JP2017519703A5 - - Google Patents

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  1. グラフェンを含む少なくとも部分的に透明で且つ導電性の層を作製する方法であって、
    (a)酸化グラフェンを含む分散液を基板上に塗布して、前記基板上に酸化グラフェンを含む層を形成するステップと、
    (b)少なくとも0.036Wのレーザー出力電力でのレーザー照射により、ステップ(a)で得られた前記層の少なくとも一部を加熱し、それによって前記酸化グラフェンの少なくとも一部をグラフェンに化学的に還元し、且つアブレーションによって前記層の厚さを物理的に低減させるステップと
    を含み、ステップ(a)で得られた前記層の厚さが少なくとも10μmであり、ステップ(b)における前記加熱が、6.4J/mm未満のエネルギー密度を提供する、方法。
  2. 酸化グラフェンを含む前記層が、少なくとも0.04Wのレーザー出力電力でレーザー照射により加熱される、請求項1に記載の方法。
  3. 酸化グラフェンを含む前記層が、少なくとも0.058Wのレーザー出力電力でレーザー照射により加熱される、請求項1に記載の方法。
  4. ステップ(b)における前記加熱が0.1m/s以下のビーム速度で実行される、請求項1に記載の方法。
  5. ステップ(b)における前記加熱が0.04m/s以下のビーム速度で実行される、請求項1に記載の方法。
  6. ステップ(b)における前記加熱が、少なくとも0.036Wのレーザー出力電力を提供し、且つ0.01m/s以下のビーム速度で実行される、請求項1に記載の方法。
  7. ステップ(b)における前記加熱が、少なくとも0.05Wのレーザー出力電力を提供し、且つ0.02m/s以下のビーム速度で実行される、請求項1に記載の方法。
  8. 前記層が15ms未満の露出時間のステップ(b)における加熱に曝される、請求項1に記載の方法。
  9. ステップ(a)で得られた前記層の前記厚さが10μm〜100μmの範囲内である、請求項1に記載の方法。
  10. ステップ(b)から得られるグラフェンを含む前記層の少なくとも領域が、1〜10nmの範囲の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
  11. 請求項1乃至10の何れか一項に記載の方法によって得られる、グラフェン層。
  12. 請求項1乃至10の何れか一項に記載の方法によって得られる導電性のグラフェン層を含む、光電子デバイス。
  13. 請求項1乃至10の何れか一項に記載の方法によって得られる導電性のグラフェン層を含む、電子デバイス。
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