置及其製造方法，尤其係關於一種於TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)電路中使用有氧化物半導體之顯示裝置及其製造方法。
於行動電話、個人數位助理(PDA，Personal Digital Assistant)、數位相機、多媒體播放機等多種可攜式資訊機器之顯示裝置利用液晶模組(液晶顯示裝置)、有機電致發光顯示裝置等各種顯示裝置。
該等顯示裝置於顯示面板之一部分利用包含玻璃或樹脂之絕緣基板，於該絕緣基板之表面形成薄膜電晶體(TFT)來用作驅動各像素電極之開關元件。
於絕緣基板上，TFT以及傳輸用以驅動TFT之信號之資料線、經由TFT將信號傳輸至像素電極之閘極線等，係於例如玻璃基板等絕緣基板上，使用光阻劑等抗蝕膜並藉由利用光微影技術之選擇蝕刻而形成為微細之特定之圖案形狀。
採用如上所述般之構成之顯示裝置，為了實現可撓化及低成本化，而期待積層膜數之減少或光微影技術之選擇蝕刻之步驟數之減少等。進而，要求亦兼顧作為顯示裝置之重要之顯示性能之一之像素之開口率之提高。
而且，近年來，為了滿足上述期望而採用如下技術，即，使用氧化物半導體層作為形成TFT之通道部分之半導體層，並將包含導電膜之資料線及像素電極直接連接於該氧化物半導體層。
關於上述技術，於日本專利特開2009-99887號公報中，於基板上形成有閘極線、閘極絕緣膜，於其上部形成有資料線、像素電極、氧化物半導體層，而且氧化物半導體層與像素電極、資料線直接連接，像素電極與資料線係由不同之導電膜形成。
然而，於日本專利特開2009-99887號公報之構成中，由於覆蓋資料線而形成有氧化物半導體層，故而於資料線之階差部與氧化物半導體層接觸之部位易於產生氧化物半導體層之斷線。又，於構造上像素電極及氧化物半導體層之加工係於形成資料線之後進行，故而於以蝕刻形成像素電極及氧化物半導體層時，會產生由蝕刻液所引起之資料線之熔解、腐蝕等，其結果，資料線產生斷線，從而顯示裝置之顯示性能顯著降低之可能性變高。
本發明所欲解決之問題在於，提供一種可解決上述問題而實現顯示裝置製造時之積層膜數及蝕刻步驟之減少，進而亦達成像素之開口率之提高之使用有氧化物半導體層之顯示裝置及其製造方法。
為了解決上述問題，本發明具有如下技術特徵。
(1)一種顯示裝置，其包括：閘極電極，其形成於透明基板上；閘極絕緣膜，其被覆上述閘極電極；氧化物半導體，其形成於上述閘極絕緣膜上；汲極電極及源極電極，其等夾持上述氧化物半導體之通道區域且分離形成；層間電容膜，其被覆上述汲極電極及源極電極；共用電極，其形成於上述層間電容膜上；及像素電極，其與上述共用電極對向而形成，且與上述源極電極連接；其特徵在於：於上述氧化物半導體與上述汲極電極及源極電極之間形成有被覆上述通道區域之 蝕刻終止層，上述汲極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，且上述汲極電極及源極電極與上述氧化物半導體直接接觸。
(2)如上述(1)之顯示裝置，其特徵在於：上述氧化物半導體之全部於俯視觀察時與上述閘極電極重疊，且上述源極電極及上述像素電極係由相同之透明導電膜一體地形成。
(3)如上述(1)之顯示裝置，其特徵在於：上述源極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，上述像素電極由構成上述源極電極之上述金屬膜形成，且上述源極電極與上述像素電極連續地形成。
