JP2010016356A5 - - Google Patents

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  1. 単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して、該単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、
    絶縁表面を有する基板の表面と前記絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
    加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
    前記半導体層の一表面に、前記半導体層を溶融させない条件で４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において連続的なスペクトルを有するフラッシュランプからの光を照射して、欠陥を修復させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  2. 単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して、該単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板の一表面上に第１の絶縁層を形成し、
    絶縁表面を有する基板の一表面上に第２の絶縁層を形成し、
    前記第２の絶縁層の表面と前記第１の絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
    加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
    前記半導体層の一表面に、前記半導体層を溶融させない条件で４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において連続的なスペクトルを有するフラッシュランプからの光を照射して、欠陥を修復させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  3. 単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、
    前記絶縁層の一表面にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
    絶縁表面を有する基板の表面と前記絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
    加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
    前記半導体層の一表面に、前記半導体層を溶融させない条件で４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において連続的なスペクトルを有するフラッシュランプからの光を照射して、欠陥を修復させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  4. 単結晶半導体基板の一表面上に第１の絶縁層を形成し、
    前記第１の絶縁層の一表面にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
    絶縁表面を有する基板の一表面上に第２の絶縁層を形成し、
    前記第２の絶縁層の表面と前記第１の絶縁層の表面とを接触させて、前記絶縁表面を有する基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
    加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記単結晶半導体基板を分離して前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
    前記半導体層の一表面に、前記半導体層を溶融させない条件で４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において連続的なスペクトルを有するフラッシュランプからの光を照射して、欠陥を修復させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
    前記フラッシュランプの光の照射前又は照射後に、前記半導体層に対して平坦化処理を施すことを特徴とする半導体基板の作製方法。
  6. 請求項５において、
    前記平坦化処理は、エッチング処理を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
    前記フラッシュランプからの光の照射時間は、１０μｓ以上であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
    前記フラッシュランプは、キセノンランプであることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
    前記フラッシュランプからの光を照射する際に、前記絶縁表面を有する基板の温度を３００℃以上に保つことを特徴とする半導体基板の作製方法。
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