CN103785957B - 激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法 - Google Patents

Abstract

激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法。以藉由单位脉冲光而形成在具有图案的基板的加工痕沿加工预定线位于离散处的方式照射激光，使龟裂从各个加工痕伸展的龟裂伸展加工将具有图案的基板单片化时的加工条件设定方法，具备：对具有图案的基板的一部分位置进行作为暂态加工的龟裂伸展加工的步骤；以及根据从在使焦点对准于具有图案的基板表面的状态下拍摄暂态加工执行位置而取得的第1摄影影像特定的从藉由暂态加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端位置坐标与从在使焦点对准于暂态加工时的激光的焦点位置的状态下拍摄暂态加工的执行位置而取得的第2摄影影像特定的暂态加工的加工痕的位置坐标的差分值，特定激光的照射位置的偏置方向。

Description

激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法

技术领域

本发明涉及一种在分割于单结晶基板上将多个单位图案二维地反复配置而成的具有图案的基板时设定加工条件的方法，特别是涉及一种激光加工装置的加工条件的设定方法。

背景技术

LED元件，例如是以下述流程制造，也即将在蓝宝石单结晶等基板(晶圆、母基板)上将LED元件的单位图案二维地反复形成而成的具有图案的基板(具有LED图案的基板)，以设为格子状的被称为切割道(Street)的分割预定区域加以分割并单片化(芯片化)。此处，所谓切割道是藉由分割而成为LED元件的两个部分的间隙部分的宽度狭窄区域。

作为这种分割用的手法，已有一种公知的手法，是藉由将脉冲宽度为psec等级的超短脉冲光的激光以各个单位脉冲光的被照射区域沿加工预定线位于离散处的条件加以照射，以沿形成加工预定线(通常为切割道中心位置)形成分割用的起点(参照例如专利文献1)。专利文献1所揭示的手法中，是藉由在各个单位脉冲光的被照射区域形成的加工痕之间产生因劈开或裂开而形成的龟裂伸展(裂痕伸展)，沿该龟裂分割基板，来实现单片化。

[先前技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2001-131256号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

如上述的具有图案的基板中，通常是沿与设于蓝宝石单结晶基板的定向平面(orientation flat)平行的方向及与此方向正交的方向配置单位图案而成。因此，这种具有图案的基板中，切割道是延伸于与定向平面(orientation flat)平行的方向及与此方向垂直的方向而成。

在以如专利文献1所揭示的手法分割这种具有图案的基板的情形，当然会沿平行于定向平面的切割道与垂直于定向平面的切割道照射激光。这种情形下，伴随激光的照射的自加工痕的龟裂的伸展不仅在也是加工预定线的延伸方向的激光的照射方向(扫描方向)产生，也在基板的厚度方向产生。

不过，相比较于在沿平行于定向平面的切割道照射激光时在基板厚度方向的龟裂伸展是从加工痕产生于垂直方向，当以相同照射条件沿垂直于定向平面的切割道照射激光时，龟裂并非在垂直方向而是伸展于从垂直方向倾斜的方向，这种差异已可由过去经验得知。而且，这种龟裂倾斜的方向，虽在相同的晶圆面内会一致，但有随各个具有图案的基板而不同的情形。

此外，作为用于具有图案的基板的蓝宝石单结晶基板，虽除了c面或a面等结晶面的面方位与主面法线方向一致以外有时会使用以在主面内垂直于定向平面的方向作为倾斜轴而使该些结晶面的面方位相对主面法线方向倾斜的所谓赋予倾斜角(off angle)的基板(亦称为off基板)，但上述的沿垂直于定向平面的切割道照射激光时的龟裂的倾斜不论是否是off基板均会产生，此点已由本发明的发明者确认。

另一方面，从LED元件的微小化或每一基板面积的撷取个数提升等的要求来看，切割道的宽度较窄是比较理想的。然而，当以这种切割道的宽度狭窄的具有图案的基板为对象适用专利文献1所揭示的手法时，垂直于定向平面的切割道，有可能产生倾斜而伸展的龟裂不位于该切割道的宽度内而到达邻接的作为LED元件的区域的不良情形。这种不良情形的产生，由于成为使LED元件的良率降低的要因，因此并非理想。

为了抑制这种良率的降低，虽必须在加工各个具有图案的基板时特定龟裂倾斜的方向，并对应于此来设定加工条件例如加工位置，但在LED元件的量产过程中，为了使加工生产性提升，被要求迅速地进行对各个具有图案的基板的加工条件的设定。

本发明有鉴于上述课题而完成，其目的在于提供一种新的激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法，所要解决的技术问题是使其能以将具有图案的基板良好地单片化的方式设定加工条件。

[解决问题的技术手段]

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种激光加工装置，其具备：射出源，射出激光；载台，能固定具有图案的基板，该具有图案的基板是在单结晶基板上将多个单位元件图案二维地反复配置而成；能藉由使前述射出源与前述载台相对移动以将前述激光一边沿既定的加工预定线扫描、一边照射于前述具有图案的基板，其中，能执行龟裂伸展加工，其是以藉由前述激光光的各个单位脉冲光而形成在前述具有图案的基板的加工痕沿前述加工预定线位于离散处的方式照射前述激光，使龟裂从各个前述加工痕在前述具有图案的基板伸展；且进一步具备摄影手段，能拍摄载置于前述载台的前述具有图案的基板；以及偏置条件设定手段，是设定偏置条件，该偏置条件是用以在前述龟裂伸 展加工时使前述激光的照射位置从前述加工预定线偏置；前述偏置条件设定手段，在将前述具有图案的基板的一部分位置设定为前述偏置条件设定用的前述龟裂伸展加工的执行位置，对前述执行位置进行前述偏置条件设定用的前述龟裂伸展加工即暂态加工后，使前述摄影手段拍摄在使焦点对准于前述具有图案的基板表面的状态下拍摄前述暂态加工的前述执行位置而取得第1摄影影像，且在使焦点对准于已进行前述暂态加工时的前述激光的焦点位置的状态下拍摄前述暂态加工的前述执行位置而取得第2摄影影像；根据从前述第1摄影影像特定的从藉由前述暂态加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端的位置坐标与根据从前述第2摄影影像特定的前述暂态加工的加工痕的位置坐标的差分值，在前述龟裂伸展加工时特定应使前述激光的照射位置偏置的方向。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的激光加工装置，其中，前述偏置条件设定手段，根据藉由在前述第1摄影影像与前述第2摄影影像的各个中沿前述暂态加工时的加工方向计算像素值而取得的计算设定档，特定在前述暂态加工时产生的前述龟裂的终端的位置坐标与前述暂态加工时的前述加工痕的位置坐标。

