CN103785954A - 激光加工装置 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种激光加工装置，能借由使射出源与载台相对移动以将激光一边沿既定的加工预定线扫描、一边照射于具有图案的基板的激光加工装置，具备用以在龟裂伸展加工时使从落射镜射往具有图案的基板的激光的光轴从铅直方向偏移的条件设定手段，对基板的一部分位置进行作为瞬时加工的龟裂伸展加工，根据从在使焦点对准于基板表面状态下拍摄瞬时加工执行位置而取得的第1摄影影像特定的从借由瞬时加工形成的加工痕伸展龟裂的终端位置坐标与从在使焦点对准于瞬时加工时激光的焦点位置状态下拍摄瞬时加工的执行位置而取得的第2摄影影像特定的瞬时加工的加工痕的位置坐标的差分值，在龟裂伸展加工时特定使落射镜旋转的方向。

Description

激光加工装置

技术领域

本发明涉及激光加工装置，特别是涉及用于在单结晶基板上将多个单位图案二维地反复配置而成的具有图案的基板的分割。

背景技术

LED元件，例如系以下述流程制造，亦即将于蓝宝石单结晶等基板(晶圆、母基板)上将LED元件的单位图案二维地反复形成而成为具有图案的基板(具有LED图案的基板)，以设为格子状的被称为切割道(Street)的分割预定区域加以分割并单片化(芯片化)。此处，所谓切割道是借由分割而成为LED元件的两个部分的间隙部分的宽度狭窄区域。

作为此种分割用的手法，已有一种公知手法，是借由将脉冲宽度为psec等级的超短脉冲光的激光以各个单位脉冲光的被照射区域沿加工预定线位于离散处的条件加以照射，以沿形成加工预定线(通常为切割道中心位置)形成分割用的起点(参照例如专利文献1)。专利文献1所揭示的手法中，是借由在各个单位脉冲光的被照射区域形成的加工痕之间产生因劈开或裂开而形成的龟裂伸展(裂痕伸展)，沿该龟裂分割基板，来实现单片化。

[先前技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2001-131256号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

如上述具有图案的基板中，通常是沿与设于蓝宝石单结晶基板的定向平面(orientation flat)平行的方向及与此方向正交的方向配置单位图案而成。因此，此种具有图案的基板中，切割道是延伸于与定向平面(orientation flat)平行的方向及与此方向垂直的方向而成。

在以如专利文献1所揭示的手法分割此种具有图案的基板的情形，当然会沿平行于定向平面的切割道与垂直于定向平面的切割道照射激光。此种情形下，伴随激光照射的自加工痕的龟裂的伸展不仅于加工预定线的延伸方向的激光的照射方向(扫描方向)产生，亦在基板的厚度方向产生。

不过，相较于在沿平行于定向平面的切割道照射激光时在基板厚度方向的龟裂伸展是从加工痕产生于垂直方向，当以相同照射条件沿垂直于定向平面的切割道照射激光时，龟裂并非于垂直方向而是伸展于从垂直方向倾斜的方向，此种差异已可由过去经验得知。而且，此种龟裂倾斜的方向，虽在相同晶圆面内会一致，但有随各个具有图案的基板而不同的情形。

此外，作为用于具有图案的基板的蓝宝石单结晶基板，虽除了c面或a面等结晶面的面方位与主面法线方向一致者以外有时会使用以在主面内垂直于定向平面的方向作为倾斜轴而使该些结晶面的面方位相对主面法线方向倾斜的所谓赋予倾斜角(off angle)的基板(亦称为off基板)，但上述沿垂直于定向平面的切割道照射激光时的龟裂的倾斜不论是否是off基板均会产生，此点已由本发明的发明者群确认。

另一方面，从LED元件的微小化或每一基板面积的撷取个数提升等要求来看，切割道的宽度较窄是比较理想的。然而，当以此种切割道的宽度狭窄的具有图案的基板为对象适用专利文献1所揭示的手法时，垂直于定向平面的切割道，有可能产生倾斜而伸展的龟裂不位于该切割道的宽度内而到达邻接的作为LED元件的区域的不良情形。此种不良情形的产生，由于成为使LED元件良率降低的要因，因此并非理想。

为了抑制此种良率的降低，必须在加工各个具有图案的基板时特定龟裂倾斜的方向，并对应于此来设定加工条件例如加工位置，但在LED元件的量产过程中，为了使加工生产性提升，被要求迅速地进行对各个具有图案的基板的加工条件的设定。

本发明有鉴于上述课题而完成，其目的在于提供能将具有图案的基板良好地单片化的激光加工装置。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的激光加工装置，其具备：射出源，射出激光；载台，能固定具有图案的基板，该具有图案的基板是于单结晶基板上将多个单位元件图案二维地反复配置而成；以及落射镜，设于前述载台上方，使在水平方向行进的前述激光反射向前述载台；能借由使前述射出源与前述载台相对移动以将前述激光一边沿既定的加工预定线扫描、一边照射于前述具有图案的基板，其中：能执行龟裂伸展加工，是以借由前述激光的各个单位脉冲光而形成于前述具有图案的基板的加工痕沿前述加工预定线位于离散处的方式照射前述激光，使龟裂从各个前述加工痕于前述具有图案的基板伸展；并进一步具备摄影手段，能拍摄载置于前述载台的前述具有图案的基板；以及光轴偏移条件设定手段，是设定光轴偏移条件，该光轴偏移条件用以在前述龟裂伸展加工时使从前述落射镜射往载置于前述基板的前述具有图案的基板的前述激光的光轴从铅直方向偏移；前述落射镜，被设置成在以前述激光的前述光轴与铅直方向一致时该落射镜的姿势为基准的情形时，对使该落射镜从前述基准姿势往接近起立姿势的方向旋转时旋转方向即起立姿势方向与使该落射镜从前述基准姿势往接近水平姿势的方向旋转时旋转方向即水平姿势方向旋转自如；借由使该落射镜旋转于前述起立姿势方向或前述水平姿势方向，而能使前述激光的前述光轴从铅直方向偏移；前述光轴偏移条件设定手段，在将前述具有图案的基板的一部分位置设定为前述光轴偏移条件设定用的前述龟裂伸展加工的执行位置，对前述执行位置进行前述光轴偏移条件设定用的前述龟裂伸展加工即瞬时加工后，使前述摄影手段拍摄在使焦点对准于前述具有图案的基板表面的状态下拍摄前述瞬时加工的前述执行位置而取得第1摄影影像，且在使焦点对准于已进行前述瞬时加工时前述激光的焦点位置的状态下拍摄前述瞬时加工的前述执行位置而取得第2摄影影像；根据从前述第1摄影影像特定的从借由前述瞬时加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端位置坐标与根据从前述第2摄影影像特定的前述瞬时加工的加工痕的位置坐标的差分值，在前述龟裂伸展加工时特定对前述落射镜赋予的旋转的要否及使前述落射镜旋转时的旋转方向。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的激光加工装置，其中，前述光轴偏移条件设定手段，根据借由在前述第1摄影影像与前述第2摄影影像的各个中沿前述瞬时加工时的加工方向积算像素值而取得积算设定档，特定在前述瞬时加工时产生的前述龟裂的终端位置坐标与前述瞬时加工时的前述加工痕的位置坐标。

