JP2012192459A5 - レーザ加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ加工装置に関する。

そこで本発明では、シリコンウェハ等の半導体基板を容易に切断するためのレーザ加工装置を提供することを課題とする。

本発明のレーザ加工装置は、半導体基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光を半導体基板の切断予定ラインに沿って相対的に移動させることにより、切断予定ラインに沿って半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、半導体基板の内部であって溶融処理領域を挟んでパルスレーザ光の入射側とは反対側に、切断予定ラインに沿って相互に離隔するように複数の微小空洞を形成するレーザ加工装置であって、半導体基板が載置される載置台と、パルスレーザ光を発生するレーザ光源と、レーザ光源で発生されたパルスレーザ光を、集光点のピークパワー密度が１×１０ ⁸ （Ｗ／ｃｍ ² ）以上となるように、載置台に載置された半導体基板の内部に集光する集光用レンズと、半導体基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を照射し、パルスレーザ光を切断予定ラインに沿って相対的に移動させる場合に、パルスレーザ光のパルス幅が１００ｎｓｅｃ〜５００ｎｓｅｃとなり、且つパルスレーザ光のパルスピッチが２．００μｍ〜７．００μｍとなるように、載置台、レーザ光源及び集光用レンズの少なくとも１つを制御する制御部と、を備える。

このレーザ加工装置によれば、半導体基板にパルスレーザ光を照射して、溶融処理領域と微小空洞とを半導体基板内部に形成できる。そして、溶融処理領域と微小空洞とからなる改質領域を起点として、切断予定ラインに沿って半導体基板を容易に切断できる。

本発明によれば、半導体基板を容易に切断ることが可能となる。

Claims (3)

1. 半導体基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を照射し、前記パルスレーザ光を前記半導体基板の切断予定ラインに沿って相対的に移動させることにより、前記切断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、前記半導体基板の内部であって前記溶融処理領域を挟んで前記パルスレーザ光の入射側とは反対側に、前記切断予定ラインに沿って相互に離隔するように複数の微小空洞を形成するレーザ加工装置であって、
   前記半導体基板が載置される載置台と、
   前記パルスレーザ光を発生するレーザ光源と、
   前記レーザ光源で発生された前記パルスレーザ光を、前記集光点のピークパワー密度が１×１０ ⁸ （Ｗ／ｃｍ ² ）以上となるように、前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に集光する集光用レンズと、
   前記半導体基板の内部に前記集光点を合わせて前記パルスレーザ光を照射し、前記パルスレーザ光を前記切断予定ラインに沿って相対的に移動させる場合に、前記パルスレーザ光のパルス幅が１００ｎｓｅｃ〜５００ｎｓｅｃとなり、且つ前記パルスレーザ光のパルスピッチが２．００μｍ〜７．００μｍとなるように、前記載置台、前記レーザ光源及び前記集光用レンズの少なくとも１つを制御する制御部と、を備える、レーザ加工装置。
2. 前記集光用レンズのＮＡは０．５〜１．０である、請求項１記載のレーザ加工装置。
3. 前記半導体基板はシリコンウェハである、請求項１又は２記載のレーザ加工装置。