JP2000243943A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2000243943A JP2000243943A JP4498199A JP4498199A JP2000243943A JP 2000243943 A JP2000243943 A JP 2000243943A JP 4498199 A JP4498199 A JP 4498199A JP 4498199 A JP4498199 A JP 4498199A JP 2000243943 A JP2000243943 A JP 2000243943A
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- sheet supporting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチックシートに直接、半導体素子を形
成することにより、石英基板などに代えてプラスチック
シートを用いた半導体装置および液晶装置を安価に製造
する方法を提供すること。 【解決手段】 液晶装置のアクティブマトリクス基板を
製造するにあたって、その基体として用いるプラスチッ
クシート５０をシート支持用基板５５に積層し（積層工
程ＳＴ１）、この状態のままで、プラスチックシート５
０に対して半導体プロセスを用いて、ＴＦＴなどを形成
する（素子形成工程ＳＴ２）。このようにしてプラスチ
ックシート５０を基体にしてアクティブマトリクス基板
２を製造した後は、プラスチックシート５０（アクティ
ブマトリクス基板２）をシート支持用基板５５から剥離
し（剥離工程ＳＴ３）、液晶装置を組み立てる。
成することにより、石英基板などに代えてプラスチック
シートを用いた半導体装置および液晶装置を安価に製造
する方法を提供すること。 【解決手段】 液晶装置のアクティブマトリクス基板を
製造するにあたって、その基体として用いるプラスチッ
クシート５０をシート支持用基板５５に積層し（積層工
程ＳＴ１）、この状態のままで、プラスチックシート５
０に対して半導体プロセスを用いて、ＴＦＴなどを形成
する（素子形成工程ＳＴ２）。このようにしてプラスチ
ックシート５０を基体にしてアクティブマトリクス基板
２を製造した後は、プラスチックシート５０（アクティ
ブマトリクス基板２）をシート支持用基板５５から剥離
し（剥離工程ＳＴ３）、液晶装置を組み立てる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
液晶装置の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、半導体装置において石英基板などに代えてプラスチ
ックシートを用いた場合の製造技術に関するものであ
る。
液晶装置の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、半導体装置において石英基板などに代えてプラスチ
ックシートを用いた場合の製造技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】各種の半導体装置のうち、液晶装置に用
いるアクティブマトリクス基板は、半導体プロセスを利
用して基板などの表面に薄膜トランジスタ（半導体素子
／以下、ＴＦＴという。）を形成していく。ここで、Ｔ
ＦＴを基板上に形成する工程は、一般に高温処理を伴う
ため、基板として耐熱性に優れる材質のもの、すなわ
ち、軟化点および融点が高いものを使用する必要があ
る。そのため、現在では、１０００℃程度の温度に耐え
る基板としては石英基板が使用され、５００℃前後の温
度に耐える基板としては耐熱ガラス基板が使用されてい
る。
いるアクティブマトリクス基板は、半導体プロセスを利
用して基板などの表面に薄膜トランジスタ（半導体素子
／以下、ＴＦＴという。）を形成していく。ここで、Ｔ
ＦＴを基板上に形成する工程は、一般に高温処理を伴う
ため、基板として耐熱性に優れる材質のもの、すなわ
ち、軟化点および融点が高いものを使用する必要があ
る。そのため、現在では、１０００℃程度の温度に耐え
る基板としては石英基板が使用され、５００℃前後の温
度に耐える基板としては耐熱ガラス基板が使用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、携帯型
コンピュータや携帯電話機などといった携帯用電子機
器、あるいは壁掛けＴＶなどといった大型の液晶装置
は、可能な限り、安価で、かつ、軽量であることが求め
られているが、石英基板や耐熱ガラス基板ではこのよう
な要求に対応することができない。また、携帯用電子機
器に使用される液晶装置では、多少の変形にも耐え、か
つ、落としても割れないことが求められているが、この
ような要求にも応えることができないという問題点があ
る。
コンピュータや携帯電話機などといった携帯用電子機
器、あるいは壁掛けＴＶなどといった大型の液晶装置
は、可能な限り、安価で、かつ、軽量であることが求め
られているが、石英基板や耐熱ガラス基板ではこのよう
な要求に対応することができない。また、携帯用電子機
器に使用される液晶装置では、多少の変形にも耐え、か
つ、落としても割れないことが求められているが、この
ような要求にも応えることができないという問題点があ
る。
【０００４】そこで、本発明の課題は、プラスチックシ
ートに直接、半導体素子を形成することにより、石英基
板などに代えてプラスチックシートを用いた半導体装置
および液晶装置を安価に製造することのできる製造方法
を提供することにある。
ートに直接、半導体素子を形成することにより、石英基
板などに代えてプラスチックシートを用いた半導体装置
および液晶装置を安価に製造することのできる製造方法
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明では、プラスチックシート上に半導体素子が
形成された半導体装置の製造方法であって、前記プラス
チックシートをシート支持用基板に積層する積層工程
と、該シート支持用基板に積層された前記プラスチック
シート上に半導体素子を形成する素子形成工程と、しか
る後に当該プラスチックシートを前記シート支持用基板
から剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。
め、本発明では、プラスチックシート上に半導体素子が
形成された半導体装置の製造方法であって、前記プラス
チックシートをシート支持用基板に積層する積層工程
と、該シート支持用基板に積層された前記プラスチック
シート上に半導体素子を形成する素子形成工程と、しか
る後に当該プラスチックシートを前記シート支持用基板
から剥離する剥離工程とを有することを特徴とする。
【０００６】すなわち、本発明では、プラスチックシー
トをシート支持用基板に積層した状態にして素子形成工
程を行ってから、プラスチックシートをシート支持用基
板から剥離することを特徴とする。従って、プラスチッ
クシートに素子形成工程を行う場合でも石英基板や耐熱
ガラス基板などと同様に取り扱うことができるので、素
子形成工程において、プラスチックシートが変形するこ
とに起因する取扱いの不便さ、およびアライメント時の
ずれなどを防止できる。それ故、石英基板や耐熱ガラス
基板などに代えてプラスチックシートを用いた半導体装
置を安価に製造することができる。
トをシート支持用基板に積層した状態にして素子形成工
程を行ってから、プラスチックシートをシート支持用基
板から剥離することを特徴とする。従って、プラスチッ
クシートに素子形成工程を行う場合でも石英基板や耐熱
ガラス基板などと同様に取り扱うことができるので、素
子形成工程において、プラスチックシートが変形するこ
とに起因する取扱いの不便さ、およびアライメント時の
ずれなどを防止できる。それ故、石英基板や耐熱ガラス
基板などに代えてプラスチックシートを用いた半導体装
置を安価に製造することができる。
【０００７】本発明において、前記積層工程では、たと
えば、前記プラスチックシートからなる袋の中に前記シ
ート支持用基板を入れることにより当該プラスチックシ
ートを前記シート支持用基板に積層した状態とする。
えば、前記プラスチックシートからなる袋の中に前記シ
ート支持用基板を入れることにより当該プラスチックシ
ートを前記シート支持用基板に積層した状態とする。
【０００８】この場合に、前記積層工程では、前記プラ
スチックシートからなる袋の中に前記シート支持用基板
を入れた後、当該袋内を真空引きすることにより当該プ
ラスチックシートを前記シート支持用基板に密着した状
態に積層することが好ましい。このようにプラスチック
シートとシート支持用基板とを密着させておくと、プラ
スチックシートが変形することに起因する取扱いの不便
さ、およびアライメント時のずれなどを確実に解消でき
る。また、接着剤を用いないので、剥離工程でプラスチ
ックシートをシート支持用基板から容易に剥がすことが
できる。
スチックシートからなる袋の中に前記シート支持用基板
を入れた後、当該袋内を真空引きすることにより当該プ
ラスチックシートを前記シート支持用基板に密着した状
態に積層することが好ましい。このようにプラスチック
シートとシート支持用基板とを密着させておくと、プラ
スチックシートが変形することに起因する取扱いの不便
さ、およびアライメント時のずれなどを確実に解消でき
る。また、接着剤を用いないので、剥離工程でプラスチ
ックシートをシート支持用基板から容易に剥がすことが
できる。
【０００９】このようにして、プラスチックシートをシ
ート支持用基板に積層した状態で素子形成工程を行った
後は、前記剥離工程において、前記プラスチックシート
および前記シート支持用基板のうち、前記プラスチック
シートのみを切断した後、当該プラスチックシートを前
記シート支持用基板から剥離することが好ましい。この
ようにプラスチックシートのみを切断するのであれば、
容易に切断工程を行うことができる。また、シート支持
用基板は切断されないので、再利用できるという利点も
ある。
ート支持用基板に積層した状態で素子形成工程を行った
後は、前記剥離工程において、前記プラスチックシート
および前記シート支持用基板のうち、前記プラスチック
シートのみを切断した後、当該プラスチックシートを前
記シート支持用基板から剥離することが好ましい。この
ようにプラスチックシートのみを切断するのであれば、
容易に切断工程を行うことができる。また、シート支持
用基板は切断されないので、再利用できるという利点も
ある。
【００１０】また、前記素子形成工程を行った後におい
て、前記剥離工程では、前記プラスチックシートととも
に前記シート支持用基板も切断した後、当該プラスチッ
クシートを前記シート支持用基板から剥離してもよい。
て、前記剥離工程では、前記プラスチックシートととも
に前記シート支持用基板も切断した後、当該プラスチッ
クシートを前記シート支持用基板から剥離してもよい。
【００１１】本発明において、前記積層工程では、前記
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートの
外周部分とを接着することが好ましい。このように構成
すると、途中の工程でプラスチックシートがシート支持
用基板からはがれることがないという利点がある。
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートの
外周部分とを接着することが好ましい。このように構成
すると、途中の工程でプラスチックシートがシート支持
用基板からはがれることがないという利点がある。
【００１２】このようにして、プラスチックシートをシ
ート支持用基板に積層した状態で素子形成工程を行った
後は、たとえば、前記剥離工程において、前記プラスチ
ックシートと前記シート支持用基板との接着部分よりも
内側位置で、前記プラスチックシートおよび前記シート
支持用基板のうち、前記プラスチックシートのみを切断
した後、当該プラスチックシートを前記シート支持用基
板から剥離することが好ましい。このような位置で切断
すれば、切り出した部分のプラスチックシートはシート
支持用基板とは接着固定されていないので、プラスチッ
クシートをシート支持用基板から容易に剥離することが
できる。また、また、シート支持用基板は切断されない
ので、再利用できるという利点もある。
ート支持用基板に積層した状態で素子形成工程を行った
後は、たとえば、前記剥離工程において、前記プラスチ
ックシートと前記シート支持用基板との接着部分よりも
内側位置で、前記プラスチックシートおよび前記シート
支持用基板のうち、前記プラスチックシートのみを切断
した後、当該プラスチックシートを前記シート支持用基
板から剥離することが好ましい。このような位置で切断
すれば、切り出した部分のプラスチックシートはシート
支持用基板とは接着固定されていないので、プラスチッ
クシートをシート支持用基板から容易に剥離することが
できる。また、また、シート支持用基板は切断されない
ので、再利用できるという利点もある。
【００１３】また、前記素子形成工程を行った後におい
て、前記剥離工程では、前記プラスチックシートと前記
シート支持用基板との接着部分よりも内側位置で、前記
プラスチックシートとともに前記シート支持用基板も切
断した後、当該プラスチックシートを前記シート支持用
基板から剥離してもよい。このような位置で切断すれ
ば、切り出した部分のプラスチックシートはシート支持
用基板とは接着固定されていないので、プラスチックシ
ートをシート支持用基板から容易に剥離することができ
る。
て、前記剥離工程では、前記プラスチックシートと前記
シート支持用基板との接着部分よりも内側位置で、前記
プラスチックシートとともに前記シート支持用基板も切
断した後、当該プラスチックシートを前記シート支持用
基板から剥離してもよい。このような位置で切断すれ
ば、切り出した部分のプラスチックシートはシート支持
用基板とは接着固定されていないので、プラスチックシ
ートをシート支持用基板から容易に剥離することができ
る。
【００１４】本発明において、前記積層工程では、前記
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートと
を水溶性接着剤により接着し、前記剥離工程では、前記
水溶性接着剤に水分を接触させることにより当該水溶性
接着剤の接着強度を低下させた状態で当該プラスチック
シートを前記シート支持用基板から剥離してもよい。こ
のように構成すると、途中の工程でプラスチックシート
がシート支持用基板からはがれることがないという利点
がある。
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートと
を水溶性接着剤により接着し、前記剥離工程では、前記
水溶性接着剤に水分を接触させることにより当該水溶性
接着剤の接着強度を低下させた状態で当該プラスチック
シートを前記シート支持用基板から剥離してもよい。こ
のように構成すると、途中の工程でプラスチックシート
がシート支持用基板からはがれることがないという利点
がある。
【００１５】本発明において、前記積層工程では、前記
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートと
を紫外線照射により接着強度の低下を生じる接着剤によ
り接着し、前記剥離工程では、当該接着剤に紫外線を照
射することにより接着強度を低下させた状態で当該プラ
スチックシートを前記シート支持用基板から剥離しても
よい。
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートと
を紫外線照射により接着強度の低下を生じる接着剤によ
り接着し、前記剥離工程では、当該接着剤に紫外線を照