前述的激光加工装置，其中，前述光轴偏移条件设定手段，是根据预先取得的作为前述龟裂开始点加工对象的前述具有图案的基板的个体信息，决定在前述龟裂伸展加工时为了使前述激光的前述光轴从铅直方向偏移而使处于前述基准姿势的前述落射镜旋转于前述起立姿势方向或前述水平姿势方向时的旋转角度。

借由上述技术方案，本发明激光加工装置至少具有下列优点及有益效果：在借由龟裂伸展加工将具有图案的基板单片化时，在与定向平面正交的方向的加工中龟裂会倾斜的情形，能借由在使激光的光轴从铅直方向偏移后进行该龟裂伸展加工，来抑制龟裂的倾斜。借此，可非常良好地抑制将设于具有图案的基板的构成各个元件芯片的单位图案单片化时产生破坏。其结果，提升借由将具有图案的基板单片化而取得元件芯片的良率。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是概略显示用于被加工物的分割的激光加工装置100构成的示意图。

图2是用以说明龟裂伸展加工中激光LB的照射态样的图。

图3是具有图案的基板W的示意俯视图及部分放大图。

图4是显示沿加工预定线PL照射激光LB的情形的具有图案的基板W在垂直于Y方向的剖面的龟裂伸展样子的图。

图5(a)、图5(b)是显示使激光LB的光轴偏移的样子的图。

图6是显示使激光LB的光轴偏移而进行龟裂伸展加工情形的具有图案的基板W在厚度方向的龟裂伸展样子的示意剖面图。

图7是显示第1实施例的光轴偏移条件的设定处理流程的图。

图8是例示瞬时加工时激光LB照射位置IP1的图。

图9(a)、图9(b)是用以说明基于具有图案的基板W的摄影影像IM1的坐标X1的决定方法的图。

图10(a)、图10(b)是用以说明基于具有图案的基板W的摄影影像IM2的坐标X2的决定方法的图。

图11是显示第2实施例的光轴偏移条件的设定处理流程的图。

1：控制器

4：载台

4m：移动机构

5：照射光学系

6：上部观察光学系

6a、16a：摄影机

6b、16b：监视器

7：上部照明系

8：下部照明系

10：被加工物

10a：保持片

11：吸引手段

100：激光加工装置

16：下部观察光学系

51：落射镜

52、82：聚光透镜

71、81：半反射镜

CR1、CR2：龟裂

IM1、IM2：摄影影像

IP1：激光的照射位置

L1：上部照明光

L2：下部照明光

LB：激光

M：加工痕

OF：定向平面

PL：加工预定线

S1：上部照明光源

S2：下部照明光源

SL：激光源

ST：切割道

T1、T2：(龟裂)终端

UP：单位图案

W：具有图案的基板

W1：单结晶基板

Wa、Wb：(具有图案的基板的)主面

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的激光加工装置其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

<激光加工装置>

图1是概略显示本发明实施形态的激光加工装置100构成的示意图。激光加工装置100主要具备进行装置内的各种动作(观察动作、对准动作、加工动作等)控制的控制器1、将被加工物10载置于其上的载台4、以及将从激光源SL射出的激光LB照射于被加工物10的照射光学系5。

载台4主要由石英等在光学上为透明的部材构成。载台4能借由例如吸引泵等吸引手段11将载置于其上面的被加工物10吸引固定。又，载台4能借由移动机构4m移动于水平方向。此外，图1中，虽是对被加工物10贴附具有粘着性的保持片10a后以该保持片10a之侧作为被载置面而将被加工物10载置于载台4，但使用保持片10a的态样并非必须。

移动机构4m是借由未图标的驱动手段的作用在水平面内使载台4移动于既定的XY二轴方向。借此，实现观察位置的移动或激光照射位置的移动。此外，关于移动机构4m，若在以既定的旋转轴为中心在水平面内旋转(θ旋转)动作亦能与水平驱动进行，就进行对准等方面而言更佳。

照射光学系5，至少具备激光源SL、落射镜51、以及聚光透镜52。此外，本实施形态中，虽如图1所示，例示了落射镜51为半反射镜的情形，但此并非必须态样。

激光加工装置100概略地使从激光源SL发出的激光LB在落射镜51反射而从水平方向往铅直下方变化其行进方向后，使该激光LB以借由聚光透镜52对焦于载置于载台4的被加工物10的被加工部位的方式聚光，而照射于被加工物10。接着，在此态样中，是借由一边使激光LB往铅直下方照射、一边使载台4移动，而能对被加工物10进行沿既定的加工预定线加工。亦即，激光加工装置100是借由对被加工物10使激光LB相对地扫描来进行加工的装置。

不过，本实施形态的激光加工装置100中，能借由在包含射入落射镜51的激光LB的射入路径的铅直平面内使落射镜51在既定的角度范围内旋转，调整落射镜51的姿势(更严谨而言，是指落射镜51所具备的激光LB的反射面的姿势)，以使从落射镜51射向载台4的激光LB的光轴方向意图地从铅直方向偏移。此方式，除了有借由手动或控制器1的驱动控制来适当地使设成抵接于落射镜51的未图示的姿势调整用螺杆进退的态样来实现以外，亦可借由公知手法来实现。如上述般使激光LB的光轴偏移的详细内容，留待后述。

作为激光LB，是非常合适地使用Nd:YAG激光的态样。作为激光源SL，使用波长为500nm～1600nm者。又，为了实现上述加工图案的加工，激光LB的脉冲宽度必须为1psec～50psec左右。又，反复频率R为10kHz～200kHz左右、激光照射能量(脉冲能量)为0.1μJ～50μJ左右，则非常合适。

