TWI550754B - A laser processing apparatus and a substrate having a pattern are provided - Google Patents

A laser processing apparatus and a substrate having a pattern are provided Download PDF

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TWI550754B
TWI550754B TW102120283A TW102120283A TWI550754B TW I550754 B TWI550754 B TW I550754B TW 102120283 A TW102120283 A TW 102120283A TW 102120283 A TW102120283 A TW 102120283A TW I550754 B TWI550754 B TW I550754B
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Yuma Iwatsubo
Hisashi Isokawa
Shohei Nagatomo
Ikuyoshi Nakatani
naoya Kiyama
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Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd
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Description

雷射加工裝置及具有圖案之基板之加工條件設定方法
本發明係關於在分割於單結晶基板上將複數個單位圖案二維地反覆配置而成之具有圖案之基板時設定加工條件之方法，特別是關於雷射佳工裝置之加工條件之設定方法。
LED元件，例如係以下述流程製造，亦即將於藍寶石單結晶等基板(晶圓、母基板)上將LED元件之單位圖案二維地反覆形成而成之具有圖案之基板(具有LED圖案之基板)，以設為格子狀之被稱為切割道(Street)之分割預定區域加以分割並單片化(晶片化)。此處，所謂切割道係藉由分割而成為LED元件之兩個部分之間隙部分之寬度狹窄區域。
作為此種分割用之手法，已有一種公知之手法，係藉由將脈衝寬度為psec等級之超短脈衝光之雷射光以各個單位脈衝光之被照射區域沿加工預定線位於離散處之條件加以照射，以沿形成加工預定線(通常為切割道中心位置)形成分割用之起點(參照例如專利文獻1)。專利文獻1所揭示之手法中，係藉由在各個單位脈衝光之被照射區域形成之加工痕之間產生因劈開或裂開而形成之龜裂伸展(裂痕伸展)，沿該龜裂分割基板，來實現單片化。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-131256號公報
如上述之具有圖案之基板中，通常係沿與設於藍寶石單結晶基板之定向平面(orientation flat)平行之方向及與此方向正交之方向配置單位圖案而成。因此，此種具有圖案之基板中，切割道係延伸於與定向平面(Orientation flat)平行之方向及與此方向垂直之方向而成。
在以如專利文獻1所揭示之手法分割此種具有圖案之基板之情形，當然會沿平行於定向平面之切割道與垂直於定向平面之切割道照射雷射光。此種情形下，伴隨雷射光之照射之自加工痕之龜裂之伸展不僅於亦係加工預定線之延伸方向之雷射光之照射方向(掃描方向)產生，亦在基板之厚度方向產生。
不過，相較於在沿平行於定向平面之切割道照射雷射光時在基板厚度方向之龜裂伸展係從加工痕產生於垂直方向，當以相同照射條件沿垂直於定向平面之切割道照射雷射光時，龜裂並非於垂直方向而係伸展於從垂直方向傾斜之方向，此種差異已可由過去經驗得知。而且，此種龜裂傾斜之方向，雖在相同之晶圓面內會一致，但有隨各個具有圖案之基板而不同之情形。
此外，作為用於具有圖案之基板之藍寶石單結晶基板，雖除了c面或a面等結晶面之面方位與主面法線方向一致者以外有時會使用以在主面內垂直於定向平面之方向作為傾斜軸而使該等結晶面之面方位相對主面法線方向傾斜之所謂賦予傾斜角(off angle)之基板(亦稱為off基板)，但 上述之沿垂直於定向平面之切割道照射雷射光時之龜裂之傾斜不論是否是off基板均會產生，此點已由本發明之發明者群確認。
另一方面，從LED元件之微小化或每一基板面積之擷取個數提升等之要求來看，切割道之寬度較窄是比較理想的。然而，當以此種切割道之寬度狹窄之具有圖案之基板為對象適用專利文獻1所揭示之手法時，垂直於定向平面之切割道，有可能產生傾斜而伸展之龜裂不位在該切割道之寬度內而到達鄰接之作為LED元件之區域的不良情形。此種不良情形之產生，由於成為使LED元件之良率降低之要因，因此並非理想。
為了抑制此種良率之降低，雖必須在加工各個具有圖案之基板時特定龜裂傾斜之方向，並對應於此來設定加工條件例如加工位置，但在LED元件之量產過程中，為了使加工生產性提升，被要求迅速地進行對各個具有圖案之基板之加工條件之設定。
本發明有鑑於上述課題而完成，其目的在於提供能以將具有圖案之基板良好地單片化之方式設定加工條件之方法、以及實現此方法之裝置。