射することにより接着強度を低下させた状態で当該プラ
スチックシートを前記シート支持用基板から剥離しても
よい。
【００１６】本発明において、本前記積層工程では、前
記プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層す
る際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシート
とを加熱により接着強度の低下を生じる接着剤により接
着し、前記剥離工程では、当該接着剤を加熱することに
より接着強度を低下させた状態で当該プラスチックシー
トを前記シート支持用基板から剥離してもよい。
記プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層す
る際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシート
とを加熱により接着強度の低下を生じる接着剤により接
着し、前記剥離工程では、当該接着剤を加熱することに
より接着強度を低下させた状態で当該プラスチックシー
トを前記シート支持用基板から剥離してもよい。
【００１７】本発明において、前記積層工程では、前記
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートと
を電子線の照射により接着強度の低下を生じる接着剤に
より接着し、前記剥離工程では、当該接着剤に電子線を
照射することにより接着強度を低下させた状態で当該プ
ラスチックシートを前記シート支持用基板から剥離して
もよい。
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートと
を電子線の照射により接着強度の低下を生じる接着剤に
より接着し、前記剥離工程では、当該接着剤に電子線を
照射することにより接着強度を低下させた状態で当該プ
ラスチックシートを前記シート支持用基板から剥離して
もよい。
【００１８】本発明において、前記積層工程では、前記
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートと
を加熱あるいは紫外線照射によりガスを発生させる接着
剤により接着し、前記剥離工程では、当該接着剤を加熱
あるいは紫外線照射によりガスを発生させることにより
接着強度を低下させた状態で当該プラスチックシートを
前記シート支持用基板から剥離してもよい。
プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層する
際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシートと
を加熱あるいは紫外線照射によりガスを発生させる接着
剤により接着し、前記剥離工程では、当該接着剤を加熱
あるいは紫外線照射によりガスを発生させることにより
接着強度を低下させた状態で当該プラスチックシートを
前記シート支持用基板から剥離してもよい。
【００１９】本発明において、前記積層工程では、前記
シート支持用基板に樹脂をコーティングすることによ
り、該コーティング層によって、前記シート支持用基板
に積層した前記プラスチックシートを形成してもよい。
シート支持用基板に樹脂をコーティングすることによ
り、該コーティング層によって、前記シート支持用基板
に積層した前記プラスチックシートを形成してもよい。
【００２０】本発明において、前記素子形成工程では、
前記半導体素子を形成する各工程をできるだけ、低い温
度条件下、たとえば１００℃以下の温度条件下で行うこ
とにより、プラスチックシートが損傷することを防止す
ることが好ましい。
前記半導体素子を形成する各工程をできるだけ、低い温
度条件下、たとえば１００℃以下の温度条件下で行うこ
とにより、プラスチックシートが損傷することを防止す
ることが好ましい。
【００２１】たとえば、前記素子形成工程では、前記半
導体素子を形成するための半導体膜をスパッタ法により
形成した後、該半導体膜に対する結晶化処理を行う。
導体素子を形成するための半導体膜をスパッタ法により
形成した後、該半導体膜に対する結晶化処理を行う。
【００２２】また、前記素子形成工程では、たとえば、
前記半導体素子を形成するための導電膜をスパッタ法に
より形成する。
前記半導体素子を形成するための導電膜をスパッタ法に
より形成する。
【００２３】さらに、前記素子形成工程では、たとえ
ば、前記半導体素子を形成するための絶縁膜を液状物か
ら成膜する。すなわち、前記半導体素子を形成するため
の絶縁膜を液相成長法や塗布法などといった方法で形成
する。
ば、前記半導体素子を形成するための絶縁膜を液状物か
ら成膜する。すなわち、前記半導体素子を形成するため
の絶縁膜を液相成長法や塗布法などといった方法で形成
する。
【００２４】さらにまた、前記素子形成工程では、たと
えば、高濃度不純物を含む半導体膜をターゲットとする
スパッタ法により前記半導体素子を形成するためのドー
プト半導体膜を形成する。
えば、高濃度不純物を含む半導体膜をターゲットとする
スパッタ法により前記半導体素子を形成するためのドー
プト半導体膜を形成する。
【００２５】本発明において、前記半導体素子は、たと
えば、薄膜トランジスタである。
えば、薄膜トランジスタである。
【００２６】本発明に係る半導体装置の製造方法は、た
とえば、液晶装置の製造方法に適用できる。すなわち、
液晶を挟持する一対の基板のうちの少なくとも一方の基
板として、本発明を適用して前記半導体素子を形成した
前記プラスチックシートを用いる。
とえば、液晶装置の製造方法に適用できる。すなわち、
液晶を挟持する一対の基板のうちの少なくとも一方の基
板として、本発明を適用して前記半導体素子を形成した
前記プラスチックシートを用いる。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、本発
明を液晶装置のアクティブマトリクス基板（半導体装
置）の製造に適用した例を説明する。
明を液晶装置のアクティブマトリクス基板（半導体装
置）の製造に適用した例を説明する。
【００２８】［液晶装置の全体構成］図１は、本形態に
係る液晶装置の概略構成図である。
係る液晶装置の概略構成図である。
【００２９】図１において、本形態の液晶装置１は、基
本的には従来のものと同様であるので詳細な説明を省略
するが、アクティブマトリクス基板２と、このアクティ
ブマトリクス基板２に所定の間隔を介して貼り合わされ
る対向基板３と、この対向基板３とアクティブマトリク
ス基板２との間に封入された液晶４とから概略構成され
ている。アクティブマトリクス基板２と対向基板３と
は、対向基板３の外周縁に沿って形成されたギャップ材
含有のシール材７によって所定の間隙を介して貼り合わ
され、このシール材７の内側領域が液晶の封入領域とさ
れる。シール材７としては、エポキシ樹脂や各種の紫外
線硬化樹脂などを用いることができる。ここで、シール
材７は部分的に途切れているので、この途切れ部分によ
って、液晶注入口７１が構成されている。このため、対
向基板３とアクティブマトリクス基板２とを貼り合わせ
た後、シール材７の内側領域を減圧状態にすれば、液晶
注入口７１から液晶４を減圧注入でき、液晶４を封入し
た後は、液晶注入口７１を封止剤（図示せず。）で塞げ
ばよい。なお、対向基板３には、シール材の内側におい
て画像表示領域を見切りするための遮光膜（図示せ
ず。）なども形成されている。また、本形態において、
対向基板３はアクティブマトリクス基板２よりも小さ
く、アクティブマトリクス基板２の対向基板３の外周縁
よりはみ出た領域２０１には、後述する走査線駆動回
路、データ線駆動回路などが形成されている。
本的には従来のものと同様であるので詳細な説明を省略
するが、アクティブマトリクス基板２と、このアクティ
ブマトリクス基板２に所定の間隔を介して貼り合わされ
る対向基板３と、この対向基板３とアクティブマトリク
ス基板２との間に封入された液晶４とから概略構成され
ている。アクティブマトリクス基板２と対向基板３と
は、対向基板３の外周縁に沿って形成されたギャップ材
含有のシール材７によって所定の間隙を介して貼り合わ
され、このシール材７の内側領域が液晶の封入領域とさ
れる。シール材７としては、エポキシ樹脂や各種の紫外
線硬化樹脂などを用いることができる。ここで、シール
材７は部分的に途切れているので、この途切れ部分によ
って、液晶注入口７１が構成されている。このため、対
向基板３とアクティブマトリクス基板２とを貼り合わせ
た後、シール材７の内側領域を減圧状態にすれば、液晶
注入口７１から液晶４を減圧注入でき、液晶４を封入し
た後は、液晶注入口７１を封止剤（図示せず。）で塞げ
ばよい。なお、対向基板３には、シール材の内側におい
て画像表示領域を見切りするための遮光膜（図示せ
ず。）なども形成されている。また、本形態において、
対向基板３はアクティブマトリクス基板２よりも小さ
く、アクティブマトリクス基板２の対向基板３の外周縁
よりはみ出た領域２０１には、後述する走査線駆動回
路、データ線駆動回路などが形成されている。
【００３０】また、対向基板３およびアクティブマトリ
クス基板２の光入射側の面あるいは光出射側には、使用
する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマテ
ィック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−
ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等々の動作モードや、
ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別
に応じて偏光板５、６、あるいは位相差フィルムが所定
の光軸方向に配置されるように貼られることもある。さ
らに、液晶装置１が透過型である場合には、アクティブ
マトリクス基板２の裏側にはバックライト９が配置され
る。
クス基板２の光入射側の面あるいは光出射側には、使用
する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマテ
ィック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−
ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等々の動作モードや、
ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別
に応じて偏光板５、６、あるいは位相差フィルムが所定
の光軸方向に配置されるように貼られることもある。さ
らに、液晶装置１が透過型である場合には、アクティブ
マトリクス基板２の裏側にはバックライト９が配置され
る。
【００３１】このように構成した液晶装置１において、
本形態では、アクティブマトリクス基板２および対向基
板３は、いずれも基体が約２００μｍ厚のプラスチック
シート５０から構成されている。このプラスチックシー
ト５０は、熱可塑性樹脂製のシートあるいは熱硬化性樹
脂製のシートのいずれでもよく、たとえば、ポリエチレ
ン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、
エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレ
フィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボ
ネート、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、
アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン
−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプチレンテ
レフタレート（ＰＢＴ）、プリシクロヘキサンテレフタ
レート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポ
リエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケ
トン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセター
ル（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェ
ニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル
（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
フッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、
ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン
系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可
塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユ
リア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコ
ーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共
重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等からなるシート
である。また、プラスチックシート５０は、これらの樹
脂材料のうちの１種または２種以上を組み合わせて、た
とえば多層構造の積層シートとして構成されることもあ
る。
本形態では、アクティブマトリクス基板２および対向基
板３は、いずれも基体が約２００μｍ厚のプラスチック
シート５０から構成されている。このプラスチックシー
ト５０は、熱可塑性樹脂製のシートあるいは熱硬化性樹
脂製のシートのいずれでもよく、たとえば、ポリエチレ
ン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、
エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレ
フィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボ
ネート、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、
アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン
−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプチレンテ
レフタレート（ＰＢＴ）、プリシクロヘキサンテレフタ
レート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポ
リエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケ
トン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセター
ル（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェ
ニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル
（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
フッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、
ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン
系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可
塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユ
リア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコ
ーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共
重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等からなるシート
である。また、プラスチックシート５０は、これらの樹
脂材料のうちの１種または２種以上を組み合わせて、た
とえば多層構造の積層シートとして構成されることもあ
る。
【００３２】従って、本形態の液晶装置１は、石英基板
や耐熱ガラス基板などを用いたものと比較して、安価
で、かつ、軽量である。しかも、本形態の液晶装置１
は、多少の変形にも耐え、かつ、落としても割れない。
や耐熱ガラス基板などを用いたものと比較して、安価
で、かつ、軽量である。しかも、本形態の液晶装置１
は、多少の変形にも耐え、かつ、落としても割れない。
【００３３】［アクティブマトリクス基板２の構成］図
２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶装置１のアクティブ
マトリクス基板２の構成を模式的に示すブロック図、お
よびその駆動回路に形成したＣＭＯＳ回路の等価回路図
である。図３（Ａ）は、液晶装置１のアクティブマトリ
クス基板２の構成を模式的に示す断面図である。
２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶装置１のアクティブ
マトリクス基板２の構成を模式的に示すブロック図、お
よびその駆動回路に形成したＣＭＯＳ回路の等価回路図
である。図３（Ａ）は、液晶装置１のアクティブマトリ
クス基板２の構成を模式的に示す断面図である。
【００３４】図２（Ａ）に示すように、液晶装置１用の
アクティブマトリクス基板２では、アルミニウム、タン
タル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属
膜、シリサイド膜、導電性半導体膜などで形成されたデ
ータ線９０および走査線９１に接続した画素用スイッチ
ングのＴＦＴ１０がマトリクス状の各画素毎に形成さ
れ、各画素には、対向基板の画素電極（図示せず。）の
間に、画素スイッチング用のＴＦＴ１０を介して画像信
号が入力される液晶容量９４（液晶セル）が形成されて
いる。データ線９０に対しては、シフトレジスタ８４、
レベルシフタ８５、ビデオライン８７、アナログスイッ
チ８６を備えるデータ側駆動回路６０が構成されてい
る。走査線９１に対しては、シフトレジスタ８８および
レベルシフタ８９を備える走査側駆動回路７０が構成さ
れている。なお、各画素には、走査線９１と並行に延び
る容量線９２との間に保持容量４０が形成され、この保
持容量４０は、液晶容量９４での電荷の保持特性を高め
る機能を有している。この保持容量４０は前段の走査線
９１との間に形成されることもある。
アクティブマトリクス基板２では、アルミニウム、タン
タル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属
膜、シリサイド膜、導電性半導体膜などで形成されたデ
ータ線９０および走査線９１に接続した画素用スイッチ
ングのＴＦＴ１０がマトリクス状の各画素毎に形成さ
れ、各画素には、対向基板の画素電極（図示せず。）の
間に、画素スイッチング用のＴＦＴ１０を介して画像信
号が入力される液晶容量９４（液晶セル）が形成されて
いる。データ線９０に対しては、シフトレジスタ８４、
レベルシフタ８５、ビデオライン８７、アナログスイッ
チ８６を備えるデータ側駆動回路６０が構成されてい
る。走査線９１に対しては、シフトレジスタ８８および
レベルシフタ８９を備える走査側駆動回路７０が構成さ
れている。なお、各画素には、走査線９１と並行に延び
る容量線９２との間に保持容量４０が形成され、この保
持容量４０は、液晶容量９４での電荷の保持特性を高め
る機能を有している。この保持容量４０は前段の走査線
９１との間に形成されることもある。
【００３５】このように構成したアクティブマトリクス
基板２において、データ線駆動回路６０および走査線駆
動回路７０のシフトレジスタ８４、８８などでは、図２
（Ｂ）に示すように、Ｎ型のＴＦＴ３０とＰ型のＴＦＴ
２０とによって形成されたＣＭＯＳ回路が多段に接続さ
れている。
基板２において、データ線駆動回路６０および走査線駆
動回路７０のシフトレジスタ８４、８８などでは、図２
（Ｂ）に示すように、Ｎ型のＴＦＴ３０とＰ型のＴＦＴ
２０とによって形成されたＣＭＯＳ回路が多段に接続さ
れている。
【００３６】従って、図３（Ａ）に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板２では、その基体たるプラスチック
シート５０の表面側には、駆動回路用のＮ型のＴＦＴ３
０、駆動回路用のＰ型のＴＦＴ２０、および画素スイッ
チング用のＮ型のＴＦＴ３０からなる３種類のＴＦＴが
形成されている。このアクティブマトリクス基板２で
は、プラスチックシート５０の表面側にはシリコン酸化
膜からなる下地保護膜８１が形成され、この下地保護膜
８１の表面には、島状にパターニングされた多結晶性の
半導体膜１０１、１０２、１０３が形成されている。こ
れらの半導体膜１０１、１０２、１０３は、それぞれ、
駆動回路用のＮ型のＴＦＴ３０、駆動回路用のＰ型のＴ
ＦＴ２０、および画素スイッチング用のＮ型のＴＦＴ３
０を形成するためのもので、各半導体膜１０１、１０
２、１０３の表面にはゲート絶縁膜８２が形成されてい
る。このゲート絶縁膜８２の表面にはゲート電極１４、
２４、３４がそれぞれ形成され、これらのゲート電極１
４、２４、３４のうち、画素スイッチング用のＮ型のＴ
ＦＴ１０のゲート電極１４は走査線９１（図２（Ａ）参
照。）の一部である。また、各半導体膜１０１、１０
２、１０３には、ゲート電極１４、２４、３４に対して
ゲート絶縁膜８２を介して対峙する領域にチャネル領域
１５、２５、３５が形成されている。また、チャネル領
域１５、２５、３５の両側にはソース・ドレイン領域１
６、２６、３６がそれぞれ形成され、これらのソース・
ドレイン領域１６、２６、３６には下層側層間絶縁膜８
３のコンタクトホールを介してソース電極１１、２１、
３１およびドレイン電極１２、３２がそれぞれ電気的に
接続している。また、画素スイッチング用のＮ型のＴＦ
Ｔ１０において、ドレイン電極１２には、上層側層間絶
縁膜８５のコンタクトホールを介して画素電極１８が電
気的に接続している。ここで、画素電極１８をＩＴＯ膜
などの透明電極から形成すれば、透過型の液晶装置１を
構成でき、画素電極１８をアルミニウム膜などから形成
すれば、反射型の液晶装置１を構成できる。なお、Ｎ型
のＴＦＴ１０、３０、およびＰ型のＴＦＴ２０のいずれ
においても、本形態ではセルフアライン構造のＴＦＴと
したが、これらのＴＦＴについては、ゲート電極の端部
にゲート絶縁膜を介して対峙する部分を低濃度領域にし
てＬＤＤ構造のＴＦＴにしてもよい。また、ソース・ド
レイン領域をチャネル長方向にずらしたオフセットゲー
ト構造にしてもよい。このようなＬＤＤ構造あるいはオ
フセットゲート構造を採用すると、ＴＦＴのオフリーク
電流を低減して、コントラスト低下、表示むら、フリッ
カ、駆動回路の誤動作などを防止することができる。ま
た、Ｐ型のＴＦＴ２０は、Ｎ型のＴＦＴ１０、３０と比
較して、オフリーク電流の問題が表面化しないので、セ
ルフアライン構造にする一方で、Ｎ型のＴＦＴ１０、３
０についてはＬＤＤ構造あるいはオフセットゲート構造
にすることにより、Ｐ型のＴＦＴ２０とＮ型のＴＦＴ１
０、３０とのオン電流のレベルを合わせてもよい。
ィブマトリクス基板２では、その基体たるプラスチック
シート５０の表面側には、駆動回路用のＮ型のＴＦＴ３
０、駆動回路用のＰ型のＴＦＴ２０、および画素スイッ
チング用のＮ型のＴＦＴ３０からなる３種類のＴＦＴが
形成されている。このアクティブマトリクス基板２で
は、プラスチックシート５０の表面側にはシリコン酸化
膜からなる下地保護膜８１が形成され、この下地保護膜
８１の表面には、島状にパターニングされた多結晶性の
半導体膜１０１、１０２、１０３が形成されている。こ
れらの半導体膜１０１、１０２、１０３は、それぞれ、
駆動回路用のＮ型のＴＦＴ３０、駆動回路用のＰ型のＴ
ＦＴ２０、および画素スイッチング用のＮ型のＴＦＴ３
０を形成するためのもので、各半導体膜１０１、１０
２、１０３の表面にはゲート絶縁膜８２が形成されてい
る。このゲート絶縁膜８２の表面にはゲート電極１４、
２４、３４がそれぞれ形成され、これらのゲート電極１
４、２４、３４のうち、画素スイッチング用のＮ型のＴ
ＦＴ１０のゲート電極１４は走査線９１（図２（Ａ）参
照。）の一部である。また、各半導体膜１０１、１０
２、１０３には、ゲート電極１４、２４、３４に対して
ゲート絶縁膜８２を介して対峙する領域にチャネル領域
１５、２５、３５が形成されている。また、チャネル領
域１５、２５、３５の両側にはソース・ドレイン領域１
６、２６、３６がそれぞれ形成され、これらのソース・
ドレイン領域１６、２６、３６には下層側層間絶縁膜８
３のコンタクトホールを介してソース電極１１、２１、
３１およびドレイン電極１２、３２がそれぞれ電気的に
接続している。また、画素スイッチング用のＮ型のＴＦ
Ｔ１０において、ドレイン電極１２には、上層側層間絶
縁膜８５のコンタクトホールを介して画素電極１８が電
気的に接続している。ここで、画素電極１８をＩＴＯ膜
などの透明電極から形成すれば、透過型の液晶装置１を
構成でき、画素電極１８をアルミニウム膜などから形成
すれば、反射型の液晶装置１を構成できる。なお、Ｎ型
のＴＦＴ１０、３０、およびＰ型のＴＦＴ２０のいずれ
においても、本形態ではセルフアライン構造のＴＦＴと
したが、これらのＴＦＴについては、ゲート電極の端部
にゲート絶縁膜を介して対峙する部分を低濃度領域にし
てＬＤＤ構造のＴＦＴにしてもよい。また、ソース・ド
レイン領域をチャネル長方向にずらしたオフセットゲー
ト構造にしてもよい。このようなＬＤＤ構造あるいはオ
フセットゲート構造を採用すると、ＴＦＴのオフリーク
電流を低減して、コントラスト低下、表示むら、フリッ
カ、駆動回路の誤動作などを防止することができる。ま
た、Ｐ型のＴＦＴ２０は、Ｎ型のＴＦＴ１０、３０と比
較して、オフリーク電流の問題が表面化しないので、セ
ルフアライン構造にする一方で、Ｎ型のＴＦＴ１０、３
０についてはＬＤＤ構造あるいはオフセットゲート構造
にすることにより、Ｐ型のＴＦＴ２０とＮ型のＴＦＴ１
０、３０とのオン電流のレベルを合わせてもよい。
【００３７】［アクイティブマトリクス基板２の製造方
法の概要］このように構成した液晶装置１において、本
形態では、アクティブマトリクス基板２の基体として透
明なプラスチックシート５０を用いている。但し、アク
ティブマトリクス基板２の基体として透明なプラスチッ
クシート５０を用いると、製造工程中、プラスチックシ
ート５０が変形するなど、その取扱いに手間がかかると
ともに、マスクアライメントの精度が低くなりやすい。
そこで、本形態では、図４および図５を参照して以下に
説明する製造方法を採用することにより、このような取
扱いの不便を解消している。
法の概要］このように構成した液晶装置１において、本
形態では、アクティブマトリクス基板２の基体として透
明なプラスチックシート５０を用いている。但し、アク
ティブマトリクス基板２の基体として透明なプラスチッ
クシート５０を用いると、製造工程中、プラスチックシ
ート５０が変形するなど、その取扱いに手間がかかると
ともに、マスクアライメントの精度が低くなりやすい。
そこで、本形態では、図４および図５を参照して以下に
説明する製造方法を採用することにより、このような取
扱いの不便を解消している。
【００３８】図４および図５はいずれも、本形態のアク
ティブマトリクス基板２の製造方法のうち、素子形成工
程ＳＴ２を示す工程断面図である。
ティブマトリクス基板２の製造方法のうち、素子形成工
程ＳＴ２を示す工程断面図である。
【００３９】本形態では、図４（Ａ）に示すように、各
種半導体プロセスを行う前に、まず、プラスチックシー
ト５０をシート支持用基板５５に積層する（積層工程Ｓ
Ｔ１）。次に、図４（Ｂ）に示すように、プラスチック
シート５０をシート支持用基板５５に積層した状態のま
まで、プラスチックシート５０に対して半導体プロセス
を用いて、図３（Ａ）に示す各ＴＦＴ１０、２０、３０
（半導体素子）などを形成する（素子形成工程ＳＴ
２）。このようにしてプラスチックシート５０を基体に
してアクティブマトリクス基板２を製造した後は、図４
（Ｃ）に示すように、プラスチックシート５０（アクテ
ィブマトリクス基板２）をシート支持用基板５５から剥
離する（剥離工程ＳＴ３）。しかる後に、剥離したアク
ティブマトリクス基板２を用いて、図１を参照して説明
したように、液晶装置１を組み立てる。
種半導体プロセスを行う前に、まず、プラスチックシー
ト５０をシート支持用基板５５に積層する（積層工程Ｓ
Ｔ１）。次に、図４（Ｂ）に示すように、プラスチック
シート５０をシート支持用基板５５に積層した状態のま
まで、プラスチックシート５０に対して半導体プロセス
を用いて、図３（Ａ）に示す各ＴＦＴ１０、２０、３０
（半導体素子）などを形成する（素子形成工程ＳＴ
２）。このようにしてプラスチックシート５０を基体に
してアクティブマトリクス基板２を製造した後は、図４
（Ｃ）に示すように、プラスチックシート５０（アクテ
ィブマトリクス基板２）をシート支持用基板５５から剥
離する（剥離工程ＳＴ３）。しかる後に、剥離したアク
ティブマトリクス基板２を用いて、図１を参照して説明
したように、液晶装置１を組み立てる。
【００４０】このように、本形態では、積層工程ＳＴ１
においてプラスチックシート５０をシート支持用基板５
５に積層した状態にし、この状態のまま素子形成工程Ｓ
Ｔ２を行ってから、プラスチックシート５０をシート支
持用基板５５から剥離するので、プラスチックシート５
０に対して素子形成工程ＳＴ２を施すときに、石英基板
や耐熱ガラス基板などと同様に取り扱うことができる。
このため、素子形成工程ＳＴ２において、プラスチック
シート５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、
およびアライメント時のずれなどを防止できる。それ
故、プラスチックシート５０に直接、ＴＦＴ１０、２
０、３０などを形成することができるので、基板に形成
したＴＦＴなどを別の基板に転写するなどといった複雑
な工程を行わなくてもよい。よって、石英基板や耐熱ガ
ラス基板などに代えてプラスチックシート５０を用いた
液晶装置１を安価に製造することができる。
においてプラスチックシート５０をシート支持用基板５
５に積層した状態にし、この状態のまま素子形成工程Ｓ
Ｔ２を行ってから、プラスチックシート５０をシート支
持用基板５５から剥離するので、プラスチックシート５
０に対して素子形成工程ＳＴ２を施すときに、石英基板
や耐熱ガラス基板などと同様に取り扱うことができる。
このため、素子形成工程ＳＴ２において、プラスチック
シート５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、
およびアライメント時のずれなどを防止できる。それ