前述的激光加工装置，其中，前述偏置条件设定手段，是根据预先取得的作为前述龟裂开始点加工的对象的前述具有图案的基板的个体信息，决定在前述龟裂伸展加工时使前述激光的照射位置从前述加工预定线偏置时的偏置量。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种具有图案的基板的加工条件设定方法，是设定进行加工时的加工条件的方法，该加工是藉由对在单结晶基板上将多个单位元件图案二维地反复配置而成的具有图案的基板照射激光以将前述具有图案的基板单片化，其中，将前述具有图案的基板单片化的加工，是以藉由前述激光的各个单位脉冲光而形成于前述具有图案的基板的加工痕沿前述加工预定线位于离散处的方式照射前述激光，使龟裂从各个前述加工痕在前述具有图案的基板伸展的龟裂伸展加工；且具备：偏置条件设定步骤，是在前述龟裂开始点加工前，设定用以在前述龟裂伸展加工时使前述激光的照射位置从前述加工预定线偏置的偏置条件；前述偏置条件设定步骤，具备：暂态加工步骤，在将前述具有图案的基板的一部分位置设定为前述偏置条件设定用的前述龟裂伸展加工的执行位置，对前述执行位置进行前述偏置条件设定用的前述龟裂伸展加工即暂态加工；摄影步骤，使既定的摄影手段拍摄在使焦点对准于前述具有图案的基板表面的状态下拍摄前述暂态加工的前述执行位置而取得第1摄影影像，且在使焦点对准于已进行前述暂态加工时的前述激光的焦点位置的状态下拍摄前述暂态加工的前述执行位置 而取得第2摄影影像；以及偏置方向特定步骤，根据从前述第1摄影影像特定的从藉由前述暂态加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端的位置坐标与根据从前述第2摄影影像特定的前述暂态加工的加工痕的位置坐标的差分值，在前述龟裂伸展加工时特定应使前述激光的照射位置偏置的方向。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的具有图案的基板的加工条件设定方法，其中，前述偏置方向特定步骤中，根据藉由在前述第1摄影影像与前述第2摄影影像的各个中沿前述暂态加工时的加工方向计算像素值而取得的计算设定档，特定在前述暂态加工时产生的前述龟裂的终端的位置坐标与前述暂态加工时的前述加工痕的位置坐标。

前述的具有图案的基板的加工条件设定方法，其中，前述偏置条件设定步骤，进一步具备根据预先取得的作为前述龟裂开始点加工的对象的前述具有图案的基板的个体信息，决定在前述龟裂伸展加工时使前述激光的照射位置从前述加工预定线偏置时的偏置量。

[发明的效果]

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法至少具有下列优点及有益效果：由于在藉由龟裂伸展加工将具有图案的基板单片化时，在与定向平面正交的方向的加工中龟裂会倾斜的情形，能藉由在使激光的照射位置偏置后进行该龟裂伸展加工，因此可非常良好地抑制将设在具有图案的基板的构成各个元件芯片的单位图案单片化时产生的破坏。其结果是，提升了藉由将具有图案的基板单片化而取得的元件芯片的良率。

综上所述，提供能将具有图案的基板良好地单片化的加工条件设定方法。藉由以藉由单位脉冲光而形成在具有图案的基板的加工痕沿加工预定线位于离散处的方式照射激光，使龟裂从各个加工痕伸展的龟裂伸展加工将具有图案的基板单片化时的加工条件设定方法，具备：对具有图案的基板的一部分位置进行作为暂态加工的龟裂伸展加工的步骤；以及根据从在使焦点对准于具有图案的基板表面的状态下拍摄暂态加工执行位置而取得的第1摄影影像特定的从藉由暂态加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端位置坐标与从在使焦点对准于暂态加工时的激光的焦点位置的状态下拍摄暂态加工的执行位置而取得的第2摄影影像特定的暂态加工的加工痕的位置坐标的差分值，特定激光的照射位置的偏置方向。本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细说明如下。

附图说明

图1是概略显示用于被加工物的分割的激光加工装置100构成的示意图。

图2是用以说明龟裂伸展加工中的激光LB的照射形态的图。

图3(a)及图3(b)是具有图案的基板W的示意俯视图及部分放大图。

图4是显示沿加工预定线PL照射激光LB的情形的具有图案的基板W在垂直于Y方向的剖面的龟裂伸展的样子的图。

图5是显示使激光LB的照射位置IP1偏置而进行龟裂伸展加工的情形的具有图案的基板W在厚度方向的龟裂伸展的样子的示意剖面图。

图6是显示第1种形态的偏置条件的设定处理流程的图。

图7是例示暂态加工时的激光LB的照射位置IP1的图。

图8(a)及图8(b)是用以说明基于具有图案的基板W的摄影影像IM1的坐标X1的决定方法的图。

图9(a)及图9(b)是用以说明基于具有图案的基板W的摄影影像IM2的坐标X2的决定方法的图。

图10是显示第2种形态的偏置条件的设定处理流程的图。

1：控制器

4：载台

4m：移动机构

5：照射光学系统

6：上部观察光学系统

6a、16a：摄影机

6b、16b：监视器

7：上部照明系统

8：下部照明系统

10：被加工物

10a：保持片

11：吸引手段

100：激光加工装置

16：下部观察光学系统

51、71、81：半反射镜

52、82：聚光透镜

CR1、CR2：龟裂

IM1、IM2：摄影影像

IP1：激光的照射位置

L1：上部照明光

L2：下部照明光

LB：激光

M：加工痕

OF：定向平面

PL：加工预定线

S1：上部照明光源

S2：下部照明光源

SL：激光光源

ST：切割道

T1、T2：(龟裂)的终端

UP：单位图案

W：具有图案的基板

W1：单结晶基板

Wa、Wb：(具有图案的基板的)主面

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

<激光加工装置>

图1是概略显示可适用于本发明的实施形态的用于被加工物的分割的激光加工装置100构成的示意图。激光加工装置100主要具备进行装置内的各种动作(观察动作、对准动作、加工动作等)的控制的控制器1、将被加工物10载置于其上的载台4、以及将从激光光源SL射出的激光LB照射于被加工物10的照射光学系统5。