(4)一種顯示裝置，其包括：閘極電極，其形成於透明基板上；閘極絕緣膜，其被覆上述閘極電極；氧化物半導體，其形成於上述閘極絕緣膜上；汲極電極及源極電極，其等夾持上述氧化物半導體之通道區域且分離形成；保護絕緣膜，其被覆上述汲極電極及源極電極；下部電極，其與上述源極電極連接；有機EL(Electroluminescence，電致發光)元件，其形成於上述下部電極上；及上部電極，其被覆上述有機EL元件而形成；其特徵在於：於上述氧化物半導體與上述汲極電極及源極電極之間形成有被覆上述通道區域之蝕刻終止層，上述汲極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，且上述汲極電極及源極電極與上述氧化物半導體直接接觸。
(5)如上述(4)之顯示裝置，其特徵在於：上述源極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，上述下部電極由構成上述源極電極之上述金屬膜形成，上述源極電極與上述下部電極連續地形成，且上述上部電極由透明導電膜形成。
(6)如上述(4)之顯示裝置，其特徵在於：上述源極電極及上述下部電極係由相同之透明導電膜一體地形成，且上述上部電極係由金屬膜形成。
(7)如上述(1)至(6)中任一項之顯示裝置，其特徵在於：形成上述 源極電極及汲極電極之上述透明導電膜之厚度為10nm以上且100nm以下。
(8)如上述(1)至(7)中任一項之顯示裝置，其特徵在於：上述蝕刻終止層之鉛直方向之剖面形狀具有錐形狀，且該錐形狀之錐角為10度以上且75度以下。
(9)如上述(1)至(8)中任一項之顯示裝置，其特徵在於：上述蝕刻終止層之高度為50nm以上且500nm以下。
(10)如上述(1)至(9)中任一項之顯示裝置，其特徵在於：上述氧化物半導體至少包含ZnO、InGaZnO、ZnInO、或ZnSnO中之任一者。
(11)如上述(1)至(10)中任一項之顯示裝置，其特徵在於：上述透明導電膜係由氧化銦錫或氧化銦鋅中之任一者形成。
(12)如上述(1)至(11)中任一項之顯示裝置，其特徵在於：上述金屬膜包含Mo、Cr、W、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、Ag中之任一者。
(13)一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：於基板上形成閘極電極；被覆上述閘極電極而形成閘極絕緣膜；於上述閘極絕緣膜上形成氧化物半導體；形成被覆上述氧化物半導體之通道區域之蝕刻終止層；以與上述氧化物半導體直接接觸、且於上述蝕刻終止層上分離之方式使透明導電膜成膜，而形成汲極電極、源極電極及像素電極；於上述汲極電極上進而使金屬膜成膜而使汲極電極積層化；形成被覆上述汲極電極及源極電極之層間電容膜；及於上述層間電容膜上使透明導電膜成膜而形成共用電極。
(14)如上述(13)之顯示裝置之製造方法，其特徵在於：於以濕式蝕刻形成於使上述汲極電極成膜化之步驟時所成膜之上述金屬膜之情形時，係於對形成上述汲極電極及源極電極之上述透明導電膜進行用以使其結晶化之退火處理後，進行上述濕式蝕刻，且於利用乾式蝕刻形成上述金屬膜之情形時，不進行上述退火處理。
根據本發明，可提供一種能減少顯示裝置製造時之積層膜數及蝕刻步驟、進而亦可達成像素之開口率之提高之使用有氧化物半導體層之顯示裝置及其製造方法，從而可提供一種可靠性較高之顯示器裝置。
101、201、301、401‧‧‧透明絕緣基板
102、202、302、402‧‧‧閘極電極
103、203、303、403‧‧‧閘極絕緣膜
104、204、304、404‧‧‧氧化物半導體
105、205、305、405(a)‧‧‧蝕刻終止層
106(a)、206(a)、306(a)、406(a)‧‧‧汲極電極(透明導電膜)
106(b)、206(b)、306(b)、406(b)‧‧‧汲極電極(金屬膜)