此外，激光加工装置100中，在加工处理时，亦能视必要在使对焦位置从被加工物10表面意图地偏移的散焦状态下照射激光LB。本实施形态中，最好是将散焦值(从被加工物10往内部方向的对焦位置的偏移量)设定为0μm以上、30μm以下的范围。

又，激光加工装置100中，于载台4上方，具备用以从上方观察、拍摄被加工物10的上部观察光学系6、以及从载台4上方对被加工物10照射照明光的上部照明系7。又，于载台4下方，具备从载台4下方对被加工物10照射照明光的下部照明系8。

上部观察光学系6具备设于落射镜51上方的CCD摄影机6a与连接于该CCD摄影机6a的监视器6b。又，上部照明系7具备上部照明光源S1与半反射镜71。

此等上部观察光学系6与上部照明系7与照射光学系5构成为同轴。更详言之，照射光学系5的落射镜51与聚光透镜52是与上部观察光学系6及上部照明系7共享。借此，从上部照明光源S1发出的上部照明光L1，在半反射镜71被反射，进而透射过构成照射光学系5的半反射镜即落射镜51后，在聚光透镜52被聚光而照射于被加工物10。又，上部观察光学系6中，能在被照射上部照明光L1的状态下进行透射过聚光透镜52、落射镜51及半反射镜71的被加工物10的明视野像的观察。

又，下部照明系8具备下部照明光源S2、半反射镜81、以及聚光透镜82。亦即，激光加工装置100中，能使从下部照明光源S2射出并在半反射镜81反射后在聚光透镜82聚光的下部照明光L2透过载台4对被加工物10进行照射。例如，若使用下部照明系8，则能在使下部照明光L2照射于被加工物10的状态下在上部观察光学系6进行其透射光的观察等。

再者，如图1所示，激光加工装置100中亦可具备用以从下方观察、拍摄被加工物10的下部观察光学系16。下部观察光学系16具备设于落射镜81下方的CCD摄影机16a与连接于该CCD摄影机16a的监视器16b。在此下部观察光学系16中，例如能在使上部照明光L1照射于被加工物10的状态下进行其透射光的观察。

控制器1进一步具备控制装置各部的动作以实现后述态样中被加工物10的加工处理的控制部2、以及储存控制激光加工装置100的动作的程序3p或在加工处理时被参照的各种数据的记忆部3。

控制部2例如是借由个人计算机或微电脑等通用计算机来实现者，借由以该计算机读取储存于记忆部3的程序3p并执行，以将各种构成要素作为控制部2的功能构成要素予以实现。

记忆部3是借由ROM或RAM及硬盘等记忆媒体来实现。此外，记忆部3亦可是借由实现控制部2的计算机的构成要素来实现的态样，亦可如硬盘等与该计算机另外独立设置的态样。

于记忆部3除了储存程序3p、作为加工对象的被加工物10的个体信息(例如材质、结晶方位、形状(尺寸、厚度)等)以外，亦储存记述有加工位置(或切割道位置)的被加工物数据D1，且储存记述有与在各个加工模式中激光加工态样对应的针对激光各个参数的条件或载台4的驱动条件(或该些的设定可能范围)等的加工模式设定数据D2。又，于记忆部3亦适当地储存有光轴偏移数据D3，其是在对记述于被加工物数据D1的加工位置照射激光LB时，必须使从落射镜51射向被加工物10的激光LB的光轴因后述的理由而从铅直方向偏移既定角度的情形所参照者。

控制部2主要具备：驱动控制部21，控制移动机构4m对载台4的驱动或聚光透镜52的对焦动作或进一步在必要的情形时控制落射镜51的姿势控制动作等与加工处理有关系的各种驱动部分的动作；摄影控制部22，控制上部观察光学系6或下部观察光学系16对被加工物10的观察、摄影；照射控制部23，控制来自激光源SL的激光LB的照射；吸附控制部24，控制吸引手段11的被加工物10对载台4的吸附固定动作；加工处理部25，依据被赋予的被加工物数据D1及加工模式设定数据D2执行对加工对象位置的加工处理；以及光轴设定部26，负责设定在加工处理前设定激光LB的光轴调整相关条件的处理。

具备如以上构成的控制器1的激光加工装置100，在从操作者被赋予以记述于被加工物数据D1的加工位置作为对象的既定加工模式的加工执行指示后，加工处理部25是取得被加工物数据D1且从加工模式设定数据D2取得与被选择的加工模式对应的条件，通过驱动控制部21或照射控制部23等其它装置控制对应的各部的动作以执行与该条件对应的动作。例如从激光源SL发出的激光LB的波长或输出、脉冲的反复频率、脉冲宽度的调整等，是借由照射控制部23来实现。借此，在被作为对象的加工位置中实现被指定的加工模式的加工。

不过，本实施形态的激光加工装置100中，例如被加工物10是具有图案的基板W(参照图3及图4)，在对此种具有图案的基板W进行下述龟裂伸展加工的情形，能在上述态样的激光加工前视必要情形使激光LB的光轴从铅直下方偏移。此种激光LB的光轴偏移的详细内容，留待后述。

又，较佳为，激光加工装置100构成为能借由加工处理部25的作用在控制器1依据操作者可利用地被提供的加工处理选单来选择对应各种加工内容的加工模式。此种情形下，加工处理选单最好是以GUI来提供。

借由具有如以上的构成，激光加工装置100能非常合适地进行各种激光加工。

<龟裂伸展加工的原理>

其次，说明激光加工装置100中可实现的加工手法之一的龟裂伸展加工。图2是用以说明龟裂伸展加工中激光LB照射态样的图。更详言之，图2显示了龟裂伸展加工时激光LB的反复频率R(kHz)与在激光LB照射时载置被加工物10的载台的移动速度V(mm/sec)与激光LB的光束点中心间隔Δ(μm)的关系。此外，以下说明中，虽是以使用上述的激光加工装置100为前提，借由激光LB的射出源为固定，使载置有被加工物10的载台4移动，来实现激光LB对被加工物10的相对扫描，但即使是使被加工物10为静止状态来使激光LB的射出源移动的态样，亦同样地能实现龟裂伸展加工。