载台4主要由石英等在光学上为透明的材质构成。载台4能藉由例如吸引泵等吸引手段11将载置于其上面的被加工物10吸引固定。又，载台4能藉由移动机构4m移动于水平方向。此外，图1中，虽是对被加工物10贴附具有粘着性的保持片10a后以该保持片10a之侧作为被载置面而将被加工物10载置于载台4，但使用保持片10a的形态并非必须。

移动机构4m是藉由未图示的驱动手段的作用在水平面内使载台4移动于既定的XY二轴方向。藉此，实现观察位置的移动或激光照射位置的移动。此外，关于移动机构4m，若在以既定的旋转轴为中心的在水平面内的旋转 (θ旋转)动作也能与水平驱动进行，就进行对准等方面而言更佳。

照射光学系统5，具备激光光源SL、设置于省略图示的镜筒内的半反射镜51、以及聚光透镜52。

激光加工装置100概略地使从激光光源SL发出的激光LB在半反射镜51反射后，使该激光LB以藉由聚光透镜52对焦于载置于载台4的被加工物10的被加工部位的方式聚光，而照射于被加工物10。接着，在此形态中，是藉由一边照射激光LB、一边使载台4移动，而能对被加工物10进行沿既定的加工预定线的加工。亦即，激光加工装置100系藉由对被加工物10使激光光LB相对地扫描来进行加工的装置。

作为激光LB，是非常合适地使用Nd：YAG激光的形态。作为激光光源SL，使用的波长为500nm～1600nm。又，为了实现上述的加工图案的加工，激光LB的脉冲宽度必须为1psec～50psec左右。又，反复频率R为10kHz～200kHz左右、激光的照射能量(脉冲能量)为0.1μJ～50μJ左右，则非常合适。

此外，激光加工装置100中，在加工处理时，也能视必要在使对焦位置从被加工物10表面意图地偏移的散焦状态下照射激光LB。本实施形态中，最好是将散焦值(从被加工物10往内部的方向的对焦位置的偏移量)设定为0μm以上、30μm以下的范围。

又，激光加工装置100中，在载台4的上方，具备用以从上方观察、拍摄被加工物10的上部观察光学系统6、以及从载台4的上方对被加工物10照射照明光的上部照明系统7。又，在载台4的下方，具备从载台4的下方对被加工物10照射照明光的下部照明系统8。

上部观察光学系统6具备设置于半反射镜51上方(镜筒的上方)的CCD摄影机6a与连接于该CCD摄影机6a的监视器6b。又，上部照明系统7具备上部照明光源S1与半反射镜71。

这些上部观察光学系统6与上部照明系统7与照射光学系统5构成为同轴。更详细言之，照射光学系统5的半反射镜51与聚光透镜52是与上部观察光学系统6及上部照明系统7共用。藉此，从上部照明光源S1发出的上部照明光L1，在设置于未图示的镜筒内的半反射镜71被反射，进而透射过构成照射光学系统5的半反射镜51后，在聚光透镜52被聚光而照射于被加工物10。又，上部观察光学系统6中，能在被照射上部照明光L1的状态下进行透射过聚光透镜52、半反射镜51及半反射镜71的被加工物10的明视野像的观察。

又，下部照明系统8具备下部照明光源S2、半反射镜81、以及聚光透镜82。亦即，激光加工装置100中，能使从下部照明光源S2射出并在半反射镜81反射后在聚光透镜82聚光的下部照明光L2透过载台4对被加工物 10进行照射。例如，若使用下部照明系统8，则能在使下部照明光L2照射于被加工物10的状态下在上部观察光学系统6进行其透射光的观察等。

再者，如图1所示，激光加工装置100中也可具备用以从下方观察、拍摄被加工物10的下部观察光学系统16。下部观察光学系统16具备设置于半反射镜81下方的CCD摄影机16a与连接于该CCD摄影机16a的监视器16b。在此下部观察光学系统16中，例如能在使上部照明光L1照射于被加工物10的状态下进行其透射光的观察。

控制器1进一步具备控制装置各部的动作以实现后述形态中的被加工物10的加工处理的控制部2、以及储存控制激光加工装置100的动作的程序3p或在加工处理时被参照的各种数据的存储部3。

控制部2例如是藉由个人电脑或微电脑等通用电脑来实现，藉由以该电脑读取储存于存储部3的程序3p并执行，以将各种构成要素作为控制部2的功能构成要素予以实现。

存储部3是藉由ROM或RAM及硬盘等存储媒体来实现。此外，存储部3也可是藉由实现控制部2的电脑的构成要素来实现的形态，也可如硬盘等与该电脑另外独立设置的形态。

在存储部3除了储存程序3p、作为加工对象的被加工物10的个体信息(例如材质、结晶方位、形状(尺寸、厚度)等)以外，也储存记述有加工位置(或切割道位置)的被加工物数据D1，且储存记述有与在各个加工模式中激光加工形态对应的针对激光光各个参数的条件或载台4的驱动条件(或该些的设定可能范围)等的加工模式设定数据D2。又，在存储部3也适当地储存有照射位置偏置数据D3，其是在因后述的理由而需使激光LB的照射位置I相对记述于被加工物数据D1的加工位置偏置既定距离的情形所参照者。

控制部2主要具备：驱动控制部21，控制移动机构4m对载台4的驱动或聚光透镜52的对焦动作等与加工处理有关系的各种驱动部分的动作；摄影控制部22，控制上部观察光学系统6或下部观察光学系统16对被加工物10的观察、摄影；照射控制部23，控制来自激光光源SL的激光LB的照射；吸附控制部24，控制吸引手段11的被加工物10对载台4的吸附固定动作；加工处理部25，依据被赋予的被加工物数据D1及加工模式设定数据D2执行对加工对象位置的加工处理；以及偏置设定部26，负责设定在加工处理前设定激光LB的照射位置的偏置相关的条件的处理。