故、プラスチックシート５０に直接、ＴＦＴ１０、２
０、３０などを形成することができるので、基板に形成
したＴＦＴなどを別の基板に転写するなどといった複雑
な工程を行わなくてもよい。よって、石英基板や耐熱ガ
ラス基板などに代えてプラスチックシート５０を用いた
液晶装置１を安価に製造することができる。
【００４１】［素子形成工程ＳＴ２の詳細説明］これら
の工程のうち、積層工程ＳＴ１および剥離工程ＳＴ３に
ついては各形態毎に後述するとして、素子形成工程ＳＴ
２について、図５および図６を参照して説明する。ここ
で、各種工程はプラスチックシート５０に対して行うた
め、本形態では、その最高温度を１００℃に設定してあ
る。
の工程のうち、積層工程ＳＴ１および剥離工程ＳＴ３に
ついては各形態毎に後述するとして、素子形成工程ＳＴ
２について、図５および図６を参照して説明する。ここ
で、各種工程はプラスチックシート５０に対して行うた
め、本形態では、その最高温度を１００℃に設定してあ
る。
【００４２】まず、図５（Ａ）において、超音波洗浄な
どにより清浄化したプラスチックシート５０を安価なガ
ラス基板などといったシート支持用基板５５の上に積層
した状態で、プラスチックシート５０の全面に厚さが２
０００オングストローム〜５０００オングストロームの
シリコン酸化膜からなる下地保護膜８１を形成する。
どにより清浄化したプラスチックシート５０を安価なガ
ラス基板などといったシート支持用基板５５の上に積層
した状態で、プラスチックシート５０の全面に厚さが２
０００オングストローム〜５０００オングストロームの
シリコン酸化膜からなる下地保護膜８１を形成する。
【００４３】このシリコン酸化膜（下地保護膜）、ある
いは後述するシリコン酸化膜を形成するにあたって、本
形態では、シリコン酸化膜の液状物（前駆体）などを利
用することにより１００℃以下の温度条件下で行う。
いは後述するシリコン酸化膜を形成するにあたって、本
形態では、シリコン酸化膜の液状物（前駆体）などを利
用することにより１００℃以下の温度条件下で行う。
【００４４】たとえば、ペルヒドロポリシラザンなどを
含む液状物をプラスチックシート５０の表面に塗布した
後、これに１００℃以下の熱処理を行ってシリコン酸化
膜を形成する。このペリヒドロポリシラザンとは、無機
ポリシラザンの一種であり、大気中で水分や酸素と反応
してシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料
である。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−
（ＳｉＨ2ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、
キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無
機ポリマーの有機溶剤溶液（たとえば、２０％溶液）を
スピンコート法で塗布した後、大気中で水分や酸素と反
応させれば、緻密なシリコン酸化膜になるので、下地保
護膜８１、あるいは後述するゲート絶縁膜や層間絶縁膜
として利用することができる。
含む液状物をプラスチックシート５０の表面に塗布した
後、これに１００℃以下の熱処理を行ってシリコン酸化
膜を形成する。このペリヒドロポリシラザンとは、無機
ポリシラザンの一種であり、大気中で水分や酸素と反応
してシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料
である。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−
（ＳｉＨ2ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、
キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無
機ポリマーの有機溶剤溶液（たとえば、２０％溶液）を
スピンコート法で塗布した後、大気中で水分や酸素と反
応させれば、緻密なシリコン酸化膜になるので、下地保
護膜８１、あるいは後述するゲート絶縁膜や層間絶縁膜
として利用することができる。
【００４５】また、１００℃以下の温度条件下でシリコ
ン酸化膜を形成する方法として、ＬＰＤ法（Liquid Pha
se Deposition）を行ってもよい。この方法について
は、月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ，
（１９９０．７），ｐｐ８５、セラミックス２６
［３］，２０１−２０２（１９９１）、ＤＥＮＫＩ Ｋ
ＡＧＡＫＵ，１０，８６６（１９９２）、Ｊ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１３５，２０１３（１９８
８）で報告されているように、ケイフッ化水素酸（Ｈ2
ＳｉＦ3）にシリコン酸化物を溶解して飽和水溶液とし
た後、ホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3）水溶液を添加することによ
り過飽和状態を作り、シリコン酸化物を析出させる方法
である。この方法によれば、シリコン酸化物の過飽和溶
液中でプラスチックシート５０の表面にシリコン酸化膜
を析出させればよいので、１００℃以下の温度条件下で
下地保護膜８１、あるいは後述するゲート絶縁膜や層間
絶縁膜を形成することができる。
ン酸化膜を形成する方法として、ＬＰＤ法（Liquid Pha
se Deposition）を行ってもよい。この方法について
は、月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ，
（１９９０．７），ｐｐ８５、セラミックス２６
［３］，２０１−２０２（１９９１）、ＤＥＮＫＩ Ｋ
ＡＧＡＫＵ，１０，８６６（１９９２）、Ｊ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１３５，２０１３（１９８
８）で報告されているように、ケイフッ化水素酸（Ｈ2
ＳｉＦ3）にシリコン酸化物を溶解して飽和水溶液とし
た後、ホウ酸（Ｈ3 ＢＯ3）水溶液を添加することによ
り過飽和状態を作り、シリコン酸化物を析出させる方法
である。この方法によれば、シリコン酸化物の過飽和溶
液中でプラスチックシート５０の表面にシリコン酸化膜
を析出させればよいので、１００℃以下の温度条件下で
下地保護膜８１、あるいは後述するゲート絶縁膜や層間
絶縁膜を形成することができる。
【００４６】次に、プラスチックシート５０を熱劣化さ
せることなく、プラスチックシート５０上に多結晶性の
半導体膜を形成する必要がある。このような制約下で多
結晶の半導体膜を形成することを目的に、本形態では、
まず、プラスチックシート５０に形成した下地保護膜８
１の表面全体に厚さが３００オングストローム〜７００
オングストロームの非晶質シリコン膜からなる半導体膜
１００をスパッタ法により形成する（成膜工程）。すな
わち、プラズマＣＶＤ法でシリコン膜を形成すると、シ
リコン膜に水素が内包されるため、この水素を放出する
ための熱処理、あるいは成膜温度を高く設定する必要が
あるが、スパッタ法によれば、シリコン膜中に水素が内
包されないので、このような熱処理が不要である。ま
た、プラズマＣＶＤ法では３００℃以上の温度条件下で
行う必要があるが、スパッタ法によれば常温、あるいは
１００℃以下での成膜が可能である。
せることなく、プラスチックシート５０上に多結晶性の
半導体膜を形成する必要がある。このような制約下で多
結晶の半導体膜を形成することを目的に、本形態では、
まず、プラスチックシート５０に形成した下地保護膜８
１の表面全体に厚さが３００オングストローム〜７００
オングストロームの非晶質シリコン膜からなる半導体膜
１００をスパッタ法により形成する（成膜工程）。すな
わち、プラズマＣＶＤ法でシリコン膜を形成すると、シ
リコン膜に水素が内包されるため、この水素を放出する
ための熱処理、あるいは成膜温度を高く設定する必要が
あるが、スパッタ法によれば、シリコン膜中に水素が内
包されないので、このような熱処理が不要である。ま
た、プラズマＣＶＤ法では３００℃以上の温度条件下で
行う必要があるが、スパッタ法によれば常温、あるいは
１００℃以下での成膜が可能である。
【００４７】次に、半導体膜１００に対してレーザアニ
ールなどを施す（結晶化工程）。その結果、非晶質の半
導体膜１００は一度溶融し、冷却固化過程を経て多結晶
化する。この際に、各領域へのレーザ光の照射時間は非
常に短時間であり、かつ、照射領域が局所的であるた
め、プラスチックシート５０が温度上昇する前に冷却さ
れることになるので、プラスチックシート５０が熱で損
傷することはない。ここで、結晶化工程は、窒素ガス雰
囲気中、アルゴンガス雰囲気中、ヘリウムガス雰囲気
中、水素ガス雰囲気中、あるいはこれらのガスの混合ガ
ス雰囲気中など、非酸化性雰囲気中で行う。このため、
半導体膜１００の表面に、ゲート絶縁膜としては膜質が
好ましくない酸化膜が形成されることを防止することが
できる。
ールなどを施す（結晶化工程）。その結果、非晶質の半
導体膜１００は一度溶融し、冷却固化過程を経て多結晶
化する。この際に、各領域へのレーザ光の照射時間は非
常に短時間であり、かつ、照射領域が局所的であるた
め、プラスチックシート５０が温度上昇する前に冷却さ
れることになるので、プラスチックシート５０が熱で損
傷することはない。ここで、結晶化工程は、窒素ガス雰
囲気中、アルゴンガス雰囲気中、ヘリウムガス雰囲気
中、水素ガス雰囲気中、あるいはこれらのガスの混合ガ
ス雰囲気中など、非酸化性雰囲気中で行う。このため、
半導体膜１００の表面に、ゲート絶縁膜としては膜質が
好ましくない酸化膜が形成されることを防止することが
できる。
【００４８】このようにして半導体膜１００を多結晶化
した後、この半導体膜１００を用いてＴＦＴを形成して
いく。それにはまず、図５（Ｂ）に示すように、多結晶
の半導体膜１００の表面にフォトリソグラフィ技術を用
いてレジストマスク１１１を形成した後、図５（Ｃ）に
示すように、半導体膜１００を島状の半導体膜１０１、
１０２、１０３にパターニングする。ここで、レジスト
マスク１１１を形成する際にはステッパを用いずに、プ
ロキシによる露光を行う。以降の工程でも同様である。
した後、この半導体膜１００を用いてＴＦＴを形成して
いく。それにはまず、図５（Ｂ）に示すように、多結晶
の半導体膜１００の表面にフォトリソグラフィ技術を用
いてレジストマスク１１１を形成した後、図５（Ｃ）に
示すように、半導体膜１００を島状の半導体膜１０１、
１０２、１０３にパターニングする。ここで、レジスト
マスク１１１を形成する際にはステッパを用いずに、プ
ロキシによる露光を行う。以降の工程でも同様である。
【００４９】次に、図５（Ｄ）に示すように、島状の半
導体膜１０１、１０２、１０３の表面側に対して、厚さ
が６００オングストローム〜１５００オングストローム
のシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜８２を形成する
（ゲート絶縁膜形成工程）。
導体膜１０１、１０２、１０３の表面側に対して、厚さ
が６００オングストローム〜１５００オングストローム
のシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜８２を形成する
（ゲート絶縁膜形成工程）。
【００５０】次に、図５（Ｅ）に示すように、ゲート絶
縁膜８２の表面に、アルミニウム、タンタル、モリブデ
ン、チタン、タングステンなどを含む導電膜８４をスパ
ッタ法により形成した後、導電膜８４の表面にレジスト
マスク１１２を形成する。この導電膜８４を形成する際
も、スパッタ法によれば常温、あるいは１００℃以下で
の成膜が可能である。
縁膜８２の表面に、アルミニウム、タンタル、モリブデ
ン、チタン、タングステンなどを含む導電膜８４をスパ
ッタ法により形成した後、導電膜８４の表面にレジスト
マスク１１２を形成する。この導電膜８４を形成する際
も、スパッタ法によれば常温、あるいは１００℃以下で
の成膜が可能である。
【００５１】次に、導電膜８４をパターニングして、図
５（Ｆ）に示すように、各ＴＦＴのゲート電極１４、２
４、３４を形成する（ゲート電極形成工程）。
５（Ｆ）に示すように、各ＴＦＴのゲート電極１４、２
４、３４を形成する（ゲート電極形成工程）。
【００５２】次に、図６（Ａ）に示すように、Ｎ型のＴ
ＦＴを形成するための半導体膜１０１、１０３をレジス
トマスク１１３で覆った状態で、たとえば約１０1５ｃ
ｍ-2のドーズ量でボロンイオンをイオン注入、イオンド
ーピング、あるいはプラズマドーピングなどの方法で打
ち込むと、半導体膜１０２にはゲート電極２４に対して
自己整合的に不純物濃度が約１０２０ｃｍ-3のソース・
ドレイン領域２６が形成される。なお、不純物が導入さ
れなかった部分がチャネル領域２５となる。この場合の
不純物イオンの導入は、１００℃以下の温度条件下で行
う。
ＦＴを形成するための半導体膜１０１、１０３をレジス
トマスク１１３で覆った状態で、たとえば約１０1５ｃ
ｍ-2のドーズ量でボロンイオンをイオン注入、イオンド
ーピング、あるいはプラズマドーピングなどの方法で打
ち込むと、半導体膜１０２にはゲート電極２４に対して
自己整合的に不純物濃度が約１０２０ｃｍ-3のソース・
ドレイン領域２６が形成される。なお、不純物が導入さ
れなかった部分がチャネル領域２５となる。この場合の
不純物イオンの導入は、１００℃以下の温度条件下で行
う。
【００５３】このようにしてＰ型のＴＦＴ２０を形成し
た後、図６（Ｂ）に示すように、Ｐ型のＴＦＴ２０をレ
ジストマスク１１４で覆った状態で、たとえば約１０
1５ｃｍ-2のドーズ量でリンイオンをイオン注入、イオ
ンドーピング、あるいはプラズマドーピングなどの方法
で打ち込むと、半導体膜１０１、１０３にはゲート電極
１４、３４に対して自己整合的に不純物濃度が約１０
２０ｃｍ-3のソース・ドレイン領域１６、３６が形成さ
れる。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル
領域１５、３５となる。この場合の不純物イオンの導入
も、１００℃以下の温度条件下で行う。
た後、図６（Ｂ）に示すように、Ｐ型のＴＦＴ２０をレ
ジストマスク１１４で覆った状態で、たとえば約１０
1５ｃｍ-2のドーズ量でリンイオンをイオン注入、イオ
ンドーピング、あるいはプラズマドーピングなどの方法
で打ち込むと、半導体膜１０１、１０３にはゲート電極
１４、３４に対して自己整合的に不純物濃度が約１０
２０ｃｍ-3のソース・ドレイン領域１６、３６が形成さ
れる。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル
領域１５、３５となる。この場合の不純物イオンの導入
も、１００℃以下の温度条件下で行う。
【００５４】このようにしてＮ型のＴＦＴ１０、３０を
形成した後、不純物の活性化はレーザ照射により行う。
従って、プラスチックシート５０は１００℃以上の温度
になることはない。
形成した後、不純物の活性化はレーザ照射により行う。
従って、プラスチックシート５０は１００℃以上の温度
になることはない。
【００５５】次に、図６（Ｃ）に示すように、ゲート電
極１４、２４、３４の表面側に下層側層間絶縁膜８３を
形成する。次に、下層側層間絶縁膜８３にコンタクトホ
ールを形成する。次に、ソース電極およびドレイン電極
を形成するためのアルミニウム膜（図示せず。）などを
形成した後、このアルミニウム膜をパターニングし、図
６（Ｄ）に示すように、ソース電極１１、２１、３１お
よびドレイン電極１２、３２を形成する。このアルミニ
ウム膜などを形成する際も、スパッタ法によれば常温、
あるいは１００℃以下での成膜が可能である。
