CN104439696B - 激光加工装置、及具有图案的基板的加工条件设定方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种激光加工装置、及具有图案的基板的加工条件设定方法。借由利用单位脉冲光以于具有图案的基板形成的加工痕沿加工预定线离散地配置的方式照射激光、且使龟裂从各个加工痕伸展的龟裂伸展加工从而对具有图案的基板进行单片化时的加工条件设定方法，具备：将具有图案的基板中的图案形成面的相反面的一部分部位设定成偏位条件设定用的龟裂伸展加工即暂时加工的实行部位的步骤、进行暂时加工的步骤、以及如下步骤：利用在暂时加工的前后，以IR光作为照明光且使焦点与图案形成面相合并拍摄暂时加工实行部位，针对所获得的第1与第2拍摄影像，沿暂时加工时的加工方向累计像素值而借此获得的第1与第2像素值轮廓的差分值轮廓，特定出激光的照射位置的偏位方向。

Description

激光加工装置、及具有图案的基板的加工条件设定方法

技术领域

本发明是关于一种在对于基板上二维地重复配置多个单位图案而成的具有图案的基板进行分割时，设定加工条件的方法，尤其是关于一种激光加工装置中的加工条件的设定方法。

背景技术

LED元件，例如以对在蓝宝石单结晶等的基板(晶圆、母基板)上二维地重复形成LED元件的单位图案而成的具有图案的基板(具有LED图案的基板)，在呈格子状地设置的被称为路径(street)的分割预定区域进行分割、单片化(芯片化)的程序(process)制造。此处，所谓的路径，是借由分割而成为LED元件的2个部分的间隙部分即宽度窄的区域。

作为用于该分割的手法，如下的手法为已公知(例如，参照专利文献1)：借由以各个单位脉冲光的被照射区域沿加工预定线离散地配置的条件，照射脉冲宽度为psec等级的超短脉冲光即激光，沿加工预定线(通常为路径中心位置)形成用于分割的起点。在专利文献1所揭示的手法中，是借由在各个单位脉冲光的被照射区域中所形成的加工痕之间产生由劈开或裂开造成的龟裂伸展(裂纹伸展)，沿该龟裂分割基板，而借此实现单片化。

专利文献1：日本特开2011-131256号公报

在上述般的具有图案的基板中，一般是沿着与设置于蓝宝石单结晶基板的定向平面(orientation flat)平行的方向和与其正交的方向配置单位图案。因此，在该具有图案的基板中，路径是在与定向平面平行的方向和与其垂直的方向延伸。

在对如此般的具有图案的基板以专利文献1所揭示般的手法进行分割的情形，当然是成为沿着与定向平面平行的路径和与定向平面垂直的路径照射激光。在该情形中，龟裂从伴随激光照射而成的加工痕的伸展，不仅在加工预定线的延伸方向即激光照射方向(扫描方向)产生，亦在基板厚度方向中产生。

然而，由经验得知，在沿着与定向平面平行的路径照射激光的情形，基板厚度方向中的龟裂伸展从加工痕往垂直方向产生，相对于此，在以相同照射条件沿着与定向平面垂直的路径照射激光的情形，龟裂非往垂直方向而是往从垂直方向倾斜的方向伸展，是有所不同。而且，该龟裂倾斜的方向，在同一晶圆面内虽为一致，但存在有因各个具有图案的基板而异的情形。

另外，作为在具有图案的基板所使用的蓝宝石单结晶基板，是c面或a面等的结晶面的面方位与主面法线方向一致，另外，虽存在有使用在主面内以与定向平面垂直的方向作为倾斜轴并使上述结晶面的面方位相对于主面法线方向倾斜的所谓的赋有斜角(offangle)的基板(亦称斜基板)的情况，但经本发明的发明者们确认，在上述的沿着与定向平面垂直的路径照射激光的情形的龟裂的倾斜，不管是不是斜基板都会产生。

另一方面，从LED元件的微小化或每单位基板面积的获取个数提高等的要求下，路径的宽度被期望能更狭窄。然而，在以如此般的路径宽度狭窄的具有图案的基板为对象，应用专利文献1已揭示的手法的情形，引起了如下的不良情况：在与定向平面垂直的路径中，倾斜并伸展的龟裂并未落入于该路径的宽度内，而是抵达至相邻的成为LED元件的区域。该不良情况的产生，成为使LED元件的合格率降低的要因，因此并不被期望。

对于抑制该合格率的降低，有必要在加工各个具有图案的基板时，特定出龟裂倾斜的方向，且与此相应地设定加工条件、例如加工位置，但尤其是在LED元件的量产过程中，为了使加工生产性提高，被要求要迅速地进行对各个具有图案的基板的加工条件的设定。

发明内容

本发明的目的在于提供一种以能够良好地单片化具有图案的基板的方式，设定加工条件的方法、及实现其的装置。

为了解决上述课题，本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明的激光加工装置，是具备射出激光的射出源、及可将在单结晶基板上呈二维地重复配置多个单位元件图案而成的具有图案的基板固定的载台，借由使该射出源与该载台相对移动而可使该激光沿既定的加工预定线一边扫描一边照射于该具有图案的基板，其特征在于：借由该激光的各个单位脉冲光，以在该具有图案的基板形成的加工痕沿该加工预定线离散地配置的方式照射该激光，借此可实行使龟裂从各个该加工痕于该具有图案的基板伸展的龟裂伸展加工，并且进一步具备：照明手段，是对载置于该载台的该具有图案的基板发出IR光作为照明光；拍摄手段，是可对载置于该载台的该具有图案的基板进行拍摄；及偏位(offset)条件设定手段，是在该龟裂伸展加工时，设定用于使该激光的照射位置从该加工预定线偏位的偏位条件；该偏位条件设定手段，在以形成有该多个单位元件图案侧成为被载置面的方式已将该具有图案的基板载置于该载台的状态下，将该具有图案的基板之中该被载置面的相反面的一部分部位设定成该偏位条件设定用的该龟裂伸展加工的实行部位，对该实行部位进行该偏位条件设定用的该龟裂伸展加工即暂时加工，并且在该拍摄手段，在该暂时加工的前后，在已从该照明手段发出该IR光作为该照明光的状态下，且在该具有图案的基板的形成有该多个单位元件图案侧的面已聚焦的状态下拍摄该暂时加工的该实行部位，借此取得第1与第2拍摄影像，在针对该第1与第2拍摄影像的各个，沿该暂时加工时的加工方向累计像素值而借此生成第1与第2像素值轮廓(profile)之后，生成该第1与第2像素值轮廓的差分值轮廓，根据该差分值轮廓，特定出在用于单片化该具有图案的基板的该龟裂伸展加工时应使该激光的该照射位置偏位的方向。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