具备如以上构成的控制器1的激光加工装置100，在从操作者被赋予以记述于被加工物数据D1的加工位置作为对象的既定加工模式的加工执行指示后，加工处理部25是取得被加工物数据D1且从加工模式设定数据D2取得与被选择的加工模式对应的条件，通过驱动控制部21或照射控制部23等其他装置控制对应的各部的动作以执行与该条件对应的动作。例如从激光光源SL发出的激光LB的波长或输出、脉冲的反复频率、脉冲宽度的调整等，是藉由照射控制部23来实现。藉此，在被作为对象的加工位置中实现被指定的加工模式的加工。

不过，本实施形态的激光加工装置100中，例如被加工物10是具有图案的基板W(参照图3(a)及图3(b)及图4)，在对这种具有图案的基板W进行下述的龟裂伸展加工的情形，能在上述形态的激光加工前视必要情形使激光LB的光轴的照射位置偏置。这种激光LB的照射位置的偏置的详细，留待后述。

又，较佳为，激光加工装置100构成为能藉由加工处理部25的作用在控制器1依据操作者可利用地被提供的加工处理选单来选择对应各种加工内容的加工模式。这种情形下，加工处理选单最好是以GUI来提供。

藉由具有如以上的构成，激光加工装置100能非常合适地进行各种激光加工。

<龟裂伸展加工的原理>

其次，说明激光加工装置100中可实现的加工手法之一的龟裂伸展加工。图2是用以说明龟裂伸展加工中的激光LB的照射形态的图。更详细言之，图2显示了龟裂伸展加工时的激光LB的反复频率R(kHz)与在激光LB的照射时载置被加工物10的载台的移动速度V(mm/sec)与激光LB的光束点中心间隔Δ(μm)的关系。此外，以下的说明中，虽是以使用上述的激光加工装置100为前提，藉由激光LB的射出源为固定，使载置有被加工物10的载台4移动，来实现激光LB对被加工物10的相对扫描，但即使是使被加工物10为静止的状态来使激光LB的射出源移动的形态，也同样地能实现龟裂伸展加工。

如图2所示，在激光LB的反复频率为R(kHz)的情形，是每1/R(msec)会有一个激光脉冲(也称为单位脉冲光)从激光源发出。在载置有被加工物10的载台4以速度V(mm/sec)移动的情形，在从发出某激光脉冲至发出次一激光脉冲的期间，由于被加工物10是移动V×(1/R)＝V/R(μm)，因此某激光脉冲的光束中心位置与次一发出的激光脉冲的光束中心位置的间隔、也即光束点中心间隔Δ(μm)是以Δ＝V/R决定。

由上述可知，在激光LB的光束径(也称为光束腰部(beam Waist)径、点尺寸)Db与光束点中心间隔Δ满足

Δ＞Db......(式1)

的情形下，在激光的扫描时各个激光脉冲不会重叠。

进而，若将单位脉冲光的照射时间也即脉冲宽度设定为极短，则在各个单位脉冲光的被照射位置中会产生一现象，也即较激光LB的点尺寸狭窄的存在于被照射位置的大致中央区域的物质，会因从被照射的激光得到运 动能量而往垂直于被照射面的方向飞散或变质，另一方面包含伴随此飞散而产生的反作用力在内的因单位脉冲光的照射而产生的冲击或应力是作用于该被照射位置的周围。

利用上述各点，若使从激光光源陆续发出的激光脉冲(单位脉冲光)沿加工预定线依序且离散地照射，则会在沿着加工预定线的各个单位脉冲光的被照射位置依序形成微小的加工痕，在各个加工痕彼此之间连续地形成龟裂，进而龟裂也伸展于被加工物的厚度方向。如此，藉由龟裂伸展加工而形成的龟裂，成为分割被加工物10时的分割起点。此外，在激光LB为既定(非为0)的散焦值的情形下、以散焦状态照射的情形，是在焦点位置近旁产生变质，这种产生变质的区域成为上述的加工痕。

接着，能藉由使用例如公知的裂断装置，进行使藉由龟裂伸展加工而形成的龟裂伸展至具有图案的基板W的相反面的裂断步骤，而能分割被加工物10。此外，藉由龟裂伸展而被加工物10在厚度方向被完全分断的情形，虽不需要上述的裂断步骤，但由于即使一部分的龟裂到达相反面，单藉由龟裂伸展使被加工物10完全被二分的情形是属于罕见，因此一般是会伴随裂断步骤。

裂断步骤，例如是使被加工物10呈形成有加工痕之侧的主面成为下侧的姿势，且以两个下侧裂断杆支撑分割预定线两侧的状态下，往另一主面且是紧挨分割预定线上方的裂断位置使上侧裂断杆降下，藉此来进行。

此外，若相当于加工痕的节距的光束点中心间隔Δ过大，则裂断特性会变差而无法实现沿着加工预定线的裂断。在龟裂伸展加工时，必须考虑到此点来决定加工条件。

鉴于以上各点，在进行为了在被加工物10形成作为分割起点的龟裂的龟裂伸展加工时最佳的条件，大致如下所述。具体的条件可依被加工物10的材质或厚度等来适当选择。

脉冲宽度τ：1psec以上50psec以下；

光束径Db：约1μm～10μm左右；

载台移动速度V：50mm/sec以上3000mm/sec以下；

脉冲的反复频率R：10kHz以上200kHz以下；

脉冲能量E：0.1μJ～50μJ。

<具有图案的基板>

其次，说明作为被加工物10的一例的具有图案的基板W。图3(a)及图3(b)是具有图案的基板W的示意俯视图及部分放大图。

所谓具有图案的基板W，例如是在蓝宝石等单结晶基板(晶圆、母基板)W1(参照图4)的一主面上积层形成既定的元件图案而制成。元件图案，具有在被单片化后将分别构成一个元件芯片的多个单位图案UP二维地反复 配置的构成。例如LED元件等作为光学元件或电子元件的单位图案UP被二维地反复。

又，具有图案的基板W虽在俯视下呈大致圆形，但在外周的一部分具备直线状的定向平面(orientation flat)OF。以后，将在具有图案的基板W的面内定向平面OF的延伸方向称为X方向，将正交于X方向的方向称为Y方向。