極１４、２４、３４の表面側に下層側層間絶縁膜８３を
形成する。次に、下層側層間絶縁膜８３にコンタクトホ
ールを形成する。次に、ソース電極およびドレイン電極
を形成するためのアルミニウム膜（図示せず。）などを
形成した後、このアルミニウム膜をパターニングし、図
６（Ｄ）に示すように、ソース電極１１、２１、３１お
よびドレイン電極１２、３２を形成する。このアルミニ
ウム膜などを形成する際も、スパッタ法によれば常温、
あるいは１００℃以下での成膜が可能である。
【００５６】次に、図６（Ｅ）に示すように、ソース電
極１１、２１、３１およびドレイン電極１２、３２の表
面側に上層側層間絶縁膜８５を形成した後、この上層側
層間絶縁膜８５にコンタクトホールを形成する。次に、
画素電極を形成するための導電膜（図示せず。）を形成
した後、この導電膜をパターニングし、図３（Ａ）に示
すように、画素電極１８を形成する。ここでアクティブ
マトリクス基板２を透過型液晶装置用に形成する場合に
は、画素電極１８をＩＴＯ膜から形成し、反射型液晶装
置用に形成する場合には画素電極１８をアルミニウム膜
などから形成する。この画素電極を形成するための導電
膜を形成する際も、スパッタ法によれば常温、あるいは
１００℃以下での成膜が可能である。
極１１、２１、３１およびドレイン電極１２、３２の表
面側に上層側層間絶縁膜８５を形成した後、この上層側
層間絶縁膜８５にコンタクトホールを形成する。次に、
画素電極を形成するための導電膜（図示せず。）を形成
した後、この導電膜をパターニングし、図３（Ａ）に示
すように、画素電極１８を形成する。ここでアクティブ
マトリクス基板２を透過型液晶装置用に形成する場合に
は、画素電極１８をＩＴＯ膜から形成し、反射型液晶装
置用に形成する場合には画素電極１８をアルミニウム膜
などから形成する。この画素電極を形成するための導電
膜を形成する際も、スパッタ法によれば常温、あるいは
１００℃以下での成膜が可能である。
【００５７】このように、本形態では、素子形成工程Ｓ
Ｔ２を全て１００℃以下の温度条件下で行うので、プラ
スチックシート５０を損傷させることなく、プラスチッ
クシート５０にＴＦＴを直接、形成することができる。
それ故、耐熱ガラス基板などに形成したＴＦＴを転写す
るなどといった複雑な工程を行う必要がない。
Ｔ２を全て１００℃以下の温度条件下で行うので、プラ
スチックシート５０を損傷させることなく、プラスチッ
クシート５０にＴＦＴを直接、形成することができる。
それ故、耐熱ガラス基板などに形成したＴＦＴを転写す
るなどといった複雑な工程を行う必要がない。
【００５８】［別の素子形成工程ＳＴ２］なお、ＴＦＴ
３０を例に説明すると、同一の半導体膜１０３に対して
チャネル領域３５とソース・ドレイン領域３６とが形成
されている構造の他、図３（Ｂ）に示すように、チャネ
ル領域３５とソース・ドレイン領域３６とが別々の半導
体膜から形成される場合がある。このような場合には、
ドープトシリコン膜（ドープト半導体膜）からソース・
ドレイン領域３６を形成することになるが、この場合で
も、高濃度の不純物を含むシリコン膜（半導体膜）をタ
ーゲットとするスパッタ法を利用すれば、１００℃以下
の温度条件でソース・ドレイン領域３６を形成すること
ができる。
３０を例に説明すると、同一の半導体膜１０３に対して
チャネル領域３５とソース・ドレイン領域３６とが形成
されている構造の他、図３（Ｂ）に示すように、チャネ
ル領域３５とソース・ドレイン領域３６とが別々の半導
体膜から形成される場合がある。このような場合には、
ドープトシリコン膜（ドープト半導体膜）からソース・
ドレイン領域３６を形成することになるが、この場合で
も、高濃度の不純物を含むシリコン膜（半導体膜）をタ
ーゲットとするスパッタ法を利用すれば、１００℃以下
の温度条件でソース・ドレイン領域３６を形成すること
ができる。
【００５９】［実施の形態１］図７は、本発明の実施の
形態１に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法を
示す説明図である。
形態１に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法を
示す説明図である。
【００６０】本形態では、プラスチックシート５０を利
用してアクティブマトリクス基板２を製造するにあたっ
て、図４を参照して説明した積層工程ＳＴ１、素子形成
工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３のうち、積層工程ＳＴ
１では、まず、図７（Ａ）に示すように、プラスチック
シート５０として袋状のものを準備し、この袋状のプラ
スチックシート５０の中にシート支持用基板５５を入れ
る。次に、この袋状のプラスチックシート５０の中を真
空引きすることにより、図７（Ｂ）に示すように、プラ
スチックシート５０をシート支持用基板５５に密着した
状態とする。次に、この状態で、図５および図６を参照
して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った後、剥離工程
ＳＴ３では、図７（Ｃ）に示すように、プラスチックシ
ート５０およびシート支持用基板５５のうち、プラスチ
ックシート５０のみを切断した後、プラスチックシート
５０をシート支持用基板５５から剥離する。
用してアクティブマトリクス基板２を製造するにあたっ
て、図４を参照して説明した積層工程ＳＴ１、素子形成
工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３のうち、積層工程ＳＴ
１では、まず、図７（Ａ）に示すように、プラスチック
シート５０として袋状のものを準備し、この袋状のプラ
スチックシート５０の中にシート支持用基板５５を入れ
る。次に、この袋状のプラスチックシート５０の中を真
空引きすることにより、図７（Ｂ）に示すように、プラ
スチックシート５０をシート支持用基板５５に密着した
状態とする。次に、この状態で、図５および図６を参照
して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った後、剥離工程
ＳＴ３では、図７（Ｃ）に示すように、プラスチックシ
ート５０およびシート支持用基板５５のうち、プラスチ
ックシート５０のみを切断した後、プラスチックシート
５０をシート支持用基板５５から剥離する。
【００６１】このように、本形態では、プラスチックシ
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５を
入れた袋状のプラスチックシート５０の中を真空引きす
ることにより、プラスチックシート５０をシート支持用
基板５５に密着した状態にするので、プラスチックシー
ト５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、およ
びアライメント時のずれなどを確実に解消できる。ま
た、プラスチックシート５０をシート支持用基板５５に
密着させるといっても、接着剤を用いないので、剥離工
程ＳＴ３でプラスチックシート５０をシート支持用基板
５５から容易に剥がすことができる。さらに、剥離工程
ＳＴ３において、プラスチックシート５０およびシート
支持用基板５５のうち、プラスチックシート５０のみを
切断してシート支持用基板５５から剥離するので、容易
に切断することができる。また、シート支持用基板５５
は切断されないので、再利用できるという利点もある。
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５を
入れた袋状のプラスチックシート５０の中を真空引きす
ることにより、プラスチックシート５０をシート支持用
基板５５に密着した状態にするので、プラスチックシー
ト５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、およ
びアライメント時のずれなどを確実に解消できる。ま
た、プラスチックシート５０をシート支持用基板５５に
密着させるといっても、接着剤を用いないので、剥離工
程ＳＴ３でプラスチックシート５０をシート支持用基板
５５から容易に剥がすことができる。さらに、剥離工程
ＳＴ３において、プラスチックシート５０およびシート
支持用基板５５のうち、プラスチックシート５０のみを
切断してシート支持用基板５５から剥離するので、容易
に切断することができる。また、シート支持用基板５５
は切断されないので、再利用できるという利点もある。
【００６２】［実施の形態２］図８は、本発明の実施の
形態２に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法を
示す説明図である。
形態２に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法を
示す説明図である。
【００６３】本形態でも、実施の形態１と同様、プラス
チックシート５０を利用してアクティブマトリクス基板
２を製造するにあたって、図４を参照して説明した積層
工程ＳＴ１、素子形成工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３
のうち、積層工程ＳＴ１では、まず、図８（Ａ）に示す
ように、プラスチックシート５０として袋状のものを準
備し、この袋の中にシート支持用基板５５を入れる。次
に、この袋状のプラスチックシート５０中を真空引きす
ることにより、図８（Ｂ）に示すように、プラスチック
シート５０をシート支持用基板５５に密着した状態とす
る。次に、この状態で、図５および図６を参照して説明
した素子形成工程ＳＴ２を行った後、剥離工程ＳＴ３で
は、図８（Ｃ）に示すように、プラスチックシート５０
とともにシート支持用基板５５も切断した後、切り出し
たシート支持用基板５５からプラスチックシート５０を
剥離する。
チックシート５０を利用してアクティブマトリクス基板
２を製造するにあたって、図４を参照して説明した積層
工程ＳＴ１、素子形成工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３
のうち、積層工程ＳＴ１では、まず、図８（Ａ）に示す
ように、プラスチックシート５０として袋状のものを準
備し、この袋の中にシート支持用基板５５を入れる。次
に、この袋状のプラスチックシート５０中を真空引きす
ることにより、図８（Ｂ）に示すように、プラスチック
シート５０をシート支持用基板５５に密着した状態とす
る。次に、この状態で、図５および図６を参照して説明
した素子形成工程ＳＴ２を行った後、剥離工程ＳＴ３で
は、図８（Ｃ）に示すように、プラスチックシート５０
とともにシート支持用基板５５も切断した後、切り出し
たシート支持用基板５５からプラスチックシート５０を
剥離する。
【００６４】このように、本形態でも、プラスチックシ
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態でも、シート支持用基板５５を
入れた袋状のプラスチックシート５０の中を真空引きす
ることにより、プラスチックシート５０をシート支持用
基板５５に密着した状態にするので、プラスチックシー
ト５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、およ
びアライメント時のずれなどを確実に解消できる。
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態でも、シート支持用基板５５を
入れた袋状のプラスチックシート５０の中を真空引きす
ることにより、プラスチックシート５０をシート支持用
基板５５に密着した状態にするので、プラスチックシー
ト５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、およ
びアライメント時のずれなどを確実に解消できる。
【００６５】［実施の形態３］図９は、本発明の実施の
形態３に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法を
示す説明図である。
形態３に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法を
示す説明図である。
【００６６】本形態では、プラスチックシート５０を利
用してアクティブマトリクス基板２を製造するにあたっ
て、図４を参照して説明した積層工程ＳＴ１、素子形成
工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３のうち、積層工程ＳＴ
１では、プラスチックシート５０をシート支持用基板５
５を積層する際に、図９（Ａ）に示すように、シート支
持用基板５５の外周部分のみに接着剤５１を塗布し、図
９（Ｂ）に示すように、シート支持用基板５５の外周部
分とプラスチックシート５０の外周部分とを接着剤５１
によって接着固定する。次に、この状態で、図５および
図６を参照して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った
後、剥離工程ＳＴ３では、図９（Ｃ）に示すように、接
着剤５１が形成されている位置よりも内側の線に沿っ
て、プラスチックシート５０およびシート支持用基板５
５のうち、プラスチックシート５０のみを切断した後、
プラスチックシート５０をシート支持用基板５５から剥
離する。
用してアクティブマトリクス基板２を製造するにあたっ
て、図４を参照して説明した積層工程ＳＴ１、素子形成
工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３のうち、積層工程ＳＴ
１では、プラスチックシート５０をシート支持用基板５
５を積層する際に、図９（Ａ）に示すように、シート支
持用基板５５の外周部分のみに接着剤５１を塗布し、図
９（Ｂ）に示すように、シート支持用基板５５の外周部
分とプラスチックシート５０の外周部分とを接着剤５１
によって接着固定する。次に、この状態で、図５および
図６を参照して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った
後、剥離工程ＳＴ３では、図９（Ｃ）に示すように、接
着剤５１が形成されている位置よりも内側の線に沿っ
て、プラスチックシート５０およびシート支持用基板５
５のうち、プラスチックシート５０のみを切断した後、
プラスチックシート５０をシート支持用基板５５から剥
離する。
【００６７】このように、本形態でも、プラスチックシ
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５と
プラスチックシート５０とを接着剤５１で貼り合わせた
状態にするため、シート支持用基板５５とプラスチック
シート５０とが密着している。それ故、プラスチックシ
ート５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、お
よびアライメント時のずれなどを確実に解消できる。さ
らに、剥離工程ＳＴ３では、プラスチックシート５０お
よびシート支持用基板５５のうち、プラスチックシート
５０がシート支持用基板５５に接着固定されていない内
側領域のみを切断するので、容易に切断でき、かつ、シ
ート支持用基板５５から容易に剥がすことができる。さ
らにまた、シート支持用基板５５は切断されないので、
再利用できるという利点もある。
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５と
プラスチックシート５０とを接着剤５１で貼り合わせた
状態にするため、シート支持用基板５５とプラスチック
シート５０とが密着している。それ故、プラスチックシ
ート５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、お
