JP2022105940A - レーザ加工装置、及びレーザ加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に形成された画素をレーザ光で加工する際にかかる生産効率を向上させる。【解決手段】レーザ加工装置は、レーザ光を出射するレーザ発振器と、前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光の光路を第１の光路と、前記第１の光路とは異なる第２の光路に分岐させる第１分岐素子と、前記第１の光路上に配置された第１レーザ光学系と、前記第２の光路上に配置された第２レーザ光学系と、前記第１レーザ光学系から出射される第１レーザ光で加工される第１被加工物が載置される第１ステージと、前記第２レーザ光学系から出射される第２レーザ光で加工される第２被加工物が載置される第２ステージと、前記第１被加工物に対する前記第１レーザ光の照射位置及び前記第２被加工物に対する前記第２レーザ光の照射位置を制御するために、前記第１ステージ及び前記第２ステージの位置を制御するステージ制御部と、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、レーザ加工装置、及びレーザ加工方法に関する。

近年、１個のＬＥＤのサイズが１ｍｍ未満（ミクロンオーダ）の微小なマイクロＬＥＤを画素とした表示装置の開発が進んでいる。当該表示装置は、サファイア基板上に発光半導体層を含む半導体積層体を形成した後に、サファイア基板と半導体積層体との境界において分離した後、分離された半導体積層体を別の支持基板に接合することで形成される。

特許文献１には、ステージに載置されたサファイア基板の一方の面に形成されたマイクロＬＥＤを含む積層体に対して、サファイア基板の他方の面からパルス発振によるレーザ光を照射し、各々のマイクロＬＥＤをサファイア基板から分離させるレーザリフトオフによる加工方法が記載されている。

特開２０１９－８３２８０号公報

マイクロＬＥＤ表示装置を製造する際に、マイクロＬＥＤが形成されたサファイア基板や、マイクロＬＥＤがトランスファーされる基板（キャリア基板、回路基板等）のサイズが大きい場合、レーザ光を照射しなければならないエリアも大きくなるため、ステージを移動させる必要がある。このとき、レーザ発振の周波数に対して、ステージの移動時間の方が長い場合には、ステージの移動が完了するのを待ってレーザ光を出射しなければならないため、表示装置の生産効率が低下してしまう。また、ステージを移動させる度に、アライメント動作が必要な場合も、表示装置の生産効率が低下してしまう。

上記問題に鑑み、本発明の一実施形態では、基板に形成された画素をレーザ光で加工する際にかかる生産効率を向上させることを目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置は、レーザ光を出射するレーザ発振器と、レーザ光の光路上に配置され、レーザ光の光路を第１の光路と、第１の光路とは異なる第２の光路に分岐させる第１分岐素子と、第１の光路上に配置された第１レーザ光学系と、第２の光路上に配置された第２レーザ光学系と、第１レーザ光学系から出射される第１レーザ光で加工される第１被加工物が載置される第１ステージと、第２レーザ光学系から出射される第２レーザ光で加工される第２被加工物が載置される第２ステージと、第１被加工物に対する第１レーザ光の照射位置及び第２被加工物に対する第２レーザ光の照射位置を制御するために、第１ステージ及び第２ステージの位置を制御するステージ制御部と、を有し、第１分岐素子により、第１の光路と第２の光路とが交互に切り替えられ、ステージ制御部は、第１の光路が選択されているとき第２ステージの位置を制御し、第２の光路が選択されているとき第１ステージの位置を制御する。

本発明の一実施形態に係るレーザ加工方法は、第１レーザ発振器からレーザ光を出射し、第１レーザ発振器の光路上に配置された第１分岐素子により分岐された第１の光路及び第１の光路とは異なる第２の光路のうち、第１の光路が選択されているとき、第１レーザ光学系から射出される第１レーザ光を第１被加工物の照射位置に照射し、第２の光路が選択されているとき、第２レーザ光学系から射出される第２レーザ光を第２加工物の照射位置に照射し、第１の光路と第２の光路とは交互に切り替えられる。

本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の概略構成を説明するブロック図である。 レーザ光学系の構成を説明する概略図である。 被加工物の平面図である。 被加工物の断面図である。 本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の動作方法を説明する図である。 本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の動作方法を説明する図である。 本発明の一実施形態に係る製造装置の動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の概略構成を説明するブロック図である。 レーザ光学系の構成を説明する概略図である。 本発明の一実施形態に係る製造装置の動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の一実施形態に係る製造装置の動作を説明するタイミングチャートである。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

＜第１実施形態＞
本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置１００の構成、及びその駆動方法について、図１～図６を参照して説明する。

＜製造装置の概略構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置１００の概略構成を説明するブロック図である。レーザ加工装置１００は、制御部１０１、レーザ発振器１０３、分岐素子１０５、レーザ光学系１０７＿１、１０７＿２、及びステージ制御部１０８＿１、１０８＿２を有する。また、レーザ加工装置１００は、この他に、レーザ制御部１０２、ミラー１０４、ミラー１０６＿１、１０６＿２、ステージ１０９＿１、１０９＿２を有する。以降の説明において、レーザ光学系１０７＿１、１０７＿２、ステージ制御部１０８＿１、１０８＿２、ステージ１０９＿１、１０９＿２について、それぞれを区別しない場合には、レーザ光学系１０７、ステージ制御部１０８、ステージ１０９と記載する。なお、ミラー１０６やレーザ光学系１０７の構成要素ついても同様である。

制御部１０１は、レーザ制御部１０２、レーザ光学系１０７、分岐素子１０５、及びステージ制御部１０８と接続されて、レーザ制御部１０２、レーザ光学系１０７、分岐素子１０５、及びステージ制御部１０８の各々の動作を制御する。

レーザ制御部１０２は、制御部１０１からの制御信号を受信することにより、レーザ出力値を設置して、レーザ発振器１０３に電源を供給する。

レーザ発振器１０３は、レーザ発振によるパルスのレーザ光１０を出射するものである。レーザ発振器１０３は、例えば、エキシマレーザ又はＵＶ固体レーザを用いることができるが、本発明の一実施形態では、特に限定されない。レーザ発振器１０３は、レーザ光１０を照射する対象物や目的に対して適宜選択できる。例えば、マイクロＬＥＤをレーザリフトオフする場合には、固体ＵＶ（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：紫外線）領域のＹＡＧレーザ発振器により、第４高調波（ＦＨＧ：Ｆｏｕｒｔｈ－Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）である波長２６６ｎｍのピコ秒パルスレーザを使用することが好ましい。また、マイクロＬＥＤをリフトオフする場合には、エキシマレーザを用いたＵＶ波長を用いることが好ましい。マイクロＬＥＤを回路基板等に接合する場合には、半導体レーザとして９００ｎｍ～１２００ｎｍのＩＲレーザを用いることが好ましい。