作为单结晶基板W1，是使用具有70μm～200μm的厚度的。使用100μm厚度的蓝宝石单结晶是非常合适的一例。又，元件图案通常形成为具有数μm左右的厚度。又，元件图案也可具有凹凸。

例如，只要是LED芯片制造用的具有图案的基板W，则将由包含GaN(氮化镓)在内的III族氮化物半导体构成的发光层或其他多个薄膜层磊晶形成于蓝宝石单结晶上，进而在该薄膜层上藉由形成LED元件(LED芯片)中构成通电电极的电极图案而构成。

此外，在具有图案的基板W的形成时，作为单结晶基板W1，也可是使用以在主面内垂直于定向平面的Y方向作为轴而使c面或a面等结晶面的面方位相对主面法线方向倾斜数度左右的所谓赋予倾斜角(off angle)的基板(也称为off基板)。

各个单位图案UP的边界部分即宽度狭窄的区域被称为切割道ST。切割道ST是在具有图案的基板W的分割预定位置，藉由在后述形态中沿切割道ST被照射激光，而使具有图案的基板W被分割成各个元件芯片。切割道ST通常为数十μm左右的宽度，设定为在俯视元件图案时呈格子状。不过，在切割道ST的部分中单结晶基板W1不需要露出，在切割道ST的位置构成元件图案的薄膜层也可连续形成。

<具有图案的基板中的龟裂伸展与加工位置的偏置>

以下，考量为了沿切割道ST分割如上述的具有图案的基板W，沿设定于切割道ST中心的加工预定线PL进行龟裂伸展加工的情形。

此外，本实施形态中，在进行上述形态的龟裂伸展加工时，是向具有图案的基板W中未设有元件图案之侧的面、也即单结晶基板W1露出的主面Wa(参照图4)照射激光LB。也即，将形成有元件图案之侧的主面Wb(参照图4)作为被载置面载置固定于激光加工装置100的载台4，来进行激光LB的照射。此外，更详细言之，虽在元件图案表面存在凹凸，但由于该凹凸较具有图案的基板W整体的厚度充分地小，因此实质上视为在具有图案的基板W的形成元件图案之侧具备平坦的主面也无问题。或者，也可将设有元件图案的单结晶基板W1的主面视为具有图案的基板W的主面Wb。

此点在龟裂伸展加工实施中虽本质上并非必须的形态，但在切割道ST的宽度较小的情形或薄膜层形成至切割道ST的部分的情形等，从缩小激光 的照射对元件图案造成的影响或更确实地实现分割的观点来看则为较佳形态。此外，图3(a)及图3(b)中的所以以虚线表示单位图案UP或切割道ST，是为了显示单结晶基板露出的主面Wa为激光的照射对象面，且设有元件图案的主面Wb朝向其相反侧。

又，龟裂伸展加工是在对激光LB赋予既定的(非为0)的散焦值的散焦状态下进行。此外，散焦值相较于具有图案的基板W厚度为充分小。

图4，是显示在激光加工装置100中，设定了使龟裂伸展产生的照射条件后，沿设定于切割道ST(延伸于与定向平面OF正交的Y方向)的中心位置的加工预定线PL照射激光LB来进行龟裂伸展加工时的在具有图案的基板W的厚度方向的龟裂伸展的样子的示意剖面图。此外，以下将具有图案的基板W的主面Wa也称为具有图案的基板W的表面，将具有图案的基板W的主面Wb也称为具有图案的基板W的背面。

此情形下，在具有图案的基板W的厚度方向中从主面Wa起数μm～30μm的距离的位置，加工痕M沿Y轴方向离散地形成，龟裂在各个加工痕M之间伸展，且龟裂CR1及龟裂CR2分别从加工痕M往上方(主面Wa之侧)及下方(主面Wb之侧)伸展。

不过，这些龟裂CR1及CR2，并非往加工痕M的铅直上方或下方、也即沿着从加工预定线PL延伸于具有图案的基板W的厚度方向的面P1伸展，而是以相对面P1倾斜、越从加工痕M离开则越从面P1偏移的形态伸展。而且，在X方向中，龟裂CR1与龟裂CR2从面P1偏移的方向相反。

进而，当以这种形态，龟裂CR1及CR2一边倾斜一边伸展时，依其倾斜的程度，会产生如图4所示，龟裂CR2的终端T(也包含藉由其后的裂断步骤而伸展的情形)超过切割道ST的范围，而伸展至构成元件芯片的单位图案UP的部分。若如此以龟裂CR1及CR2伸展之处作为起点进行裂断，则单位图案UP会破损，元件芯片成为不良品。而且，从过去经验可知，这种龟裂的倾斜，只要是在具有相同图案的基板W中于相同方向进行加工，则在其他加工位置也同样地会产生。若在各个切割道ST中产生这种在厚度方向的龟裂的倾斜，进而引起单位图案UP的破坏，则会导致良品的元件芯片的撷取个数(良率)降低。

为了避免这种不良情形的产生，本实施形态中，是使激光LB的照射位置从作为加工位置的加工预定线PL的设定位置偏置以使龟裂CR2的终端T位于切割道ST的范围内。

图5是显示使激光LB的照射位置IP从图4所示的加工预定线PL往以箭头AR1所示的-X方向偏置而进行龟裂伸展加工时的具有图案的基板W在厚度方向的龟裂伸展的样子的示意剖面图。如图5所示，只要使激光LB的照射位置IP偏置，则可避免单位图案UP的破坏。

不过，图5中，虽龟裂CR2的终端T2位于紧挨加工预定线PL下方，但这并非必须的形态，只要终端T2收在切割道ST的范围内即可。

又，图5中，往单位图案UP不存在的主面Wa侧伸展的龟裂CR1的终端T1虽未收在切割道ST的范围内，但只要非足以对元件芯片功能造成影响的显著倾斜，则不立即判断为不良情形。例如，只要元件芯片的形状收在预先规定的容许范围内，则如图5所示的龟裂CR1的倾斜可被容许。

此外，由过去经验可知，如上述的龟裂的倾斜，是仅在对具有图案的基板W沿与其定向平面OF正交的Y方向进行龟裂伸展加工时产生的现象，在沿与定向平面OF平行的X方向进行龟裂伸展加工时不会产生。也即，在沿X方向进行龟裂伸展加工的情形，具有图案的基板W在厚度方向的龟裂的伸展，是从加工痕往铅直上方及铅直下方产生。

