JP5565128B2 - 貼り合わせウエーハの製造方法 - Google Patents
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Description
ガスイオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウエーハと支持基板となるベースウェーハとを接合する工程と、前記微小気泡層を境界としてボンドウエーハを剥離して前記ベースウェーハ上に薄膜を形成する工程と、前記ボンドウエーハを剥離した後の貼り合わせウエーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下で熱処理を施す熱処理工程と、その後、該貼り合わせウエーハに熱酸化を行って前記薄膜の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を除去することにより前記薄膜の厚さを減ずる犠牲酸化工程とを有する貼り合わせウエーハの製造方法において、
前記ベースウェーハとして、少なくとも貼り合わせ面側の表面層がn型であるウエーハを用い、前記熱処理工程の後であって前記犠牲酸化工程の前に、前記薄膜の表面をエッチングにより一部除去する工程を行うことを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法を提供する。
前述のように、n型ドーパントを含むウエーハをベースウエーハとして用いる貼り合わせウエーハの製造方法においてこれら熱処理工程及び犠牲酸化処理工程からなる方法を用いたとしても、SOI層中にn型ドーパントが濃縮されることを抑制できる貼り合わせウエーハ製造方法が望まれていた。
少なくとも、ガスイオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウエーハと支持基板となるベースウェーハとを接合する工程と、前記微小気泡層を境界としてボンドウエーハを剥離して前記ベースウェーハ上に薄膜を形成する工程と、前記ボンドウエーハを剥離した後の貼り合わせウエーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下で熱処理を施す熱処理工程と、その後、該貼り合わせウエーハに熱酸化を行って前記薄膜の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を除去することにより前記薄膜の厚さを減ずる犠牲酸化工程とを有する貼り合わせウエーハの製造方法において、
前記ベースウェーハとして、少なくとも貼り合わせ面側の表面層がn型であるウエーハを用い、前記熱処理工程の後であって前記犠牲酸化工程の前に、前記薄膜の表面をエッチングにより一部除去する工程を行うことを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法である。
以下、本発明の実施の形態を図1を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、ボンドウエーハ1として用いるp型通常抵抗率(1〜50Ωcm)のシリコン単結晶ウエーハと、ベースウェーハ2として用いるリンを含有しボンドウエーハより抵抗率の低い(n型ドーパント濃度が高い)n型ドーパントを高濃度に含むウエーハを用意する(図1(a))。この場合、n型ドーパントを高濃度に含むウエーハとは、厚さ方向全てにわたりn型ドーパントを高濃度に含むn型ウェーハ(n+ウェーハ)である場合の他、ボンドウエーハとの貼り合わせ面側にn型ドーパントを高濃度に含むn+エピタキシャル層を有するp型(またはn型)ウエーハ、あるいは、ボンドウエーハとの貼り合わせ面側にp型またはn型のドーパントを低濃度に含むエピタキシャル層を含有するn+ウエーハも含む。なお、n型ドーパントの濃度は5×1018/cm3以上の高濃度であっても、本発明によれば、貼り合わせウエーハの薄膜(SOI層)中にn型ドーパントが濃縮されることを抑制できる貼り合わせウエーハ製造方法を提供することができる。
SOI層となるボンドウエーハ1に対して酸化性雰囲気で熱処理を行い、その表面に、絶縁膜として熱酸化膜3を形成する(図1(b))。なお、熱酸化処理を行う前に、還元性雰囲気で処理して自然酸化膜を除去し、これによりウエーハ表面の欠陥や不純物を除去しておいても良い。
熱酸化膜のついたボンドウエーハにガスイオン(例えば水素イオン)を注入する。これにより、ボンドウエーハ内部にイオン注入層4が形成される(図1(c))。ガスイオンを注入するのは熱酸化膜形成後であることが好ましい。単結晶シリコンウェーハの表面にあらかじめ薄いシリコン酸化膜などの絶縁膜を形成しておき、それを通してイオン注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られ、これにより、剥離工程後のSOIウエーハ表面における面粗さ、表面のダメージや欠陥をより抑制できるからである。なお、イオン注入条件は、最終的に形成させるSOI層の厚さ等を考慮して、イオン種、注入エネルギー、注入量を設定すれば良い。
イオン注入した後にボンドウエーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを酸化膜を介して貼り合わせる。これにより2枚のウエーハは接合される(図1(d))。
貼り合せた2枚のウエーハに剥離用の熱処理(例えば、アルゴン雰囲気、500℃、30分)を行ってイオン注入層で分離し、リン等のn型ドーパントを含有するn型シリコンウェーハの表面にSOI層を形成することでSOIウエーハ5を製造する(図1(e))。
このSOIウエーハ5を、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下で熱処理を行う。イオン注入層を分離して形成されたSOI層の表面の面粗さやダメージは、熱処理によって回復しSOI層表面が平坦化されたSOIウエーハ6が得られる(図1(f))。この熱処理は、平坦化を目的とする熱処理であるために、平坦化が実現される温度以上(1000℃以上)の温度で処理される必要がある。
SOI層表面を平坦化するための熱処理工程に続き、エッチング工程が実施される(図1(g))。これにより、ベースウエーハからの外方拡散によりSOI表面に付着したn型ドーパントが除去されたSOIウエーハ7が得られる。エッチング工程では、熱処理工程でSOI層表面に付着したリン等のn型ドーパントを除去するのに十分なエッチングの取代が必要となる。その取代は、前述の熱処理の条件により決定されるリン等のn型ドーパントの拡散の程度により、場合によってその都度調整されるものであるが、一つの指標としては、通常の洗浄で行われる取代である0.1nmから3nm程度の取代よりも、意識的に大きくした取代、具体的には、5nm以上の取代であることが好ましい。n型ドーパントを除去するのに必要な取代を除去することで続く犠牲酸化工程においてn型ドーパントがSOI層中に濃縮することを抑制することができる。エッチングに使用するエッチャントは特に限定されるものではないが、例えばアンモニア過水混合溶液、その他のアルカリ系エッチャント等とすることができ、通常の洗浄で行われるよりも多い取代のエッチングを実現するものであればよい。
エッチング工程に引続き、犠牲酸化工程が施される(図1(h))。目標とするSOI層膜厚から計算した目標酸化膜厚を得るように酸化熱処理を施し、HF洗浄等によって表面酸化膜を除去することにより、目標とするSOI層厚をもつSOIウエーハ8を実現する。この工程における酸化熱処理の条件については、目標とする酸化膜厚を得る目的を実現するものであれば限定されるものではない。
抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウェーハ(ボンドウェーハ)に、150nmの熱酸化膜を形成した。そこに、5.5×1016atoms/cm2のドーズ量で水素イオンを注入した。この水素イオン注入済みボンドウエーハを、抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウエーハの表面に3mΩcmのリンドープn+型エピタキシャル層(リン濃度2×1019atoms/cm3、膜厚3μm)をエピタキシャル成長させたウェーハ(ベースウェーハ)の表面に貼り合わせた。その後、剥離熱処理(アルゴン雰囲気、500℃、30分)を施して貼り合わせSOIウエーハを作製した。作製されたSOIウエーハの周辺の幅2mmには、ベースウェーハのn+型エピタキシャル層の表面が露出したテラス部が形成された。このSOIウエーハに対して、水素100%の雰囲気、1100℃、60秒の平坦化熱処理を実施した。その後、エッチング取代が2nmであるアンモニア過水洗浄を施した。その後、犠牲酸化を実施して目標とするSOI層厚80nmを得た。SOI層中のリン濃度をSIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)により測定したところ、SOI層からは、3×1016atoms/cm2のリン濃度を検出した。
抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウェーハ(ボンドウェーハ)に、150nmの熱酸化膜を形成した。そこに、5.5×1016atoms/cm2のドーズ量で水素イオンを注入した。この水素イオン注入済みボンドウエーハを、抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウエーハの表面に3mΩcmのリンドープn+型エピタキシャル層(リン濃度2×1019atoms/cm3、膜厚3μm)をエピタキシャル成長させたウェーハ(ベースウェーハ)の表面に貼り合わせた。その後、剥離熱処理(アルゴン雰囲気、500℃、30分)を施して貼り合わせSOIウエーハを作製した。作製されたSOIウエーハの周辺の幅2mmには、ベースウェーハのn+型エピタキシャル層の表面が露出したテラス部が形成された。このSOIウエーハに対して、水素100%の雰囲気、1100℃、60秒の平坦化熱処理を実施した。その後、エッチング取代が9nmであるアンモニア過水洗浄を施した。その後、犠牲酸化を実施して目標とするSOI層厚80nmを得た。SOI層中のリン濃度をSIMSにより測定したところ、SOI層からは、8×1015atoms/cm2のリン濃度を検出した。すなわち、検出されたリン濃度は、実施例1に比べて約1/4の濃度に抑制されていることがわかった。
抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウェーハ(ボンドウェーハ)に、150nmの熱酸化膜を形成した。そこに、5.5×1016atoms/cm2のドーズ量で水素イオンを注入した。この水素イオン注入済みボンドウエーハを、抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウエーハの表面に3mΩcmのリンドープn+型エピタキシャル層(リン濃度2×1019atoms/cm3、膜厚3μm)をエピタキシャル成長させたウェーハ(ベースウェーハ)の表面に貼り合わせた。その後、剥離熱処理(アルゴン雰囲気、500℃、30分)を施して貼り合わせSOIウエーハを作製した。作製されたSOIウエーハの周辺の幅2mmには、ベースウェーハのn+型エピタキシャル層の表面が露出したテラス部が形成された。このSOIウエーハに対して、水素100%の雰囲気、1100℃、60秒の平坦化熱処理を実施した。その後、犠牲酸化を実施して目標とするSOI層厚80nmを得た。SOI層中のリン濃度をSIMSにより測定したところ、SOI層からは、1.6×1017atoms/cm2のリン濃度を検出した。すなわち、検出されたリン濃度は、実施例1に比べて約5倍、実施例2に比べて約20倍の濃度となることがわかった。
抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウェーハ(ボンドウェーハ)に、150nmの熱酸化膜を形成した。そこに、5.5×1016atoms/cm2のドーズ量で水素イオンを注入した。この水素イオン注入済みボンドウエーハを、抵抗率が9mΩcm(リン濃度1×1019atoms/cm3)のリンドープn+ウェーハ(ベースウェーハ)の表面に貼り合わせた。その後、剥離熱処理(アルゴン雰囲気、500℃、30分)を施して貼り合わせSOIウエーハを作製した。作製されたSOIウエーハの周辺の幅2mmには、ベースウェーハの表面が露出したテラス部が形成された。このSOIウエーハに対して、水素100%の雰囲気、1100℃、60秒の平坦化熱処理を実施した。その後、エッチング取代が2nmであるアンモニア過水洗浄を施した。その後、犠牲酸化を実施して目標とするSOI層厚80nmを得た。SOI層中のリン濃度をSIMSにより測定したところ、SOI層からは、5.5×1016atoms/cm2のリン濃度を検出した。
抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウェーハ(ボンドウェーハ)に、150nmの熱酸化膜を形成した。そこに、5.5×1016atoms/cm2のドーズ量で水素イオンを注入した。この水素イオン注入済みボンドウエーハを、抵抗率が9mΩcm(リン濃度1×1019atoms/cm3)のリンドープn+ウェーハ(ベースウェーハ)の表面に貼り合わせた。その後、剥離熱処理(アルゴン雰囲気、500℃、30分)を施して貼り合わせSOIウエーハを作製した。作製されたSOIウエーハの周辺の幅2mmには、ベースウェーハの表面が露出したテラス部が形成された。このSOIウエーハに対して、水素100%の雰囲気、1100℃、60秒の平坦化熱処理を実施した。その後、エッチング取代が12nmであるアンモニア過水洗浄を施した。その後、犠牲酸化を実施して目標とするSOI層厚80nmを得た。SOI層中のリン濃度をSIMSにより測定したところ、SOI層からは、1×1016atoms/cm2のリン濃度を検出した。すなわち、検出されたリン濃度は、実施例3に比べても大幅に抑制されていることがわかった。
抵抗率が10Ωcmのp型通常抵抗率のシリコン単結晶ウェーハ(ボンドウェーハ)に、150nmの熱酸化膜を形成した。そこに、5.5×1016atoms/cm2のドーズ量で水素イオンを注入した。この水素イオン注入済みボンドウエーハを、抵抗率が9mΩcm(リン濃度1×1019atoms/cm3)のリンドープn+ウェーハ(ベースウェーハ)の表面に貼り合わせた。その後、剥離熱処理(アルゴン雰囲気、500℃、30分)を施して貼り合わせSOIウエーハを作製した。作製されたSOIウエーハの周辺の幅2mmには、ベースウェーハの表面が露出したテラス部が形成された。このSOIウエーハに対して、水素100%の雰囲気、1100℃、60秒の平坦化熱処理を実施した。その後、犠牲酸化を実施して目標とするSOI層厚80nmを得た。SOI層中のリン濃度をSIMSにより測定したところ、SOI層からは、3.4×1017atoms/cm2のリン濃度を検出した。すなわち、検出されたリン濃度は、実施例3に比べて約6倍、実施例4に比べて約34倍の濃度となることがわかった。
Claims (5)
- 少なくとも、ガスイオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウエーハと支持基板となるベースウェーハとを接合する工程と、前記微小気泡層を境界としてボンドウエーハを剥離して前記ベースウェーハ上に薄膜を形成する工程と、前記ボンドウエーハを剥離した後の貼り合わせウエーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下、1000℃以上の温度で熱処理を施す熱処理工程と、その後、該貼り合わせウエーハに熱酸化を行って前記薄膜の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を除去することにより前記薄膜の厚さを減ずる犠牲酸化工程とを有する貼り合わせウエーハの製造方法において、
前記ベースウェーハとして、少なくとも貼り合わせ面側の表面層がn型であり、n型領域のn型ドーパント濃度が5×10 18 /cm 3 以上のウエーハを用い、前記熱処理工程の後であって前記犠牲酸化工程の前に、前記薄膜の表面をエッチングにより一部除去することにより、前記薄膜の表面に付着したn型ドーパントを除去する工程を行うことを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。 - 前記ボンドウエーハとして、表面に熱酸化膜を形成した後、前記ガスイオンの注入を行ったものを用いることを特徴とする請求項1に記載された貼り合わせウエーハの製造方法。
- 前記薄膜の表面をエッチングにより一部除去する工程において、取代を5nm以上とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載された貼り合わせウエーハの製造方法。
- 前記熱処理工程において、熱処理温度を1150℃以下とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載された貼り合わせウエーハの製造方法。
- 前記熱処理工程において、RTA炉を使用して熱処理することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載された貼り合わせウエーハの製造方法。
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