ミラー１０４は、レーザ光１０の光路上に配置され、レーザ光１０の光路を変更するものである。ミラー１０４は、レーザ発振器１０３から出射されたレーザ光１０を反射させて、分岐素子１０５に向かうように光路を変更する。

分岐素子１０５は、レーザ光１０の光路を第１の光路と、第１の光路とは異なる第２の光路とに分岐させる機能を有する。図１では、第１の光路は、第１の方向Ｄ１に沿っており、第２の光路は、第２の方向Ｄ２に沿っている。また、分岐素子１０５として、例えば、ビームスプリッタを用いる。図１に示す実線のレーザ光１０は、分岐素子１０５により分岐された第１の光路について示しており、点線のレーザ光１０は、分岐素子１０５により分岐された第２の光路について示している。

また、レーザ加工装置１００は、図１に図示しないが、分岐素子１０５によって分岐された第１の光路のレーザ光１０及び第２の光路のレーザ光１０のいずれかを選択するシャッターを有していてもよい。シャッターは、分岐素子１０５とレーザ光学系１０７＿１との間、及び分岐素子１０５とレーザ光学系１０７＿２との間に設けられていてもよい。また、シャッターは、分岐素子１０５とレーザ光学系１０７の間において、分岐素子１０５とミラー１０６＿１、１０６＿２との間に設けられていても良いし、ミラー１０６＿１、１０６＿２とレーザ光学系１０７＿１、１０７＿２との間に設けられていても良い。または、シャッターは、レーザ光学系１０７＿１及びレーザ光学系１０７＿２の内部にそれぞれ設けられていてもよい。シャッターが開状態の場合はレーザ光１０が通過し、シャッターが閉状態の場合はレーザ光１０が遮断される。例えば、分岐素子１０５とレーザ光学系１０７＿１との間に設けられたシャッターが開状態であり、分岐素子１０５とレーザ光学系１０７＿２との間に設けられたシャッターが閉状態の場合は、第１の光路のレーザ光１０が選択された状態となる。したがって、シャッターは、分岐素子１０５によって分岐された第１の光路のレーザ光１０及び第２の光路のレーザ光１０のいずれかを選択することができれば、配置される位置については特に限定されない。

また、本発明の一実施形態において、分岐素子１０５に代えて切替素子を用いてもよい。切替素子は、レーザ光１０の光路を第１の光路と第２の光路とを切り替える機能を有する。切替素子として、例えば、ミラーを用いる。なお、分岐素子１０５に代えて切替素子を用いる場合にも、上述したシャッターは用いてもよいし、用いなくてもよい。

ステージ制御部１０８＿１は、制御部１０１及びステージ１０９＿１と接続され、ステージ制御部１０８＿２は、制御部１０１及びステージ１０９＿２と接続される。ステージ制御部１０８＿１は、制御部１０１から出力される制御信号に応じて、被加工物２００＿１の搬送や位置決めをするステージ１０９＿１の移動を制御する。同様に、ステージ制御部１０８＿２は、制御部１０１から出力される制御信号に応じて、被加工物２００＿２の搬送や位置決めをするステージ１０９＿２の移動を制御する。図１においては、ステージ１０９＿１、１０９＿２のそれぞれは、２つのステージ制御部１０８＿１、１０８＿２によって制御される例について示すが、１つのステージ制御部１０８によって、２つのステージ１０９＿１、１０９＿２を制御してもよい。ステージ１０９＿１、１０９＿２は、例えば、ステージの面内方向の位置決め制御を可能とするＸＹθステージである。

ミラー１０６は、レーザ光１０の第１の光路もしくは第２の光路を、レーザ光学系１０７に向かうようにさらに光路を変更させる。ミラー１０６＿１は、分岐素子１０５から射出されたレーザ光１０の第１の光路を、第３の方向Ｄ３に偏向する。また、ミラー１０６＿２は、分岐素子１０５から射出された第２の光路を、第３の方向Ｄ３に偏向する。なお、ミラー１０４、１０６は、分岐素子１０５が配置される位置に応じて、配置を変更しても良いし、適宜省略してもよい。

レーザ光学系１０７＿１は、レーザ光１０を、ステージ１０９＿１に載置された被加工物２００＿１に照射する。同様に、レーザ光学系１０７＿２は、レーザ光１０を、ステージ１０９＿２に載置された被加工物２００＿２に照射する。なお、レーザ光学系１０７＿１、１０７＿２の構成については、図２を参照して詳細に説明する。

図２は、レーザ光学系１０７＿１、１０７＿２の構成を説明する斜視図である。レーザ光学系１０７＿１、１０７＿２の近傍には、ミラー１０６＿１、１０６＿２が設けられている。レーザ光学系１０７＿１は、ガルバノスキャナ１７０＿１及び集光レンズ１７５＿１の少なくとも一方を有する。同様に、レーザ光学系１０７＿２は、ガルバノスキャナ１７０＿２及び集光レンズ１７５＿２の少なくとも一方を有する。図２は、レーザ光学系１０７＿１がガルバノスキャナ１７０＿１及び集光レンズ１７５＿１の双方を有しており、レーザ光学系１０７＿２がガルバノスキャナ１７０＿２及び集光レンズ１７５＿２の双方を有する構成を示している。

ガルバノスキャナ１７０＿１は、Ｘスキャンミラー１７１＿１と、Ｘスキャンミラー１７１＿１を制御するＸ軸モータ１７２＿１と、Ｙスキャンミラー１７３＿１と、Ｙスキャンミラー１７３＿１を制御するＹ軸モータ１７４＿１を有する。同様に、ガルバノスキャナ１７０＿２は、Ｘスキャンミラー１７１＿２と、Ｘスキャンミラー１７１＿２を制御するＸ軸モータ１７２＿２と、Ｙスキャンミラー１７３＿２と、Ｙスキャンミラー１７３＿２を制御するＹ軸モータ１７４＿２を有する。Ｘ軸モータ１７２＿１、１７２＿２及びＹ軸モータ１７４＿１、１７４＿２は、制御部１０１によって制御される。Ｘスキャンミラー１７１＿１、１７２＿２をＸ方向に走査することで、レーザ光１０をＸ方向に走査させることができる。Ｙスキャンミラー１７３＿１、１７４＿２をＹ方向に走査させることで、レーザ光１０をＹ方向に走査させることができる。Ｘスキャンミラー１７１＿１、１７１＿２及びＹスキャンミラー１７３＿１、１７３＿２を走査させることで、被加工物２００＿１、２００＿２の照射エリア全体にレーザ光１０を照射させることができる。ここで、照射エリアとは、ステージ１０９が固定された状態で、レーザ光学系１０７が被加工物２００に対して、レーザ光１０を照射することができる範囲をいう。照射エリアは、例えば、１００ｍｍ^２の範囲であるが、照射エリアの範囲はこれに限るものではない。したがって、被加工物２００の面積が大きい場合には、被加工物２００に照射エリアが複数存在し得る。さらには、ガルバノスキャナ１７０と被加工物２００との間に、マスクを設け、マスクにて照射領域を定めるものであっても良い。