<偏置条件的设定>

(第1形态)

如上所述，在对具有图案的基板W进行龟裂伸展加工而欲单片化的情形，在进行与定向平面OF正交的Y方向的加工时，有时必须使激光LB的照射位置偏置。在此情形中会成为问题的是，虽图4及图5中龟裂CR1往-X方向倾斜伸展，龟裂CR2往+X方向倾斜伸展，但这不过是例示，而两者的伸展方向会因各个具有图案的基板W而替换，以及在各个具有图案的基板W中龟裂的倾斜会朝向哪个方向产生若不实际照射激光LB进行龟裂伸展加工则不会得知。若不知至少倾斜的方向，则实际上并无法进行使照射位置偏置的动作。

进而，在元件芯片的量产过程中，从生产性提升的观点来看，被要求自动地且尽可能迅速地设定用以偏置的条件。

图6是显示基于以上各点的本实施形态的激光加工装置100中进行的偏置条件的设定处理流程的图。本实施形态的偏置条件的设定处理，概略地说，是对欲单片化的具有图案的基板W一部分进行龟裂伸展加工，藉由影像处理特定出因该加工的结果而产生的龟裂的倾斜的方向后，在该被特定出的方向中赋予预先设定的偏置量(距离)。这种偏置条件的设定处理，是藉由以激光加工装置100的控制器1所具备的偏置设定部26依据储存于存储部3的程序3p，使装置各部动作，且进行必要的运算处理等来实现。

此外，在进行此设定处理前，预先使具有图案的基板W载置固定于激光加工装置100的载台4上且进行对准处理使其X方向与Y方向分别与移动机构4m的移动方向即水平二轴方向一致。对准处理，除了能适用专利文献1所揭示的手法以外，也可适当地适用公知的手法。又，在被加工物数据D1记述有作为加工对象的具有图案的基板W的个体信息。

首先，先决定进行偏置设定用的龟裂伸展加工的位置(激光LB的照射 位置)(步骤STP1)，对该位置照射激光LB以进行龟裂伸展加工(步骤STP2)。其后，将上述偏置设定用的龟裂伸展加工称为暂态加工。

这种暂态加工，最好是在其加工结果不会对元件芯片的撷取个数产生影响的位置进行。例如，最好是将在具有图案的基板W中不形成作为元件芯片的单位图案UP的外缘位置等作为对象来进行。图7是例示考量到这点的暂态加工时的激光LB的照射位置IP1的图。图7中，是例示较在X方向的位置坐标为最负的切割道ST(ST1)更靠向具有图案的基板W的外缘处(X方向负的侧)设定暂态加工用的照射位置IP1的情形。此外，图7中，虽是将照射位置IP1横越具有图案的基板W的两个外周端位置来显示，但并不需在横越两外周端位置之间的全范围照射激光LB。

具体的照射位置IP1的设定方法并无特别限定。例如，也可是根据预先被赋予的与具有图案的基板W形状相关的数据来进行的形态，或者藉由影像处理特定出切割道ST(ST1)的位置并根据其特定结果来进行的形态。

在对照射位置IP1的暂态加工结束后，接着在藉由下部照明光源S2对具有图案的基板W赋予来自主面Wb侧的透射照明的状态下，以使CCD摄影机6a的焦点位置(高度)对准于此时的具有图案的基板W表面即主面Wa的状态拍摄暂态加工的加工位置(步骤STP3)。接着，藉由对所取得的摄影影像进行既定处理，来决定可视为在龟裂CR1的主面Wa中的终端T1在X方向的代表坐标位置的坐标X1(步骤STP4)。

图8(a)及图8(b)是用以说明基于在步骤STP3取得的具有图案的基板W的摄影影像IM1的坐标X1的决定方法的图。

更详细言之，图8(a)是显示在步骤STP3取得的摄影影像IM1中激光LB的照射位置IP1近旁的部分。该摄影影像IM1中，加工痕M被观察为在Y方向延伸的微小点列或大致连续线。又，从这种加工痕M往主面Wa伸展的龟裂CR1是以较加工痕M强的对比(以更高的像素值，具体而言即更黑)被观察。此外，之所以龟裂CR1的对比较加工痕M强，是因龟裂CR1存在于较加工痕M更接近CCD摄影机6a的焦点位置处之故。

基于以此方式取得的摄影影像IM1的坐标X1的决定，是设定于Y方向具有长度方向且包含此等加工痕M及龟裂CR1的像在内的既定矩形区域RE1，并作成将该矩形区域RE1中的X坐标为相同位置的像素值(色浓度值)沿Y方向加以计算而成的设定档，藉此来进行。图8(b)所示，是以图8(a)所示的摄影影像IM1为对象藉由上述计算处理而取得的设定档PF1。

如上所述，图8(a)所示的摄影影像IM1，由于是将焦点对准于主面Wa而取得的，因此可知，龟裂CR1越多存在的位置且龟裂CR1越接近主面Wa之处，在图8(b)所示的设定档PF1中像素值就越高。因此，本实施形态中，是将该设定档PF1中像素值为最大的坐标X1视为龟裂CR1的终端T1在X 方向的坐标位置。

以此方式决定坐标X1后，其次，与拍摄摄影影像IM1时同样地，在藉由下部照明光源S2对具有图案的基板W赋予来自主面Wb侧的透射照明的状态下，以使CCD摄影机6a的焦点位置(高度)对准于加工痕M的深度位置、也即龟裂伸展加工时的激光LB的焦点位置的状态拍摄该加工位置(步骤STP5)。接着，藉由对所取得的摄影影像进行既定处理，来决定可视为加工痕M在X方向的代表坐标位置的坐标X2(步骤STP6)。

图9(a)及图9(b)是用以说明基于在步骤STP5取得的具有图案的基板W的摄影影像IM2的坐标X2的决定方法的图。

更详细言之，图9(a)是显示在步骤STP5取得的摄影影像IM2中激光LB的照射位置IP1近旁的部分。与图8(a)所示的摄影影像IM1同样地，在该摄影影像IM2中，加工痕M被观察为在Y方向延伸的微小点列或大致连续线，又，也观察到从此加工痕M往主面Wa伸展的龟裂CR1。不过，藉由摄影时的焦点位置设定于加工痕M的深度位置，而在摄影影像IM2中，被观察到加工痕M的对比较摄影影像IM1强。