よびアライメント時のずれなどを確実に解消できる。さ
らに、剥離工程ＳＴ３では、プラスチックシート５０お
よびシート支持用基板５５のうち、プラスチックシート
５０がシート支持用基板５５に接着固定されていない内
側領域のみを切断するので、容易に切断でき、かつ、シ
ート支持用基板５５から容易に剥がすことができる。さ
らにまた、シート支持用基板５５は切断されないので、
再利用できるという利点もある。
【００６８】［実施の形態４］図１０は、本発明の実施
の形態４に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法
を示す説明図である。
の形態４に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法
を示す説明図である。
【００６９】本形態でも、実施の形態３と同様、プラス
チックシート５０を利用してアクティブマトリクス基板
２を製造するにあたって、図４を参照して説明した積層
工程ＳＴ１、素子形成工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３
のうち、積層工程ＳＴ１では、プラスチックシート５０
をシート支持用基板５５を積層する際に、図１０（Ａ）
に示すように、シート支持用基板５５の外周部分のみに
接着剤５１を塗布し、図１０（Ｂ）に示すように、シー
ト支持用基板５５の外周部分とプラスチックシート５０
の外周部分とを接着する。次に、この状態で、図５およ
び図６を参照して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った
後、剥離工程ＳＴ３では、図１０（Ｃ）に示すように、
プラスチックシート５０とともにシート支持用基板５５
も切断した後、切り出したシート支持用基板５５からプ
ラスチックシート５０を剥離する。
チックシート５０を利用してアクティブマトリクス基板
２を製造するにあたって、図４を参照して説明した積層
工程ＳＴ１、素子形成工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３
のうち、積層工程ＳＴ１では、プラスチックシート５０
をシート支持用基板５５を積層する際に、図１０（Ａ）
に示すように、シート支持用基板５５の外周部分のみに
接着剤５１を塗布し、図１０（Ｂ）に示すように、シー
ト支持用基板５５の外周部分とプラスチックシート５０
の外周部分とを接着する。次に、この状態で、図５およ
び図６を参照して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った
後、剥離工程ＳＴ３では、図１０（Ｃ）に示すように、
プラスチックシート５０とともにシート支持用基板５５
も切断した後、切り出したシート支持用基板５５からプ
ラスチックシート５０を剥離する。
【００７０】このように、本形態でも、プラスチックシ
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５と
プラスチックシート５０とを接着剤５１で貼り合わせた
状態にするため、シート支持用基板５５とプラスチック
シート５０とが密着している。それ故、プラスチックシ
ート５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、お
よびアライメント時のずれなどを確実に解消できる。さ
らに、剥離工程ＳＴ３では、プラスチックシート５０と
シート支持用基板５５との接着部分よりも内側で切断す
るので、プラスチックシート５０をシート支持用基板５
５から容易に剥がすことができる。
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５と
プラスチックシート５０とを接着剤５１で貼り合わせた
状態にするため、シート支持用基板５５とプラスチック
シート５０とが密着している。それ故、プラスチックシ
ート５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、お
よびアライメント時のずれなどを確実に解消できる。さ
らに、剥離工程ＳＴ３では、プラスチックシート５０と
シート支持用基板５５との接着部分よりも内側で切断す
るので、プラスチックシート５０をシート支持用基板５
５から容易に剥がすことができる。
【００７１】［実施の形態５］図１１は、本発明の実施
の形態５に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法
を示す説明図である。
の形態５に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法
を示す説明図である。
【００７２】本形態では、プラスチックシート５０を利
用してアクティブマトリクス基板２を製造するにあたっ
て、図４を参照して説明した積層工程ＳＴ１、素子形成
工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３のうち、積層工程ＳＴ
１では、図１１（Ａ）に示すように、プラスチックシー
ト５０をシート支持用基板５５を積層する際にシート支
持用基板５５の全面、あるいは部分的に水溶性の接着剤
５２を塗布し、図１１（Ｂ）に示すように、この水溶性
の接着剤５２を介してシート支持用基板５５とプラスチ
ックシート５０と接着固定する。ここで、水溶性の接着
剤５２としては、たとえば、（株）スリーボンド社製の
商品名スリーボンド３０４６などを用いることができ
る。この接着剤５２は、硬化後も水溶性を有するので、
後で、１００℃の水に３０分位、浸漬するだけで、プラ
スチックシート５０をシート支持用基板５５から剥離す
ることができる。
用してアクティブマトリクス基板２を製造するにあたっ
て、図４を参照して説明した積層工程ＳＴ１、素子形成
工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３のうち、積層工程ＳＴ
１では、図１１（Ａ）に示すように、プラスチックシー
ト５０をシート支持用基板５５を積層する際にシート支
持用基板５５の全面、あるいは部分的に水溶性の接着剤
５２を塗布し、図１１（Ｂ）に示すように、この水溶性
の接着剤５２を介してシート支持用基板５５とプラスチ
ックシート５０と接着固定する。ここで、水溶性の接着
剤５２としては、たとえば、（株）スリーボンド社製の
商品名スリーボンド３０４６などを用いることができ
る。この接着剤５２は、硬化後も水溶性を有するので、
後で、１００℃の水に３０分位、浸漬するだけで、プラ
スチックシート５０をシート支持用基板５５から剥離す
ることができる。
【００７３】次に、この状態で、図５および図６を参照
して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った後、剥離工程
ＳＴ３では、図１１（Ｃ）に示すように、水溶性の接着
剤５０を水分５３と接触させることにより、水溶性の接
着剤５２の接着強度を低下させ、しかる後に、図１１
（Ｄ）に示すように、プラスチックシート５０をシート
支持用基板５５から剥離する。
して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った後、剥離工程
ＳＴ３では、図１１（Ｃ）に示すように、水溶性の接着
剤５０を水分５３と接触させることにより、水溶性の接
着剤５２の接着強度を低下させ、しかる後に、図１１
（Ｄ）に示すように、プラスチックシート５０をシート
支持用基板５５から剥離する。
【００７４】このように、本形態でも、プラスチックシ
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５と
プラスチックシート５０とを接着剤５２で貼り合わせた
状態にするので、シート支持用基板５５とプラスチック
シート５０とが密着している。それ故、プラスチックシ
ート５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、お
よびアライメント時のずれなどを確実に解消できる。
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５と
プラスチックシート５０とを接着剤５２で貼り合わせた
状態にするので、シート支持用基板５５とプラスチック
シート５０とが密着している。それ故、プラスチックシ
ート５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、お
よびアライメント時のずれなどを確実に解消できる。
【００７５】［実施の形態５の変形例］なお、実施の形
態５では、シート支持用基板５５とプラスチックシート
５０とを接着固定するにあたって水溶性の接着剤５２を
用いたが、この水溶性の接着剤５２に代えて、紫外線照
射により接着強度が低下するような接着剤５２を用いて
もよい。たとえば、−ＣＨ−、−ＣＯ−（ケトン）、−
ＣＯＮＨ−（アミド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ
−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝Ｎ−
（シフ）など、光の照射により切断される結合を有する
接着剤、好ましくはこのような結合を多く有する接着剤
５２を用いればよい。また、構造式中、芳香族炭化水素
（１または２以上のベンゼン環あるいはその縮合環）を
有する接着剤５２を用いればよい。たとえば、ポリエチ
レン系やポリプロピレン系などといったポリオレフィン
系、ポリイミド系、ポリエステル系、ポリメチルメタク
リレート系（ＰＭＭＡ）、ポリフェニレンサルファイド
系（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン系の（ＰＥＳ）の
接着剤を用いればよい。この場合には、積層工程ＳＴ１
において、紫外線照射により接着強度の低下を生じる接
着剤５２によりプラスチックシート５０とシート支持用
基板５５とを貼り合わせた後、素子形成工程ＳＴ２を行
い、しかる後に、剥離工程ＳＴ３では、接着剤５２に紫
外線を照射することにより接着強度を低下させた状態で
プラスチックシート５０をシート支持用基板５５から剥
離する。
態５では、シート支持用基板５５とプラスチックシート
５０とを接着固定するにあたって水溶性の接着剤５２を
用いたが、この水溶性の接着剤５２に代えて、紫外線照
射により接着強度が低下するような接着剤５２を用いて
もよい。たとえば、−ＣＨ−、−ＣＯ−（ケトン）、−
ＣＯＮＨ−（アミド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ
−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝Ｎ−
（シフ）など、光の照射により切断される結合を有する
接着剤、好ましくはこのような結合を多く有する接着剤
５２を用いればよい。また、構造式中、芳香族炭化水素
（１または２以上のベンゼン環あるいはその縮合環）を
有する接着剤５２を用いればよい。たとえば、ポリエチ
レン系やポリプロピレン系などといったポリオレフィン
系、ポリイミド系、ポリエステル系、ポリメチルメタク
リレート系（ＰＭＭＡ）、ポリフェニレンサルファイド
系（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン系の（ＰＥＳ）の
接着剤を用いればよい。この場合には、積層工程ＳＴ１
において、紫外線照射により接着強度の低下を生じる接
着剤５２によりプラスチックシート５０とシート支持用
基板５５とを貼り合わせた後、素子形成工程ＳＴ２を行
い、しかる後に、剥離工程ＳＴ３では、接着剤５２に紫
外線を照射することにより接着強度を低下させた状態で
プラスチックシート５０をシート支持用基板５５から剥
離する。
【００７６】また、積層工程ＳＴ１では、プラスチック
シート５０とシート支持用基板５５とを、加熱により接
着強度の低下を生じる接着剤５２により接着固定し、素
子形成工程ＳＴ２を行った後は、接着剤５２を加熱する
ことにより接着強度を低下させた状態でプラスチックシ
ート５０をシート支持用基板５５から剥離してもよい。
このような接着剤５２付きのプラスチックシート５０と
しては、たとえば、日東電工社製の商品名「リバアルフ
ァ」がある。このプラスチックシート５０に付いている
接着剤５２は、８０数度以上の温度で接着強度が急激に
低下してくれるので、１００℃の温度条件下でプラスチ
ックシート５０をシート支持用基板５５から容易に剥離
することができる。
シート５０とシート支持用基板５５とを、加熱により接
着強度の低下を生じる接着剤５２により接着固定し、素
子形成工程ＳＴ２を行った後は、接着剤５２を加熱する
ことにより接着強度を低下させた状態でプラスチックシ
ート５０をシート支持用基板５５から剥離してもよい。
このような接着剤５２付きのプラスチックシート５０と
しては、たとえば、日東電工社製の商品名「リバアルフ
ァ」がある。このプラスチックシート５０に付いている
接着剤５２は、８０数度以上の温度で接着強度が急激に
低下してくれるので、１００℃の温度条件下でプラスチ
ックシート５０をシート支持用基板５５から容易に剥離
することができる。
【００７７】さらに、積層工程ＳＴ１では、プラスチッ
クシート５０とシート支持用基板５５とを、電子線照射
により接着強度の低下を生じるエレクトロンワックスな
どといった接着剤５２により接着固定し、素子形成工程
ＳＴ２を行った後は、接着剤５２に電子線を照射するこ
とにより接着強度を低下させた状態でプラスチックシー
ト５０をシート支持用基板５５から剥離してもよい。
クシート５０とシート支持用基板５５とを、電子線照射
により接着強度の低下を生じるエレクトロンワックスな
どといった接着剤５２により接着固定し、素子形成工程
ＳＴ２を行った後は、接着剤５２に電子線を照射するこ
とにより接着強度を低下させた状態でプラスチックシー
ト５０をシート支持用基板５５から剥離してもよい。
【００７８】さらにまた、積層工程ＳＴ１では、プラス
チックシート５０とシート支持用基板５５とを、加熱あ
るいは紫外線照射によりガスを発生させる接着剤５２に
より接着固定し、素子形成工程ＳＴ２を行った後は、接
着剤５２に加熱、あるいは紫外線照射を行って接着強度
を低下させた状態でプラスチックシート５０をシート支
持用基板５５から剥離してもよい。このような接着剤５
２としては、加熱、あるいは紫外線照射によって、接着
剤５２からガスが放出される結果、このガスによってプ
ラスチックシート５０がシート支持用基板５５から浮く
ことになる。
チックシート５０とシート支持用基板５５とを、加熱あ
るいは紫外線照射によりガスを発生させる接着剤５２に
より接着固定し、素子形成工程ＳＴ２を行った後は、接
着剤５２に加熱、あるいは紫外線照射を行って接着強度
を低下させた状態でプラスチックシート５０をシート支
持用基板５５から剥離してもよい。このような接着剤５
２としては、加熱、あるいは紫外線照射によって、接着
剤５２からガスが放出される結果、このガスによってプ
ラスチックシート５０がシート支持用基板５５から浮く
ことになる。
【００７９】［実施の形態６］図１２は、本発明の実施
の形態６に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法
を示す説明図である。
の形態６に係るアクティブマトリクス基板２の製造方法
を示す説明図である。
【００８０】本形態では、プラスチックシート５０を利
用してアクティブマトリクス基板２を製造するにあたっ
て、図４を参照して説明した積層工程ＳＴ１、素子形成
工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３のうち、積層工程ＳＴ