集光レンズ１７５＿１、１７５＿２は、例えば、ｆθレンズである。集光レンズ１７５＿１は、Ｙスキャンミラー１７３を反射したレーザ光１０を集光し、ステージ１０９＿１上に配置された被加工物２００＿１の表面にレーザ光１０を照射する。同様に、集光レンズ１７５＿２は、Ｙスキャンミラー１７３＿２を反射したレーザ光１０を集光し、ステージ１０９＿２上に配置された被加工物２００＿２の表面にレーザ光１０を照射する。

＜被加工物＞
次に、本実施形態における被加工物２００の一例について、図３Ａ及び図３Ｂを参照して説明する。

図３Ａは、本実施形態における被加工物２００の一例を示す平面図である。被加工物２００は、サファイア基板２０１の一方の面に形成された複数のマイクロＬＥＤ２１１を含む。ここで、サファイア基板２０１は、円盤形状であり、直径は、２～８インチのいずれであってもよい。なお、円盤形状については、一部がカットされた形状が含まれていてもよい。サファイア基板２０１の厚みは、例えば、０．２ｍｍである。また、マイクロＬＥＤ２１１のサイズは、例えば、縦、横、及び高さがそれぞれ３μｍ～３００μｍである。一例として、２０μｍ（横）×２０μｍ（縦）で、高さが１０μｍである。他の一例として、５μｍ（横）×５μｍ（縦）で高さが３μｍである。

図３Ｂは、図３Ａに示す被加工物２００をＡ１－Ａ２線に沿って切断した断面図である。被加工物２００は、サファイア基板２０１とマイクロＬＥＤ２１１との間に境界部２１２を有する。境界部２１２は、レーザリフトオフをする際の剥離層である。サファイア基板２０１の他方の面側から境界部２１２に、レーザ光の焦点位置を合わせて、レーザアブレーションにより、境界部２１２においてマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離することができる。以降の説明において、サファイア基板２０１は、マイクロＬＥＤ２１１が形成された一方の面はステージ１０９側、他方の面はレーザ光学系１０７側となるように配置される。

＜製造装置の動作＞
次に、上記の通り構成されたレーザ加工装置１００の動作について、図１、図４～図６を参照して説明する。図４は、図１に示すレーザ光１０の光路として第１の光路が選択されている場合を示す図であり、図５は、図１に示すレーザ光１０の光路として第２の光路が選択されている場合を示す図である。また、図６は、レーザ加工装置１００の動作を説明するタイミングチャートである。

ここでは、被加工物２００＿１、２００＿２は、サファイア基板２０１にマイクロＬＥＤ２１１が形成されたものである。サファイア基板２０１にレーザ光１０を照射することで、サファイア基板２０１からマイクロＬＥＤ２１１を分離する方法について説明する。また、サファイア基板２０１＿１、２０１＿２はそれぞれ、複数の照射エリアを有している。

時間Ｔ０において、図１に示すように構成されたレーザ加工装置１００のステージ１０９＿１に被加工物２００＿１がセッティングされる。被加工物２００＿１はサファイア基板２０１＿１の他方の面、つまりマイクロＬＥＤ２１１が形成されていない面が上面となるようにステージ１０９＿１上に配置される。同様に、ステージ１０９＿２に被加工物２００＿２がセッティングされる。被加工物２００＿２はサファイア基板２０１＿２の他方の面、つまりマイクロＬＥＤ２１１が形成されていない面が上面となるようにステージ１０９＿２上に配置される。

時間Ｔ１において、制御部１０１から受信した制御信号により、レーザ光学系１０７＿１において、Ｚ方向に集光レンズ１７５＿１の集光位置を被加工物２００＿１の境界部２１２に合わせる。制御部１０１からの制御信号に応じて、ステージ制御部１０８＿１はステージ１０９＿１をＸ方向及びＹ方向に移動させて、照射エリア２１０＿１の位置決めをする。次に、制御部１０１からの制御信号に応じて、ガルバノスキャナ１７０＿１はＸ軸モータ１７２＿１及びＹ軸モータ１７４＿１を制御して、Ｘスキャンミラー１７１＿１及びＹスキャンミラー１７３＿１を制御する。これにより、被加工物２００＿１に最初にレーザ光１０が照射される位置が決定される。照射エリア２１０＿１は、最初にレーザ光１０が照射される位置を基準とした所定の領域である。

時間Ｔ２において、ステージ１０９＿１及びレーザ光学系１０７＿１の位置決めが完了すると、レーザ発振器１０３からレーザ光１０が出射される。出射されたレーザ光１０は、ミラー１０４によって反射されて、分岐素子１０５によって第１の光路及び第２の光路に分岐される。ここで、第２の光路のレーザ光１０は閉状態のシャッターにより遮断される。第１の光路のレーザ光１０は、開状態のシャッターを通過して、ミラー１０６＿１によって反射される。そして、図４に示すように、ミラー１０６＿１によって反射されたレーザ光１０は、レーザ光学系１０７＿１に入射する。レーザ光学系１０７＿１は、レーザ光１０をＸスキャンミラー１７１＿１、Ｙスキャンミラー１７３＿１によって偏向して、集光レンズ１７５＿１によって被加工物２００＿１で集光する。

被加工物２００＿１において、サファイア基板２０１とマイクロＬＥＤ２１１との間の境界部２１２に、レーザ光１０が照射されると、境界部２１２でマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離することができる。