如图2所示，在激光LB的反复频率为R(kHz)的情形，是每1/R(msec)会有一个激光脉冲(亦称为单位脉冲光)从激光源发出。在载置有被加工物10的载台4以速度V(mm/sec)移动的情形，在从发出某激光脉冲至发出次一激光脉冲期间，由于被加工物10是移动V×(1/R)＝V/R(μm)，因此某激光脉冲的光束中心位置与次一发出的激光脉冲的光束中心位置的间隔、亦即光束点中心间隔Δ(μm)是以Δ＝V/R决定。

由上述可知，在激光LB的光束径(亦称为光束腰部(beam Waist)径、点尺寸)Db与光束点中心间隔Δ满足

Δ＞Db......(式1)

的情形下，于激光扫描时各个激光脉冲不会重迭。

进而，若将单位脉冲光的照射时间亦即脉冲宽度设定为极短，则在各个单位脉冲光的被照射位置中会产生一现象，亦即较激光LB的点尺寸狭窄的存在于被照射位置的大致中央区域的物质，会因从被照射的激光得到运动能量而往垂直于被照射面的方向飞散或变质，另一方面包含伴随此飞散而产生的反作用力在内的因单位脉冲光照射而产生的冲击或应力作用于该被照射位置的周围。

利用上述各点，若使从激光源陆续发出的激光脉冲(单位脉冲光)沿加工预定线依序且离散地照射，则会在沿着加工预定线的各个单位脉冲光的被照射位置依序形成微小的加工痕，在各个加工痕彼此之间连续地形成龟裂，进而龟裂亦伸展于被加工物的厚度方向。如此，借由龟裂伸展加工而形成的龟裂，成为分割被加工物10时的分割起点。此外，在激光LB为既定(非为0)的散焦值的情形下、以散焦状态照射的情形，是在焦点位置近旁产生变质，此种产生变质的区域成为上述的加工痕。

接着，能借由使用例如公知的裂断装置，进行使借由龟裂伸展加工而形成的龟裂伸展至具有图案的基板W的相反面的裂断步骤，而能分割被加工物10。此外，借由龟裂伸展而被加工物10在厚度方向被完全分断的情形，虽不需要上述的裂断步骤，但由于即使一部分龟裂到达相反面，单借由龟裂伸展使被加工物10完全被二分的情形属罕见，因此一般会伴随裂断步骤。

裂断步骤，例如是使被加工物10呈形成有加工痕之侧的主面成为下侧的姿势，且以两个下侧裂断杆支撑分割预定线两侧的状态下，往另一主面且紧挨分割预定线上方的裂断位置使上侧裂断杆降下，借此来进行。

此外，若相当于加工痕的节距的光束点中心间隔Δ过大，则裂断特性会变差而无法实现沿着加工预定线裂断。在龟裂伸展加工时，必须考虑到此点来决定加工条件。

鉴于以上各点，在进行为了于被加工物10形成作为分割起点的龟裂的龟裂伸展加工时最佳的条件，大致如下所述。具体条件可依被加工物10的材质或厚度等来适当选择。

脉冲宽度τ：1psec以上50psec以下；

光束径Db：约1μm～10μm左右；

载台移动速度V：50mm/sec以上3000mm/sec以下；

脉冲的反复频率R：10kHz以上200kHz以下；

脉冲能量E：0.1μJ～50μJ。

<具有图案的基板>

其次，说明作为被加工物10的一例的具有图案的基板W。图3是具有图案的基板W的示意俯视图及部分放大图。

所谓具有图案的基板W，例如是于蓝宝石等单结晶基板(晶圆、母基板)W1(参照图4)的一主面上积层形成既定的元件图案而成。元件图案，具有在被单片化后将分别构成一个元件芯片的多个单位图案UP二维地反复配置构成。例如LED元件等作为光学元件或电子元件的单位图案UP被二维地反复。

又，具有图案的基板W虽在俯视下呈大致圆形，但于外周的一部分具备直线状的定向平面(orientation flat)OF。以后，将在具有图案的基板W的面内定向平面OF的延伸方向称为X方向，将正交于X方向的方向称为Y方向。

作为单结晶基板W1，是使用具有70μm～200μm的厚度。使用100μm厚度的蓝宝石单结晶是非常合适的一例。又，元件图案通常形成为具有数μm左右的厚度。又，元件图案亦可具有凹凸。

例如，只要是LED芯片制造用的具有图案的基板W，则将由包含GaN(氮化镓)在内的III族氮化物半导体构成的发光层或其它多个薄膜层磊晶形成于蓝宝石单结晶上，进而于该薄膜层上借由形成LED元件(LED芯片)中构成通电电极的电极图案而构成。

此外，在具有图案的基板W形成时，作为单结晶基板W1，亦可使用以在主面内垂直于定向平面的Y方向作为轴而使c面或a面等结晶面的面方位相对主面法线方向倾斜数度左右的所谓赋予倾斜角(off angle)的基板(亦称为off基板)。

各个单位图案UP的边界部分即宽度狭窄的区域被称为切割道ST。切割道ST是在具有图案的基板W的分割预定位置，借由在后述态样中沿切割道ST被照射激光，而使具有图案的基板W被分割成各个元件芯片。切割道ST通常为数十μm左右的宽度，设定为在俯视元件图案时呈格子状。不过，在切割道ST的部分中单结晶基板W1不需要露出，在切割道ST的位置构成元件图案的薄膜层亦可连续形成。

<具有图案的基板中龟裂伸展与激光的照射态样>

以下，考虑为了沿切割道ST分割如上述具有图案的基板W，沿设定于切割道ST中心的加工预定线PL进行龟裂伸展加工的情形。

此外，本实施形态中，在进行上述态样的龟裂伸展加工时，是向具有图案的基板W中未设有元件图案侧的面、亦即单结晶基板W1露出的主面Wa(参照图4)照射激光LB。亦即，将形成有元件图案侧的主面Wb(参照图4)作为被载置面载置固定于激光加工装置100的载台4，来进行激光LB的照射。此外，更详言之，虽于元件图案表面存在凹凸，但由于该凹凸较具有图案的基板W整体的厚度充分地小，因此实质上视为于具有图案的基板W形成元件图案之侧具备平坦的主面亦无问题。或者，亦可将设有元件图案的单结晶基板W1的主面视为具有图案的基板W的主面Wb。