１では、図１２（Ａ）に示すように、スピンコート法な
どの方法でシート支持用基板５５の表面に樹脂５７をコ
ーティングし、図１２（Ｂ）に示すように、このコーテ
ィング層によって、シート支持用基板５５に積層された
プラスチックシート５０を形成する。ここで、プラスチ
ックシート５０としてはシート支持用基板５５との密着
性の低い材料を用いる。次に、この状態で、図５および
図６を参照して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った
後、剥離工程ＳＴ３では、図１２（Ｃ）に示すように、
プラスチックシート５０をシート支持用基板５５から剥
離する。
用してアクティブマトリクス基板２を製造するにあたっ
て、図４を参照して説明した積層工程ＳＴ１、素子形成
工程ＳＴ２および剥離工程ＳＴ３のうち、積層工程ＳＴ
１では、図１２（Ａ）に示すように、スピンコート法な
どの方法でシート支持用基板５５の表面に樹脂５７をコ
ーティングし、図１２（Ｂ）に示すように、このコーテ
ィング層によって、シート支持用基板５５に積層された
プラスチックシート５０を形成する。ここで、プラスチ
ックシート５０としてはシート支持用基板５５との密着
性の低い材料を用いる。次に、この状態で、図５および
図６を参照して説明した素子形成工程ＳＴ２を行った
後、剥離工程ＳＴ３では、図１２（Ｃ）に示すように、
プラスチックシート５０をシート支持用基板５５から剥
離する。
【００８１】このように、本形態でも、プラスチックシ
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５の
表面に形成したコーティング層をプラスチックシート５
０とするので、シート支持用基板５５とプラスチックシ
ート５０とが密着している。このため、プラスックシー
ト５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、およ
びアライメント時のずれなどを確実に解消できる。ま
た、プラスチックシート５０はシート支持用基板５５と
の密着性が低いので、剥離工程ＳＴ３では、プラスチッ
クシート５０をシート支持用基板５５から容易に剥離す
ることができる。
ート５０をシート支持用基板５５に積層した状態で素子
形成工程ＳＴ２を行うので、素子形成工程ＳＴ２におい
て、プラスチックシート５０が変形することに起因する
取扱いの不便さ、およびアライメント時のずれなどを防
止できる。また、本形態では、シート支持用基板５５の
表面に形成したコーティング層をプラスチックシート５
０とするので、シート支持用基板５５とプラスチックシ
ート５０とが密着している。このため、プラスックシー
ト５０が変形することに起因する取扱いの不便さ、およ
びアライメント時のずれなどを確実に解消できる。ま
た、プラスチックシート５０はシート支持用基板５５と
の密着性が低いので、剥離工程ＳＴ３では、プラスチッ
クシート５０をシート支持用基板５５から容易に剥離す
ることができる。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、プラ
スチックシートをシート支持用基板に積層した状態にし
て素子形成工程を行ってから、プラスチックシートをシ
ート支持用基板から剥離することを特徴とする。従っ
て、プラスチックシートに素子形成工程を行う場合でも
石英基板などと同様に取り扱うことができるので、素子
形成工程において、プラスチックシートが変形すること
に起因する取扱いの不便さ、およびアライメント時のず
れなどを防止できる。それ故、石英基板などに代えてプ
ラスチックシートを用いた半導体装置を安価に製造する
ことができる。
スチックシートをシート支持用基板に積層した状態にし
て素子形成工程を行ってから、プラスチックシートをシ
ート支持用基板から剥離することを特徴とする。従っ
て、プラスチックシートに素子形成工程を行う場合でも
石英基板などと同様に取り扱うことができるので、素子
形成工程において、プラスチックシートが変形すること
に起因する取扱いの不便さ、およびアライメント時のず
れなどを防止できる。それ故、石英基板などに代えてプ
ラスチックシートを用いた半導体装置を安価に製造する
ことができる。
【図１】本発明を適用したアクティブマトリクス型の液
晶装置の概略構成図である。
晶装置の概略構成図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶装置のアクテ
ィブマトリクス基板の構成を模式的に示すブロック図、
およびその駆動回路に形成したＣＯＭＳ回路の等価回路
図である。
ィブマトリクス基板の構成を模式的に示すブロック図、
およびその駆動回路に形成したＣＯＭＳ回路の等価回路
図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、液晶装置のアクテ
ィブマトリクス基板の構成を模式的に示す断面図、およ
び別の構造を有するＴＦＴの断面図である。
ィブマトリクス基板の構成を模式的に示す断面図、およ
び別の構造を有するＴＦＴの断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）はいずれも、本発明を適用した
液晶装置用のアクティブマトリクス基板の製造方法を示
す説明図である。
液晶装置用のアクティブマトリクス基板の製造方法を示
す説明図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）はいずれも、本発明を適用した
液晶装置用のアクティブマトリクス基板にＴＦＴを製造
する方法を示す工程断面図である。
液晶装置用のアクティブマトリクス基板にＴＦＴを製造
する方法を示す工程断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｅ）はいずれも、本発明を適用した
液晶装置用のアクティブマトリクス基板にＴＦＴを製造
する際に図５に示す工程に続いて行う各工程の断面図で
ある。
液晶装置用のアクティブマトリクス基板にＴＦＴを製造
する際に図５に示す工程に続いて行う各工程の断面図で
ある。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）はいずれも、本発明の実施の形
態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示す
説明図である。
態１に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示す
説明図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）はいずれも、本発明の実施の形
態２に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示す
説明図である。
態２に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示す
説明図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｃ）はいずれも、本発明の実施の形
態３に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示す
説明図である。
態３に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示す
説明図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）はいずれも、本発明の実施の
形態４に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示
す説明図である。
形態４に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示
す説明図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）はいずれも、本発明の実施の
形態５に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示
す説明図である。
形態５に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示
す説明図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）はいずれも、本発明の実施の
形態５に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示
す説明図である。
形態５に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を示
す説明図である。
１ 液晶装置 ２ アクティブマトリクス基板 ３ 対向基板 ４ 液晶 ５、６ 偏光板 ７ シール材 ９ バックライト １０ 画素用スイッチングのＴＦＴ １１、２１、３１ ソース電極 １２、３２ ドレイン電極 １４、２４、３４ ゲート電極 １５、２５、３５ チャネル領域 １６、２６、３６ ソース・ドレイン領域 １８ 画素電極 ２０ 駆動回路用のＰ型のＴＦＴ ３０ 駆動回路用のＮ型のＴＦＴ ５０ プラスチックシート ５１、５２ 接着剤 ５５ シート支持用基板 ６０ データ線駆動回路 ７０ 走査側駆動回路 ８１ 下地保護膜 ８２ ゲート絶縁膜 ８３ 下層側層間絶縁膜 ８５ 上層側層間絶縁膜 ９０ データ線 ９１ 走査線 １００、１０１、１０２、１０３ 半導体膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JA34 JA37 KA10 MA05 MA09 MA13 MA29 MA30 MA31 NA25 NA29 PA01 QA07 QA10 5F110 AA17 BB01 BB04 CC02 DD01 DD13 DD24 EE03 EE04 EE44 FF02 GG02 GG13 HJ01 HJ04 HJ13 HJ18 HL03 HL23 HM14 HM15 NN03 PP03 QQ11 QQ17
Claims (21)
- 【請求項１】 プラスチックシート上に半導体素子が形
成された半導体装置の製造方法であって、 前記プラスチックシートをシート支持用基板に積層する
積層工程と、該シート支持用基板に積層された前記プラ
スチックシート上に半導体素子を形成する素子形成工程
と、しかる後に当該プラスチックシートを前記シート支
持用基板から剥離する剥離工程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記積層工程では、
前記プラスチックシートからなる袋の中に前記シート支
持用基板を入れることにより当該プラスチックシートを
前記シート支持用基板に積層した状態とすることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２において、前記積層工程では、
前記プラスチックシートからなる袋の中に前記シート支
持用基板を入れた後、当該袋内を真空引きすることによ
り当該プラスチックシートを前記シート支持用基板に密
着した状態に積層することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項４】 請求項１において、前記剥離工程では、
前記プラスチックシートおよび前記シート支持用基板の
うち、前記プラスチックシートのみを切断した後、当該
プラスチックシートを前記シート支持用基板から剥離す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１において、前記剥離工程では、
前記プラスチックシートとともに前記シート支持用基板
も切断した後、当該プラスチックシートを前記シート支
持用基板から剥離することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 請求項１において、前記積層工程では、
前記プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層
する際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシー
トの外周部分とを接着することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１において、前記剥離工程では、
前記プラスチックシートと前記シート支持用基板との接
着部分よりも内側位置で、前記プラスチックシートおよ
び前記シート支持用基板のうち、前記プラスチックシー
トのみを切断した後、当該プラスチックシートを前記シ
ート支持用基板から剥離することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１において、前記剥離工程では、
前記プラスチックシートと前記シート支持用基板との接
着部分よりも内側位置で、前記プラスチックシートとと
もに前記シート支持用基板も切断した後、当該プラスチ
ックシートを前記シート支持用基板から剥離することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１において、前記積層工程では、
前記プラスチックシートを前記シート支持用基板を積層
する際に当該シート支持用基板と前記プラスチックシー
トとを水溶性接着剤により接着し、 前記剥離工程では、前記水溶性接着剤に水分を接触させ
ることにより当該水溶性接着剤の接着強度を低下させた
状態で当該プラスチックシートを前記シート支持用基板
から剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１において、前記積層工程で
は、前記プラスチックシートを前記シート支持用基板を
積層する際に当該シート支持用基板と前記プラスチック
シートとを紫外線照射により接着強度の低下を生じる接
着剤により接着し、 前記剥離工程では、当該接着剤に紫外線を照射すること
により接着強度を低下させた状態で当該プラスチックシ
ートを前記シート支持用基板から剥離することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１において、前記積層工程で
は、前記プラスチックシートを前記シート支持用基板を
積層する際に当該シート支持用基板と前記プラスチック
シートとを加熱により接着強度の低下を生じる接着剤に
より接着し、 前記剥離工程では、当該接着剤を加熱することにより接
着強度を低下させた状態で当該プラスチックシートを前
記シート支持用基板から剥離することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１において、前記積層工程で
は、前記プラスチックシートを前記シート支持用基板を
積層する際に当該シート支持用基板と前記プラスチック
シートとを電子線の照射により接着強度の低下を生じる
接着剤により接着し、 前記剥離工程では、当該接着剤に電子線を照射すること
により接着強度を低下させた状態で当該プラスチックシ
ートを前記シート支持用基板から剥離することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１において、前記積層工程で
は、前記プラスチックシートを前記シート支持用基板を
積層する際に当該シート支持用基板と前記プラスチック
シートとを加熱あるいは紫外線照射によりガスを発生さ
せる接着剤により接着し、 前記剥離工程では、当該接着剤を加熱あるいは紫外線照
射によりガスを発生させることにより接着強度を低下さ
せた状態で当該プラスチックシートを前記シート支持用
基板から剥離することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 請求項１において、前記積層工程で