107、207、307(a)、407(a)‧‧‧源極電極(透明導電膜)
108、208、308、408‧‧‧層間電容膜
109(a)、209(a)、309(a)‧‧‧共用電極(透明導電膜)
109(b)、209(b)、309(b)‧‧‧共用電極(開口部)
209‧‧‧共用電極
307‧‧‧源極電極
307(b)、407(b)‧‧‧源極電極(金屬膜)
405(b)‧‧‧像素分離層
409‧‧‧有機EL元件
410‧‧‧上部電極
θ‧‧‧錐角
圖1A及圖1B係說明本發明之顯示裝置之第一實施例的圖。
圖2A係說明本發明之顯示裝置之製造方法之第一實施例的圖。
圖2B係說明本發明之顯示裝置之製造方法之第一實施例的圖。
圖2C係說明本發明之顯示裝置之製造方法之第一實施例的圖。
圖2D係說明本發明之顯示裝置之製造方法之第一實施例的圖。
圖2E係說明本發明之顯示裝置之製造方法之第一實施例的圖。
圖2F係說明本發明之顯示裝置之製造方法之第一實施例的圖。
圖3係說明本發明之顯示裝置之第二實施例的圖。
圖4係說明本發明之顯示裝置之第三實施例的圖。
以下，使用較佳例對本發明進行詳細說明。
圖1係說明本發明之顯示裝置之第一實施例的圖，圖1A係表示俯視圖，圖1B係表示沿圖1A之A-A'之剖面圖。
如圖1B所示，本發明之顯示裝置包括：閘極電極102，其形成於透明基板101上；閘極絕緣膜103，其被覆閘極電極102；氧化物半導體104，其形成於閘極絕緣膜103上；汲極電極106及源極電極107，其等夾持氧化物半導體104之通道區域且分離形成；層間電容膜108，其被覆汲極電極106及源極電極107；共用電極109，其形成於層間電容膜108上；及像素電極107，其與共用電極109對向而形成，且與上述源極電極107連接；其特徵在於：於氧化物半導體104與汲極電極106及源極電極107之間形成有被覆上述通道區域之蝕刻終止層105，汲極 電極106係透明導電膜106(a)與金屬膜106(b)積層而成之積層膜，汲極電極106及源極電極107與氧化物半導體104直接接觸。
本發明之顯示裝置可應用於液晶顯示裝置及有機EL裝置等各種顯示裝置，但於本實施例中，係對應用於液晶顯示裝置之情形進行說明。
圖1A係本實施例之顯示裝置之俯視圖，且表示由鄰接之一對汲極線106與閘極線102包圍之一像素。再者，汲極線及閘極線之各者分別兼用作汲極電極106及閘極電極102。
又，於本實施例中，遍及像素區域整體而形成之像素電極，係使用與形成源極電極107之透明導電膜相同之透明導電膜而與源極電極107一體地形成。109(b)為共用電極之開口部。
圖1B係沿圖1A之A-A'之剖面圖。如自圖1B所明白般，本發明之顯示裝置於TFT之通道使用氧化物半導體，但作為其構造，採用於最下層積層閘極電極，且於該閘極電極之上部積層半導體層、源極．汲極電極之底閘極型(逆交錯型)TFT。
即，於玻璃等透明絕緣基板101上，藉由金屬膜之成膜而形成閘極電極102，以覆蓋閘極電極102之方式形成有包含SiN等之絕緣膜之閘極絕緣膜103。然後，於閘極絕緣膜103上形成成為TFT之通道之氧化物半導體104。
氧化物半導體具有載子移動較快、特性變動較少、帶隙較大等特性，適合於液晶顯示器及有機EL裝置等顯示裝置。可使用ZnO、InGaZnO、ZnInO、ZnSnO等氧化物作為氧化物半導體104之材料。
此處，雖並未特別圖示，但本實施例之顯示裝置為所謂之背光源方式之液晶顯示裝置，為了不使氧化物半導體層104受背光源之光之影響，較佳為使氧化物半導體104以不自閘極電極102露出之方式形成。