為了解決上述課題，申請專利範圍第1項之發明係一種雷射加工裝置，其具備：射出源，射出雷射光；載台，能固定具有圖案之基板，該具有圖案之基板係於單結晶基板上將複數個單位元件圖案二維地反覆配置而成；能藉由使前述射出源與前述載台相對移動以將前述雷射光一邊沿既定之加工預定線掃描、一邊照射於前述具有圖案之基板，其特徵在於：能執行龜裂伸展加工，其係以藉由前述雷射光之各個單位脈衝光而形 成於前述具有圖案之基板之加工痕沿前述加工預定線位於離散處之方式照射前述雷射光，使龜裂從各個前述加工痕於前述具有圖案之基板伸展；且進一步具備攝影手段，能拍攝載置於前述載台之前述具有圖案之基板；以及偏置條件設定手段，係設定偏置條件，該偏置條件係用以在前述龜裂伸展加工時使前述雷射光之照射位置從前述加工預定線偏置；前述偏置條件設定手段，在將前述具有圖案之基板之一部分位置設定為前述偏置條件設定用之前述龜裂伸展加工之執行位置，對前述執行位置進行前述偏置條件設定用之前述龜裂伸展加工即暫態加工後，使前述攝影手段拍攝在使焦點對準於前述具有圖案之基板表面之狀態下拍攝前述暫態加工之前述執行位置而取得第1攝影影像，且在使焦點對準於已進行前述暫態加工時之前述雷射光之焦點位置之狀態下拍攝前述暫態加工之前述執行位置而取得第2攝影影像；根據從前述第1攝影影像特定之從藉由前述暫態加工形成之加工痕伸展之龜裂之終端之位置座標與根據從前述第2攝影影像特定之前述暫態加工之加工痕之位置座標之差分值，在前述龜裂伸展加工時特定應使前述雷射光之照射位置偏置之方向。
申請專利範圍第2項之發明係如申請專利範圍第1項之雷射加工裝置，其中，前述偏置條件設定手段，根據藉由在前述第1攝影影像與前述第2攝影影像之各個中沿前述暫態加工時之加工方向積算像素值而取得之積算設定檔，特定在前述暫態加工時產生之前述龜裂之終端之位置座標與前述暫態加工時之前述加工痕之位置座標。
申請專利範圍第3項之發明係如如申請專利範圍第1或2項之雷射加工裝置，其中，前述偏置條件設定手段，係根據預先取得之作 為前述龜裂開始點加工之對象之前述具有圖案之基板之個體資訊，決定在前述龜裂伸展加工時使前述雷射光之照射位置從前述加工預定線偏置時之偏置量。
申請專利範圍第4項之發明係一種具有圖案之基板之加工條件設定方法，係設定進行加工時之加工條件之方法，該加工係藉由對於單結晶基板上將複數個單位元件圖案二維地反覆配置而成之具有圖案之基板照射雷射光以將前述具有圖案之基板單片化，其特徵在於：將前述具有圖案之基板單片化之加工，係以藉由前述雷射光之各個單位脈衝光而形成於前述具有圖案之基板之加工痕沿前述加工預定線位於離散處之方式照射前述雷射光，使龜裂從各個前述加工痕於前述具有圖案之基板伸展之龜裂伸展加工；且具備：偏置條件設定步驟，係在前述龜裂開始點加工前，設定用以在前述龜裂伸展加工時使前述雷射光之照射位置從前述加工預定線偏置之偏置條件；前述偏置條件設定步驟，具備：暫態加工步驟，在將前述具有圖案之基板之一部分位置設定為前述偏置條件設定用之前述龜裂伸展加工之執行位置，對前述執行位置進行前述偏置條件設定用之前述龜裂伸展加工即暫態加工；攝影步驟，使既定之攝影手段拍攝在使焦點對準於前述具有圖案之基板表面之狀態下拍攝前述暫態加工之前述執行位置而取得第1攝影影像，且在使焦點對準於已進行前述暫態加工時之前述雷射光之焦點位置之狀態下拍攝前述暫態加工之前述執行位置而取得第2攝影影像；以及偏置方向特定步驟，根據從前述第1攝影影像特定之從藉由前述暫態加工形成之加工痕伸展之龜裂之終端之位置座標與根據從前述第2攝影影像特定之前述暫態加工之加工痕之位置座標之差分值，在前述龜裂伸 展加工時特定應使前述雷射光之照射位置偏置之方向。
申請專利範圍第5項之發明係如如申請專利範圍第4項之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其中，前述偏置方向特定步驟中，根據藉由在前述第1攝影影像與前述第2攝影影像之各個中沿前述暫態加工時之加工方向積算像素值而取得之積算設定檔，特定在前述暫態加工時產生之前述龜裂之終端之位置座標與前述暫態加工時之前述加工痕之位置座標。
申請專利範圍第6項之發明係如如申請專利範圍第4或5項之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其中，前述偏置條件設定步驟，進一步具備根據預先取得之作為前述龜裂開始點加工之對象之前述具有圖案之基板之個體資訊，決定在前述龜裂伸展加工時使前述雷射光之照射位置從前述加工預定線偏置時之偏置量。
根據申請專利範圍第1至6項之發明，由於在藉由龜裂伸展加工將具有圖案之基板單片化時，在與定向平面正交之方向之加工中龜裂會傾斜的情形，能藉由在使雷射光之照射位置偏置後進行該龜裂伸展加工，因此可非常良好地抑制將設於具有圖案之基板之構成各個元件晶片之單位圖案單片化時產生破壞。其結果，提升藉由將具有圖案之基板單片化而取得之元件晶片之良率。
1‧‧‧控制器
4‧‧‧載台
4m‧‧‧移動機構
5‧‧‧照射光學系
6‧‧‧上部觀察光學系
6a、16a‧‧‧攝影機
6b、16b‧‧‧監視器
7‧‧‧上部照明系
8‧‧‧下部照明系
10‧‧‧被加工物
10a‧‧‧保持片
11‧‧‧吸引手段
100‧‧‧雷射加工裝置
16‧‧‧下部觀察光學系
51、71、81‧‧‧半反射鏡
52、82‧‧‧聚光透鏡
CR1、CR2‧‧‧龜裂
IM1、IM2‧‧‧攝影影像
IP1‧‧‧雷射光之照射位置
L1‧‧‧上部照明光
L2‧‧‧下部照明光
LB‧‧‧雷射光
M‧‧‧加工痕
OF‧‧‧定向平面
PL‧‧‧加工預定線
S1‧‧‧上部照明光源
S2‧‧‧下部照明光源
SL‧‧‧雷射光源
ST‧‧‧切割道
T1、T2‧‧‧(龜裂)之終端
UP‧‧‧單位圖案
W‧‧‧具有圖案之基板
W1‧‧‧單結晶基板
Wa、Wb‧‧‧(具有圖案之基板之)主面
圖1係概略顯示用於被加工物之分割之雷射加工裝置100構成的示意 圖。
圖2係用以說明龜裂伸展加工中之雷射光LB之照射態樣的圖。
圖3(a),(b)係具有圖案之基板W之示意俯視圖及部分放大圖。