その後、レーザ光学系１０７＿１は、照射エリア２１０＿１内をＸ方向及びＹ方向にレーザ光１０を移動させながら照射する。照射エリア２１０＿１内に、マイクロＬＥＤ２１１が、例えば、横２０個、縦２０個などと縦横に複数個配置されている場合には、これら全てのマイクロＬＥＤ２１１に対してレーザ光１０を照射して、マイクロＬＥＤ２１１を分離する。これにより、照射エリア２１０＿１内に配置された複数のマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離することができる。照射エリア２１０＿１内における全てのマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させることが完了すると、制御部１０１はレーザ光学系１０７＿１からのレーザ光の照射を停止させる。

時間Ｔ２において、レーザ光学系１０７＿１が、照射エリア２１０＿１内に配置された複数のマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させている間に、制御部１０１は、レーザ光学系１０７＿２及びステージ１０９＿２の位置決めを行う。

制御部１０１から受信した制御信号により、レーザ光学系１０７＿２において、レーザ光学系１０７＿１と同様に、Ｚ方向に集光レンズ１７５＿２の集光位置を被加工物２００＿２の境界部２１２に合わせる。制御部１０１からの制御信号に応じて、ステージ制御部１０８＿２はステージ１０９＿２をＸ方向及びＹ方向に移動させて、照射エリア２２０＿１の位置決めをする。次に、制御部１０１からの制御信号に応じて、ガルバノスキャナ１７０＿２はＸ軸モータ１７２＿２及びＹ軸モータ１７４＿２を制御して、Ｘスキャンミラー１７１＿２及びＹスキャンミラー１７３＿２を制御する。これにより、被加工物２００＿２に最初にレーザ光１０が照射される位置が決定される。照射エリア２２０＿１は、最初にレーザ光１０が照射される位置を基準とした所定の領域である。

時間Ｔ３において、レーザ光１０の光路を、第１の光路から第２の光路に切り替える。ここで、第１の光路のレーザ光１０は、閉状態のシャッターにより遮断される。第２の光路のレーザ光１０は、ミラーに１０６＿２に向かって直進し、さらにミラー１０６＿２によって反射される。そして、図５に示すように、ミラー１０６＿２によって反射されたレーザ光１０は、レーザ光学系１０７＿２に入射する。レーザ光学系１０７＿２は、レーザ光１０をＸスキャンミラー１７１＿２、Ｙスキャンミラー１７３＿２によって偏向して、集光レンズ１７５＿２によって被加工物２００＿２で集光する。

なお、時間Ｔ２において、レーザ光学系１０７＿１が、照射エリア２１０内に配置された複数のマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させている間に、レーザ光学系１０７＿２及びステージ１０９＿２の位置決めが完了している場合には、直ちに、レーザ光１０の光路を選択することができるため好ましい。これに対し、レーザ光学系１０７＿１が、照射エリア２１０内に配置された複数のマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させている間に、レーザ光学系１０７＿２及びステージ１０９＿２の位置決めが完了していない場合には、レーザ発振器１０３からレーザ光１０の出射を一時的に停止してもよい。この場合、レーザ光学系１０７＿２及びステージ１０９＿２の位置決めが完了したら、レーザ光１０の光路を第１の光路から第２の光路に切り替えて、再度、レーザ発振器からレーザ光を出射すればよい。

レーザ光学系１０７＿２は、照射エリア２２０＿１内をＸ方向及びＹ方向にレーザ光１０を移動させながら照射する。照射エリア２２０＿１内に、マイクロＬＥＤ２１１が縦横に複数個配置されている場合には、これら全てのマイクロＬＥＤ２１１に対して、レーザ光１０を照射して、マイクロＬＥＤ２１１を分離する。これにより、照射エリア２２０＿１内に配置された複数のマイクロＬＥＤ２１１の全てをサファイア基板２０１から分離することができる。照射エリア２２０＿１内における全てのマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させることが完了すると、制御部１０１はレーザ光学系１０７＿２からのレーザ光の照射を停止させる。

時間Ｔ３において、レーザ光学系１０７＿２が、照射エリア２２０＿１内に配置された複数のＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させている間に、制御部１０１は、照射エリア２１０＿１に隣接する照射エリア２１０＿２に対してレーザ光学系１０７＿１及びステージ１０９＿１の位置決めを行う。図５において、照射エリア２１０＿２は、照射エリア２１０＿１に対して、Ｘ方向に隣接する照射エリアである場合について示すが、Ｙ方向に隣接する照射エリアであってもよい。

図６において、時間Ｔ４及び時間Ｔ６における動作については、時間Ｔ２の記載を参照すればよく、時間Ｔ５における動作については、時間Ｔ３の記載を参照すればよい。レーザ加工装置１００は、時間Ｔ４以降、被加工物２００＿１が有する複数の照射エリア２１０の全て及び被加工物２００＿２が有する複数の照射エリア２２０の全てに対してレーザ光１０を照射して、サファイア基板に形成された全てのマイクロＬＥＤ２１１が分離されるまで、上記の動作を繰り返す。

本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置１００によれば、複数のレーザ光学系１０７＿１、１０７＿２を有するため、一方のレーザ光学系に対応する被加工物２００にレーザ光を照射している間に、他方のレーザ光学系に対応する被加工物２００が配置される位置にステージ１０９を移動させることができる。その後、一方のレーザ光学系１０７に対応する被加工物２００の照射エリア内へのレーザ光１０の照射が完了したら、レーザ光１０が進行する方向を変更して、他方のレーザ光学系１０７に対応する被加工物２００の照射エリア内へのレーザ光１０の照射を開始する。他方のレーザ光学系１０７に対応する被加工物２００にレーザ光１０を照射している間に、一方のレーザ光学系１０７に対応する被加工物２００の照射エリアにステージ１０９を移動させることができる。これにより、大面積の基板に形成された画素をレーザ光で加工する際にかかる生産効率を向上させることができる。

以上説明した通り、本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置１００は、２つの被加工物２００＿１、２００＿２の照射エリア２１０＿１、２２０＿１、２１０＿２というように、交互にレーザを照射することができるため、タクトタイムを減少させることができる。また、複数の被加工物２００＿１、２００＿２に対してほぼ同時に処理を行うことが可能である。また、一つのレーザ発振器１０３に対して、複数の被加工物２００＿１、２００＿２を処理することができる。これにより、レーザ発振器１０３を増やす場合と比較して、大幅に装置コストを減少させることができる。

