JP2009260314A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、
   前記単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を行うことにより前記単結晶半導体層の表面に第１の酸化膜を形成し、
   前記第１の酸化膜を介して前記単結晶半導体層にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体層中に脆化領域を形成し、
   前記第１の酸化膜を介して、前記単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、
   熱処理を行うことにより、前記脆化領域において前記単結晶半導体層を分離して、前記ベース基板上に前記単結晶半導体層の一部を残存させ、
   前記ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、
   前記ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を行うことにより第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記単結晶半導体層に照射するイオンとして、Ｈ_３ ^＋を含むイオンを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の熱酸化処理は、ＨＣｌを含む雰囲気で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第２の熱酸化処理は、ＨＣｌを含む雰囲気で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記レーザ光を照射した後に、前記ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対して平坦化処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
6. 請求項５において、
   前記平坦化処理は、ＣＭＰ処理又はエッチング処理であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記レーザ光の照射は、不活性雰囲気中で行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一に記載の作製方法で作製されたＳＯＩ基板を用いた半導体装置。