此点在龟裂伸展加工实施中虽本质上并非必须态样，但在切割道ST宽度较小的情形或薄膜层形成至切割道ST的部分的情形等，从缩小激光的照射对元件图案造成的影响或更确实地实现分割的观点来看则为较佳态样。此外，图3中之所以以虚线表示单位图案UP或切割道ST，是为了显示单结晶基板露出的主面Wa为激光照射对象面，且设有元件图案的主面Wb朝向其相反侧。

又，龟裂伸展加工是在对激光LB赋予既定(非为0)的散焦值的散焦状态下进行。此外，散焦值相较于具有图案的基板W厚度为充分小。

图4，是显示在激光加工装置100中，设定了使龟裂伸展产生的照射条件后，沿设定于切割道ST(延伸于与定向平面OF正交的Y方向)的中心位置的加工预定线PL照射激光LB来进行龟裂伸展加工时在具有图案的基板W的厚度方向的龟裂伸展样子的示意剖面图。此外，以下将具有图案的基板W的主面Wa亦称为具有图案的基板W的表面，将具有图案的基板W的主面Wb亦称为具有图案的基板W的背面。

此情形下，在具有图案的基板W的厚度方向中从主面Wa起数μm～30μm的距离的位置，加工痕M沿Y轴方向离散地形成，龟裂在各个加工痕M之间伸展，且龟裂CR1及龟裂CR2分别从加工痕M往上方(主面Wa之侧)及下方(主面Wb之侧)伸展。

不过，此等龟裂CR1及CR2，并非往加工痕M的铅直上方或下方、亦即沿着从加工预定线PL延伸于具有图案的基板W的厚度方向的面P1伸展，而是以相对面P1倾斜、越从加工痕M离开则越从面P1偏移的态样伸展。而且，在X方向中，龟裂CR1与龟裂CR2从面P1偏移的方向相反。

进而，当以此种态样，龟裂CR1及CR2一边倾斜一边伸展时，依其倾斜程度，会产生如图4所示，龟裂CR2的终端T2(亦包含借由其后的裂断步骤而伸展的情形)超过切割道ST的范围，而伸展至构成元件芯片的单位图案UP的部分。若如此以龟裂CR1及CR2伸展之处作为起点进行裂断，则单位图案UP会破损，元件芯片成为不良品。而且，从过去经验可知，此种龟裂的倾斜，只要是在具有相同图案的基板W中于相同方向进行加工，则在其它加工位置亦同样地会产生。若在各个切割道ST中产生此种在厚度方向的龟裂的倾斜，进而引起单位图案UP的破坏，则会导致良品的元件芯片的撷取个数(良率)降低。

为了避免此种不良情形产生，本实施形态中，借由对激光LB的照射态样作了钻研，以抑制龟裂CR2的倾斜使其终端T2位于切割道ST的范围内。概略地说，借由绕平行于Y方向的旋转轴51A使落射镜51旋转，调整其姿势(倾斜角度)而使从落射镜51射向被加工物10的激光LB的光轴从铅直方向往龟裂CR2的倾斜会被抵销的方向偏移，借此抑制龟裂CR2的倾斜。此外，使落射镜51绕旋转轴51A旋转，亦即如上述般在包含射入落射镜51时的激光LB的射入路径的铅直平面内使落射镜51旋转之意。

图5(a)、图5(b)是显示使激光LB的光轴偏移样子的示意剖面图。例如如图4所示，在龟裂CR1往-X方向倾斜伸展，龟裂CR2往+X方向倾斜伸展的情形，如图5(a)所示，借由使落射镜51如箭头AR1所示般绕顺时针旋转，来使从落射镜51射向被加工物10的激光LB的光轴从以一点炼线显示的铅直方向A0往如箭头AR2所示般绕顺时针偏移。

另一方面，与图4所示情形相反地，在龟裂CR1往+X方向倾斜伸展，龟裂CR2往-X方向倾斜伸展的情形，如图5(b)所示，借由使落射镜51如箭头AR3所示般绕逆时针旋转，来使从落射镜51射向被加工物10的激光LB的光轴从以一点炼线显示的铅直方向A0往如箭头AR4所示般绕逆时针偏移。

一般而言，为了抑制龟裂CR2倾斜，在龟裂CR2倾斜是在与激光LB对落射镜51的射入方向一致的方向产生的情形，是使落射镜51(更严谨地说是使落射镜51所具备的激光LB的反射面)往接近起立姿势的方向旋转，龟裂CR2的倾斜是在与激光LB对落射镜51的射入方向相反的方向产生的情形，是使落射镜51往接近水平姿势的方向旋转。此外，从几何学关系来看，若使落射镜51旋转角度δ，则激光LB的光轴方向会变化角度2δ。

以下，将从落射镜51射向被加工物10的激光LB的光轴与铅直方向一致时落射镜51的姿势作为基准姿势，将以较该基准姿势接近起立姿势的方式使落射镜51旋转时的旋转方向称为起立姿势方向，将以较该基准姿势接近水平姿势的方式使落射镜51旋转时的旋转方向称为水平姿势方向。

图6是显示对与图4所示者相同的具有图案的基板W以图5(a)所示的态样使光轴偏移而进行龟裂伸展加工的情形的具有图案的基板W在厚度方向龟裂伸展样子的示意剖面图。如图5(a)所示，只要使落射镜51往起立姿势方向旋转而使激光LB的光轴偏移，则如图6所示，与光轴与铅直方向一致的情形相较(图4的情形)，龟裂CR2的倾斜被抵销。亦即，可避免单位图案UP的破坏。此外，在激光LB的光轴沿铅直方向的情形与从铅直方向偏移的情形，虽因激光LB的射入角度不同而加工痕M的形状亦不同，但由于旋转角度小且形成的各个加工痕M的尺寸本身亦小，因此该两个情形下加工痕M的形状本身并不产生实质上的差异。

不过，不论是在往起立姿势方向旋转的情形或往水平姿势方向旋转的情形，若旋转角度过大，则激光LB的形状非对称性会变得显著，而无法良好地进行龟裂伸展加工本身。

经由本发明的发明者确认，实际状况下，能进行龟裂伸展加工且可得到龟裂倾斜抑制效果的落射镜51的旋转角度，为-0.1°～+0.1°充分小的值即足够。例如针对连结终端T1与终端T2的直线与X方向构成的角度而言，相较于在使光轴一致于铅直方向的情形最多为84°左右，在使落射镜51以上述的角度范围旋转而使光轴从铅直方向偏移的情形，连结终端T1与终端T2的直线与X方向构成的角度会成为85°以上。此点意指借由使落射镜51以上述角度旋转而使光轴从铅直方向偏移即可非常良好地抑制龟裂的倾斜。