本実施形態では、１つのレーザ発振器１０３に対して、２つのレーザ光学系１０７＿１、１０７＿２及びステージ１０９＿１、１０９＿２を用いる場合について説明したが、本発明の一実施形態はこれに限定されない。１つのレーザ発振器１０３に対して、３つ以上のレーザ光学系１０７及び３つ以上のステージ１０９を用いてもよい。３つのレーザ光学系を用いる場合には、例えば、分岐素子１０５により分岐されたレーザ光に対してさらに分岐素子を用いて、レーザ光を２つに分割させる。そして、分割されたレーザ光のそれぞれを、２つのレーザ光学系１０７に入射させる。このとき、上述の２つのレーザ光学系１０７は、同じ動作をすることが好ましい。また、上述の２つのレーザ光学系１０７は、第２状態の分岐素子１０５を反射したレーザ光１０が入射されるレーザ光学系１０７と交互に動作させることが好ましい。

また、本実施形態では、レーザ加工装置１００を、サファイア基板２０１に形成されたマイクロＬＥＤ２１１をレーザ光によって分離する工程に適用する場合について説明したが、本発明の一実施形態はこれに限定されない。例えば、マイクロＬＥＤ表示装置の製造工程において、トランジスタが形成された回路基板に、マイクロＬＥＤを接合する工程に適用してもよい。具体的には、レーザ加工装置１００を、トランジスタが形成された回路基板に、分離されたマイクロＬＥＤを搭載して、マイクロＬＥＤの端子とトランジスタの端子とを、レーザ光により接合する工程に適用してもよい。

＜第２実施形態＞
本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置１００Ａの構成、及びその駆動方法について、図７～図１０を参照して説明する。以降の説明において、レーザ加工装置１００と同一部分又は同様な機能を有する部分には、同様な符号を付し、繰り返しの説明は省略する。

＜製造装置の概略構成＞
図７は、本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置１００Ａの概略構成を説明するブロック図である。レーザ加工装置１００Ａは、制御部１０１、レーザ発振器１０３＿１、１０３＿２、分岐素子１０５＿１、１０５＿２、レーザ光学系１０７＿１～１０７＿４、及びステージ制御部１０８＿１～１０８＿４を有する。また、レーザ加工装置１００Ａは、この他に、レーザ制御部１０２＿１、１０２＿２、ミラー１０４＿１、１０４＿２、ミラー１０６＿１～１０６＿４、ステージ１０９＿１～１０９＿４を有する。なお、レーザ加工装置１００Ａの構成要素について、レーザ発振器１０３＿１、分岐素子１０５＿１、レーザ制御部１０２＿１、ミラー１０４＿１、ミラー１０６＿１、１０６＿２については、第１実施形態において説明したレーザ発振器１０３、分岐素子１０５、レーザ制御部１０２、ミラー１０４、ミラー１０６と同様である。

レーザ制御部１０２＿２は、制御部１０１からの制御信号を受信することにより、レーザ出力値を設置して、レーザ発振器１０３＿２に電源を供給する。

レーザ発振器１０３＿２は、レーザ発振によるパルスのレーザ光２０を出射するものである。レーザ発振器１０３＿２は、例えば、エキシマレーザ又はＵＶ固体レーザを用いることができるが、本発明の一実施形態では、特に限定されない。レーザ発振器１０３＿２は、レーザ光２０を照射する対象物や目的に対して適宜選択できる。例えば、マイクロＬＥＤをレーザリフトオフする場合には、例えば、固体ＵＶ（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：紫外線）領域のＹＡＧレーザ発振器により、第４高調波（ＦＨＧ：Ｆｏｕｒｔｈ－Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）である波長２６６ｎｍのピコ秒パルスレーザを使用することが好ましい。また、マイクロＬＥＤをリフトオフする場合には、エキシマレーザを用いたＵＶ波長を用いることが好ましい。マイクロＬＥＤを回路基板等に接合する場合には、半導体レーザとして９００ｎｍ～１２００ｎｍのＩＲレーザを用いることが好ましい。本実施形態では、被加工物２００＿１～２００＿４に対して、レーザリフトオフするため、レーザ発振器１０３＿１、１０３＿２として、同じレーザ光源を用いることが好ましい。

ミラー１０４＿２は、レーザ光１０の光路上に配置され、レーザ光２０の光路を変更するものである。ミラー１０４＿２は、レーザ発振器１０３＿２から出射されたレーザ光２０を反射させて、分岐素子１０５＿２に向かうように光路を変更する。

分岐素子１０５＿２は、レーザ光２０の光路を第３の光路と、第３の光路とは異なる第４の光路とに分岐させる機能を有する。図７では、第３の光路は、第２の方向Ｄ２に沿っており、第４の光路は、第１の方向Ｄ１に沿っている。また、分岐素子１０５＿２として、例えば、ビームスプリッタを用いる。図７に示す実線のレーザ光２０は、分岐素子１０５＿２により分岐された第３の光路について示しており、点線のレーザ光２０は、分岐素子１０５＿２により分岐された第４の光路について示している。

また、レーザ加工装置１００Ａは、図７に図示しないが、分岐素子１０５＿２によって分岐された第３の光路のレーザ光２０及び第４の光路のレーザ光２０のいずれかを選択するシャッターを有していてもよい。シャッターは、分岐素子１０５＿２とレーザ光学系１０７＿３との間、及び分岐素子１０５＿２とレーザ光学系１０７＿４との間に設けられていてもよい。また、シャッターは、分岐素子１０５＿２とレーザ光学系１０７＿４の間において、分岐素子１０５＿２とミラー１０６＿３及び１０６＿４との間に設けられていても良いし、ミラー１０６＿３及びミラー１０４＿４とレーザ光学系１０７＿３及び１０７＿４との間に設けられていても良い。または、シャッターは、レーザ光学系１０７＿３及びレーザ光学系１０７＿４の内部にそれぞれ設けられていてもよい。シャッターが開状態の場合はレーザ光２０が通過し、シャッターが閉状態の場合はレーザ光２０が遮断される。例えば、分岐素子１０５＿２とレーザ光学系１０７＿３との間に設けられたシャッターが開状態であり、分岐素子１０５＿２とレーザ光学系１０７＿４との間に設けられたシャッターが閉状態の場合は、第３の光路のレーザ光２０が選択された状態となる。シャッターは、分岐素子１０５＿２によって分岐された第３の光路のレーザ光２０及び第４の光路のレーザ光２０のいずれかを選択することができれば、配置される位置については特に限定されない。

また、本発明の一実施形態において、分岐素子１０５＿２に代えて切替素子を用いてもよい。切替素子は、レーザ光２０の光路を第３の光路と第４の光路とを切り替える機能を有する。切替素子として、例えば、ミラーを用いる。なお、分岐素子１０５＿２に代えて切替素子を用いる場合には、上述したシャッターは用いなくてもよい。