圖4係顯示沿加工預定線PL照射雷射光LB之情形之具有圖案之基板W在垂直於Y方向之剖面之龜裂伸展之樣子的圖。
圖5係顯示使雷射光LB之照射位置IP1偏置而進行龜裂伸展加工之情形之具有圖案之基板W在厚度方向之龜裂伸展之樣子的示意剖面圖。
圖6係顯示第1態樣之偏置條件之設定處理流程的圖。
圖7係例示暫態加工時之雷射光LB之照射位置IP1的圖。
圖8(a),(b)係用以說明基於具有圖案之基板W之攝影影像IM1之座標X1之決定方法的圖。
圖9(a),(b)係用以說明基於具有圖案之基板W之攝影影像IM2之座標X2之決定方法的圖。
圖10係顯示第2態樣之偏置條件之設定處理流程的圖。
<雷射加工裝置>
圖1係概略顯示可適用於本發明之實施形態之用於被加工物之分割之雷射加工裝置100構成的示意圖。雷射加工裝置100主要具備進行裝置內之各種動作(觀察動作、對準動作、加工動作等)之控制之控制器1、將被加工物10載置於其上之載台4、以及將從雷射光源SL射出之雷射光LB照射於被加工物10之照射光學系5。
載台4主要由石英等在光學上為透明之部材構成。載台4 能藉由例如吸引泵等吸引手段11將載置於其上面之被加工物10吸引固定。又，載台4能藉由移動機構4m移動於水平方向。此外，圖1中，雖係對被加工物10貼附具有粘著性之保持片10a後以該保持片10a之側作為被載置面而將被加工物10載置於載台4，但使用保持片10a之態樣並非必須。
移動機構4m係藉由未圖示之驅動手段之作用在水平面內使載台4移動於既定之XY二軸方向。藉此，實現觀察位置之移動或雷射光照射位置之移動。此外，關於移動機構4m，若在以既定之旋轉軸為中心之在水平面內之旋轉(θ旋轉)動作亦能與水平驅動進行，就進行對準等方面而言更佳。
照射光學系5，具備雷射光源SL、設於省略圖示之鏡筒內之半反射鏡51、以及聚光透鏡52。
雷射加工裝置100概略地使從雷射光源SL發出之雷射光LB在半反射鏡51反射後，使該雷射光LB以藉由聚光透鏡52對焦於載置於載台4之被加工物10之被加工部位之方式聚光，而照射於被加工物10。接著，在此態樣中，係藉由一邊照射雷射光LB、一邊使載台4移動，而能對被加工物10進行沿既定之加工預定線之加工。亦即，雷射加工裝置100係藉由對被加工物10使雷射光LB相對地掃描來進行加工之裝置。
作為雷射光LB，係非常合適地使用Nd：YAG雷射之態樣。作為雷射光源SL，使用波長為500nm~1600nm者。又，為了實現上述之加工圖案之加工，雷射光LB之脈衝寬度必須為1psec~50psec左右。又，反覆頻率R為10kHz~200kHz左右、雷射光之照射能量(脈衝能量)為0.1μJ~50μJ左右，則非常合適。
此外，雷射加工裝置100中，在加工處理時，亦能視必要在使對焦位置從被加工物10表面意圖地偏移之散焦狀態下照射雷射光LB。本實施形態中，最好係將散焦值(從被加工物10往內部之方向之對焦位置之偏移量)設定為0μm以上、30μm以下之範圍。
又，雷射加工裝置100中，於載台4之上方，具備用以從上方觀察、拍攝被加工物10之上部觀察光學系6、以及從載台4之上方對被加工物10照射照明光之上部照明系7。又，於載台4之下方，具備從載台4之下方對被加工物10照射照明光之下部照明系8。
上部觀察光學系6具備設於半反射鏡51上方(鏡筒之上方)之CCD攝影機6a與連接於該CCD攝影機6a之監視器6b。又，上部照明系7具備上部照明光源S1與半反射鏡71。
此等上部觀察光學系6與上部照明系7與照射光學系5構成為同軸。更詳言之，照射光學系5之半反射鏡51與聚光透鏡52係與上部觀察光學系6及上部照明系7共用。藉此，從上部照明光源S1發出之上部照明光L1，在設於未圖示之鏡筒內之半反射鏡71被反射，進而透射過構成照射光學系5之半反射鏡51後，在聚光透鏡52被聚光而照射於被加工物10。又，上部觀察光學系6中，能在被照射上部照明光L1之狀態下進行透射過聚光透鏡52、半反射鏡51及半反射鏡71之被加工物10之明視野像之觀察。
又，下部照明系8具備下部照明光源S2、半反射鏡81、以及聚光透鏡82。亦即，雷射加工裝置100中，能使從下部照明光源S2射出並在半反射鏡81反射後在聚光透鏡82聚光之下部照明光L2透過載台4對 被加工物10進行照射。例如，若使用下部照明系8，則能在使下部照明光L2照射於被加工物10之狀態下在上部觀察光學系6進行其透射光之觀察等。
再者，如圖1所示，雷射加工裝置100中亦可具備用以從下方觀察、拍攝被加工物10之下部觀察光學系16。下部觀察光學系16具備設於半反射鏡81下方之CCD攝影機16a與連接於該CCD攝影機16a之監視器16b。在此下部觀察光學系16中，例如能在使上部照明光L1照射於被加工物10之狀態下進行其透射光之觀察。
控制器1進一步具備控制裝置各部之動作以實現後述態樣中之被加工物10之加工處理之控制部2、以及儲存控制雷射加工裝置100之動作之程式3p或在加工處理時被參照之各種資料之記憶部3。
控制部2例如係藉由個人電腦或微電腦等通用電腦來實現者，藉由以該電腦讀取儲存於記憶部3之程式3p並執行，以將各種構成要素作為控制部2之功能構成要素予以實現。
記憶部3係藉由ROM或RAM及硬碟等記憶媒體來實現。此外，記憶部3亦可係藉由實現控制部2之電腦之構成要素來實現之態樣，亦可如硬碟等與該電腦另外獨立設置之態樣。
於記憶部3除了儲存程式3p、作為加工對象之被加工物10之個體資訊(例如材質、結晶方位、形狀(尺寸、厚度)等)以外，亦儲存記述有加工位置(或切割道位置)之被加工物資料D1，且儲存記述有與在各個加工模式中雷射加工態樣對應之針對雷射光各個參數之條件或載台4之驅動條件(或該等之設定可能範圍)等之加工模式設定資料D2。又，於記憶部3 亦適當地儲存有照射位置偏置資料D3，其係在因後述之理由而需使雷射光LB之照射位置I相對記述於被加工物資料D1之加工位置偏置既定距離之情形所參照者。