於氧化物半導體層104上形成有用以保護氧化物半導體層104之例如包含氧化矽膜等絕緣膜、或複數個絕緣體之積層膜之蝕刻終止層105。蝕刻終止層105發揮防止因以蝕刻形成下述之汲極電極及源極電極時所使用之蝕刻液而損傷氧化物半導體105之作用。
而且，汲極電極106及源極電極107係以與氧化物半導體層104直接接觸、並且於蝕刻終止層105上分離之方式而形成。源極電極107如上所述係遍及顯示裝置之像素區域整體而形成，亦發揮作為像素電極之功能，故而較佳為由氧化銦錫(ITO，Indium Tin Oxides)或氧化銦鋅(IZO，Indium Zinc Oxide)等之透明導電膜形成。
另一方面，汲極電極106並非必須由透明導電膜形成，但於汲極電極106被覆氧化物半導體104之部分，為了防止氧化物半導體層104因以蝕刻形成源極電極107時之蝕刻液而產生熔解、腐蝕等損傷，較佳為至少於與氧化物半導體層104接觸之部分，與源極電極107同樣地由ITO或IZO等之透明導電膜形成。
然而，由於汲極電極106亦兼用作傳輸影像信號之汲極線，故而若僅由電阻值高之透明導電膜形成汲極電極106，則於汲極線傳輸之影像信號之傳輸速度會變慢，於顯示時會產生時滯。因此，為了消除該時滯，而於透明導電膜106(a)上使電阻值較透明導電膜106(a)低之金屬膜成膜，而形成低電阻之金屬膜106(b)。藉此，汲極電極106成為透明導電膜106(a)與金屬膜106(b)之積層膜。
以上為於本發明之顯示裝置中所使用之使用有氧化物半導體之TFT之基本構成，但該構成即便於在TFT形成有各種周邊電路之情形時亦相同。
於汲極電極106及源極電極107上以被覆其等之方式形成有層間電容膜108。層間電容膜108係用以於來自汲極線之影像信號經由TFT被施加至像素電極107後，即便TFT成為斷開，該影像信號亦會相對 長時間地儲存於像素電極107等而設置者，與閘極絕緣膜103同樣地係由SiN等絕緣膜形成。
於層間電容膜108上，藉由使ITO等之透明導電膜成膜而形成共用電極109，從而完成用以實現橫向電場(IPS，In-Plane Switching，共平面切換)方式液晶顯示裝置之所謂之底板。
再者，於本實施例中，僅對形成有使用氧化物半導體105之TFT之基板之構成進行了說明，但針對與該基板對向之包含彩色濾光片等之對向基板、及基板間之液晶層等之構造，可應用各種公知者，於本發明中並無特別限定，故而省略說明。關於以下之實施例亦相同。
如上所述，於本發明之顯示裝置中，藉由於氧化物半導體104上形成保護氧化物半導體104之蝕刻終止層105，可抑制因蝕刻液或外力等而對氧化物半導體104造成損傷，進而，可防止因其後對源極電極及像素電極107(透明導電膜)以及汲極電極106(b)(金屬膜)進行加工而損傷兼用作汲極線之汲極電極106。
進而，由於氧化物半導體104熔解於對源極．像素電極107(透明導電膜)進行加工時之蝕刻液，故而藉由於氧化物半導體104與汲極電極106接觸之部分殘留與源極．像素電極107為同層之圖案106(a)(透明導電膜)，可確實地保護氧化物半導體104。
再者，於以下之製造方法之說明中，對於上述未說明之各部分之素材或尺寸等之詳細情況進行詳細敍述。
圖2A~圖2F係表示本發明之顯示裝置之製造方法之一實施例。於圖2之各圖式中，左側係表示俯視圖，右側係表示沿俯視圖中所記載之線A-A'之剖面圖。
首先，如圖2A所示，於例如包含玻璃之透明絕緣基板201上藉由光微影法等使金屬膜成膜，而形成與閘極線一體化之閘極電極202。閘極電極202例如可包含Mo、Cr、W、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、Ag、或 其他金屬之單膜、其等之合金膜、或其等之積層膜。
