JP6036173B2 - レーザー加工装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態に係るレーザー加工装置100の構成を概略的に示す模式図である。レーザー加工装置100は、装置内における種々の動作(観察動作、アライメント動作、加工動作など)の制御を行うコントローラ1と、被加工物10をその上に載置するステージ4と、レーザー光源SLから出射されたレーザー光LBを被加工物10に照射する照射光学系5とを主として備える。
次に、レーザー加工装置100において実現可能な加工手法の1つである亀裂伸展加工について説明する。図2は、亀裂伸展加工におけるレーザー光LBの照射態様を説明するための図である。より詳細には、図2は、亀裂伸展加工の際のレーザー光LBの繰り返し周波数R(kHz)と、レーザー光LBの照射にあたって被加工物10を載置するステージの移動速度V(mm/sec)と、レーザー光LBのビームスポット中心間隔Δ(μm)との関係を示している。なお、以降の説明では、上述したレーザー加工装置100を使用することを前提に、レーザー光LBの出射源は固定され、被加工物10が載置されたステージ4を移動させることによって、被加工物10に対するレーザー光LBの相対的な走査が実現されるものとするが、被加工物10は静止させた状態で、レーザー光LBの出射源を移動させる態様であっても、亀裂伸展加工は同様に実現可能である。
Δ>Db ・・・・・(式1)
をみたす場合には、レーザー光の走査に際して個々のレーザーパルスは重ならないことになる。
ビーム径Db:約1μm〜10μm程度;
ステージ移動速度V:50mm/sec以上3000mm/sec以下;
パルスの繰り返し周波数R:10kHz以上200kHz以下;
パルスエネルギーE:0.1μJ〜50μJ。
次に、被加工物10の一例としてのパターン付き基板Wについて説明する。図3は、パターン付き基板Wの模式平面図および部分拡大図である。
以下、上述のようなパターン付き基板WをストリートSTに沿って分割すべく、ストリートSTの中心に定めた加工予定線PLに沿って亀裂伸展加工を行う場合を考える。
(第1の態様)
上述のように、パターン付き基板Wに対し亀裂伸展加工を行って個片化しようとする場合、オリフラOFと直交するY方向の加工に際しては、レーザー光LBの光軸をずらすことが必要となる場合がある。その場合において問題となるのは、図4においては亀裂CR1が−X方向に傾斜して伸展し、亀裂CR2が+X方向に傾斜して伸展しているが、これはあくまで例示に過ぎず、両者の伸展方向は個々のパターン付き基板Wによって入れ替わり得るという点、および、個々のパターン付き基板Wにおいて亀裂の傾斜がどちら向きに生じるのかは、実際にレーザー光LBを照射して亀裂伸展加工を行ってみないとわからないという点である。少なくとも傾斜の向きがわからないと、実際にレーザー光LBの光軸をずらすということは行い得ない。
ΔX<0 → 終端T1が加工痕Mより−X方向に到達 → 水平姿勢方向に回転;
ΔX=0 → 終端T1が加工痕Mの直上に到達 → 回転不要。
レーザー加工装置100における光軸ずらし条件の設定処理の仕方は、上述した第1の態様に限られるものではない。図11は、第2の態様に係る光軸ずらし条件の設定処理の流れを示す図である。図11に示す第2の態様に係る設定処理は、図7に示した第1の態様における設定処理のステップSTP3およびステップSTP4に代えて、ステップSTP13およびステップSTP4を行う点と、これに伴い、ステップSTP7における差分値の算出に用いる座標値が第1の設定処理とは異なる点のほかは、第1の設定処理と同様である。
ΔX<0 → 終端T2が加工痕Mより+X方向に到達 → 起立姿勢方向に回転;
ΔX=0 → 終端T2が加工痕Mの直下に到達 → 回転不要。
4 ステージ
4m 移動機構
5 照射光学系
6 上部観察光学系
6a、16a カメラ
6b、16b モニタ
7 上部照明系
8 下部照明系
10 被加工物
10a 保持シート
11 吸引手段
100 レーザー加工装置
16 下部観察光学系
51 落射ミラー
52、82 集光レンズ
71、81 ハーフミラー
CR1、CR2 亀裂
IM1、IM2 撮像画像
IP1 レーザー光の照射位置