本发明的激光加工装置，其中该具有图案的基板，在该被载置面的该相反侧具备多重反射膜。

本发明的激光加工装置，其中该偏位条件设定手段，根据在该差分值轮廓中夹着极值的2个近似直线的斜度，特定出于该龟裂伸展加工时应使该激光的该照射位置偏位的方向。

本发明的激光加工装置，其中该偏位条件设定手段，根据预先取得的作为该龟裂伸展加工的对象的该具有图案的基板的个体信息，决定于该龟裂伸展加工时使该激光的照射位置从该加工预定线偏位时的偏位量。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。

本发明是设定进行借由对于单结晶基板上呈二维地重复配置多个单位元件图案而成的具有图案的基板照射激光从而单片化该具有图案的基板的加工时的加工条件的方法，其特征在于：单片化该具有图案的基板的加工，是借由该激光的各个单位脉冲光，以在该具有图案的基板形成的加工痕沿该加工预定线离散地配置的方式照射该激光，使龟裂从各个该加工痕于该具有图案的基板伸展的龟裂伸展加工；具备偏位条件设定步骤，该偏位条件设定步骤是在该龟裂伸展加工前，设定用于在该龟裂伸展加工时使该激光的照射位置从该加工预定线偏位的偏位条件；该偏位条件设定步骤，具备：设定步骤，是将该具有图案的基板之中形成有该多个单位元件图案侧的面的相反面的一部分部位，设定成该偏位条件设定用的该龟裂伸展加工即暂时加工的实行部位；第1拍摄步骤，是在已从该照明手段发出该IR光作为该照明光的状态下，在既定的拍摄手段中，在形成有该多个单位元件图案侧的面已聚焦的状态下，拍摄该暂时加工的该实行部位而取得第1拍摄影像；暂时加工步骤，是对该实行部位进行该暂时加工；第2拍摄步骤，是在已从该照明手段发出该IR光作为该照明光的状态下，在既定的拍摄手段中，在形成有该多个单位元件图案侧的面已聚焦的状态下，拍摄该暂时加工的该实行部位而取得第2拍摄影像；以及偏位方向特定步骤，是针对该第1与第2拍摄影像的各个，沿该暂时加工时的加工方向累计像素值而借此生成第1与第2像素值轮廓之后，生成该第1与第2像素值轮廓的差分值轮廓，根据该差分值轮廓，特定出在用于单片化该具有图案的基板的该龟裂伸展加工时应使该激光的该照射位置偏位的方向。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

本发明具有图案的基板的加工条件设定方法，其中该具有图案的基板，在该被载置面的该相反面具备多重反射膜。

本发明具有图案的基板的加工条件设定方法，其中在该偏位方向特定步骤中，根据在该差分值轮廓中夹着极值的2个近似直线的斜度，特定出于该龟裂伸展加工时应使该激光的该照射位置偏位的方向。

本发明具有图案的基板的加工条件设定方法，其中该偏位条件设定步骤，进一步具备：偏位量决定步骤，是根据预先取得的作为该龟裂伸展加工的对象的该具有图案的基板的个体信息，决定于该龟裂伸展加工时使该激光的照射位置从该加工预定线偏位时的偏位量。

借由上述技术方案，本发明至少具有下列优点：

根据权利要求1至权利要求10的发明，在借由龟裂伸展加工而单片化具有图案的基板时，在与定向平面正交的方向的加工中能使龟裂倾斜的情形，在使激光的照射位置偏位之后能够进行该龟裂伸展加工，因此，在单片化于具有图案的基板所设置的构成各个元件芯片的单位图案时，能够适当地抑制破坏产生。其结果为，使借由单片化具有图案的基板而获得的元件芯片的合格率提高。

尤其是本发明，借由使用IR光作为照明光，即使是在具有图案的基板在与单位图案的形成面相反面具备多重反射膜的情形，亦能够良好地进行伸展至图案形成面的龟裂的拍摄，其结果为，能够适当地特定出激光的照射位置的偏位方向。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是概略地表示在被加工物的分割中所使用的激光加工装置100的构成的示意图。

图2是用以说明龟裂伸展加工中的激光LB的照射形态的图式。

图3是具有图案的基板W的示意俯视图及部分放大图。

图4是表示沿加工预定线PL照射有激光LB的情形的与具有图案的基板W的Y方向垂直的剖面中的龟裂伸展的样子的图式。

图5是表示使激光LB的照射位置IP偏位并进行龟裂伸展加工的情形的具有图案的基板W的厚度方向中的龟裂伸展的样子的示意剖面图。

图6是表示偏位条件的设定处理的流程的图式。

图7是例示暂时加工时的激光LB的照射位置IP1的图式。

图8是例示于步骤STP4中所获得的加工后的具有图案的基板W的拍摄影像IM、与用于获得像素值轮廓的影像处理对象区域RE的图式。

图9(a)、图9(b)、图9(c)是分别例示第1轮廓PF1、第2轮廓PF2、及差分值轮廓ΔPF的图式。

图10是为了步骤STP8及步骤STP9的说明而例示的轮廓PF3。

图11是根据图10所示的轮廓PF3而作成的近似直线轮廓。

【主要元件符号说明】

1：控制器 4：载台

4m：移动机构 5：照射光学系统

6：上部观察光学系统 6a、16a：摄影机

6b、16b：监视器 7：上部照明系统

8：下部照明系统 10：被加工物

10a：保持片 11：吸引手段

100：激光加工装置 16：下部观察光学系统

51、71、81：半反射镜 52、82：聚光透镜

CR1、CR2：龟裂 DBR：多重反射膜

IM1、IM2：拍摄影像 IP、IP1：激光的照射位置

L1：上部照明光 L2：下部照明光

LB：激光 M：加工痕

OF：定向平面 PL：加工预定线

S1：上部照明光源 S2：下部照明光源

SL：激光源 ST：路径

T、T1、T2：(龟裂的)终端位置 UP：单位图案

W：具有图案的基板 W1：单结晶基板

Wa、Wb：(具有图案的基板的)主面

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的激光加工装置、及具有图案的基板的加工条件设定方法其具体实施方式、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

<激光加工装置>

图1，是概略地表示可适用于本发明的实施例的在被加工物的分割中所使用的激光加工装置100的构成的示意图。激光加光装置100，主要具备进行装置内的各种动作(观察动作、对准动作、加工动作等)的控制的控制器1、在其上载置被加工物10的载台4、及对被加工物10照射从激光源SL射出的激光LB的照射光学系统5。