其後，以被覆閘極電極202之方式形成閘極絕緣膜203。閘極絕緣膜203係由氧化矽膜、氮化矽膜、Al2O3等之透明絕緣膜、或其等之積層膜形成。再者，於圖2B之俯視圖中，為了便於說明，並未圖示閘極絕緣膜203，但並不意味著閘極絕緣膜203為透明，亦可為不透明。關於其他實施例之絕緣膜亦相同。
其次，如圖2B所示，於閘極絕緣膜203上使氧化物半導體層204成膜，並藉由光微影法等形成圖案。此時，於背光源方式之液晶顯示器之情形時，為了防止因背光源之光之影響而引起TFT特性劣化，而以不使氧化物半導體層204自閘極電極202露出之方式，即如圖2B之俯視圖所示般以俯視觀察時氧化物半導體層204之全部與閘極電極202重疊之方式而形成。於無需背光源之有機EL顯示器或反射型液晶顯示器等中，無需使氧化物半導體層204之全部與閘極電極202重疊。
該氧化物半導體層204有熔解於以蝕刻形成下述之汲極電極及源極電極時所使用之蝕刻液之虞。因此，如圖2C所示，以覆蓋氧化物半導體層204之通道區域之方式對氧化矽膜、氮化矽膜、Al2O3等絕緣膜或其等之積層膜進行成膜、加工，從而形成蝕刻終止層205。
此處，所謂氧化物半導體層204之通道區域，係指於TFT之半導體層中，載子(電子或電洞)經由源極電極及汲極電極，一面藉由閘極電極控制一面流動之區域。於覆蓋通道區域時，只要蝕刻終止層205以圖2C之俯視圖所示之程度覆蓋氧化物半導體層204之中央部等特定部分即可。
又，作為蝕刻終止層205之高度，若過低則氧化物半導體層204與蝕刻液接觸而受到損傷之可能性變高。又，若高度過高則不僅顯示裝置之厚度會增加，而且於被覆氧化物半導體層之成為汲極電極及源極電極之透明導電膜層易於產生局部之龜裂，從而蝕刻液自該龜裂侵 入之危險性變高。因此，蝕刻終止層205之高度較佳為50nm~500nm左右。
進而，蝕刻終止層205為了於與下述之透明導電膜層206(a)、207之接觸部分不使透明導電膜層斷線，而具有錐形狀作為剖面形狀，其錐角較佳為10度~75度。再者，所謂錐角係指圖2C中所示之θ。
其次，如圖2D所示，使ITO或IZO等之透明導電膜成膜，以於蝕刻終止層205上分離之方式對汲極電極206(a)、源極電極207進行加工。此時，源極電極207之透明導電膜如圖2D之俯視圖中所示般，係以遍及像素區域整體而形成，且亦直接作為像素電極而發揮功能之方式進行加工。透明導電膜係利用真空蒸鍍法等蒸鍍方法以非晶質狀態形成。
再者，考慮到顯示裝置之薄型化與保護功能之平衡，此時之源極電極207及汲極電極之透明導電膜層206(a)之膜厚較佳為10~100nm左右。
其後，於汲極電極206(a)上必須如上所述般形成用以無時滯地輸送資料信號之金屬膜206(b)，但於以使用蝕刻液之濕式蝕刻進行該金屬膜206(b)之形成之情形時，為了使非晶質狀態之透明導電膜206(a)及207成為結晶狀態，而必須以150℃~400℃左右之溫度進行退火處理。其原因在於，非晶質狀態之透明導電膜會被蝕刻液熔解。於以使用電漿或氣體等之乾式蝕刻形成汲極電極之金屬膜206(b)之情形時，無需用於結晶化之退火處理。
於上述處理後，如圖2E所示般，使傳輸資料信號之金屬膜206(b)成膜，並以被覆汲極電極側之透明導電膜206(a)之方式進行加工。藉此，於汲極線傳輸之影像信號會無時滯地供給至像素電極，而不會損及顯示性能。
汲極電極之金屬膜206(b)只要電阻值較透明導電膜206(a)低即 可，例如與閘極電極202同樣地，包含Mo、Cr、W、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、Ag、或其他金屬之單膜、其等之合金膜、或者其等之積層膜。