又，当满足上述角度范围时，龟裂CR2的终端T2位置是往紧挨加工痕M下方的方向偏置数μm左右。由于切割道ST的宽度为20μm～30μm左右，因此此点意指借由使光轴偏移即可非常合适地防止因龟裂CR2的终端T2到达单位图案UP导致的单位图案UP的破坏。

此外，在以激光LB往铅直下方行进的情形作为基准(角度原点)时落射镜51的旋转角度在上述范围内的情形，激光LB的形状的非对称性实质上不会成为问题。

此外，由过去经验可知，如上述龟裂倾斜，是仅在对具有图案的基板W沿与其定向平面OF正交的Y方向进行龟裂伸展加工时产生的现象，在沿与定向平面OF平行的X方向进行龟裂伸展加工时不会产生。亦即，在沿X方向进行龟裂伸展加工的情形，具有图案的基板W在厚度方向的龟裂伸展，是从加工痕往铅直上方及铅直下方产生。

<光轴偏移条件的设定>

(第1实施例)

如上所述，在对具有图案的基板W进行龟裂伸展加工而欲单片化的情形，在进行与定向平面OF正交的Y方向加工时，有时必须使激光LB的光轴偏移。在此情形中会成为问题，虽图4中龟裂CR1往-X方向倾斜伸展，龟裂CR2往+X方向倾斜伸展，但此不过是例示，而是两者的伸展方向会因各个具有图案的基板W而替换，以及在各个具有图案的基板W中龟裂的倾斜会朝向哪个方向产生若不实际照射激光LB进行龟裂伸展加工则不会得知。若不知至少倾斜的方向，则实际上并无法进行使激光LB的光轴偏移的动作。

进而，在元件芯片的量产过程中，从生产性提升的观点来看，被要求自动地且尽可能迅速地设定使激光LB的光轴偏移的条件。

图7是显示基于以上各点的本实施形态的激光加工装置100中进行激光LB光轴偏移条件设定处理流程的图。本实施形态的光轴偏移条件的设定处理，概略地说，是对欲单片化的具有图案的基板W一部分进行龟裂伸展加工，借由影像处理特定出因该加工结果而产生龟裂倾斜的方向后，以对应该被特定出的方向的方向，使落射镜51旋转预先设定的角度来变更其姿势。此种光轴偏移条件的设定处理，是借由以激光加工装置100的控制器1所具备的光轴设定部26依据储存于记忆部3的程序3p，使装置各部动作，且进行必要的运算处理等来实现。

此外，在进行此设定处理前，预先使具有图案的基板W载置固定于激光加工装置100的载台4上且进行对准处理使其X方向与Y方向分别与移动机构4m的移动方向即水平二轴方向一致。对准处理，除了能适用专利文献1所揭示的手法以外，亦可适当地适用公知手法。又，于被加工物数据D1记述有作为加工对象的具有图案的基板W的个体信息。

首先，先决定进行光轴偏移条件设定用的龟裂伸展加工的位置(激光LB的照射位置)(步骤STP1)，对该位置照射激光LB以进行龟裂伸展加工(步骤STP2)。其后，将上述光轴偏移条件设定用的龟裂伸展加工称为瞬时加工。

此种瞬时加工，最好是在其加工结果不会对元件芯片的撷取个数产生影响的位置进行。例如，最好是将在具有图案的基板W中不形成作为元件芯片的单位图案UP的外缘位置等作为对象来进行。图8是例示考虑到此点的瞬时加工时激光LB照射位置IP1的图。图8中，是例示较在X方向的位置坐标为最负的切割道ST(ST1)更靠向具有图案的基板W的外缘处(X方向负之侧)设定瞬时加工用的照射位置IP1的情形。此外，图8中，虽是将照射位置IP1横越具有图案的基板W的两个外周端位置来显示，但并不需在横越两外周端位置之间的全范围照射激光LB。

具体的照射位置IP1的设定方法并无特别限定。例如，亦可是根据预先被赋予的与具有图案的基板W形状相关的数据来进行的态样，或者借由影像处理特定出切割道ST(ST1)的位置并根据其特定结果来进行的态样。

在对照射位置IP1瞬时加工结束后，接着在借由下部照明光源S2对具有图案的基板W赋予来自主面Wb侧的透射照明的状态下，以使CCD摄影机6a的焦点位置(高度)对准于此时的具有图案的基板W表面即主面Wa的状态拍摄瞬时加工的加工位置(步骤STP3)。接着，借由对所取得的摄影影像进行既定处理，来决定可视为在龟裂CR1的主面Wa中的终端T1在X方向的代表坐标位置的坐标X1(步骤STP4)。

图9(a)、图9(b)是用以说明基于在步骤STP3取得的具有图案的基板W的摄影影像IM1的坐标X1的决定方法的图。

更详言之，图9(a)是显示在步骤STP3取得的摄影影像IM1中激光LB的照射位置IP1近旁的部分。该摄影影像IM1中，加工痕M被观察为在Y方向延伸的微小点列或大致连续线。又，从此种加工痕M往主面Wa伸展的龟裂CR1是以较加工痕M强的对比(以更高的像素值，具体而言即更黑)被观察。此外，之所以龟裂CR1的对比较加工痕M强，是因龟裂CR1存在于较加工痕M更接近CCD摄影机6a的焦点位置处之故。

基于以此方式取得的摄影影像IM1的坐标X1的决定，是设定于Y方向具有长度方向且包含此等加工痕M及龟裂CR1之像在内的既定矩形区域RE1，并作成将该矩形区域RE1中的X坐标为相同位置的像素值(色浓度值)沿Y方向加以积算而成的设定档，借此来进行。图9(b)所示者，是以图9(a)所示的摄影影像IM1为对象借由上述积算处理而取得的设定档PF1。

如上所述，图9(a)所示的摄影影像IM1，由于是将焦点对准于主面Wa而取得者，因此可知，龟裂CR1越多存在的位置且龟裂CR1越接近主面Wa之处，在图9(b)所示的设定档PF1中像素值就越高。因此，本实施形态中，是将该设定档PF1中像素值为最大的坐标X1视为龟裂CR1的终端T1在X方向的坐标位置。