控制部2主要具備：驅動控制部21，控制移動機構4m對載台4之驅動或聚光透鏡52之對焦動作等與加工處理有關係之各種驅動部分之動作；攝影控制部22，控制上部觀察光學系6或下部觀察光學系16對被加工物10之觀察、攝影；照射控制部23，控制來自雷射光源SL之雷射光LB之照射；吸附控制部24，控制吸引手段11之被加工物10對載台4之吸附固定動作；加工處理部25，依據被賦予之被加工物資料D1及加工模式設定資料D2執行對加工對象位置之加工處理；以及偏置設定部26，負責設定在加工處理前設定雷射光LB之照射位置之偏置相關之條件之處理。
具備如以上構成之控制器1之雷射加工裝置100，在從操作者被賦予以記述於被加工物資料D1之加工位置作為對象之既定加工模式之加工執行指示後，加工處理部25係取得被加工物資料D1且從加工模式設定資料D2取得與被選擇之加工模式對應之條件，透過驅動控制部21或照射控制部23等其他裝置控制對應之各部之動作以執行與該條件對應之動作。例如從雷射光源SL發出之雷射光LB之波長或輸出、脈衝之反覆頻率、脈衝寬度之調整等，係藉由照射控制部23來實現。藉此，在被作為對象之加工位置中實現被指定之加工模式之加工。
不過，本實施形態之雷射加工裝置100中，例如被加工物10係具有圖案之基板W(參照圖3及圖4)，在對此種具有圖案之基板W進行下述之龜裂伸展加工之情形，能在上述態樣之雷射加工前視必要情形使 雷射光LB之光軸之照射位置偏置。此種雷射光LB之照射位置之偏置之詳細，留待後述。
又，較佳為，雷射加工裝置100構成為能藉由加工處理部25之作用在控制器1依據操作者可利用地被提供之加工處理選單來選擇對應各種加工內容之加工模式。此種情形下，加工處理選單最好係以GUI來提供。
藉由具有如以上之構成，雷射加工裝置100能非常合適地進行各種雷射加工。
<龜裂伸展加工之原理>
其次，說明雷射加工裝置100中可實現之加工手法之一之龜裂伸展加工。圖2係用以說明龜裂伸展加工中之雷射光LB之照射態樣的圖。更詳言之，圖2顯示了龜裂伸展加工時之雷射光LB之反覆頻率R(kHz)與在雷射光LB之照射時載置被加工物10之載台之移動速度V(mm/sec)與雷射光LB之光束點中心間隔Δ(μm)之關係。此外，以下之說明中，雖係以使用上述之雷射加工裝置100為前提，藉由雷射光LB之射出源為固定，使載置有被加工物10之載台4移動，來實現雷射光LB對被加工物10之相對掃描，但即使係使被加工物10為靜止之狀態來使雷射光LB之射出源移動之態樣，亦同樣地能實現龜裂伸展加工。
如圖2所示，在雷射光LB之反覆頻率為R(kHz)之情形，係每1/R(msec)會有一個雷射脈衝(亦稱為單位脈衝光)從雷射光源發出。在載置有被加工物10之載台4以速度V(mm/sec)移動之情形，在從發出某雷射脈衝至發出次一雷射脈衝之期間，由於被加工物10係移動V×(1/R)=V/R(μm)， 因此某雷射脈衝之光束中心位置與次一發出之雷射脈衝之光束中心位置之間隔、亦即光束點中心間隔Δ(μm)係以Δ=V/R決定。
由上述可知，在雷射光LB之光束徑(亦稱為光束腰部(beam Waist)徑、點尺寸)Db與光束點中心間隔Δ滿足Δ>Db……(式1)之情形下，於雷射光之掃描時各個雷射脈衝不會重疊。
進而，若將單位脈衝光之照射時間亦即脈衝寬度設定為極短，則在各個單位脈衝光之被照射位置中會產生一現象，亦即較雷射光LB之點尺寸狹窄之存在於被照射位置之大致中央區域之物質，會因從被照射之雷射光得到運動能量而往垂直於被照射面之方向飛散或變質，另一方面包含伴隨此飛散而產生之反作用力在內之因單位脈衝光之照射而產生之衝擊或應力係作用於該被照射位置之周圍。
利用上述各點，若使從雷射光源陸續發出之雷射脈衝(單位脈衝光)沿加工預定線依序且離散地照射，則會在沿著加工預定線之各個單位脈衝光之被照射位置依序形成微小之加工痕，在各個加工痕彼此之間連續地形成龜裂，進而龜裂亦伸展於被加工物之厚度方向。如此，藉由龜裂伸展加工而形成之龜裂，成為分割被加工物10時之分割起點。此外，在雷射光LB為既定(非為0)之散焦值之情形下、以散焦狀態照射之情形，係在焦點位置近旁產生變質，此種產生變質之區域成為上述之加工痕。
接著，能藉由使用例如公知之裂斷裝置，進行使藉由龜裂伸展加工而形成之龜裂伸展至具有圖案之基板W之相反面的裂斷步驟，而能分割被加工物10。此外，藉由龜裂伸展而被加工物10在厚度方向被完全 分斷之情形，雖不需要上述之裂斷步驟，但由於即使一部分之龜裂到達相反面，單藉由龜裂伸展使被加工物10完全被二分之情形係屬罕見，因此一般係會伴隨裂斷步驟。
裂斷步驟，例如係使被加工物10呈形成有加工痕之側之主面成為下側之姿勢，且以兩個下側裂斷桿支撐分割預定線兩側之狀態下，往另一主面且係緊挨分割預定線上方之裂斷位置使上側裂斷桿降下，藉此來進行。
此外，若相當於加工痕之節距之光束點中心間隔Δ過大，則裂斷特性會變差而無法實現沿著加工預定線之裂斷。在龜裂伸展加工時，必須考慮到此點來決定加工條件。
鑑於以上各點，在進行為了於被加工物10形成作為分割起點之龜裂之龜裂伸展加工時最佳之條件，大致如下所述。具體之條件可依被加工物10之材質或厚度等來適當選擇。
脈衝寬度τ：1psec以上50psec以下；光束徑Db：約1μm~10μm左右；載台移動速度V：50mm/sec以上3000mm/sec以下；脈衝之反覆頻率R：10kHz以上200kHz以下；脈衝能量E：0.1μJ~50μJ。
<具有圖案之基板>
其次，說明作為被加工物10之一例之具有圖案之基板W。圖3係具有圖案之基板W之示意俯視圖及部分放大圖。