基于以此方式取得的摄影影像IM2的坐标X2的决定，是与步骤STP4中的龟裂CR1的终端T1的决定方法同样地，设定于Y方向具有长度方向且包含加工痕M及龟裂CR1的像在内的既定矩形区域RE2，并作成将该矩形区域RE2中的X坐标为相同位置的像素值(色浓度值)沿Y方向加以计算而成的设定档，藉此来进行。图9(b)所示，是以图9(a)所示的摄影影像IM2为对象藉由上述计算处理而取得的设定档PF2。此外，矩形区域RE2与矩形区域RE1可设定为相同尺寸，也可视各个摄影影像中加工痕M或龟裂CR1的存在位置而使其两者相异。

如上所述，图9(a)所示的摄影影像IM2，由于是将焦点对准于加工痕M的深度位置而取得的，因此可知，越接近加工痕M之处，在图9(b)所示的设定档PF2中像素值就越高。因此，本实施形态中，是将该设定档PF2中像素值为最大的坐标X2视为加工痕M在X方向的坐标位置。

此外，步骤STP3～STP6所示的处理的执行顺序也可适当替换，也可适当并行进行。例如，也可在连续进行步骤STP3及步骤STP5的摄影处理后，依序进行步骤STP4及步骤STP6的坐标X1、X2的特定处理，也可在步骤STP3的摄影处理后，进行步骤STP4的坐标X1的特定处理的期间，与此并行地进行步骤STP5的摄影处理。

藉由以上形态决定坐标X1及X2的值后，接着，算出这些坐标值的差分值ΔX＝X2-X1，根据其结果特定出应进行偏置的方向(步骤STP7)。

具体而言，ΔX与偏置方向之间有以下的关系。

ΔX＞0→终端T1到达较加工痕M更靠+X方向→往-X方向偏置；

ΔX＜0→终端T1到达较加工痕M更靠-X方向→往+X方向偏置；

ΔX＝0→终端T1到达紧挨加工痕M上方→不需偏置。

只要是图8(a)及图8(b)及图9(a)及图9(b)所示的情形，由于ΔX＜0，因此被特定为应往+X方向偏置。

藉由如上述特定偏置方向，接着，根据储存于存储部3的被加工物数据D1与照射位置偏置数据D3，决定对被特定出的偏置方向的偏置量(步骤STP8)。

如上所述，在被加工物数据D1记述有实际作为加工对象(也即已进行偏置设定用的龟裂伸展加工)的具有图案的基板W的个体信息(结晶方位、厚度等)。另一方面，在照射位置偏置数据D3预先有能依照具有图案的基板W的个体信息设定偏置量的记述。偏置设定部26是从被加工物数据D1取得具有图案的基板W的个体信息，并参照照射位置偏置数据D3决定与该个体信息对应的偏置量。

此外，从照射位置偏置数据D3的记述内容决定的偏置量，经验上是赋予只要以其值使激光LB的照射位置对加工位置偏置则大部分的情形可避免如图4所示的龟裂CR2导致单位图案UP的破坏的值。例如，只要是有具有图案的基板W厚度越大则龟裂的倾斜的程度亦越大的倾向，则设想在照射位置偏置数据D3以具有图案的基板W厚度越大则设定越大的偏置量的方式来记述等的对应。

照射位置偏置数据D3的形态并无特别限定。例如可是将照射位置偏置数据D3作成依每一具有图案的基板W的材质种类或厚度范围记述有应设定的偏置量的表的形态，或是厚度与偏置量规定为某函数关系的形态。

又，由上述的决定方法可清楚得知，偏置量的决定，由于能与以步骤STP1～STP7进行的偏置方向的特定无关系地进行，因此不一定要在特定出偏置方向后再决定，也可是在偏置方向的特定前或与偏置方向的特定并行地进行的形态。

在步骤STP7的偏置方向的决定与在步骤STP8的偏置量的决定后，偏置设定处理即结束。接续于此，根据所决定的偏置方向及偏置量进行用以将具有图案的基板W单片化的龟裂伸展加工处理。藉此，可实现非常良好地抑制了因龟裂伸展导致的单位图案UP的破坏的具有图案的基板W的单片化。

此外，原理上虽能根据以步骤STP7算出的ΔX的值设定偏置量或将ΔX本身设定为偏置量，但采用这种形态也不一定会提升偏置量的设定精度。其原因在于，以上述形态决定的坐标X1或X2，就其算出原理而言，不完全可说是能正确地代表龟裂CR1的终端T1或加工痕M的实际位置的值，由于单单是为了决定偏置方向而权宜地求出的值，因此其差分值ΔX不见得可在 该具有图案的基板W的所有加工中赋予适当的偏置量。

(第2形态)

激光加工装置100的偏置条件的设定处理方法不限于上述的第1形态。图10是显示第2形态的偏置条件的设定处理流程的图。图10所示的第2形态的设定处理，除了在取代图6所示的第1形态中的设定处理的步骤STP3及步骤STP4而进行步骤STP13及步骤STP14这点、以及伴随于此地在步骤STP7的差分值的算出所使用的坐标值与第1设定处理不同这点以外，其余均与第1设定处理相同。

具体而言，第2形态中，在藉由步骤STP1～步骤STP2进行暂态加工后，在藉由下部照明光源S2对具有图案的基板W赋予来自主面Wb侧的透射照明的状态下，以使CCD摄影机6a的焦点位置(高度)对准在此时的具有图案的基板W背面即主面Wb的状态拍摄已进行暂态加工的位置(步骤STP13)。接着，藉由对所取得的摄影影像进行基于图8(a)及图8(b)所说明的与决定龟裂CR1的终端T1的影像处理相同的影像处理，来决定可视为在龟裂CR2的主面Wb中的终端T2在X方向的代表坐标位置的坐标X3(步骤STP14)。具体而言，是作成与图8(b)的设定档PF1相同的设定档，并将其中像素值最大的坐标X3视为龟裂CR2的终端T2的位置。