以此方式决定坐标X1后，其次，与拍摄摄影影像IM1时同样地，在借由下部照明光源S2对具有图案的基板W赋予来自主面Wb侧的透射照明的状态下，以使CCD摄影机6a的焦点位置(高度)对准于加工痕M的深度位置、亦即龟裂伸展加工时激光LB焦点位置的状态拍摄该加工位置(步骤STP5)。接着，借由对所取得的摄影影像进行既定处理，来决定可视为加工痕M在X方向的代表坐标位置的坐标X2(步骤STP6)。

图10(a)、图10(b)是用以说明基于在步骤STP5取得的具有图案的基板W的摄影影像IM2的坐标X2的决定方法的图。

更详言之，图10(a)是显示在步骤STP5取得的摄影影像IM2中激光LB的照射位置IP1近旁的部分。与图9(a)所示的摄影影像IM1同样地，在该摄影影像IM2中，加工痕M被观察为在Y方向延伸的微小点列或大致连续线，又，亦观察到从此加工痕M往主面Wa伸展的龟裂CR1。不过，借由摄影时的焦点位置设定于加工痕M的深度位置，而在摄影影像IM2中，被观察到加工痕M的对比较摄影影像IM1强。

基于以此方式取得的摄影影像IM2的坐标X2的决定，是与步骤STP4中的龟裂CR1的终端T1的决定方法同样地，设定于Y方向具有长度方向且包含加工痕M及龟裂CR1之像在内的既定矩形区域RE2，并作成将该矩形区域RE2中的X坐标为相同位置的像素值(色浓度值)沿Y方向加以积算而成的设定档，借此来进行。图10(b)所示者，是以图10(a)所示的摄影影像IM2为对象借由上述积算处理而取得的设定档PF2。此外，矩形区域RE2与矩形区域RE1可设定为相同尺寸，亦可视各个摄影影像中加工痕M或龟裂CR1的存在位置而使其两者相异。

如上所述，图10(a)所示的摄影影像IM2，由于是将焦点对准于加工痕M的深度位置而取得者，因此可知，越接近加工痕M之处，在图10(b)所示的设定档PF2中像素值就越高。因此，本实施形态中，是将该设定档PF2中像素值为最大的坐标X2视为加工痕M在X方向的坐标位置。

此外，步骤STP3～STP6所示的处理的执行顺序亦可适当替换，亦可适当并行进行。例如，亦可在连续进行步骤STP3及步骤STP5的摄影处理后，依序进行步骤STP4及步骤STP6的坐标X1、X2的特定处理，亦可在步骤STP3的摄影处理后，进行步骤STP4的坐标X1的特定处理的期间，与此并行地进行步骤STP5的摄影处理。

借由以上态样决定坐标X1及X2的值后，接着，算出此些坐标值的差分值ΔX＝X2-X1，根据其结果特定出使落射镜51旋转的方向(光轴偏移用反射镜旋转方向或亦单称为反射镜旋转方向)(步骤STP7)。

具体而言，ΔX与光轴偏移用反射镜旋转方向之间有以下关系。

ΔX＞0→终端T1到达较加工痕M更靠+X方向→往起立姿势方向旋转；

ΔX＜0→终端T1到达较加工痕M更靠-X方向→往水平姿势方向旋转；

ΔX＝0→终端T1到达紧挨加工痕M上方→不需旋转。

只要是图9(a)、图9(b)及图10(a)、图10(b)所示的情形，由于ΔX＜0，则被特定为应使落射镜51往水平姿势方向旋转以使激光LB的光轴从铅直方向偏移。

借由如上述特定光轴偏移用反射镜旋转方向，其结果，即特定了使光轴偏移的方向。接着，根据储存于记忆部3的被加工物数据D1与光轴偏移数据D3，决定落射镜51对被特定出的旋转方向的旋转角度(步骤STP8)。

如上所述，于被加工物数据D1记述有实际作为加工对象(亦即已进行光轴偏移条件设定用的龟裂伸展加工)的具有图案的基板W的个体信息(结晶方位、厚度等)。另一方面，于光轴偏移数据D3预先有能依照具有图案的基板W的个体信息设定落射镜51的旋转角度的记述。光轴设定部26是从被加工物数据D1取得具有图案的基板W的个体信息，并参照光轴偏移数据D3决定与该个体信息对应的旋转角度。

此外，从光轴偏移数据D3的记述内容决定的旋转角度，经验上是赋予只要以其值使落射镜51旋转则大部分情形可避免如图4所示的龟裂CR2导致单位图案UP破坏的值。例如，只要是有ΔX的绝对值越大及具有图案的基板W厚度越大则龟裂倾斜程度亦越大，则设想于光轴偏移数据D3以ΔX的绝对值及具有图案的基板W厚度越大则设定越大的旋转角度的方式来记述等的对应。

光轴偏移数据D3的形式并无特别限定。例如可将光轴偏移数据D3作成依每一具有图案的基板W的材质种类或厚度范围记述有应设定旋转角度的表的态样，或厚度与旋转角度规定为某函数关系的态样。

又，由上述的决定方法可清楚得知，落射镜51旋转角度的决定，由于能与以步骤STP1～STP7进行的反射镜旋转方向的特定无关系地进行，因此不一定要在特定出反射镜旋转方向后再决定，亦可在反射镜旋转方向特定前或与反射镜旋转方向的特定并行地进行的态样。

在步骤STP7的光轴偏移用反射镜旋转方向决定与在步骤STP8的旋转角度决定后，光轴偏移条件设定处理即结束。接续于此，一边根据所决定的反射镜旋转方向及旋转角度调整落射镜51的姿势、一边进行用以将具有图案的基板W单片化的龟裂伸展加工处理。此外，由于在进行与定向平面OF平行的X方向加工时不会产生龟裂的倾斜，因此落射镜51的姿势被调整为激光LB的光轴一致于铅直方向。借由上述，可实现非常良好地抑制了因龟裂伸展导致的单位图案UP破坏具有图案的基板W的单片化。

此外，原理上虽能根据以步骤STP7算出的ΔX值设定落射镜51的旋转角度，但采用此种态样亦不一定会提升龟裂CR2的倾斜抑制程度。其原因在于，以上述态样决定的坐标X1或X2，就其算出原理而言，不完全可说是能正确地代表龟裂CR1终端T1或加工痕M的实际位置的值，由于单单是为了决定落射镜51的旋转方向而权宜地求出的值，因此其差分值ΔX不见得可在该具有图案的基板W的所有加工中赋予适当的旋转角度。