所謂具有圖案之基板W，例如係於藍寶石等單結晶基板(晶圓、母基板)W1(參照圖4)之一主面上積層形成既定之元件圖案而成者。元件圖案，具有在被單片化後將分別構成一個元件晶片之複數個單位圖案UP二維地反覆配置之構成。例如LED元件等作為光學元件或電子元件之單位圖案UP被二維地反覆。
又，具有圖案之基板W雖在俯視下呈大致圓形，但於外周之一部分具備直線狀之定向平面(orientation flat)OF。以後，將在具有圖案之基板W之面內定向平面OF之延伸方向稱為X方向，將正交於X方向之方向稱為Y方向。
作為單結晶基板W1，係使用具有70μm~200μm之厚度者。使用100μm厚度之藍寶石單結晶是非常合適之一例。又，元件圖案通常形成為具有數μm左右之厚度。又，元件圖案亦可具有凹凸。
例如，只要係LED晶片製造用之具有圖案之基板W，則將由包含GaN(氮化鎵)在內之Ⅲ族氮化物半導體構成之發光層或其他複數個薄膜層磊晶形成於藍寶石單結晶上，進而於該薄膜層上藉由形成LED元件(LED晶片)中構成通電電極之電極圖案而構成。
此外，在具有圖案之基板W之形成時，作為單結晶基板W1，亦可係使用以在主面內垂直於定向平面之Y方向作為軸而使c面或a面等結晶面之面方位相對主面法線方向傾斜數度左右之所謂賦予傾斜角(off angle)之基板(亦稱為off基板)。
各個單位圖案UP之邊界部分即寬度狹窄之區域被稱為切割道ST。切割道ST係在具有圖案之基板W之分割預定位置，藉由在後述 態樣中沿切割道ST被照射雷射光，而使具有圖案之基板W被分割成各個元件晶片。切割道ST通常為數十μm左右之寬度，設定為在俯視元件圖案時呈格子狀。不過，在切割道ST之部分中單結晶基板W1不需要露出，在切割道ST之位置構成元件圖案之薄膜層亦可連續形成。
<具有圖案之基板中之龜裂伸展與加工位置之偏置>
以下，考量為了沿切割道ST分割如上述之具有圖案之基板W，沿設定於切割道ST中心之加工預定線PL進行龜裂伸展加工之情形。
此外，本實施形態中，在進行上述態樣之龜裂伸展加工時，係向具有圖案之基板W中未設有元件圖案之側之面、亦即單結晶基板W1露出之主面Wa(參照圖4)照射雷射光LB。亦即，將形成有元件圖案之側之主面Wb(參照圖4)作為被載置面載置固定於雷射加工裝置100之載台4，來進行雷射光LB之照射。此外，更詳言之，雖於元件圖案表面存在凹凸，但由於該凹凸較具有圖案之基板W整體之厚度充分地小，因此實質上視為於具有圖案之基板W之形成元件圖案之側具備平坦之主面亦無問題。或者，亦可將設有元件圖案之單結晶基板W1之主面視為具有圖案之基板W之主面Wb。
此點在龜裂伸展加工實施中雖本質上並非必須之態樣，但在切割道ST之寬度較小之情形或薄膜層形成至切割道ST之部分之情形等，從縮小雷射光之照射對元件圖案造成之影響或更確實地實現分割之觀點來看則為較佳態樣。此外，圖3中之所以以虛線表示單位圖案UP或切割道ST，係為了顯示單結晶基板露出之主面Wa為雷射光之照射對象面，且設有元件圖案之主面Wb朝向其相反側。
又，龜裂伸展加工係在對雷射光LB賦予既定之(非為0)之散焦值之散焦狀態下進行。此外，散焦值相較於具有圖案之基板W厚度為充分小。
圖4，係顯示在雷射加工裝置100中，設定了使龜裂伸展產生之照射條件後，沿設定於切割道ST(延伸於與定向平面OF正交之Y方向)之中心位置之加工預定線PL照射雷射光LB來進行龜裂伸展加工時之在具有圖案之基板W之厚度方向之龜裂伸展之樣子的示意剖面圖。此外，以下將具有圖案之基板W之主面Wa亦稱為具有圖案之基板W之表面，將具有圖案之基板W之主面Wb亦稱為具有圖案之基板W之背面。
此情形下，在具有圖案之基板W之厚度方向中從主面Wa起數μm~30μm之距離之位置，加工痕M沿Y軸方向離散地形成，龜裂在各個加工痕M之間伸展，且龜裂CR1及龜裂CR2分別從加工痕M往上方(主面Wa之側)及下方(主面Wb之側)伸展。
不過，此等龜裂CR1及CR2，並非往加工痕M之鉛直上方或下方、亦即沿著從加工預定線PL延伸於具有圖案之基板W之厚度方向之面P1伸展，而是以相對面P1傾斜、越從加工痕M離開則越從面P1偏移之態樣伸展。而且，在X方向中，龜裂CR1與龜裂CR2從面P1偏移之方向係相反。
進而，當以此種態樣，龜裂CR1及CR2一邊傾斜一邊伸展時，依其傾斜之程度，會產生如圖4所示，龜裂CR2之終端T(亦包含藉由其後之裂斷步驟而伸展之情形)超過切割道ST之範圍，而伸展至構成元件晶片之單位圖案UP之部分。若如此以龜裂CR1及CR2伸展之處作為起點 進行裂斷，則單位圖案UP會破損，元件晶片成為不良品。而且，從過去經驗可知，此種龜裂之傾斜，只要係在具有相同圖案之基板W中於相同方向進行加工，則在其他加工位置亦同樣地會產生。若在各個切割道ST中產生此種在厚度方向之龜裂之傾斜，進而引起單位圖案UP之破壞，則會導致良品之元件晶片之擷取個數(良率)降低。
為了避免此種不良情形之產生，本實施形態中，係使雷射光LB之照射位置從作為加工位置之加工預定線PL之設定位置偏置以使龜裂CR2之終端T位在切割道ST之範圍內。
圖5係顯示使雷射光LB之照射位置IP從圖4所示之加工預定線PL往以箭頭AR1所示之-X方向偏置而進行龜裂伸展加工時之具有圖案之基板W在厚度方向之龜裂伸展之樣子的示意剖面圖。如圖5所示，只要使雷射光LB之照射位置IP偏置，則可避免單位圖案UP之破壞。
不過，圖5中，雖龜裂CR2之終端T2位於緊挨加工預定線PL下方，但此並非必須之態樣，只要終端T2收在切割道ST之範圍內即可。
又，圖5中，往單位圖案UP不存在之主面Wa側伸展之龜裂CR1之終端T1雖未收在切割道ST之範圍內，但只要非足以對元件晶片功能造成影響之顯著傾斜，則不立即判斷為不良情形。例如，只要元件晶片之形狀收在預先規定之容許範圍內，則如圖5所示之龜裂CR1之傾斜可被容許。