载台4，主要由石英等在光学上呈透明的构件构成。载台4，形成为可借由例如吸引泵等的吸引手段11吸引并固定载置于其上面的被加工物10。此外，载台4，成为可借由移动机构4m而在水平方向移动。另外，在图1中，在被加工物10贴附有具有粘着性的保持片10a之后，以该保持片10a侧作为被载置面而将被加工物10载置于载台4，但使用保持片10a的形态并非为必须。

移动机构4m，借由未图示的驱动手段的作用使载台4在水平面内并在既定的XY二轴移动。借此，实现观察位置的移动或激光照射位置的移动。另外，关于移动机构4m，在进行对准等方面，较佳为：以既定的旋转轴为中心的水平面内的旋转(θ旋转)动作，亦与水平驱动独立地进行。

照射光学系统5，具备激光源SL、在省略图示的镜筒内具备的半反射镜51、及聚光透镜52。

在激光加工装置100中，概略而言，使从激光源SL发出的激光LB，借由半反射镜51反射之后，使该激光LB以借由聚光透镜52而聚焦于载置于载台4的被加工物10的被加工部位的方式聚光，并照射于被加工物10。而且，在该形态中一边照射激光LB、一边使载台4移动，借此可对被加工物10进行沿既定的加工预定线的加工。亦即，激光加工装置100，是借由对被加工物10相对地扫描激光LB，而进行加工的装置。

作为激光源SL，较佳的形态为使用Nd：YAG激光。作为激光源SL，是使用波长为500nm～1600nm。此外，为了实现在上述的加工图案的加工，激光LB的脉冲宽度必须为1psec～50psec左右。此外，重复频率R较佳为10kHz～200kHz左右，激光的照射能量(脉冲能量)较佳为0.1μJ～50μJ左右。

另外，在激光加工装置100中，在加工处理时，亦可根据需要，以刻意地使聚焦位置从被加工物10的表面偏移的散焦状态，照射激光LB。在本实施例中，较佳为将散焦值(从被加工物10的表面往朝向内部的方向的聚焦位置的偏移量)设定成0μm以上50μm以下(例如，5μm以上30μm以下)的范围。

此外，在激光加工装置100中，在载台4的上方，具备有用以从上方观察、拍摄被加工物10的上部观察光学系统6、及对被加工物10从载台4的上方照射照明光的上部照明系统7。此外，在载台4的下方，具备有对被加工物10从载台4的下方照射照明光的下部照明系统8。

上部观察光学系统6，具备设于半反射镜51的上方(镜筒的上方)的CCD摄影机6a、及与该CCD摄影机6a连接的监视器6b。此外，上部照明系统7，具备上部照明光源S1、与半反射镜71。

上述上部观察光学系统6与上部照明系统7，与照射光学系统5同轴地构成。更详细而言，照射光学系统5的半反射镜51与聚光透镜52，与上部观察光学系统6及上部照明系统7共用。借此，从上部照明光源S1发出的上部照明光L1，借由设置于未图示的镜筒内的半反射镜71而反射，进一步地在透过构成照射光学系统5的半反射镜51之后，借由聚光透镜52聚光，并照射于被加工物10。此外，在上部观察光学系统6中，在照射有上部照明光L1的状态下，能够进行透过聚光透镜52、半反射镜51及半反射镜71的被加工物10的明视野像(bright-field image)的观察。

此外，下部照明系统8，具备下部照明光源S2、半反射镜81、及聚光透镜82。亦即，在激光加工装置100中，能够透过载台4对被加工物10照射从下部照明光源S2射出且借由半反射镜81反射之后、借由聚光透镜82聚光的下部照明光L2。例如，当使用下部照明系统8时，可在将下部照明光L2照射于被加工物10的状态下，在上部观察光学系统6中进行该透过光的观察等。

进一步地，如图1所示，在激光加工装置100中，亦可具备有用以从下方观察、拍摄被加工物10的下部观察光学系统16。下部观察光学系统16，具备设于半反射镜81的下方的CCD摄影机16a、及与该CCD摄影机16a连接的监视器16b。在该下部观察光学系统16中，例如，能够在将上部照明光L1照射于被加工物10的状态下进行该透过光的观察。

另外，在本实施例的激光加工装置100中，发出IR光(红外光)作为照明光，被使用于下部照明光源S2。借此，在激光加工装置100中，即使是如在被加工位置具备如反射可见光(白色光)般的层般的加工对象物，亦能够良好地进行该透过观察。作为如此般的被加工物，例如，例示具备下述般的多重反射膜DBR的具有图案的基板W等。在该具有图案的基板W中，多重反射膜DBR成为几乎不使可见光透过而进行反射。当然，对于不存在如反射可见光(白色光)般的层的被加工物，亦能够进行良好的观察。或者进一步地，对于上部照明光源S1，亦可为使用发出IR光(红外光)的形态。

控制器1，控制装置各部的动作，进一步具备使在下述的形态中的被加工物10的加工处理实现的控制部2、及储存控制激光加工装置100的动作的程序3p或在加工处理时所参照的各种数据的储存部3。

控制部2，例如是借由个人电脑或微电脑等泛用的电脑而实现，且储存于储存部3的程序3p由该电脑读取并实行，借此将各种的构成要素作为控制部2的功能性的构成要素而实现。

储存部3，借由ROM或RAM及硬碟等的储存媒体而实现。另外，储存部3，亦可为借由实现控制部2的电脑的构成要素而实现的形态，亦可为在硬碟的情形等与该电脑个别地设置的形态。

在储存部3，除了程序3p之外、除了作为加工对象的被加工物10的个体信息(例如，材质、结晶方位、形状(尺寸、厚度)等)之外，亦储存记述有加工位置(或路径位置)的被加工物数据D1，并且储存与各个加工模式中的激光加工的形态对应的记述有关于激光的各个参数的条件或载台4的驱动条件(或者上述的设定可能范围)等的加工模式设定数据D2。此外，在储存部3，亦可适当地储存在根据下述的理由而有必要相对于被加工物数据D1所记述的加工位置，使激光LB的照射位置以既定距离偏位的情形所参照的照射位置偏位数据D3。

