TWI630052B - 雷射加工裝置、及具有圖案之基板之加工條件設定方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠良好地單片化具有圖案之基板的加工條件設定方法。藉由利用單位脈衝光以於具有圖案之基板形成之加工痕沿加工預定線離散地配置之方式照射雷射光、且使龜裂從各個加工痕伸展之龜裂伸展加工從而對具有圖案之基板進行單片化時之加工條件設定方法，具備：將具有圖案之基板中的圖案形成面之相反面之一部分部位設定成偏位條件設定用之龜裂伸展加工即暫時加工之實行部位的步驟、進行暫時加工的步驟、以及如下步驟：利用在暫時加工之前後，以IR光作為照明光且使焦點與圖案形成面相合並拍攝暫時加工實行部位，針對所獲得之第1與第2拍攝影像，沿暫時加工時之加工方向累計像素值而藉此獲得之第1與第2像素值輪廓之差分值輪廓，特定出雷射光之照射位置之偏位方向。

Description

雷射加工裝置、及具有圖案之基板之加工條件設定方法
本發明係關於一種在對於基板上二維地重複配置多個單位圖案而成之具有圖案之基板進行分割時，設定加工條件之方法，尤其是關於一種雷射加工裝置中的加工條件之設定方法。
LED元件，例如以對在藍寶石單結晶等之基板(晶圓、母基板)上二維地重複形成LED元件之單位圖案而成之具有圖案之基板(具有LED圖案之基板)，於呈格子狀地設置之被稱為路徑(street)之分割預定區域進行分割、單片化(晶片化)之程序(process)製造。此處，所謂的路徑，係藉由分割而成為LED元件之2個部分之間隙部分即寬度窄之區域。
作為用於該分割之手法，如下之手法為已公知(例如，參照專利文獻1)：藉由以各個單位脈衝光之被照射區域沿加工預定線離散地配置之條件，照射脈衝寬度為psec等級之超短脈衝光即雷射光，沿加工預定線(通常為路徑中心位置)形成用於分割之起點。在專利文獻1所揭示之手法中，係藉由在各個單位脈衝光之被照射區域中所形成之加工痕之間產生由劈開或裂開造成之龜裂伸展(裂紋伸展)，沿該龜裂分割基板，而藉此實現單片化。
專利文獻1：日本特開2011-131256號公報
在上述般之具有圖案之基板中，一般係沿著與設置於藍寶石單結晶基板之定向平面(orientation flat)平行之方向和與其正交之方向配置單位圖案。因此，在該具有圖案之基板中，路徑係於與定向平面平行之方向和與其垂直之方向延伸。
在對如此般之具有圖案之基板以專利文獻1所揭示般之手法進行分割之情形，當然係成為沿著與定向平面平行之路徑和與定向平面垂直之路徑照射雷射光。在該情形中，龜裂從伴隨雷射光照射而成之加工痕之伸展，不僅在加工預定線之延伸方向即雷射光照射方向(掃描方向)產生，亦在基板厚度方向中產生。
然而，由經驗得知，在沿著與定向平面平行之路徑照射雷射光之情形，基板厚度方向中的龜裂伸展從加工痕往垂直方向產生，相對於此，在以相同照射條件沿著與定向平面垂直之路徑照射雷射光之情形，龜裂非往垂直方向而係往從垂直方向傾斜之方向伸展，係有所不同。而且，該龜裂傾斜之方向，在同一晶圓面內雖為一致，但存在有因各個具有圖案之基板而異之情形。
另外，作為於具有圖案之基板所使用之藍寶石單結晶基板，係c面或a面等之結晶面之面方位與主面法線方向一致者，另外，雖存在有使用在主面內以與定向平面垂直之方向作為傾斜軸並使該等結晶面之面方位相對於主面法線方向傾斜之所謂的賦有斜角(off angle)之基板(亦稱斜基板)的情況，但經本發明之發明者們確認，在上述之沿著與定向平面垂直之路徑照射雷射光之情形的龜裂之傾斜，不管是不是斜基板都會產生。
另一方面，從LED元件之微小化或每單位基板面積之獲取 個數提高等之要求下，路徑之寬度被期望能更狹窄。然而，在以如此般之路徑寬度狹窄之具有圖案之基板為對象，應用專利文獻1已揭示之手法的情形，引起了如下之不良情況：在與定向平面垂直之路徑中，傾斜並伸展之龜裂並未落入於該路徑之寬度內，而係抵達至相鄰之成為LED元件之區域。該不良情況之產生，成為使LED元件之良率降低之要因，因此並不被期望。
對於抑制該良率之降低，有必要在加工各個具有圖案之基板時，特定出龜裂傾斜的方向，且與此相應地設定加工條件、例如加工位置，但尤其是在LED元件之量產過程中，為了使加工生產性提高，被要求要迅速地進行對各個具有圖案之基板的加工條件之設定。
本發明係有鑑於上述課題而完成者，其目的在於提供一種以能夠良好地單片化具有圖案之基板的方式，設定加工條件之方法、及實現其之裝置。