ステージ制御部１０８＿３は、制御部１０１及びステージ１０９＿３と接続され、ステージ１０９＿３は、制御部１０１及びステージ１０９＿３と接続される。ステージ制御部１０８＿３は、制御部１０１から出力される制御信号に応じて、被加工物２００＿３の搬送や位置決めをするステージ１０９＿３の移動を制御する。同様に、ステージ制御部１０８＿４は、制御部１０１から出力される制御信号に応じて、被加工物２００＿４の搬送や位置決めをするステージ１０９＿４の移動を制御する。図７においては、ステージ１０９＿１～１０９＿４のそれぞれは、４つのステージ制御部１０８＿１～１０８＿４によって制御される例について示すが、１つのステージ制御部１０８によって、ステージ１０９＿１～１０９＿４を制御してもよい。ステージ１０９＿３、１０９＿４は、例えば、ステージの面内方向の位置決め制御を可能とするＸＹθステージである。

ミラー１０６＿３は、レーザ光２０の第３の光路をレーザ光学系１０７＿３に向かうように、第３の方向Ｄ３に変更させる。また、ミラー１０６＿４は、レーザ光２０の第４の光路をレーザ光学系１０７＿４に向かうように、第３の方向Ｄ３に変更させる。なお、ミラー１０４＿２、１０６＿３、１０６＿４は、分岐素子１０５＿２が配置される位置に応じて、配置を変更しても良いし、適宜省略してもよい。

レーザ光学系１０７＿３は、レーザ光２０を、ステージ１０９＿３に載置された被加工物２００＿３に照射する。同様に、レーザ光学系１０７＿４は、レーザ光２０を、ステージ１０９＿４に載置された被加工物２００＿４に照射する。なお、レーザ光学系１０７＿３、１０７＿４の構成については、図８に示す通りである。

図８は、レーザ光学系１０７＿３、１０７＿４の構成を説明する斜視図である。レーザ光学系１０７＿３は、ガルバノスキャナ１７０＿３及び集光レンズ１７５＿３の少なくとも一方を有する。同様に、レーザ光学系１０７＿４は、ガルバノスキャナ１７０＿４及び集光レンズ１７５＿４の少なくとも一方を有する。図８は、レーザ光学系１０７＿３がガルバノスキャナ１７０＿３及び集光レンズ１７５＿３の双方を有しており、レーザ光学系１０７＿４がガルバノスキャナ１７０＿４及び集光レンズ１７５＿４の双方を有する構成を示している。レーザ光学系１０７＿３、１０７＿４の構成については、図２に記載のレーザ光学系１０７＿１、１０７＿２の構成の説明を参照すればよい。

＜製造装置の動作＞
次に、上記の通り構成されたレーザ加工装置１００の動作について、図７～図９を参照して説明する。図９は、レーザ加工装置１００の動作を説明するタイミングチャートである。本実施形態では、制御部１０１が、ステージ１０９＿１、１０９＿３及びレーザ光学系１０７＿１、１０７＿３を同時に制御し、ステージ１０９＿２、１０９＿４及びレーザ光学系１０７＿２、１０７＿４を同時に制御する方法について説明する。なお、ステージ１０９＿１、１０９＿２、及びレーザ光学系１０７＿１、１０７＿２の動作については、図６に示すタイミングチャートと同様であるため、適宜説明を省略する。

ここでは、被加工物２００＿３、２００＿４は、サファイア基板２０１にマイクロＬＥＤ２１１が形成されたものである。サファイア基板２０１にレーザ光１０を照射することで、サファイア基板２０１からマイクロＬＥＤ２１１を分離する方法について説明する。また、サファイア基板２０１＿３、２０１＿４はそれぞれ、複数の照射エリアを有している。

時間Ｔ０において、図７に示すように構成されたレーザ加工装置１００Ａのステージ１０９＿３に被加工物２００＿３がセッティングされる。被加工物２００＿３はサファイア基板２０１＿３の他方の面、つまりマイクロＬＥＤ２１１が形成されていない面が上面となるようにステージ１０９＿３上に配置される。同様に、ステージ１０９＿４に被加工物２００＿４がセッティングされる。被加工物２００＿４はサファイア基板２０１＿４の他方の面、つまりマイクロＬＥＤ２１１が形成されていない面が上面となるようにステージ１０９＿４上に配置される。

時間Ｔ１において、制御部１０１から受信した制御信号により、レーザ光学系１０７＿３において、Ｚ方向に集光レンズ１７５＿３の集光位置を被加工物２００＿３の境界部２１２に合わせる。制御部１０１からの制御信号に応じて、ステージ制御部１０８＿３はステージ１０９＿３をＸ方向及びＹ方向に移動させて、照射エリア２３０＿１の位置決めをする。次に、制御部１０１からの制御信号に応じて、ガルバノスキャナ１７０＿３はＸ軸モータ１７２＿３及びＹ軸モータ１７４＿３を制御して、Ｘスキャンミラー１７１＿３及びＹスキャンミラー１７３＿３を制御する。これにより、被加工物２００＿３に最初にレーザ光２０が照射される位置が決定される。照射エリア２３０＿１は、最初にレーザ光２０が照射される位置を基準とした所定の領域である。

時間Ｔ２において、ステージ１０９＿３及びレーザ光学系１０７＿３の位置決めが完了すると、レーザ発振器１０３＿２からレーザ光２０が出射される。出射されたレーザ光２０は、ミラー１０４＿２によって反射されて、分岐素子１０５＿２によって第３の光路及び第４の光路に分岐される。ここで、第４の光路のレーザ光２０は閉状態のシャッターにより遮断される。第３の光路のレーザ光２０は、開状態のシャッターを通過して、ミラー１０６＿３によって反射される。そして、ミラー１０６＿３によって反射されたレーザ光２０は、レーザ光学系１０７＿３に入射する。レーザ光学系１０７＿３は、レーザ光２０をＸスキャンミラー１７１＿３、Ｙスキャンミラー１７３＿３によって偏向して、集光レンズ１７５＿３によって被加工物２００＿３で集光する。

被加工物２００＿３において、サファイア基板２０１とマイクロＬＥＤ２１１との間の境界部２１２に、レーザ光２０が照射されると、マイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離することができる。

