JP2010109353A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ボンド基板上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜を介して前記ボンド基板に水素イオンの照射を行うことにより、前記ボンド基板中に脆化層を形成し、
   前記ボンド基板を、前記絶縁膜を介してベース基板と貼り合わせ、
   熱処理によって前記ボンド基板を前記脆化層において分離し、
   前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
   前記半導体膜にレーザ光を照射し、
   前記水素イオンの照射における水素イオンドーズ量は、前記熱処理により前記ボンド基板が前記脆化層において分離する最小量となる水素イオンドーズ量の２．２倍以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記水素イオンの照射における水素イオンドーズ量は、前記熱処理により前記ボンド基板が前記脆化層において分離する最小量となる水素イオンドーズ量の２．２倍以上３．０倍以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. ボンド基板上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜を介して前記ボンド基板に水素イオンの照射を行うことにより、前記ボンド基板中に脆化層を形成し、
   前記ボンド基板を、前記絶縁膜を介してベース基板と貼り合わせ、
   熱処理によって前記ボンド基板を前記脆化層において分離し、
   前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
   前記半導体膜にレーザ光を照射し、前記水素イオンの照射における水素イオンドーズ量は、２．２×１０^１６ｉｏｎｓ／ｃｍ^２以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記水素イオンの照射における水素イオンドーズ量は、２．２×１０^１６ｉｏｎｓ／ｃｍ^２以上３．０×１０^１６ｉｏｎｓ／ｃｍ^２以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記レーザ光を照射する前に、前記半導体膜の表面に形成されている自然酸化膜を、ドライエッチングを用いて除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記レーザ光の照射によって、前記半導体膜を部分溶融させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   イオンドーピング装置を用いて前記水素イオンの照射を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。