は、前記シート支持用基板に樹脂をコーティングするこ
とにより、該コーティング層によって、前記シート支持
用基板に積層された前記プラスチックシートを形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１ないし１４のいずれかにおい
て、前記素子形成工程では、前記半導体素子を形成する
各工程を１００℃以下の温度条件下で行うことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 請求項１ないし１５のいずれかにおい
て、前記素子形成工程では、前記半導体素子を形成する
ための半導体膜をスパッタ法により形成した後、該半導
体膜に対する結晶化処理を行うことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１ないし１６のいずれかにおい
て、前記素子形成工程では、前記半導体素子を形成する
ための導電膜をスパッタ法により形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１ないし１７のいずれかにおい
て、前記素子形成工程では、前記半導体素子を形成する
ための絶縁膜を液状物から成膜することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１ないし１８のいずれかにおい
て、前記素子形成工程では、高濃度不純物を含む半導体
膜をターゲットとするスパッタ法により前記半導体素子
を形成するためのドープト半導体膜を形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１ないし１９のいずれかにおい
て、前記半導体素子は、薄膜トランジスタであることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２１】 請求項１ないし２０のいずれかに規定
する半導体装置の製造方法を用いた液晶装置の製造方法
において、液晶を挟持する一対の基板のうちの少なくと
も一方の基板として、前記半導体素子を形成した前記プ
ラスチックシートを用いることを特徴とする液晶装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4498199A JP2000243943A (ja) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4498199A JP2000243943A (ja) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243943A true JP2000243943A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12706653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4498199A Withdrawn JP2000243943A (ja) | 1999-02-23 | 1999-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243943A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033464A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2002031818A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2002303879A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
| WO2006019157A1 (ja) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 半導体素子及びその製造方法 |
| JP2008211191A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-09-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2008270636A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Hitachi Cable Ltd | 貼合基板の製造方法および貼合基板ならびに半導体装置 |
| JP2009260387A (ja) * | 2009-08-04 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法及び電子書籍の作製方法 |
| JP2011014911A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Qinghua Univ | フレキシブル半導体素子の製造方法 |
| JP2011142168A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Fujifilm Corp | 電子デバイスの製造方法および該電子デバイスに用いられる基板 |
| US20120118478A1 (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-17 | Jong Hyun Park | Method for manufacturing flexible flat device |
| US8199269B2 (en) | 2007-07-11 | 2012-06-12 | Hitachi Displays, Ltd. | Method for manufacturing thin film transistors |
| JP2012199546A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Eternal Chemical Co Ltd | フレキシブルデバイスを製造する方法 |
| JP2013135181A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
| US20140362545A1 (en) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | Innolux Corporation | Electronic apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2015046606A (ja) * | 2000-09-14 | 2015-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN106784353A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板组件、显示基板母板、显示基板及制备方法、显示器 |
| JP2019035986A (ja) * | 2018-11-22 | 2019-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
| KR20230044351A (ko) | 2020-07-29 | 2023-04-04 | 도요보 가부시키가이샤 | 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법 |
-
1999
- 1999-02-23 JP JP4498199A patent/JP2000243943A/ja not_active Withdrawn
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033464A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP2002031818A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP4727024B2 (ja) * | 2000-07-17 | 2011-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2015046606A (ja) * | 2000-09-14 | 2015-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2002303879A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Nec Corp | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
| WO2006019157A1 (ja) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 半導体素子及びその製造方法 |
| JPWO2006019157A1 (ja) * | 2004-08-20 | 2008-05-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体素子及びその製造方法 |
| US7785948B2 (en) | 2004-08-20 | 2010-08-31 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Semiconductor element and process for producing the same |
| JP2008211191A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-09-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US9184221B2 (en) | 2007-02-02 | 2015-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US8994060B2 (en) | 2007-02-02 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2008270636A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Hitachi Cable Ltd | 貼合基板の製造方法および貼合基板ならびに半導体装置 |
| US8199269B2 (en) | 2007-07-11 | 2012-06-12 | Hitachi Displays, Ltd. | Method for manufacturing thin film transistors |
| JP2011014911A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Qinghua Univ | フレキシブル半導体素子の製造方法 |
| JP2009260387A (ja) * | 2009-08-04 | 2009-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法及び電子書籍の作製方法 |
| JP2011142168A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Fujifilm Corp | 電子デバイスの製造方法および該電子デバイスに用いられる基板 |
| KR101295532B1 (ko) * | 2010-11-11 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 평판소자의 제조방법 |
| US20120118478A1 (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-17 | Jong Hyun Park | Method for manufacturing flexible flat device |
| US8876998B2 (en) | 2010-11-11 | 2014-11-04 | Lg Display Co., Ltd. | Method for manufacturing flexible flat device |
| DE102011055126B4 (de) * | 2010-11-11 | 2017-01-05 | Lg Display Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines flexiblen, flachen Bauelements |
| CN102468452A (zh) * | 2010-11-11 | 2012-05-23 | 乐金显示有限公司 | 用于制备柔性平面装置的方法 |
| CN102468452B (zh) * | 2010-11-11 | 2015-07-01 | 乐金显示有限公司 | 用于制备柔性平面装置的方法 |
| JP2012199546A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Eternal Chemical Co Ltd | フレキシブルデバイスを製造する方法 |
| JP2013135181A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
| US20140362545A1 (en) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | Innolux Corporation | Electronic apparatus and method for manufacturing the same |
| US9832880B2 (en) * | 2013-06-06 | 2017-11-28 | Innolux Corporation | Electronic apparatus and method for manufacturing the same |
| CN106784353A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板组件、显示基板母板、显示基板及制备方法、显示器 |
| CN106784353B (zh) * | 2016-12-28 | 2019-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板组件、显示基板母板、显示基板及制备方法、显示器 |
| US10440820B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-10-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate assembly, display substrate motherboard, display substrate, and production method, display |
| JP2019035986A (ja) * | 2018-11-22 | 2019-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
| KR20230044351A (ko) | 2020-07-29 | 2023-04-04 | 도요보 가부시키가이샤 | 플렉시블 전자 디바이스의 제조 방법 |
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