その後、レーザ光学系１０７＿３は、照射エリア２３０＿１内をＸ方向及びＹ方向にレーザ光２０を移動させながら照射する。照射エリア２３０＿１内に、マイクロＬＥＤ２１１が、縦横に複数個配置されている場合には、これら全てのマイクロＬＥＤ２１１に対して、レーザ光２０を照射して、マイクロＬＥＤ２１１を分離する。これにより、照射エリア２３０＿１内に配置された複数のマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離することができる。照射エリア２３０＿１内における全てのマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させることが完了すると、制御部１０１は、レーザ光学系１０７＿３のレーザ光２０からのレーザ光の照射を停止させる。

時間Ｔ２において、レーザ光学系１０７＿３が、照射エリア２３０＿１内に配置された複数のマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させている間に、制御部１０１は、レーザ光学系１０７＿４及びステージ１０９＿４の位置決めを行う。

制御部１０１から受信した制御信号により、レーザ光学系１０７＿４において、レーザ光学系１０７＿３と同様に、Ｚ方向に集光レンズ１７５＿２の集光位置を被加工物２００＿４の境界部２１２に合わせる。制御部１０１からの制御信号に応じて、ステージ制御部１０８＿４はステージ１０９＿４をＸ方向及びＹ方向に移動させて、照射エリア２４０＿１の位置決めをする。次に、制御部１０１からの制御信号に応じて、ガルバノスキャナ１７０＿４はＸ軸モータ１７２＿４及びＹ軸モータ１７４＿４を制御して、Ｘスキャンミラー１７１＿４及びＹスキャンミラー１７３＿４を制御する。これにより、被加工物２００＿４に最初にレーザ光２０が照射される位置が決定される。照射エリア２４０＿１は、最初にレーザ光２０が照射される位置を基準とした所定の領域である。

時間Ｔ３において、レーザ光２０の光路を、第３の光路から第４の光路に切り替える。ここで、第３の光路のレーザ光２０は、閉状態のシャッターにより遮断される。第４の光路のレーザ光２０は、ミラー１０６＿４に向かって直進し、さらにミラー１０６＿４によって反射される。そのため、ミラー１０６＿４によって反射されたレーザ光２０は、レーザ光学系１０７＿４に入射する。レーザ光学系１０７＿４は、レーザ光２０をＸスキャンミラー１７１＿４、Ｙスキャンミラー１７３＿４によって偏向して、集光レンズ１７５＿４によって被加工物２００＿４で集光する。

レーザ光学系１０７＿４は、照射エリア２４０＿１内をＸ方向及びＹ方向にレーザ光１０を移動させながら照射する。照射エリア２４０＿１内に、マイクロＬＥＤ２１１が縦横に複数個配置されている場合には、これら全てのマイクロＬＥＤ２１１に対して、レーザ光１０を照射して、マイクロＬＥＤ２１１を分離する。これにより、照射エリア２４０＿１内に配置された複数のマイクロＬＥＤ２１１の全てをサファイア基板２０１から分離することができる。照射エリア２４０＿１内における全てのマイクロＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させることが完了すると、制御部１０１はレーザ光学系１０７＿４からのレーザ光の照射を停止させる。

時間Ｔ３において、レーザ光学系１０７＿４が、照射エリア２４０＿１内に配置された複数のＬＥＤ２１１をサファイア基板２０１から分離させている間に、制御部１０１は、照射エリア２３０＿１に隣接する照射エリア２３０＿２に対してレーザ光学系１０７＿３及びステージ１０９＿３の位置決めを行う。照射エリア２３０＿２は、照射エリア２３０＿１に対して、Ｘ方向に隣接する照射エリアである場合について示すが、Ｙ方向に隣接する照射エリアであってもよい。

図９において、時間Ｔ４及び時間Ｔ６における動作については、時間Ｔ２の記載を参照すればよく、時間Ｔ５における動作については、時間Ｔ３の記載を参照すればよい。レーザ加工装置１００Ａは、時間Ｔ４以降、被加工物２００＿３が有する複数の照射エリア２３０の全て及び被加工物２００＿４が有する照射エリア２４０の全てに対してレーザ光２０を照射して、サファイア基板に形成された全てのマイクロＬＥＤ２１１が分離されるまで、上記の動作を繰り返す。

本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置１００Ａによれば、２つのレーザ発振器１０３＿１、１０３＿２を有し、それぞれのレーザ発振器１０３＿１、１０３＿２に対して、複数のレーザ光学系１０７を同期させることができる。これにより、レーザ加工装置１００Ａは、一度に処理することができる被加工物２００の数を増加させることができるため、表示装置の生産効率が向上する。

なお、本実施形態では、ステージ１０９＿１、１０９＿３及びレーザ光学系１０７＿１、１０７＿３を同時に制御し、ステージ１０９＿２、１０９＿４及びレーザ光学系１０７＿２、１０７＿４を同時に制御する方法について説明したが、本発明の一実施形態はこれに限定されない。ステージ１０９＿１、１０９＿４及びレーザ光学系１０７＿１、１０７＿４を同時に制御し、ステージ１０９＿２、１０９＿３及びレーザ光学系１０７＿２、１０７＿３を同時に制御してもよい。

また、制御部１０１は、ステージ１０９＿１とステージ１０９＿２とを交互に制御し、ステージ１０９＿３とステージ１０９＿４とを交互に制御していればよく、レーザ光学系１０７＿１、１０７＿２とレーザ光学系１０７＿３、１０７＿４とを同期させて制御する必要はない。つまり、レーザ光学系１０７＿１、１０７＿２とレーザ光学系１０７＿３、１０７＿４とを、各々異なるタイミングで制御してもよい。

図１０は、レーザ加工装置１００Ａの動作を説明するタイミングチャートである。図１０に示すように、レーザ光１０が第１の光路と第２の光路とに切り替えられるタイミングと、レーザ光２０が第３の光路と第４の光路とに切り替えられるタイミングと、が異なっている。具体的には、レーザ光１０が、時間ｔ５において、第１の光路から第２の光路に切り替えられるのに対して、レーザ光２０は、時間ｔ６において第３の光路から第４の光路に切り替えられる。このように、レーザ光学系１０７＿１、１０７＿２とレーザ光学系１０７＿３、１０７＿４は、同期して動作しなくても良く、独立して動作してもよい。