控制部2，主要具备：驱动控制部21，是控制由移动机构4m进行的载台4的驱动或聚光透镜52的聚焦动作等、关于加工处理的各种驱动部分的动作；拍摄控制部22，是控制由上部观察光学系统6或下部观察光学系统16进行的被加工物10的观察、拍摄；照射控制部23，是控制来自激光源SL的激光LB的照射；吸附控制部24，是控制由吸引手段11进行的被加工物10往载台4的吸附固定动作；加工处理部25，是依据被赋予的被加工物数据D1及加工模式设定数据D2实行对加工对象位置的加工处理；及偏位设定部26，是负责于加工处理前设定关于激光LB照射位置偏位的条件的处理。

在具备如以上般构成的控制器1的激光加工装置100中，一旦由操作者赋予以被记述于被加工物数据D1的加工位置为对象的既定的加工模式的加工实行指示，则加工处理部25取得被加工物数据D1，并且从加工模式设定数据D2取得对应所选择的加工模式的条件，且以实行对应该条件的动作的方式，经由驱动控制部21或照射控制部23等控制所对应的各部的动作。例如，从激光源SL发出的激光LB的波长或功率、脉冲的重复频率、脉冲宽度的调整等，是由照射控制部23实现。借此，在被作为对象的加工位置中，实现所指定的加工模式中的加工。

但是，在本实施例的激光加工装置100中，在例如被加工物10是具有图案的基板W(参照图3及图4)，且对该具有图案的基板W进行下述的龟裂伸展加工的情形，可在以上述的形态进行的激光加工前，根据需要而使激光LB的照射位置偏位。关于该激光LB的照射位置的偏位的细节将于下述。

此外，较佳为：激光加工装置100，构成为借由加工处理部25的作用且依据于控制器1中提供给操作者可利用的加工处理选单，而可选择对应各种加工内容的加工模式。在该情形，加工处理选单，较佳为以GUI(图形使用者界面)的方式提供。

借由具有如以上般的构成，激光加工装置100，能够适切地进行各种的激光加工。

<龟裂伸展加工的原理>

接着，针对在激光加工装置100中可实现的加工手法之一即龟裂伸展加工进行说明。图2，是用以说明龟裂伸展加工中的激光LB的照射形态的图式。更详细而言，图2，揭示有龟裂伸展加工时的激光LB的重复频率R(kHz)、与当激光LB的照射时载置被加工物10的载台的移动速度V(mm/sec)、与激光LB的光束点中心间距Δ(μm)的关系。另外，在以下的说明中，以使用上述的激光加工装置100的情况为前提，借由将激光LB的射出源固定，使载置有被加工物10的载台4移动，而实现激光LB对被加工物10的相对性的扫描，但在使被加工物10静止的状态下，即使是使激光LB的射出源移动的形态，亦能够同样地实现龟裂伸展加工。

如图2所示，在激光LB的重复频率为R(kHz)的情形，就每1/R(msec)从激光源发出激光脉冲(亦称单位脉冲光)。在载置有被加工物10的载台4以速度V(mm/sec)进行移动的情形，在某一个激光脉冲发出后至下一个激光脉冲发出之间，由于被加工物10移动V×(1/R)＝V/R(μm)，因此某一激光脉冲的光束中心位置与接着发出的激光脉冲的光束中心位置的间隔，也就是光束点中心间隔Δ(μm)定为Δ＝V/R。

由此，在被加工物10表面的激光LB的光束径(亦称光束平口(beam waist)径、点尺寸)Dd与光束点中心间隔Δ满足下式的情形，即：

Δ＞Dd‥‥‥(式1)，使激光的扫描时各个激光脉冲不重叠。

此外，一旦单位脉冲光的照射时间也就是脉冲宽度设为极短，则在各个单位脉冲光的被照射位置中，较激光LB的点尺寸狭窄的存在于被照射位置的大致中央区域的物质，从所照射的激光获得运动能量而借此在被照射面往垂直方向飞散或变质等，另一方面，产生如下的现象：以伴随该飞散而产生的反作用力为首的因单位脉冲光的照射所产生的冲击或应力，作用于该被照射位置的周围。

利用上述情况，一旦沿加工预定线依序且离散地照射从激光源接连发出的激光脉冲(单位脉冲光)，则沿加工预定线、在各个单位脉冲光的被照射位置依序形成微小的加工痕，并且在各个加工痕彼此之间连续地形成龟裂，进一步地，亦在被加工物的厚度方向使龟裂伸展。如此般，借由龟裂伸展加工而形成的龟裂，成为分割被加工物10时的分割起点。另外，在以既定的(非0的)散焦值、以散焦状态照射激光LB的情形，在焦点位置的附近产生变质，该变质产生的区域成为上述的加工痕。

另外，该龟裂伸展加工，即使在被加工物10的激光LB的被照射面，设置有例如多重反射膜DBR等的金属薄膜层，亦能够毫无问题地进行。

而且，例如使用公知的裂断装置，进行使由龟裂伸展加工所形成的龟裂伸展至具有图案的基板W的相反面的裂断步骤，借此能够分割被加工物10。另外，在借由龟裂的伸展而将被加工物10在厚度方向完全地分断的情形，虽无需上述的裂断步骤，但即使一部分的龟裂已抵达至相反面，借由龟裂伸展加工而将被加工物10完全地二分的情况亦相当稀少，因此一般会伴有裂断步骤。

裂断步骤，例如可借由如下的方式进行：将被加工物10设定为形成有加工痕侧的主面成为下侧的姿势，在以2个下侧裂断杆支持分割预定线的两侧的状态下，使上侧裂断杆朝向另一主面、分割预定线的正上方的裂断位置下降。

另外，若相当于加工痕的间距(pitch)的光束点中心间隔Δ过大，将使裂断特性变差而无法实现沿加工预定线的裂断。在龟裂伸展加工时，有必要考虑此点而决定加工条件。

鉴于以上的观点，在进行用以在被加工物10形成成为分割起点的龟裂的龟裂伸展加工时，较适切的条件大体上如以下所述。具体的条件，亦可根据被加工物10的材质或厚度等而适当地选择。

脉冲宽度τ：1psec以上50psec以下；

光束径Dd：约1μm～10μm左右；

载台移动速度V：50mm/sec以上3000mm/sec以下；

脉冲的重复频率R：10kHz以上200kHz以下；

脉冲能量E：0.1μJ～50μJ。

<具有图案的基板>

接着，针对作为被加工物10的一例的具有图案的基板W进行说明。图3，是具有图案的基板W的示意俯视图及部分放大图。

所谓的具有图案的基板W，例如是在蓝宝石等的单结晶基板(晶圆、母基板)W1(参照图4)的主面上，积层形成既定的元件图案而成。元件图案，具有二维地重复配置于经单片化后各自成为元件芯片的多个单位图案UP而成的构成。例如，将成为LED元件等的光学元件或电子元件的单位图案UP二维地重复。