接着，接续于此步骤进行步骤STP5～步骤STP6的处理求出坐标X2后，在步骤STP7中算出ΔX＝X2-X3，根据其结果特定出应进行偏置的方向(偏置方向)(步骤STP7)。

具体而言，ΔX与偏置方向之间有以下的关系。

ΔX＞0→终端T2到达较加工痕M更靠-X方向→往+X方向偏置；

ΔX＜0→终端T2到达较加工痕M更靠+X方向→往-X方向偏置；

ΔX＝0→终端T2到达紧挨加工痕M下方→不需偏置。

又，偏置量的设定只要与第1形态同样地进行即可。

第2形态的情形也与第1形态同样地，在步骤STP7的偏置方向的决定与在步骤STP8的偏置量的决定后，偏置设定处理即结束，接续于此，根据所决定的偏置方向及偏置量进行用以将具有图案的基板W单片化的龟裂伸展加工处理。藉此，可实现非常良好地抑制了因龟裂伸展导致的单位图案UP的破坏的具有图案的基板W的单片化。

如以上所说明，根据本实施形态，在藉由龟裂伸展加工将具有图案的基板单片化时，在与定向平面正交的方向的加工中龟裂会倾斜的情形，由于能藉由在使激光的照射位置偏置后进行该龟裂伸展加工，来抑制龟裂的倾斜，因此，可非常良好地抑制将设置于具有图案的基板的构成各个元件芯片的单位图案单片化时产生的破坏。其结果是，提升了藉由将具有图案的基板单片化而取得的元件芯片的良率。以上所述，仅是本发明的较佳实 施例而已，并非对本发明作任何形态上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (6)

1.一种激光加工装置，其具备：

射出源，射出激光；

载台，能固定具有图案的基板，该具有图案的基板是在单结晶基板上将多个单位元件图案二维地反复配置而成；

能藉由使前述射出源与前述载台相对移动以将前述激光一边沿既定的加工预定线扫描、一边照射于前述具有图案的基板，其特征在于：

能执行龟裂伸展加工，其是以藉由前述激光的各个单位脉冲光而形成于前述具有图案的基板的加工痕沿前述加工预定线位于离散处的方式照射前述激光，使龟裂从各个前述加工痕在前述具有图案的基板伸展；

且进一步具备

摄影手段，能拍摄载置于前述载台的前述具有图案的基板；以及

偏置条件设定手段，是设定偏置条件，该偏置条件是用以在前述龟裂伸展加工时使前述激光的照射位置从前述加工预定线偏置；

前述偏置条件设定手段，在将前述具有图案的基板的一部分位置设定为前述偏置条件设定用的前述龟裂伸展加工的执行位置，对前述执行位置进行前述偏置条件设定用的前述龟裂伸展加工即暂态加工后，

使前述摄影手段在使焦点对准于前述具有图案的基板表面的状态下拍摄前述暂态加工的前述执行位置而取得第1摄影影像，且在使焦点对准于已进行前述暂态加工时的前述激光的焦点位置的状态下拍摄前述暂态加工的前述执行位置而取得第2摄影影像；

根据从前述第1摄影影像特定的从藉由前述暂态加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端的位置坐标与根据从前述第2摄影影像特定的前述暂态加工的加工痕的位置坐标的差分值，在前述龟裂伸展加工时特定应使前述激光的照射位置偏置的方向。

2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其中，前述偏置条件设定手段，根据藉由在前述第1摄影影像与前述第2摄影影像的各个中沿前述暂态加工时的加工方向计算像素值而取得的计算设定档，特定在前述暂态加工时产生的前述龟裂的终端的位置坐标与前述暂态加工时的前述加工痕的位置坐标。

3.根据权利要求1或2所述的激光加工装置，其中，前述偏置条件设定手段，是根据预先取得的作为前述龟裂开始点加工的对象的前述具有图案的基板的个体信息，决定在前述龟裂伸展加工时使前述激光的照射位置从前述加工预定线偏置时的偏置量。

4.一种具有图案的基板的加工条件设定方法，是设定进行加工时的加工条件的方法，该加工是藉由对在单结晶基板上将多个单位元件图案二维地反复配置而成的具有图案的基板照射激光以将前述具有图案的基板单片化，其特征在于：

将前述具有图案的基板单片化的加工，是以藉由前述激光的各个单位脉冲光而形成于前述具有图案的基板的加工痕沿加工预定线位于离散处的方式照射前述激光，使龟裂从各个前述加工痕在前述具有图案的基板伸展的龟裂伸展加工；

且具备：偏置条件设定步骤，是在前述龟裂开始点加工前，设定用以在前述龟裂伸展加工时使前述激光的照射位置从前述加工预定线偏置的偏置条件；

前述偏置条件设定步骤，具备：

暂态加工步骤，在将前述具有图案的基板的一部分位置设定为前述偏置条件设定用的前述龟裂伸展加工的执行位置，对前述执行位置进行前述偏置条件设定用的前述龟裂伸展加工即暂态加工；

摄影步骤，使既定的摄影手段拍摄在使焦点对准于前述具有图案的基板表面的状态下拍摄前述暂态加工的前述执行位置而取得第1摄影影像，且在使焦点对准于已进行前述暂态加工时的前述激光的焦点位置的状态下拍摄前述暂态加工的前述执行位置而取得第2摄影影像；以及

偏置方向特定步骤，根据从前述第1摄影影像特定的从藉由前述暂态加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端的位置坐标与根据从前述第2摄影影像特定的前述暂态加工的加工痕的位置坐标的差分值，在前述龟裂伸展加工时特定应使前述激光的照射位置偏置的方向。

5.根据权利要求4所述的具有图案的基板的加工条件设定方法，其中，前述偏置方向特定步骤中，根据藉由在前述第1摄影影像与前述第2摄影影像的各个中沿前述暂态加工时的加工方向计算像素值而取得的计算设定档，特定在前述暂态加工时产生的前述龟裂的终端的位置坐标与前述暂态加工时的前述加工痕的位置坐标。

6.根据权利要求4或5所述的具有图案的基板的加工条件设定方法，其中，前述偏置条件设定步骤，进一步具备根据预先取得的作为前述龟裂开始点加工的对象的前述具有图案的基板的个体信息，决定在前述龟裂伸展加工时使前述激光光的照射位置从前述加工预定线偏置时的偏置量。