本実施形態では、被加工物２００＿１～２００＿４に対し、レーザリフトオフをする場合したが、本発明の一実施形態はこれに限定されない。被加工物２００＿１、２００＿２には、レーザリフトオフをし、被加工物２００＿２、２００＿４に対して、レーザリフトオフ以外の処理をしてもよい。この場合には、被加工物２００＿１～２００＿４を処理する目的に応じて、レーザ発振器１０３＿２の光源と、レーザ発振器１０３＿１の光源とを異ならせてもよい。例えば、被加工物２００＿１、２００＿２に対し、マイクロＬＥＤをリフトオフする場合には、レーザ発振器１０３＿１、１０３＿２として、エキシマレーザを用いればよい。また、被加工物２００＿３、２００＿４に対し、マイクロＬＥＤを回路基板等に接合する場合には、半導体レーザを用いればよい。この場合に、レーザ光学系１０７＿１～１０７＿４及びステージ１０９＿１～１０９＿４を、図９に示すタイミングチャートで動作させてもよいし、図１０に示すタイミングチャートで動作させてもよい。

本発明の実施形態及び実施例として説明したレーザ加工装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。

また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

本発明の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に相当し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１０、２０：レーザ光、１００、１００Ａ：レーザ加工装置、１０１：制御部、１０２：レーザ制御部、１０３：レーザ発振器、１０４：ミラー、１０５：分岐素子、１０６：ミラー、１０７：レーザ光学系、１０８：ステージ制御部、１０９：ステージ、１７０：ガルバノスキャナ、１７１：Ｘスキャンミラー、１７２：Ｘ軸モータ、１７３：Ｙスキャンミラー、１７４：Ｙ軸モータ、１７５：集光レンズ、２００：被加工物、２０１：サファイア基板、２１０：照射エリア、２１１：マイクロＬＥＤ、２１２：境界部、２２０：照射エリア、２３０：照射エリア、２４０：照射エリア

Claims (14)

1. レーザ光を出射するレーザ発振器と、
   前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光の光路を第１の光路と、前記第１の光路とは異なる第２の光路に分岐させる第１分岐素子と、
   前記第１の光路上に配置された第１レーザ光学系と、
   前記第２の光路上に配置された第２レーザ光学系と、
   前記第１レーザ光学系から出射される第１レーザ光で加工される第１被加工物が載置される第１ステージと、
   前記第２レーザ光学系から出射される第２レーザ光で加工される第２被加工物が載置される第２ステージと、
   前記第１被加工物に対する前記第１レーザ光の照射位置及び前記第２被加工物に対する前記第２レーザ光の照射位置を制御するために、前記第１ステージ及び前記第２ステージの位置を制御するステージ制御部と、を有し、
   前記第１分岐素子により、前記第１の光路と前記第２の光路とが交互に切り替えられ、
   前記ステージ制御部は、前記第１の光路が選択されているとき前記第２ステージの位置を制御し、前記第２の光路が選択されているとき前記第１ステージの位置を制御する、
   レーザ加工装置。
2. 前記第１レーザ光学系は、第１ガルバノスキャナ及び第１集光レンズの少なくとも一方を有する、請求項１に記載のレーザ加工装置。
3. 前記第２レーザ光学系は、第２ガルバノスキャナ及び第２集光レンズの少なくとも一方を有する、請求項１に記載のレーザ加工装置。
4. 前記第１分岐素子は、ビームスプリッタである、請求項１に記載のレーザ加工装置。
5. 前記第１分岐素子に替えて、第１切替素子を用い、
   前記第１切替素子は、前記レーザ光の光路を前記第１の光路と、前記第２の光路とに切り替える、請求項１に記載のレーザ加工装置。
6. レーザ光を出射するレーザ発振器と、
   前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光の光路を第３の光路と、前記第３の光路とは異なる第４の光路に分岐させる第２分岐素子と、
   前記第３の光路上に配置された第３レーザ光学系と、
   前記第４の光路上に配置された第４レーザ光学系と、
   前記第３レーザ光学系から出射される第３レーザ光で加工される第３被加工物が載置される第３ステージと、
   前記第４レーザ光学系から出射される第４レーザ光で加工される第４被加工物が載置される第４ステージと、を有し、
   前記ステージ制御部は、前記第３被加工物に対する前記第３レーザ光の照射位置及び前記第４被加工物に対する前記第４レーザ光の照射位置を制御するために、前記第３ステージ及び前記第４ステージの位置を制御し、
   前記第２分岐素子により、前記第１の光路と前記第３の光路とが交互に切り替えられ、
   前記ステージ制御部は、前記第３の光路が選択されているとき前記第４ステージの位置を制御し、前記第４の光路が選択されているとき前記第３ステージの位置を制御する、請求項１に記載のレーザ加工装置。
7. 前記第２分岐素子に替えて、第２切替素子を用い、
   前記第２切替素子は、前記レーザ光の光路を前記第１の光路と、前記第２の光路とに切り替える、請求項６に記載のレーザ加工装置。
8. 第１レーザ発振器からレーザ光を出射し、
   前記第１レーザ発振器の光路上に配置された第１分岐素子により分岐された第１の光路及び前記第１の光路とは異なる第２の光路のうち、前記第１の光路が選択されているとき、第１レーザ光学系から射出される第１レーザ光を第１被加工物の照射位置に照射し、
   前記第２の光路が選択されているとき、第２レーザ光学系から射出される第２レーザ光を第２加工物の照射位置に照射し、
   前記第１の光路と前記第２の光路とは交互に切り替えられる、レーザ加工方法。
9. 前記第１レーザ光学系は、第１ガルバノスキャナ及び第１集光レンズの少なくとも一方を有する、請求項８に記載のレーザ加工方法。
10. 第２レーザ光学系は、第２ガルバノスキャナ及び第２集光レンズの少なくとも一方を有する、請求項８に記載のレーザ加工方法。
11. 前記第１分岐素子は、ビームスプリッタである、請求項８に記載のレーザ加工方法。
12. 前記第１分岐素子に替えて、第１切替素子を用い、
    前記第１切替素子は、前記レーザ光の光路を前記第１の光路と、前記第２の光路とに切り替える、請求項８に記載のレーザ加工方法。
13. 第２レーザ発振器からレーザ光を出射し、
    前記第２レーザ発振器の光路上に配置された第２分岐素子により分岐された第３の光路及び前記第３の光路とは異なる第４の光路のうち、前記第３の光路が選択されているとき、第３レーザ光学系から射出される第３レーザ光を第３被加工物の照射位置に照射し、
    前記第４の光路が選択されているとき、第４レーザ光学系から射出される第４レーザ光を第４加工物の照射位置に照射し、
    前記第３の光路と前記第４の光路とは交互に切り替えられる、請求項８に記載のレーザ加工方法。
14. 前記第２分岐素子に替えて、第２切替素子を用い、
    前記第２切替素子は、前記レーザ光の光路を前記第３の光路と、前記第４の光路とに切り替える、請求項１３に記載のレーザ加工方法。
    

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