L1 上部照明光
L2 下部照明光
LB レーザー光
M 加工痕
OF オリフラ
PL 加工予定線
S1 上部照明光源
S2 下部照明光源
SL レーザー光源
ST ストリート
T1、T2 (亀裂の)終端位置
UP 単位パターン
W パターン付き基板
W1 単結晶基板
Wa、Wb (パターン付き基板の)主面
Claims (3)
- レーザー光を出射する出射源と、
単結晶基板上に複数の単位デバイスパターンを2次元的に繰り返し配置してなるパターン付き基板を固定可能なステージと、
前記ステージの上方に設けられてなり、水平方向を進行する前記レーザー光を前記ステージに向けて反射させる落射ミラーと、
を備え、
前記出射源と前記ステージとを相対的に移動させることにより前記レーザー光を所定の加工予定線に沿って走査しつつ前記パターン付き基板に照射可能なレーザー加工装置であって、
前記レーザー光のそれぞれの単位パルス光によって前記パターン付き基板に形成される加工痕が前記加工予定線に沿って離散的に位置するように前記レーザー光を照射し、それぞれの前記加工痕から前記パターン付き基板に亀裂を伸展させる、亀裂伸展加工が実行可能であるとともに、
前記ステージに載置された前記パターン付き基板を撮像可能な撮像手段と、
前記亀裂伸展加工の際に前記落射ミラーから前記ステージに載置されている前記パターン付き基板へと向かう前記レーザー光の光軸を鉛直方向からずらすための光軸ずらし条件を設定する光軸ずらし条件設定手段と、
をさらに備え、
前記落射ミラーは、
前記レーザー光の前記光軸が鉛直方向と一致するときの当該落射ミラーの姿勢を基準姿勢とする場合に、前記基準姿勢から起立姿勢に近づく方向に当該落射ミラーを回転させる際の回転方向である起立姿勢方向と、前記基準姿勢から水平姿勢に近づく方向に当該落射ミラーを回転させる際の回転方向である水平姿勢方向とに対して回転自在に設けられており、
当該落射ミラーを前記起立姿勢方向もしくは前記水平姿勢方向に回転させることによって、前記レーザー光の前記光軸を鉛直方向からずらすことができるようになっており、
前記光軸ずらし条件設定手段は、
前記パターン付き基板の一部箇所を前記光軸ずらし条件設定用の前記亀裂伸展加工の実行箇所として設定し、前記実行箇所に対し前記光軸ずらし条件設定用の前記亀裂伸展加工である仮加工を行わせたうえで、
前記撮像手段に、前記パターン付き基板の表面に焦点を合わせた状態で前記仮加工の前記実行箇所を撮像させて第1の撮像画像を取得させるとともに、前記仮加工を行った際の前記レーザー光の焦点位置に焦点を合わせた状態で前記仮加工の前記実行箇所を撮像させて第2の撮像画像を取得させ、
前記第1の撮像画像から特定される、前記仮加工によって形成された加工痕から伸展した亀裂の終端の位置座標と、前記第2の撮像画像から特定される、前記仮加工の加工痕の位置座標との差分値に基づいて、前記亀裂伸展加工に際して前記落射ミラーに与える回転の要否および前記落射ミラーを回転させる場合の回転方向を特定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 請求項1に記載のレーザー加工装置であって、
前記光軸ずらし条件設定手段は、前記第1の撮像画像と前記第2の撮像画像とのそれぞれにおいて前記仮加工の際の加工方向に沿って画素値を積算することで得られる積算プロファイルに基づいて、前記仮加工の際に生じた前記亀裂の終端の位置座標と、前記仮加工の際の前記加工痕の位置座標とを特定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 請求項1または請求項2に記載のレーザー加工装置であって、
前記光軸ずらし条件設定手段は、前記亀裂伸展加工の際に前記レーザー光の前記光軸を鉛直方向からずらすために前記基準姿勢にある前記落射ミラーを前記起立姿勢方向もしくは前記水平姿勢方向に回転させる際の回転角度を、あらかじめ取得された前記亀裂伸展加工の対象とされる前記パターン付き基板の個体情報に基づいて決定する、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
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