进一步地，在单结晶基板W1的与形成有元件图案的主面为相反侧的主面，形成有多重反射膜DBR。在本实施例中，多重反射膜DBR，是借由重复交互地积层由例如SiO2等构成的第1金属薄膜层、与由例如TiO2等构成的第2金属薄膜层而形成。第1金属薄膜层与第2金属薄膜层的厚度较佳为1.0μm～4.0μm左右，重复数较佳为20～40左右。

此外，虽具有图案的基板W在俯视观察下呈大致圆形状，但在外周的一部分具备有直线状的定向平面OF。以下，在具有图案的基板W的面内，将定向平面OF的延伸方向称为X方向，将与X方向正交的方向称为Y方向。

作为单结晶基板W1，使用具有70μm～200μm的厚度。使用100μm厚的蓝宝石单结晶是较佳的一例。此外，元件图案通常形成为具有数μm左右的厚度。此外，元件图案亦可具有凹凸。

例如，若为LED芯片制造用的具有图案的基板W，是借由在蓝宝石单结晶之上磊晶形成由以GaN(氮化镓)为首的III族氮化物半导体构成的发光层等的多个薄膜层，进一步地，在该薄膜层之上，在LED元件(LED芯片)形成构成通电电极的电极图案，进一步地，在蓝宝石单结晶的与薄膜层或电极图案形成面为相反侧的主面，形成多重反射膜DBR而构成。

另外，在具有图案的基板W的形成时，作为单结晶基板W1，亦可为使用于主面内以与定向平面垂直的Y方向为轴而使c面或a面等的结晶面的面方位相对于主面法线方向倾斜数度左右的所谓的赋有斜角的基板(亦称斜基板)的形态。

各个单位图案UP的边界部分即宽度狭窄的区域称为路径ST。路径ST，是具有图案的基板W的分割预定位置，在下述的形态中借由激光沿路径ST照射，而将具有图案的基板W分割成各个元件芯片。路径ST，通常被设定成数十μm左右的宽度，并在俯视观察元件图案的情形呈格子状。但是，在路径ST的部分中单结晶基板W1不需露出，而亦可为在路径ST的位置亦连续地形成有成为元件图案的薄膜层。

<具有图案的基板中的龟裂伸展与加工位置的偏位>

以下，为了沿路径ST分割上述般的具有图案的基板W，而考虑沿于路径ST的中心所定的加工预定线PL进行龟裂伸展加工的情形。

另外，在本实施例中，当进行在该形态下的龟裂伸展加工时，朝向具有图案的基板W之中、设置有多重反射膜DBR侧的主面Wa(参照图4)，照射激光LB。亦即，以形成有元件图案侧的主面Wb(参照图4)作为被载置面而载置并固定激光加工装置100的载台4，进行激光LB的照射。另外，若更详细地说明，虽在元件图案的表面存在凹凸，但由于该凹凸相比于具有图案的基板W整体的厚度十分地小，因此实质上，可视为在形成有具有图案的基板W的元件图案侧具备有平坦的主面。或者，亦可将设有元件图案的单结晶基板W1的主面，视为具有图案的基板W的主面Wb。

此虽非为在龟裂伸展加工的实施中本质上必须的形态，但从在路径ST的宽度小的情形、或甚至在路径ST的部分亦形成有薄膜层的情形等，使激光的照射对元件图案造成的影响较小、或者、实现更确实的分割的观点来看，是为较佳的形态。总言之，在图3中将单位图案UP或路径ST以虚线表示，是为了表示设有多重反射膜DBR的主面Wa是激光的照射对象面，设有元件图案的主面Wb为其相反侧。

此外，龟裂伸展加工，是在对激光LB赋予既定的(非0的)散焦值的散焦状态下进行。另外，散焦值，相对于具有图案的基板W的厚度十分地小。

图4，是表示在激光加工装置100中，设定使龟裂伸展产生的照射条件后，沿着于与定向平面OF正交的Y方向延伸的路径ST的中心位置中所设定的加工预定线PL照射激光LB，而进行了龟裂伸展加工的情形的具有图案的基板W的厚度方向中的龟裂伸展的样子的示意剖面图。另外，在以下，亦将具有图案的基板W的主面Wa称为具有图案的基板W的表面，亦将具有图案的基板W的主面Wb称为具有图案的基板W的背面。

该情形，在具有图案的基板W的厚度方向中，在从主面Wa起数μm～30μm的距离的位置，沿Y轴方向离散地形成加工痕M，且在各个加工痕M的间使龟裂伸展，并且从加工痕M朝向上方(主面Wa侧)及下方(主面Wb侧)，分别使龟裂CR1及龟裂CR2伸展。

但是，上述的龟裂CR1及CR2，并非为朝向加工痕M的垂直上方或下方、也就是沿从加工预定线PL往具有图案的基板W的厚度方向延伸的面P1伸展，而是以相对于面P1倾斜、且越远离加工痕M越偏离面P1的形态伸展。而且，在X方向中，龟裂CR1与龟裂CR2从面P1偏离的方向为相反。

在以该形态使龟裂CR1及CR2一边倾斜一边伸展的情形，借由该倾斜的程度，如图4所示，可引起龟裂CR2的终端T，(亦包含借由其之后的裂断步骤进行伸展的情形)超出路径ST的范围，而伸展至成为元件芯片的单位图案UP的部分。如此般一旦以龟裂CR1及CR2所伸展的部位为起点进行裂断，则单位图案UP将破损，而使元件芯片成为不合格品。而且，由经验可知：如此般的龟裂的倾斜，只要在相同的具有图案的基板W中在相同方向进行加工，亦会在其他的加工位置中同样地产生。一旦在各个路径ST中如此般的厚度方向中的龟裂的倾斜产生，且进一步地引起单位图案UP的破坏，则将使得为合格品的元件芯片的取得个数(合格率)降低。

为了避免如此般的不良情况产生，在本实施例中，以龟裂CR2的终端T落入路径ST的范围内的方式，使激光LB的照射位置从加工位置即加工预定线PL的设定位置偏位。

图5，是表示使激光LB的照射位置IP，从图4所示的加工预定线PL往以箭头AR1所示的－X方向偏位而进行了龟裂伸展加工的情形的具有图案的基板W的厚度方向中的龟裂伸展的样子的示意剖面图。如图5所示般若使激光LB的照射位置IP偏位，则可避免单位图案UP的破坏。

但是，在图5中，虽龟裂CR2的终端T2位于加工预定线PL的正下方，但此并非为必须的形态，只要终端T2落入路径ST的范围内即可。

此外，在图5中，往不存在有单位图案UP的主面Wa侧伸展的龟裂CR1的终端T1，虽未落入路径ST的范围内，但只要没有对元件芯片的功能造成影响的那么显著的倾斜，即不会成为不良情况。例如，只要元件芯片的形状落入预先规定的容许范围内，则容许图5所示的龟裂CR1般的倾斜。

另外，由经验得知：如上述般的龟裂的倾斜，是仅在对具有图案的基板W，沿与该偏位OF正交的Y方向进行龟裂伸展加工的情形所产生的现象，在沿与偏位OF平行的X方向进行龟裂伸展加工的情形并不会产生。亦即，在沿X方向进行了龟裂伸展加工的情形，具有图案的基板W的厚度方向中的龟裂的伸展，从加工痕朝向垂直上方及垂直下方产生。

<偏位条件的设定>

如上述般，在欲对具有图案的基板W进行龟裂伸展加工而单片化的情形，在与定向平面OF正交的Y方向的加工时，存在有激光LB的照射位置的偏位是必要的情形。在该情形中，问题为在图4及图5中龟裂CR1往－X方向倾斜并伸展，龟裂CR2往+X方向倾斜并伸展，但此只不过为例示，在两者的伸展方向会根据各个的具有图案的基板W而交替的方面，以及在各个具有图案的基板W中龟裂的倾斜究竟是朝向哪个方向产生，实际上若未试着照射激光LB而进行龟裂伸展加工则无法得知。若无法至少得知倾斜的朝向，则实际上便无法进行对照射位置设定偏位。

此外，在元件芯片的量产过程中，从提高生产性的观点来看，被要求自动地且尽可能迅速地设定用于偏位的条件。

图6，是表示根据以上的观点，在本实施例的激光加工装置100中所进行的偏位条件的设定处理流程的图式。本实施例中的偏位条件的设定处理，概略而言，是以如下的方式进行的处理：对欲进行单片化的具有图案的基板W的一部分实际上进行龟裂伸展加工，借由影像处理而特定出其结果所产生的龟裂的倾斜的朝向之后，在该所特定出的朝向中，赋予预先设定的偏位量(距离)。该偏位条件的设定处理，是借由在激光加工装置100的控制器1中所具备的偏位设定部26，根据储存于储存部3的程序3p，使装置各部动作，且进行必要的运算处理等而实现。

另外，在进行该设定处理之前，预先将具有图案的基板W载置并固定于激光加工装置100的载台4上，且以其X方向与Y方向分别与移动机构4m的移动方向即水平2轴方向一致的方式进行对准处理。在对准处理中，除了专利文献1中所揭示般的手法外，可适当地应用公知的手法。此外，在被加工物数据D1中，记述有被当作加工对象的具有图案的基板W的个体信息。

首先在最初，决定进行偏位设定用的龟裂伸展加工的位置(激光LB的照射位置)(步骤STP1)。另外，在以下，将该偏位设定用的龟裂伸展加工称为暂时加工。

该暂时加工，较佳为：在其结果不会影响元件芯片的取得个数的位置进行。例如，较佳为：以在具有图案的基板W中未形成有成为元件芯片的单位图案UP的外缘位置等为对象进行。图7，是例示考虑到该方面的暂时加工时激光LB的照射位置IP1的图式。在图7中，例示有在较X方向中的位置坐标最负方的路径ST(ST1)更为接近具有图案的基板W的外缘设定暂时加工用的照射位置IP1的情形。另外，在图7中，虽跨及具有图案的基板W的2个外周端位置表示有照射位置IP1，但并不一定要跨及两外周端位置之间的所有范围照射激光LB。

具体的照射位置IP1的设定方式，并无特别地限定。例如，亦可为根据预先所赋予的关于具有图案的基板W的形状的数据而进行的形态，或者，亦可借由影像处理特定出路径ST(ST1)，且根据该特定结果而进行的形态。

照射位置IP1的设定后，在借由下部照明光源S2对具有图案的基板W以IR光照射于主面Wb侧的状态下，使CCD摄影机6a的焦点位置(高度)与主面Wb相合，对照射位置IP1进行拍摄(步骤STP2)。进一步地，借由对所得到的拍摄影像进行既定的处理，而生成关于照射位置IP1的附近的加工前像素值轮廓(第1轮廓PF1)(步骤STP3)。

接着，对照射位置IP1照射激光LB而进行龟裂伸展加工(步骤STP4)。

在加工结束后，在再次借由下部照明光源S2对具有图案的基板W以IR光照射于主面Wb侧的状态下，使CCD摄影机6a的焦点位置(高度)与主面Wb相合，对加工后的照射位置IP1进行拍摄(步骤STP5)。进一步地，借由对所得到的拍摄影像进行既定的处理，而生成关于照射位置IP1的附近的加工后像素值轮廓(第2轮廓PF2)(步骤STP6)。

另外，加工前后的拍摄，是以同一位置为对象而进行。以包含路径ST正交的部位的方式进行拍摄。另外，如上述般，在本实施例的激光加工装置100中，由于使下部照明光源S2发出IR光，因此即使是在主面Wa侧设置有多重反射膜DBR的具有图案的基板W，亦能够良好地拍摄已到达主面Wb的龟裂CR2。

图8，是例示于步骤STP4中所得到的加工后的具有图案的基板W的拍摄影像IM、与用以获得像素值轮廓(第1轮廓PF1及第2轮廓PF2)的影像处理对象区域RE的图式。在本实施例中，在加工前后，并且在如图8所示的路径ST的交点设定矩形状的影像处理对象区域RE。而且，针对加工前后的各个拍摄影像，借由沿X方向累计该影像处理对象区域RE中的Y坐标为相同的位置中的像素值(色浓度值)，作成第1轮廓PF1与第2轮廓PF2。

另外，在图8所示的拍摄影像IM中以相比于周围更强的对比(具体而言是更黑)所观察到的，是已到达主面Wb的龟裂CR2。

一旦获得至第2轮廓PF2，接着，在为了后段的处理单纯化而将第1轮廓PF1与第2轮廓PF2分别以5点移动平均等的手法平均化之后，运算第1轮廓PF1与第2轮廓PF2的差分值，生成差分值轮廓ΔPF(步骤STP7)。

