CN104218070A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板，包括沿第一方向的多条栅极线；沿第二方向的多条数据线，第二方向与第一方向相互垂直，多条数据线与栅极线交错形成网格结构；位于网格结构的网格区域内的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极，其中栅极的形成材料为透明导电材料，且有源层的形成材料为透明氧化物半导体材料。本发明所提供的阵列基板及显示装置中，TFT的栅极采用透明导电材料，有源层采用透明氧化物半导体材料，使栅极和有源层的光线透过率大大提高，从而极大地提高了TFT整体的光线透过率，减小了每个像素遮挡部分的面积，提高了像素开口率，增大了装置的显示亮度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置是目前主流的显示器件之一，具有主动发光、视角范围大；响应速度快，图像稳定；亮度高、色彩丰富、分辨率高；驱动电压低、能耗低等一系列优点。
按照驱动方式的不同，OLED显示装置分为PMOLED(Passive matrix OrganicLight-Emitting Diode，无源矩阵有机发光二极管)显示装置和AMOLED(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置两种。相对于PMOLED显示装置，AMOLED显示装置的反应速度更快，适用于各种尺寸面板的需求，因而受到广泛的关注。
AMOLED显示装置包括阵列式排布的多个像素，每个像素包括遮挡部分和透光部分，遮挡部分需要对像素的配线、TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)等不透光元件进行遮挡，透光部分光线能够透过。透光部分面积占整个像素面积的比例为像素的开口率，开口率越高，显示装置的显示亮度就越高。
现有技术中，为了提高AMOLED显示装置的TFT阵列基板的均匀性，达到较好的显示效果，通常会在每个像素中设置多个TFT(至少为两个，一般大于3个)，引起像素的遮挡部分面积增大，透光部分面积减小，导致像素开口率降低，显示亮度下降。
发明内容
为克服上述现有技术中的缺陷，本发明所要解决的技术问题为：提供一种阵列基板及显示装置，以增大像素开口率，提高显示亮度。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种阵列基板，包括：沿第一方向的多条栅极线；沿第二方向的多条数据线，所述第二方向与所述第一方向相互垂直，所述多条数据线与所述栅极线交错形成网格结构；位于所述网格结构的网格区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，所述栅极的形成材料为透明导电材料，且所述有源层的形成材料为透明氧化物半导体材料。
优选的，所述栅极的形成材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、锌锡氧化物中的至少一种。
优选的，所述栅极线的形成材料为金属，且所述栅极线与所述栅极电性相连。
优选的，所述有源层的形成材料为氧化锌、氧化锡、氧化铬、氧化铝、铟镓锌氧化物中的至少一种。
优选的，所述数据线、所述源极和所述漏极的形成材料为金属，且所述源极和所述漏极在垂直于所述栅极线的方向上的尺寸为3μm～5μm。
优选的，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管或顶栅型薄膜晶体管。
本发明还提供了一种显示装置，包括：以上所述的阵列基板。
优选的，所述显示装置还包括：设置于所述阵列基板上的有机发光二极管器件。
优选的，所述显示装置为底出光式有源矩阵有机发光二极管显示装置或顶出光式有源矩阵有机发光二极管显示装置。
本发明所提供的阵列基板及显示装置中，TFT的栅极采用透明导电材料，有源层采用透明氧化物半导体材料，使栅极和有源层的光线透过率大大提高。由于TFT无法透过光线主要是由其栅极和有源层的遮挡引起的，因此本发明中使栅极和有源层由透明材料形成，能够极大地提高了TFT整体的光线透过率，减小了每个像素遮挡部分的面积，提高了像素开口率，增大了装置的显示亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例所提供的阵列基板的截面图；
图2为本发明实施例所提供的阵列基板的平面图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：沿第一方向的多条栅极线；沿第二方向的多条数据线，第二方向与第一方向相互垂直，多条数据线与栅极线交错形成网格结构；位于网格结构的网格区域内的TFT，如图1和图2所示，TFT包括：栅极102、有源层104、源极106和漏极107；其中，栅极102的形成材料为透明导电材料，且有源层104的形成材料为透明氧化物半导体材料。
上述阵列基板中，TFT的栅极采用透明导电材料，有源层采用透明氧化物半导体材料，极大地提高了栅极和有源层的光线透过率，从而使TFT整体的光线透过率大大提高，减小了每个像素遮挡部分的面积，增大了透光部分的面积，提高了像素开口率。
本实施例中，栅极102的形成材料为优选的可为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、锌锡氧化物等中的至少一种，以保证栅极102具有较小的电阻。