此外，由過去經驗可知，如上述之龜裂之傾斜，係僅在對具有圖案之基板W沿與其定向平面OF正交之Y方向進行龜裂伸展加工時產生之現象，在沿與定向平面OF平行之X方向進行龜裂伸展加工時不會產 生。亦即，在沿X方向進行龜裂伸展加工之情形，具有圖案之基板W在厚度方向之龜裂之伸展，係從加工痕往鉛直上方及鉛直下方產生。
<偏置條件之設定>
(第1態樣)
如上所述，在對具有圖案之基板W進行龜裂伸展加工而欲單片化之情形，在進行與定向平面OF正交之Y方向之加工時，有時必須使雷射光LB之照射位置偏置。在此情形中會成為問題者，雖圖4及圖5中龜裂CR1往-X方向傾斜伸展，龜裂CR2往+X方向傾斜伸展，但此不過是例示，而係兩者之伸展方向會因各個具有圖案之基板W而替換，以及在各個具有圖案之基板W中龜裂之傾斜會朝向哪個方向產生若不實際照射雷射光LB進行龜裂伸展加工則不會得知。若不知至少傾斜之方向，則實際上並無法進行使照射位置偏置之動作。
進而，在元件晶片之量產過程中，從生產性提升之觀點來看，被要求自動地且盡可能迅速地設定用以偏置之條件。
圖6係顯示基於以上各點之本實施形態之雷射加工裝置100中進行之偏置條件之設定處理流程的圖。本實施形態之偏置條件之設定處理，概略地說，係對欲單片化之具有圖案之基板W一部分進行龜裂伸展加工，藉由影像處理特定出因該加工之結果而產生之龜裂之傾斜之方向後，在該被特定出之方向中賦予預先設定之偏置量(距離)。此種偏置條件之設定處理，係藉由以雷射加工裝置100之控制器1所具備之偏置設定部26依據儲存於記憶部3之程式3p，使裝置各部動作，且進行必要之運算處理等來實現。
此外，在進行此設定處理前，預先使具有圖案之基板W載置固定於雷射加工裝置100之載台4上且進行對準處理使其X方向與Y方向分別與移動機構4m之移動方向即水平二軸方向一致。對準處理，除了能適用專利文獻1所揭示之手法以外，亦可適當地適用公知之手法。又，於被加工物資料D1記述有作為加工對象之具有圖案之基板W之個體資訊。
首先，先決定進行偏置設定用之龜裂伸展加工之位置(雷射光LB之照射位置)(步驟STP1)，對該位置照射雷射光LB以進行龜裂伸展加工(步驟STP2)。其後，將上述偏置設定用之龜裂伸展加工稱為暫態加工。
此種暫態加工，最好係在其加工結果不會對元件晶片之擷取個數產生影響之位置進行。例如，最好係將在具有圖案之基板W中不形成作為元件晶片之單位圖案UP之外緣位置等作為對象來進行。圖7係例示考量到此點之暫態加工時之雷射光LB之照射位置IP1的圖。圖7中，係例示較在X方向之位置座標為最負之切割道ST(ST1)更靠向具有圖案之基板W之外緣處(X方向負之側)設定暫態加工用之照射位置IP1之情形。此外，圖7中，雖係將照射位置IP1橫越具有圖案之基板W之兩個外周端位置來顯示，但並不需在橫越兩外周端位置之間之全範圍照射雷射光LB。
具體之照射位置IP1之設定方法並無特別限定。例如，亦可係根據預先被賦予之與具有圖案之基板W形狀相關之資料來進行之態樣，或者藉由影像處理特定出切割道ST(ST1)之位置並根據其特定結果來進行之態樣。
在對照射位置IP1之暫態加工結束後，接著在藉由下部照明光源S2對具有圖案之基板W賦予來自主面Wb側之透射照明之狀態下，以 使CCD攝影機6a之焦點位置(高度)對準於此時之具有圖案之基板W表面即主面Wa之狀態拍攝暫態加工之加工位置(步驟STP3)。接著，藉由對所取得之攝影影像進行既定處理，來決定可視為在龜裂CR1之主面Wa中之終端T1在X方向之代表座標位置的座標X1(步驟STP4)。
圖8係用以說明基於在步驟STP3取得之具有圖案之基板W之攝影影像IM1之座標X1之決定方法的圖。
更詳言之，圖8(a)係顯示在步驟STP3取得之攝影影像IM1中雷射光LB之照射位置IP1近旁之部分。該攝影影像IM1中，加工痕M被觀察為在Y方向延伸之微小點列或大致連續線。又，從此種加工痕M往主面Wa伸展之龜裂CR1係以較加工痕M強之對比(以更高之像素值，具體而言即更黑)被觀察。此外，之所以龜裂CR1之對比較加工痕M強，係因龜裂CR1存在於較加工痕M更接近CCD攝影機6a之焦點位置處之故。
基於以此方式取得之攝影影像IM1之座標X1之決定，係設定於Y方向具有長度方向且包含此等加工痕M及龜裂CR1之像在內之既定矩形區域RE1，並作成將該矩形區域RE1中之X座標為相同位置之像素值(色濃度值)沿Y方向加以積算而成之設定檔，藉此來進行。圖8(b)所示者，係以圖8(a)所示之攝影影像IM1為對象藉由上述積算處理而取得之設定檔PF1。
如上所述，圖8(a)所示之攝影影像IM1，由於係將焦點對準於主面Wa而取得者，因此可知，龜裂CR1越多存在之位置且龜裂CR1越接近主面Wa之處，在圖8(b)所示之設定檔PF1中像素值就越高。因此，本實施形態中，係將該設定檔PF1中像素值為最大之座標X1視為龜裂CR1 之終端T1在X方向之座標位置。
以此方式決定座標X1後，其次，與拍攝攝影影像IM1時同樣地，在藉由下部照明光源S2對具有圖案之基板W賦予來自主面Wb側之透射照明之狀態下，以使CCD攝影機6a之焦點位置(高度)對準於加工痕M之深度位置、亦即龜裂伸展加工時之雷射光LB之焦點位置之狀態拍攝該加工位置(步驟STP5)。接著，藉由對所取得之攝影影像進行既定處理，來決定可視為加工痕M在X方向之代表座標位置的座標X2(步驟STP6)。
圖9係用以說明基於在步驟STP5取得之具有圖案之基板W之攝影影像IM2之座標X2之決定方法的圖。
