JP2011077505A5 - Ｓｏｉ基板の作製方法 - Google Patents

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  1. 単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、
    前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
    前記単結晶半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、
    前記酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
    前記第１のレーザ光を照射した後、前記単結晶半導体膜に第２のレーザ光を照射し、
    前記単結晶半導体膜の任意の一点における前記第２のレーザ光のショット数は、前記単結晶半導体膜の任意の一点における前記第１のレーザ光のショット数よりも少ないことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  2. 単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、
    前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
    前記単結晶半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、
    前記酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜の任意の一点におけるショット数が１０以上１００以下となるように、前記単結晶半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
    前記第１のレーザ光を照射した後、前記単結晶半導体膜の任意の一点におけるショット数が０より大きく２以下となるように、前記単結晶半導体膜に第２のレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  3. 単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、
    前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
    前記単結晶半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去し、
    前記第１の酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
    前記第１のレーザ光を照射した後、前記単結晶半導体膜上に形成された第２の酸化膜を除去し、
    前記第２の酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜に第２のレーザ光を照射し、
    前記単結晶半導体膜の任意の一点における前記第２のレーザ光のショット数は、前記単結晶半導体膜の任意の一点における前記第１のレーザ光のショット数よりも少ないことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  4. 単結晶半導体基板とベース基板とを絶縁膜を介して貼り合わせ、
    前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に単結晶半導体膜を形成し、
    前記単結晶半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去し、
    前記第１の酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜の任意の一点におけるショット数が１０以上１００以下となるように、前記単結晶半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
    前記第１のレーザ光を照射した後、前記単結晶半導体膜上に形成された第２の酸化膜を除去し、
    前記第２の酸化膜を除去した後、前記単結晶半導体膜の任意の一点におけるショット数が０より大きく２以下となるように、前記単結晶半導体膜に第２のレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか１項において、
    前記第１のレーザ光のエネルギー密度は、前記単結晶半導体膜を部分溶融させる程度の高さであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか１項において、
    前記第２のレーザ光のエネルギー密度は、前記単結晶半導体膜を部分溶融させる程度の高さであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
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