(第2实施例)

激光加工装置100的光轴偏移条件的设定处理方法不限于上述第1实施例。图11是显示第2实施例的光轴偏移条件的设定处理流程的图。图11所示的第2实施例的设定处理，除了在取代图7所示第1实施例中设定处理步骤STP3及步骤STP4而进行步骤STP13及步骤STP14这点、以及伴随于此地于步骤STP7差分值的算出所使用的坐标值与第1设定处理不同这点以外，其余均与第1设定处理相同。

具体而言，第2实施例中，在借由步骤STP1～步骤STP2进行瞬时加工后，在借由下部照明光源S2对具有图案的基板W赋予来自主面Wb侧的透射照明状态下，以使CCD摄影机6a的焦点位置(高度)对准于此时的具有图案的基板W背面即主面Wb的状态拍摄已进行瞬时加工的位置(步骤STP13)。接着，借由对所取得的摄影影像进行基于图9(a)、图9(b)所说明的与决定龟裂CR1的终端T1的影像处理相同的影像处理，来决定可视为在龟裂CR2的主面Wb中的终端T2在X方向的代表坐标位置的坐标X3(步骤STP14)。具体而言，是作成与图9(b)的设定档PF1相同的设定档，并将其中像素值最大的坐标X3视为龟裂CR2的终端T2的位置。

接着，接续于此步骤进行步骤STP5～步骤STP6的处理求出坐标X2后，在步骤STP7中算出ΔX＝X2-X3，根据其结果特定出光轴偏移用反射镜旋转方向(步骤STP7)。

具体而言，ΔX与光轴偏移用反射镜旋转方向之间有以下关系。

ΔX＞0→终端T2到达较加工痕M更靠-X方向→往水平姿势方向旋转；

ΔX＜0→终端T2到达较加工痕M更靠+X方向→往起立姿势方向旋转；

ΔX＝0→终端T2到达紧挨加工痕M下方→不需旋转。

又，旋转角度的设定只要与第1实施例同样地进行即可。

第2实施例的情形亦与第1实施例同样地，在步骤STP7的光轴偏移用反射镜旋转方向决定与在步骤STP8的旋转角度决定后，光轴偏移条件设定处理即结束，接续于此，根据所决定的反射镜旋转方向及旋转角度进行用以将具有图案的基板W单片化的龟裂伸展加工处理。借此，可实现非常良好地抑制了因龟裂伸展导致的单位图案UP的破坏的具有图案的基板W的单片化。

如以上所说明，根据本实施形态，在借由龟裂伸展加工将具有图案的基板单片化时，在与定向平面正交的方向的加工中龟裂会倾斜的情形，能借由在使激光的光轴从铅直方向偏移后进行该龟裂伸展加工，来抑制龟裂的倾斜。借此，可非常良好地抑制将设于具有图案的基板的构成各个元件芯片的单位图案单片化时产生破坏。其结果，提升借由将具有图案的基板单片化而取得元件芯片的良率。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (3)

1.一种激光加工装置，其具备：

射出源，射出激光；

载台，能固定具有图案的基板，该具有图案的基板是于单结晶基板上将多个单位元件图案二维地反复配置而成；以及

落射镜，设于前述载台上方，使在水平方向行进的前述激光反射向前述载台；

能借由使前述射出源与前述载台相对移动以将前述激光一边沿既定的加工预定线扫描、一边照射于前述具有图案的基板，其特征在于：

能执行龟裂伸展加工，是以借由前述激光的各个单位脉冲光而形成于前述具有图案的基板的加工痕沿前述加工预定线位于离散处的方式照射前述激光，使龟裂从各个前述加工痕于前述具有图案的基板伸展；

并进一步具备

摄影手段，能拍摄载置于前述载台的前述具有图案的基板；以及

光轴偏移条件设定手段，是设定光轴偏移条件，该光轴偏移条件用以在前述龟裂伸展加工时使从前述落射镜射往载置于前述基板的前述具有图案的基板的前述激光的光轴从铅直方向偏移；

前述落射镜，被设置成在以前述激光的前述光轴与铅直方向一致时该落射镜的姿势为基准的情形时，对使该落射镜从前述基准姿势往接近起立姿势的方向旋转时旋转方向即起立姿势方向与使该落射镜从前述基准姿势往接近水平姿势的方向旋转时旋转方向即水平姿势方向旋转自如；

借由使该落射镜旋转于前述起立姿势方向或前述水平姿势方向，而能使前述激光的前述光轴从铅直方向偏移；

前述光轴偏移条件设定手段，在将前述具有图案的基板的一部分位置设定为前述光轴偏移条件设定用的前述龟裂伸展加工的执行位置，对前述执行位置进行前述光轴偏移条件设定用的前述龟裂伸展加工即瞬时加工后，

使前述摄影手段拍摄在使焦点对准于前述具有图案的基板表面的状态下拍摄前述瞬时加工的前述执行位置而取得第1摄影影像，且在使焦点对准于已进行前述瞬时加工时前述激光的焦点位置的状态下拍摄前述瞬时加工的前述执行位置而取得第2摄影影像；

根据从前述第1摄影影像特定的从借由前述瞬时加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端位置坐标与根据从前述第2摄影影像特定的前述瞬时加工的加工痕的位置坐标的差分值，在前述龟裂伸展加工时特定对前述落射镜赋予的旋转的要否及使前述落射镜旋转时的旋转方向。

2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于，前述光轴偏移条件设定手段，根据借由在前述第1摄影影像与前述第2摄影影像的各个中沿前述瞬时加工时的加工方向积算像素值而取得积算设定档，特定在前述瞬时加工时产生的前述龟裂的终端位置坐标与前述瞬时加工时的前述加工痕的位置坐标。

3.根据权利要求1或2所述的激光加工装置，其特征在于，前述光轴偏移条件设定手段，是根据预先取得的作为前述龟裂开始点加工对象的前述具有图案的基板的个体信息，决定在前述龟裂伸展加工时为了使前述激光的前述光轴从铅直方向偏移而使处于前述基准姿势的前述落射镜旋转于前述起立姿势方向或前述水平姿势方向时的旋转角度。

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