又，於圖2E之剖面圖中，汲極電極下層之透明導電膜206(a)與金屬膜206(b)係以相同之大小加工圖案，但由於存在因光微影之對準精度或加工而引起之尺寸縮小，故而亦可使大小不同。
繼而，如圖2F所示，於使氧化矽膜、氮化矽膜、Al2O3等之絕緣膜或其等之積層膜成膜而形成層間電容膜208，並形成通孔後，使透明導電膜成膜，進行加工而形成共用電極209，藉此，完成於本發明之第一實施例中所說明之IPS液晶顯示器之底板。
藉由採用上述製造方法，可減少積層之膜數及蝕刻步驟數，從而可實現顯示裝置之薄型化及低成本化。進而，因氧化物半導體204藉由蝕刻終止層205或汲極電極之透明導電膜206(a)保護，故而不會引起斷線，從而可防止損及顯示性能。而且，藉由使像素電極(源極電極)直接接觸於氧化物半導體，可構成高開口率之像素。
圖3係表示本發明之顯示裝置之第二實施例。其與表示第一實施例之圖1之不同在於如下方面：源極電極307成為透明導電膜307(a)與金屬層307(b)之積層構造，於第一實施例中僅為透明導電膜107之像素電極部僅成為金屬層307(b)。
於採用如圖3所示般之構造之情形時，像素電極部之307(b)具有反射性，故而本實施例中之顯示裝置成為具有反射型像素。於此情形時，光源適合為正面光方式，藉此可實現提高於室外等之視認性之顯示器。
圖4係於將本發明之顯示裝置應用於有機EL顯示器之情形之實施例。於本實施例中之顯示裝置之包含氧化物半導體之TFT部分，係與圖1及圖3所示之第一及第二實施例的液晶顯示裝置相同，但本實施例 中之顯示裝置之特徵在於係具有如下頂部發光構造之有機EL顯示裝置，即，將於第二實施例中用作反射電極之金屬膜407(b)用作下部電極，進而，與使透明導電膜成膜而形成之上部電極410一同夾入有機EL元件409。
進而，雖未圖示，但亦可與第一實施例同樣地設為如下底部發光構造，即，使源極電極之透明導電膜407(a)遍及像素區域整體一體地形成而具備作為下部電極407(b)之功能，並與使金屬膜成膜而形成之上部電極410一同夾入有機EL元件409。
藉由將本發明以此方式應用於有機EL顯示裝置，於原本無需背光源而可實現薄型化之有機EL裝置中，可實現進一步之薄型化。
以上，基於圖式對本發明之實施例進行了說明，但本發明並不限定於上述實施例，可於不脫離本發明之主旨之範圍內適當進行設計變更。
根據本發明，可提供一種能減少製造顯示裝置時之積層膜數及蝕刻步驟、進而亦可達成像素之開口率之提高之使用氧化物半導體層之顯示裝置及其製造方法，從而可提供一種可靠性較高之顯示器裝置。
101‧‧‧透明絕緣基板
102‧‧‧閘極電極
103‧‧‧閘極絕緣膜
104‧‧‧氧化物半導體
105‧‧‧蝕刻終止層
106(a)‧‧‧汲極電極(透明導電膜)
106(b)‧‧‧汲極電極(金屬膜)
107‧‧‧源極電極(透明導電膜)
108‧‧‧層間電容膜
109(a)‧‧‧共用電極(透明導電膜)
109(b)‧‧‧共用電極(開口部)

Claims (14)

  1. 一種顯示裝置，其包括：閘極電極，其形成於透明基板上；閘極絕緣膜，其被覆上述閘極電極；氧化物半導體，其形成於上述閘極絕緣膜上；汲極電極及源極電極，其等夾持上述氧化物半導體之通道區域且分離形成；層間電容膜，其被覆上述汲極電極及源極電極；共用電極，其形成於上述層間電容膜上；及像素電極，其與上述共用電極對向而形成，且與上述源極電極連接；其特徵在於：於上述氧化物半導體與上述汲極電極及源極電極之間形成有被覆上述通道區域之蝕刻終止層，上述汲極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，且上述汲極電極及源極電極與上述氧化物半導體直接接觸。