图9(a)、图9(b)、图9(c)是分别例示第1轮廓PF1、第2轮廓PF2、及差分值轮廓ΔPF的图式。图9(a)例示第1轮廓PF1，图9(b)例示第2轮廓PF2，图9(c)例示差分值轮廓ΔPF。但是，在图9(c)中，亦一并表示有已放大差分值轮廓ΔPF的频率的放大轮廓ΔPF’。

另外，在图9(a)及图9(b)所示的第1轮廓PF1及第2轮廓PF2中，使亮度越低(较暗)的地方越成为较高的频率。因此，龟裂CR2存在的地方成为较高的频率。

此外，在图9(c)中，以第1轮廓PF1与第2轮廓PF2的像素值的差越大则频率变越大的方式，表示差分值轮廓ΔPF。但是，差分值轮廓ΔPF，亦可以第1轮廓PF1与第2轮廓PF2的像素值之差越大则频率变越小(负的绝对值变大)的形态生成。

当获得差分值轮廓ΔPF时，接着，针对在差分值轮廓ΔPF中相邻的3点彼此，算出近似直线的斜度α(X)，作成沿X方向描绘出该斜度α(X)值的轮廓(近似直线斜度轮廓)(步骤STP8)。然后，根据所得到的近似直线斜度轮廓，分别算出在差分值轮廓ΔPF中夹着最小值的2个近似直线的斜度(步骤STP9)。

图10，是用以说明步骤STP8及步骤STP9而例示的差分值轮廓ΔPF。另外，在图10所示的差分值轮廓ΔPF中，在X＝Xmin中是差分值获得最小值(极值)。

此外，图11，是根据图10所示的差分值轮廓ΔPF而作成的近似直线轮廓。图11的近似直线斜度轮廓，概略而言，是表示差分值轮廓ΔPF的斜度的变化。亦即，存在有如下的关系：在图11中在α(X)值为正的范围，差分值轮廓ΔPF增加，在图11中在α(X)值为负的范围，差分值轮廓ΔPF减少，在图11中在α(X)值接近0的范围，差分值轮廓ΔPF大致为一定。

进一步地，在图10例示的差分值轮廓ΔPF中，随着X值变大，大致为一定的差分值单调地减少，在X＝Xmin中成为最小后，进一步地一旦X值变大则差分值单调地增加。因此，一旦在图11的近似直线斜度轮廓中，求得在较X＝Xmin为大的范围中α(X)(的绝对值)值成为较既定的阈值A大的X值(X＝XU1)、与X＞XU1且α(X)(的绝对值)值成为较既定的阈值B小的X值(X＝XU2)，则以前者为最小值、以后者为最大值的区间(XU1～XU2)，概略地，是图10所示的差分值轮廓ΔPF中差分值增加的区间。因此，若求得在差分值轮廓ΔPF中X＝XU1与X＝XU2之间的近似直线的斜度β1，则该斜度，为表示差分值轮廓ΔPF中差分值增加的区间的斜度。

同样地，一旦在图11的近似直线斜度轮廓中，求得在较X＝Xmin为小的范围中α(X)的绝对值的值成为较既定的阈值A大的X值(X＝XL1)、与X＜XL1且α(X)的绝对值的值成为较既定的阈值B小的X值(X＝XL2)，则以前者为最大值、以后者为最小值的区间(XL2～XL1)，概略地，是图10所示的差分值轮廓ΔPF中差分值减少的区间。因此，若求得在差分值轮廓ΔPF中X＝XL2与X＝XL1之间的近似直线的斜度β2，则该斜度，为表示差分值轮廓ΔPF中差分值减少的区间的斜度。

当以如此方式获得夹着X＝Xmin的2个近似直线的斜度β1、β2时，由2个斜度之差(严格来讲为绝对值之差)，特定出偏位方向(步骤STP10)。

具体而言，在斜度β1与斜度β2的绝对值之差Δβ＝︱β2︱－︱β1︱与偏位方向之间，从由经验而特定出的龟裂的倾斜方向与Δβ的相关的关系，存在有以下的对应关系。

Δβ＞0→终端T1从加工痕M到达－X方向→往+X方向偏位；

Δβ＜0→终端T1从加工痕M到达+X方向→往－X方向偏位；

Δβ＝0→终端T1到达加工痕M的正上方→无需偏位。

若是图10所示的情形，由于Δβ＞0，因此特定出应往+X方向偏位。

一旦以如此方式特定出偏位方向，则根据储存于储存部3的被加工物数据D1、与照射位置偏位数据D3，决定相对于所特定出的偏位方向的偏位量(步骤STP11)。

如上述般，在被加工物数据D1，记述有实际上被当作加工对象(也就是进行偏位设定用的龟裂伸展加工)的具有图案的基板W的个体信息(结晶方位、厚度等)。另一方面，在照射位置偏位数据D3，预先进行可根据具有图案的基板W的个体信息而设定偏位量的记述。偏位设定部26，从被加工物数据D1取得具有图案的基板W的个体信息，且参照照射位置偏位数据D3，而决定对应该个体信息的偏位量。

另外，由照射位置偏位数据D3的记述内容所决定的偏位量，是由经验而被赋予的若以该值使激光LB的照射位置相对于加工位置偏位，则在大多情形中可避免因如图4所示般的龟裂CR2而导致单位图案UP受破坏的值。例如，可假定如下等的对应：若存在有具有图案的基板W的厚度越大则龟裂倾斜的程度越大的倾向，则在照射位置偏位数据D3，以具有图案的基板W的厚度越大则设定越大的偏位量的方式进行记述。

照射位置偏位数据D3的形式，并无特别限定。例如，亦可将照射位置偏位数据D3准备成记述有应就每一具有图案的基板W的材质种类或厚度范围进行设定的偏位量的表的形态，或者，亦可为规定成厚度与偏位量所具有的函数关系的形态。

此外，由上述的决定方式清楚可知，偏位量的决定，由于可与从步骤STP1至步骤STP10进行的偏位方向的特定无关地进行，因此并不一定要在特定出偏位方向之后才决定，亦可为在偏位方向之前、或者与偏位方向的特定并行而进行的形态。