栅极线201的形成材料优选的为金属，且栅极线201与栅极102电性相连，以通过栅极线201向栅极102施加栅极驱动信号，开启TFT。
本实施例中，栅极线201与栅极102优选的位于同一层中，二者可利用构图工艺形成，且由于形成材料不同，栅极线201与栅极102优选的形成于不同的构图工艺步骤下。
有源层104的形成材料优选的可为氧化锌、氧化锡、氧化铬、氧化铝、铟镓锌氧化物等材料中的至少一种。
数据线、源极106和漏极107的形成材料优选的可为金属，以保证具有良好的导电性能。
数据线与源极106电性相连，以通过数据线向源极106施加不同的数据信号，使漏极107输出不同的电压信号，进而使与漏极107电性相连的像素电极具有不同的电压。
需要说明的是，由于源极106与漏极107的作用主要为导电，因此通常情况下源极106与漏极107的尺寸较小，二者对光线的遮挡相对于整个TFT对光线的遮挡来说并不大，即TFT的栅极102和有源层104是造成TFT不透光的主要原因。进一步的，本实施例中，优选的可将源极106和漏极107的尺寸相对于现有技术适度减小，以在不影响TFT导电性能的基础上，进一步提高TFT的光线透过率。优选的，源极106和漏极107在垂直于栅极线201的方向上的尺寸可为3μm～5μm。
本实施例所提供的阵列基板的结构具体可包括：如图1和图2所示，衬底基板101；位于衬底基板101上的包括栅极102和栅极线201的图形；覆盖前述包括栅极102和栅极线201的图形的栅极绝缘层103；位于栅极绝缘层103上的包括有源层104的图形；形成于包括有源层104的图形之后的包括刻蚀阻挡层105的图形，刻蚀阻挡层105上具有暴露出有源层104表面的源极接触孔和漏极接触孔；形成于包括刻蚀阻挡层105的图形之后的源极106和漏极107，其中，源极106通过源极接触孔与有源层104电性相连，漏极107通过漏极接触孔与有源层104电性相连。
需要说明的是，以上所介绍的阵列基板，其TFT为底栅型TFT，在本实施例的发明思想不变的前提下，阵列基板所包括的TFT还可为顶栅型TFT。
基于上述阵列基板的技术方案，本实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本实施例所提供的阵列基板。
本实施例所提供的显示装置所包含的阵列基板，其TFT的栅极和有源层为透明元件，因此TFT的光线透过率大大提高，像素的开口面积变大，从而像素的开口率提高，装置的显示亮度增强。
本实施例中，显示装置优选的可为OLED显示装置，该显示装置除包括本实施例所提供的阵列基板外，还包括设置于阵列基板上的OLED器件。进一步的，本实施例所提供的显示装置可为底出光式AMOLED显示装置或顶出光式AMOLED显示装置。更为优选的是，上述显示装置可为底出光式AMOLED显示装置，在光线从TFT阵列基板一侧出射时，TFT能够透过光线，提高了底出光式AMOLED显示装置的亮度。
需要说明的是，本实施例中的包括上述阵列基板的显示装置还可以为液晶显示装置。具体的，本实施例中的显示装置可为显示器、电视机、电子纸、手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种阵列基板，包括：沿第一方向的多条栅极线；沿第二方向的多条数据线，所述第二方向与所述第一方向相互垂直，所述多条数据线与所述栅极线交错形成网格结构；位于所述网格结构的网格区域内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层、源极和漏极；其特征在于：所述栅极的形成材料为透明导电材料，且所述有源层的形成材料为透明氧化物半导体材料。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极的形成材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、锌锡氧化物中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极线的形成材料为金属，且所述栅极线与所述栅极电性相连。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的形成材料为氧化锌、氧化锡、氧化铬、氧化铝、铟镓锌氧化物中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线、所述源极和所述漏极的形成材料为金属，且所述源极和所述漏极在垂直于所述栅极线的方向上的尺寸为3μm～5μm。
6.根据权利要求1～5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管或顶栅型薄膜晶体管。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1～6任一项所述的阵列基板。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括：设置于所述阵列基板上的有机发光二极管器件。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为底出光式有源矩阵有机发光二极管显示装置或顶出光式有源矩阵有机发光二极管显示装置。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20141217 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |