JP2009033135A5 - - Google Patents

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  1. 単結晶半導体基板の表面にイオンを照射して、損傷領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板の表面に第１のレーザ光を照射して一部を再結晶化し、
    前記単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、
    前記絶縁層と、絶縁表面を有する基板を接合させ、
    前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
    前記単結晶半導体層の表面に第２のレーザ光を照射して一部を再結晶化し、
    前記単結晶半導体層のすべては前記第１及び前記第２のレーザ光により再結晶化されていることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  2. 単結晶半導体基板の表面にイオンを照射して、損傷領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板の表面に第１のレーザ光を照射して一部を再結晶化し、
    絶縁表面を有する基板の表面に絶縁層を形成し、
    前記絶縁層と、前記単結晶半導体基板を接合させ、
    前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
    前記単結晶半導体層の表面に第２のレーザ光を照射して一部を再結晶化し、
    前記単結晶半導体層のすべては前記第１及び前記第２のレーザ光により再結晶化されていることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  3. 単結晶半導体基板の表面にイオンを照射して、損傷領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、
    前記絶縁層と、絶縁表面を有する基板を接合させ、
    前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
    前記単結晶半導体層の一方の面に第１のレーザ光を照射して一部を再結晶化し、
    前記単結晶半導体層の他方の面に第２のレーザ光を照射して一部を再結晶化し、
    前記単結晶半導体層のすべては前記第１及び前記第２のレーザ光により再結晶化されていることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  4. 単結晶半導体基板の表面にイオンを照射して、損傷領域を形成し、
    絶縁表面を有する基板の表面に絶縁層を形成し、
    前記絶縁層と、前記単結晶半導体基板を接合させ、
    前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
    前記単結晶半導体層の一方の面に第１のレーザ光を照射して一部を再結晶化し、
    前記単結晶半導体層の他方の面に第２のレーザ光を照射して一部を再結晶化し、
    前記単結晶半導体層のすべては前記第１及び前記第２のレーザ光により再結晶化されていることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
    前記絶縁層は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成されることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一に記載の方法により作製された半導体基板。
  7. 請求項６に記載の半導体基板を用いた半導体装置。
  8. 請求項７に記載の半導体装置を用いた電子機器。
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