另外，将差分值轮廓ΔPF生成为亮度越小的地方像素值变越大的情形，借由比较夹着轮廓的最大值的2个近似直线的斜度，可与上述的情形同样地对应。

此外，亦可代替2个近似直线的斜度值，而根据各个近似直线的倾斜角度，决定偏位方向。

以上，如已说明般，根据本实施例，借由龟裂伸展加工对具有图案的基板进行单片化时，在与定向平面正交的方向的加工中龟裂会倾斜的情形，根据加工前后的具有图案的基板的拍摄影像而特定出偏位方向，在使激光的照射位置往该偏位方向偏位之后可进行该龟裂伸展加工，因此，可适切地抑制在对设置于具有图案的基板的构成各个元件芯片的单位图案进行单片化时产生破坏的情况。其结果为，使借由单片化具有图案的基板而获得的元件芯片的合格率提高。而且，由于激光加工装置具备有作为下部照明光源而以发出IR光作为照明光，因此即使是具有图案的基板具备由积层金属薄膜而形成的反射防止膜的情形，亦能够良好地进行已伸展至图案形成面的龟裂拍摄，其结果为，能够适切地设定偏位方向。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种激光加工装置，是具备：

射出源，射出激光；及

载台，能将在单结晶基板上呈二维地重复配置多个单位元件图案而成的具有图案的基板固定；

借由使该射出源与该载台相对移动而能使该激光沿既定的加工预定线一边扫描一边照射于该具有图案的基板，

其特征在于：

借由该激光的各个单位脉冲光，以在该具有图案的基板形成的加工痕沿该加工预定线离散地配置的方式照射该激光，借此能实行使龟裂从各个该加工痕于该具有图案的基板伸展的龟裂伸展加工，

并且进一步具备：

照明手段，是对载置于该载台的该具有图案的基板发出I R光作为照明光；

拍摄手段，是能对载置于该载台的该具有图案的基板进行拍摄；及

偏位条件设定手段，是在该龟裂伸展加工时，设定用于使该激光的照射位置从该加工预定线偏位的偏位条件；

该偏位条件设定手段，

在以形成有该多个单位元件图案侧成为被载置面的方式已将该具有图案的基板载置于该载台的状态下，将该具有图案的基板之中该被载置面的相反面的一部分部位设定成该偏位条件设定用的该龟裂伸展加工的实行部位，对该实行部位进行该偏位条件设定用的该龟裂伸展加工即暂时加工，并且

在该拍摄手段，在该暂时加工的前后，在已从该照明手段发出该I R光作为该照明光的状态下，且在该具有图案的基板的形成有该多个单位元件图案侧的面已聚焦的状态下拍摄该暂时加工的该实行部位，借此取得第1与第2拍摄影像，

在针对该第1与第2拍摄影像的各个，沿该暂时加工时的加工方向累计像素值而借此生成第1与第2像素值轮廓之后，生成该第1与第2像素值轮廓的差分值轮廓，根据该差分值轮廓，特定出在用于单片化该具有图案的基板的该龟裂伸展加工时应使该激光的该照射位置偏位的方向。

2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于：其中该具有图案的基板，在该被载置面的该相反侧具备多重反射膜。

3.根据权利要求1或2所述的激光加工装置，其特征在于：其中该偏位条件设定手段，根据在该差分值轮廓中夹着极值的2个近似直线的斜度，特定出于该龟裂伸展加工时应使该激光的该照射位置偏位的方向。

4.根据权利要求1或2所述的激光加工装置，其特征在于：其中该偏位条件设定手段，根据预先取得的作为该龟裂伸展加工的对象的该具有图案的基板的个体信息，决定于该龟裂伸展加工时使该激光的照射位置从该加工预定线偏位时的偏位量。

5.根据权利要求3所述的激光加工装置，其特征在于：其中该偏位条件设定手段，根据预先取得的作为该龟裂伸展加工的对象的该具有图案的基板的个体信息，决定于该龟裂伸展加工时使该激光的照射位置从该加工预定线偏位时的偏位量。

6.一种具有图案的基板的加工条件设定方法，是设定进行借由对于单结晶基板上呈二维地重复配置多个单位元件图案而成的具有图案的基板照射激光从而单片化该具有图案的基板的加工时的加工条件，其特征在于：

单片化该具有图案的基板的加工，是借由该激光的各个单位脉冲光，以在该具有图案的基板形成的加工痕沿该加工预定线离散地配置的方式照射该激光，使龟裂从各个该加工痕于该具有图案的基板伸展的龟裂伸展加工；

具备偏位条件设定步骤，该偏位条件设定步骤是在该龟裂伸展加工前，设定用于在该龟裂伸展加工时使该激光的照射位置从该加工预定线偏位的偏位条件；

该偏位条件设定步骤，具备：

设定步骤，是将该具有图案的基板之中形成有该多个单位元件图案侧的面的相反面的一部分部位，设定成该偏位条件设定用的该龟裂伸展加工即暂时加工的实行部位；

第1拍摄步骤，是在已从照明手段发出I R光作为照明光的状态下，在既定的拍摄手段中，在形成有该多个单位元件图案侧的面已聚焦的状态下，拍摄该暂时加工的该实行部位而取得第1拍摄影像；

暂时加工步骤，是对该实行部位进行该暂时加工；

第2拍摄步骤，是在已从该照明手段发出该I R光作为该照明光的状态下，在既定的拍摄手段中，在形成有该多个单位元件图案侧的面已聚焦的状态下，拍摄该暂时加工的该实行部位而取得第2拍摄影像；以及

偏位方向特定步骤，是针对该第1与第2拍摄影像的各个，沿该暂时加工时的加工方向累计像素值而借此生成第1与第2像素值轮廓之后，生成该第1与第2像素值轮廓的差分值轮廓，根据该差分值轮廓，特定出在用于单片化该具有图案的基板的该龟裂伸展加工时应使该激光的该照射位置偏位的方向。

7.根据权利要求6所述的具有图案的基板的加工条件设定方法，其特征在于：其中该具有图案的基板，在被载置面的相反面具备多重反射膜。

8.根据权利要求6或7所述的具有图案的基板的加工条件设定方法，其特征在于：其中在该偏位方向特定步骤中，根据在该差分值轮廓中夹着极值的2个近似直线的斜度，特定出于该龟裂伸展加工时应使该激光的该照射位置偏位的方向。

9.根据权利要求6或7所述的具有图案的基板的加工条件设定方法，其特征在于：其中该偏位条件设定步骤，进一步具备：

偏位量决定步骤，是根据预先取得的作为该龟裂伸展加工的对象的该具有图案的基板的个体信息，决定于该龟裂伸展加工时使该激光的照射位置从该加工预定线偏位时的偏位量。

10.根据权利要求8所述的具有图案的基板的加工条件设定方法，其特征在于：其中该偏位条件设定步骤，进一步具备：

偏位量决定步骤，是根据预先取得的作为该龟裂伸展加工的对象的该具有图案的基板的个体信息，决定于该龟裂伸展加工时使该激光的照射位置从该加工预定线偏位时的偏位量。