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述氧化物半導體之全部於俯視觀察時與上述閘極電極重疊，且上述源極電極及上述像素電極係由相同之透明導電膜一體地形成。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中上述源極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，上述像素電極由構成上述源極電極之上述金屬膜形成，且上述源極電極與上述像素電極連續地形成。
  4. 一種顯示裝置，其包括：閘極電極，其形成於透明基板上；閘極絕緣膜，其被覆上述閘極電極；氧化物半導體，其形成於上述閘極絕緣膜上；汲極電極及源極電極，其等夾持上述氧化物半導體之通道區域且分離形成；保護絕緣膜，其被覆上述汲極電極及源極電極；下部電極，其與上述源極電極連接；有機EL 元件，其形成於上述下部電極上；及上部電極，其被覆上述有機EL元件而形成；其特徵在於：形成有位於上述氧化物半導體與上述汲極電極及源極電極之間、且被覆上述通道區域之蝕刻終止層，上述汲極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，且上述汲極電極及源極電極與上述氧化物半導體直接接觸。
  5. 如請求項4之顯示裝置，其中上述源極電極係透明導電膜與金屬膜積層而成之積層膜，上述下部電極由構成上述源極電極之上述金屬膜形成，上述源極電極與上述下部電極連續地形成，且上述上部電極係由透明導電膜形成。
  6. 如請求項4之顯示裝置，其中上述源極電極及上述下部電極係由相同之透明導電膜一體地形成，且上述上部電極係由金屬膜形成。
  7. 如請求項1之顯示裝置，其中形成上述源極電極及汲極電極之上述透明導電膜之厚度為10nm以上且100nm以下。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中上述蝕刻終止層之鉛直方向之剖面形狀具有錐形狀，且該錐形狀之錐角為10度以上且75度以下。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中上述蝕刻終止層之高度為50nm以上且500nm以下。
  10. 如請求項1之顯示裝置，其中上述氧化物半導體至少包含ZnO、InGaZnO、ZnInO、或ZnSnO中之任一者。
  11. 如請求項1之顯示裝置，其中上述透明導電膜由氧化銦錫或氧化銦鋅中之任一者形成。
  12. 如請求項1之顯示裝置，其中上述金屬膜包含Mo、Cr、W、Al、Cu、Ti、Ni、Ta、Ag中之任一者。
  13. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：於基板上形成閘極電極；被覆上述閘極電極而形成閘極絕緣膜；於上述閘極絕緣膜上形成氧化物半導體；形成被覆上述氧化物半導體之通道區域之蝕刻終止層；以與上述氧化物半導體直接接觸、且於上述蝕刻終止層上分離之方式使透明導電膜成膜，而形成汲極電極、源極電極及像素電極；於上述汲極電極上進而使金屬膜成膜而使汲極電極積層化；形成被覆上述汲極電極及源極電極之層間電容膜；及於上述層間電容膜上使透明導電膜成膜而形成共用電極。
  14. 如請求項13之顯示裝置之製造方法，其中於以濕式蝕刻形成使上述汲極電極成膜化之步驟中所成膜之上述金屬膜之情形時，係於進行用以使形成上述汲極電極及源極電極之透明導電膜結晶化之退火處理後，進行上述濕式蝕刻，且於以乾式蝕刻形成上述金屬膜之情形時，不進行上述退火處理。
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