更詳言之，圖9(a)係顯示在步驟STP5取得之攝影影像IM2中雷射光LB之照射位置IP1近旁之部分。與圖9(a)所示之攝影影像IM1同樣地，在該攝影影像IM2中，加工痕M被觀察為在Y方向延伸之微小點列或大致連續線，又，亦觀察到從此加工痕M往主面Wa伸展之龜裂CR1。不過，藉由攝影時之焦點位置設定於加工痕M之深度位置，而在攝影影像IM2中，被觀察到加工痕M之對比較攝影影像IM1強。
基於以此方式取得之攝影影像IM2之座標X2之決定，係與步驟STP4中之龜裂CR1之終端T1之決定方法同樣地，設定於Y方向具有長度方向且包含加工痕M及龜裂CR1之像在內之既定矩形區域RE2，並作成將該矩形區域RE2中之X座標為相同位置之像素值(色濃度值)沿Y方向加以積算而成之設定檔，藉此來進行。圖9(b)所示者，係以圖9(a)所示之攝影影像IM2為對象藉由上述積算處理而取得之設定檔PF2。此外，矩形區域RE2與矩形區域RE1可設定為相同尺寸，亦可視各個攝影影像中加工痕M 或龜裂CR1之存在位置而使其兩者相異。
如上所述，圖9(a)所示之攝影影像IM2，由於係將焦點對準於加工痕M之深度位置而取得者，因此可知，越接近加工痕M之處，在圖9(b)所示之設定檔PF2中像素值就越高。因此，本實施形態中，係將該設定檔PF2中像素值為最大之座標X2視為加工痕M在X方向之座標位置。
此外，步驟STP3~STP6所示之處理之執行順序亦可適當替換，亦可適當並行進行。例如，亦可在連續進行步驟STP3及步驟STP5之攝影處理後，依序進行步驟STP4及步驟STP6之座標X1、X2之特定處理，亦可在步驟STP3之攝影處理後，進行步驟STP4之座標X1之特定處理之期間，與此並行地進行步驟STP5之攝影處理。
藉由以上態樣決定座標X1及X2之值後，接著，算出此等座標值之差分值ΔX=X2-X1，根據其結果特定出應進行偏置之方向(步驟STP7)。
具體而言，ΔX與偏置方向之間有以下之關係。
ΔX>0→終端T1到達較加工痕M更靠+X方向→往-X方向偏置；ΔX<0→終端T1到達較加工痕M更靠-X方向→往+X方向偏置；ΔX=0→終端T1到達緊挨加工痕M上方→不需偏置。
只要是圖8及圖9所示之情形，由於ΔX<0，因此被特定為應往+X方向偏置。
藉由如上述特定偏置方向，接著，根據儲存於記憶部3之被加工物資料D1與照射位置偏置資料D3，決定對被特定出之偏置方向之偏置量(步驟STP8)。
如上所述，於被加工物資料D1記述有實際作為加工對象(亦即已進行偏置設定用之龜裂伸展加工)之具有圖案之基板W之個體資訊(結晶方位、厚度等)。另一方面，於照射位置偏置資料D3預先有能依照具有圖案之基板W之個體資訊設定偏置量之記述。偏置設定部26係從被加工物資料D1取得具有圖案之基板W之個體資訊，並參照照射位置偏置資料D3決定與該個體資訊對應之偏置量。
此外，從照射位置偏置資料D3之記述內容決定之偏置量，經驗上係賦予只要以其值使雷射光LB之照射位置對加工位置偏置則大部分之情形可避免如圖4所示之龜裂CR2導致單位圖案UP之破壞之值。例如，只要是有具有圖案之基板W厚度越大則龜裂之傾斜之程度亦越大之傾向，則設想於照射位置偏置資料D3以具有圖案之基板W厚度越大則設定越大之偏置量之方式來記述等的對應。
照射位置偏置資料D3之形式並無特別限定。例如可係將照射位置偏置資料D3作成依每一具有圖案之基板W之材質種類或厚度範圍記述有應設定之偏置量之表之態樣，或係厚度與偏置量規定為某函數關係之態樣。
又，由上述之決定方法可清楚得知，偏置量之決定，由於能與以步驟STP1~STP7進行之偏置方向之特定無關係地進行，因此不一定要在特定出偏置方向後再決定，亦可係在偏置方向之特定前或與偏置方向 之特定並行地進行之態樣。
在步驟STP7之偏置方向之決定與在步驟STP8之偏置量之決定後，偏置設定處理即結束。接續於此，根據所決定之偏置方向及偏置量進行用以將具有圖案之基板W單片化之龜裂伸展加工處理。藉此，可實現非常良好地抑制了因龜裂伸展導致之單位圖案UP之破壞之具有圖案之基板W之單片化。
此外，原理上雖能根據以步驟STP7算出之ΔX之值設定偏置量或將ΔX本身設定為偏置量，但採用此種態樣亦不一定會提升偏置量之設定精度。其原因在於，以上述態樣決定之座標X1或X2，就其算出原理而言，不完全可說是能正確地代表龜裂CR1之終端T1或加工痕M之實際位置之值，由於單單是為了決定偏置方向而權宜地求出之值，因此其差分值ΔX不見得可在該具有圖案之基板W之所有加工中賦予適當之偏置量。
(第2態樣)
雷射加工裝置100之偏置條件之設定處理方法不限於上述之第1態樣。圖10係顯示第2態樣之偏置條件之設定處理流程的圖。圖10所示之第2態樣之設定處理，除了在取代圖6所示之第1態樣中之設定處理之步驟STP3及步驟STP4而進行步驟STP13及步驟STP14這點、以及伴隨於此地於步驟STP7之差分值之算出所使用之座標值與第1設定處理不同這點以外，其餘均與第1設定處理相同。
具體而言，第2態樣中，在藉由步驟STP1~步驟STP2進行暫態加工後，在藉由下部照明光源S2對具有圖案之基板W賦予來自主面 Wb側之透射照明之狀態下，以使CCD攝影機6a之焦點位置(高度)對準於此時之具有圖案之基板W背面即主面Wb之狀態拍攝已進行暫態加工之位置(步驟STP13)。接著，藉由對所取得之攝影影像進行基於圖8所說明之與決定龜裂CR1之終端T1之影像處理相同之影像處理，來決定可視為在龜裂CR2之主面Wb中之終端T2在X方向之代表座標位置的座標X3(步驟STP14)。具體而言，係作成與圖8(b)之設定檔PF1相同之設定檔，並將其中像素值最大之座標X3視為龜裂CR2之終端T2之位置。
接著，接續於此步驟進行步驟STP5~步驟STP6之處理求出座標X2後，在步驟STP7中算出ΔX=X2-X3，根據其結果特定出應進行偏置之方向(偏置方向)(步驟STP7)。
具體而言，ΔX與偏置方向之間有以下之關係。
ΔX>0→終端T2到達較加工痕M更靠-X方向→往+X方向偏置；ΔX<0→終端T2到達較加工痕M更靠+X方向→往-X方向偏置；ΔX=0→終端T2到達緊挨加工痕M下方→不需偏置。
又，偏置量之設定只要與第1態樣同樣地進行即可。
第2態樣之情形亦與第1態樣同樣地，在步驟STP7之偏置方向之決定與在步驟STP8之偏置量之決定後，偏置設定處理即結束，接續於此，根據所決定之偏置方向及偏置量進行用以將具有圖案之基板W單片化之龜裂伸展加工處理。藉此，可實現非常良好地抑制了因龜裂伸展導致 之單位圖案UP之破壞之具有圖案之基板W之單片化。
如以上所說明，根據本實施形態，在藉由龜裂伸展加工將具有圖案之基板單片化時，在與定向平面正交之方向之加工中龜裂會傾斜的情形，由於能藉由在使雷射光之照射位置偏置後進行該龜裂伸展加工，來抑制龜裂之傾斜，因此，可非常良好地抑制將設於具有圖案之基板之構成各個元件晶片之單位圖案單片化時產生破壞。其結果，提升藉由將具有圖案之基板單片化而取得之元件晶片之良率。

Claims (6)

  1. 一種雷射加工裝置，其具備：射出源，射出雷射光；載台，能固定具有圖案之基板，該具有圖案之基板係於單結晶基板上將複數個單位元件圖案二維地反覆配置而成；能藉由使前述射出源與前述載台相對移動以將前述雷射光一邊沿既定之加工預定線掃描、一邊照射於前述具有圖案之基板，其特徵在於：能執行龜裂伸展加工，其係以藉由前述雷射光之各個單位脈衝光而形成於前述具有圖案之基板之加工痕沿前述加工預定線位於離散處之方式照射前述雷射光，使龜裂從各個前述加工痕於前述具有圖案之基板伸展；且進一步具備攝影手段，能拍攝載置於前述載台之前述具有圖案之基板；以及偏置條件設定手段，係設定偏置條件，該偏置條件係用以在前述龜裂伸展加工時使前述雷射光之照射位置從前述加工預定線偏置；前述偏置條件設定手段，在將前述具有圖案之基板之一部分位置設定為前述偏置條件設定用之前述龜裂伸展加工之執行位置，對前述執行位置進行前述偏置條件設定用之前述龜裂伸展加工即暫態加工後，使前述攝影手段拍攝在使焦點對準於前述具有圖案之基板表面之狀態下拍攝前述暫態加工之前述執行位置而取得第1攝影影像，且在使焦點對準於已進行前述暫態加工時之前述雷射光之焦點位置之狀態下拍攝前述暫態加工之前述執行位置而取得第2攝影影像； 根據從前述第1攝影影像特定之從藉由前述暫態加工形成之加工痕伸展之龜裂之終端之位置座標與根據從前述第2攝影影像特定之前述暫態加工之加工痕之位置座標之差分值，在前述龜裂伸展加工時特定應使前述雷射光之照射位置偏置之方向。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射加工裝置，其中，前述偏置條件設定手段，根據藉由在前述第1攝影影像與前述第2攝影影像之各個中沿前述暫態加工時之加工方向積算像素值而取得之積算設定檔，特定在前述暫態加工時產生之前述龜裂之終端之位置座標與前述暫態加工時之前述加工痕之位置座標。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之雷射加工裝置，其中，前述偏置條件設定手段，係根據預先取得之作為前述龜裂開始點加工之對象之前述具有圖案之基板之個體資訊，決定在前述龜裂伸展加工時使前述雷射光之照射位置從前述加工預定線偏置時之偏置量。
  4. 一種具有圖案之基板之加工條件設定方法，係設定進行加工時之加工條件之方法，該加工係藉由對於單結晶基板上將複數個單位元件圖案二維地反覆配置而成之具有圖案之基板照射雷射光以將前述具有圖案之基板單片化，其特徵在於：將前述具有圖案之基板單片化之加工，係以藉由前述雷射光之各個單位脈衝光而形成於前述具有圖案之基板之加工痕沿加工預定線位於離散處之方式照射前述雷射光，使龜裂從各個前述加工痕於前述具有圖案之基板伸展之龜裂伸展加工；且具備：偏置條件設定步驟，係在前述龜裂開始點加工前，設定用 以在前述龜裂伸展加工時使前述雷射光之照射位置從前述加工預定線偏置之偏置條件；前述偏置條件設定步驟，具備：暫態加工步驟，在將前述具有圖案之基板之一部分位置設定為前述偏置條件設定用之前述龜裂伸展加工之執行位置，對前述執行位置進行前述偏置條件設定用之前述龜裂伸展加工即暫態加工；攝影步驟，使既定之攝影手段拍攝在使焦點對準於前述具有圖案之基板表面之狀態下拍攝前述暫態加工之前述執行位置而取得第1攝影影像，且在使焦點對準於已進行前述暫態加工時之前述雷射光之焦點位置之狀態下拍攝前述暫態加工之前述執行位置而取得第2攝影影像；以及偏置方向特定步驟，根據從前述第1攝影影像特定之從藉由前述暫態加工形成之加工痕伸展之龜裂之終端之位置座標與根據從前述第2攝影影像特定之前述暫態加工之加工痕之位置座標之差分值，在前述龜裂伸展加工時特定應使前述雷射光之照射位置偏置之方向。
  5. 如申請專利範圍第4項之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其中，前述偏置方向特定步驟中，根據藉由在前述第1攝影影像與前述第2攝影影像之各個中沿前述暫態加工時之加工方向積算像素值而取得之積算設定檔，特定在前述暫態加工時產生之前述龜裂之終端之位置座標與前述暫態加工時之前述加工痕之位置座標。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其中，前述偏置條件設定步驟，進一步具備根據預先取得之作為前述龜裂開始點加工之對象之前述具有圖案之基板之個體資訊，決定在前述龜裂 伸展加工時使前述雷射光之照射位置從前述加工預定線偏置時之偏置量。
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