為了解決上述課題，請求項1之發明之雷射加工裝置，係具備射出雷射光之射出源、及可將於單結晶基板上呈二維地重複配置多個單位元件圖案而成之具有圖案之基板固定之載台，藉由使該射出源與該載台相對移動而可使該雷射光沿既定之加工預定線一邊掃描一邊照射於該具有圖案之基板，其特徵在於：藉由該雷射光之各個單位脈衝光，以於該具有圖案之基板形成之加工痕沿該加工預定線離散地配置之方式照射該雷射光，藉此可實行使龜裂從各個該加工痕於該具有圖案之基板伸展之龜裂伸展加工，並且進一步具備：照明手段，係對載置於該載台之該具有圖案之基板發出IR光作為照明光；拍攝手段，係可對載置於該載台之該具有圖案 之基板進行拍攝；及偏位(offset)條件設定手段，係在該龜裂伸展加工時，設定用於使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位之偏位條件；該偏位條件設定手段，在以形成有該多個單位元件圖案側成為被載置面之方式已將該具有圖案之基板載置於該載台之狀態下，將該具有圖案之基板之中該被載置面之相反面之一部分部位設定成該偏位條件設定用之該龜裂伸展加工之實行部位，對該實行部位進行該偏位條件設定用之該龜裂伸展加工即暫時加工，並且於該拍攝手段，在該暫時加工之前後，在已從該照明手段發出該IR光作為該照明光之狀態下，且於該具有圖案之基板之形成有該多個單位元件圖案側的面已聚焦之狀態下拍攝該暫時加工之該實行部位，藉此取得第1與第2拍攝影像，在針對該第1與第2拍攝影像之各個，沿該暫時加工時之加工方向累計像素值而藉此生成第1與第2像素值輪廓(profile)之後，生成該第1與第2像素值輪廓之差分值輪廓，根據該差分值輪廓，特定出在用於單片化該具有圖案之基板之該龜裂伸展加工時應使該雷射光之該照射位置偏位之方向。
請求項2之發明，係請求項1中記載之雷射加工裝置，其特徵在於：該具有圖案之基板，於該被載置面之該相反側具備多重反射膜。
請求項3之發明，係請求項1或請求項2中記載之雷射加工裝置，其特徵在於：該偏位條件設定手段，根據在該差分值輪廓中夾著極值之2個近似直線之斜度，特定出於該龜裂伸展加工時應使該雷射光之該照射位置偏位之方向。
請求項4、5之發明，係請求項1至請求項3中任一項記載之雷射加工裝置，其特徵在於：該偏位條件設定手段，根據預先取得之作 為該龜裂伸展加工之對象之該具有圖案之基板之個體資訊，決定於該龜裂伸展加工時使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位時之偏位量。
請求項6之發明，係設定進行藉由對於單結晶基板上呈二維地重複配置多個單位元件圖案而成之具有圖案之基板照射雷射光從而單片化該具有圖案之基板之加工時之加工條件之方法，其特徵在於：單片化該具有圖案之基板之加工，係藉由該雷射光之各個單位脈衝光，以於該具有圖案之基板形成之加工痕沿該加工預定線離散地配置之方式照射該雷射光，使龜裂從各個該加工痕於該具有圖案之基板伸展之龜裂伸展加工；具備偏位條件設定步驟，該偏位條件設定步驟係在該龜裂伸展加工前，設定用於在該龜裂伸展加工時使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位之偏位條件；該偏位條件設定步驟，具備：設定步驟，係將該具有圖案之基板之中形成有該多個單位元件圖案側的面之相反面之一部分部位，設定成該偏位條件設定用之該龜裂伸展加工即暫時加工之實行部位；第1拍攝步驟，係在已從該照明手段發出該IR光作為該照明光之狀態下，在既定之拍攝手段中，於形成有該多個單位元件圖案側的面已聚焦之狀態下，拍攝該暫時加工之該實行部位而取得第1拍攝影像；暫時加工步驟，係對該實行部位進行該暫時加工；第2拍攝步驟，係在已從該照明手段發出該IR光作為該照明光之狀態下，在既定之拍攝手段中，於形成有該多個單位元件圖案側的面已聚焦之狀態下，拍攝該暫時加工之該實行部位而取得第2拍攝影像；以及偏位方向特定步驟，係針對該第1與第2拍攝影像之各個，沿該暫時加工時之加工方向累計像素值而藉此生成第1與第2像素值輪廓之後，生成該第1與第2像素值輪廓之差分值輪廓，根據該差分值輪廓，特定出在 用於單片化該具有圖案之基板之該龜裂伸展加工時應使該雷射光之該照射位置偏位之方向。
請求項7之發明，係請求項6中記載之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其特徵在於：該具有圖案之基板，於該被載置面之該相反面具備多重反射膜。
請求項8之發明，係請求項6或請求項7中記載之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其特徵在於：在該偏位方向特定步驟中，根據在該差分值輪廓中夾著極值之2個近似直線之斜度，特定出於該龜裂伸展加工時應使該雷射光之該照射位置偏位之方向。
請求項9、10之發明，係請求項6至請求項8中任一項記載之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其特徵在於：該偏位條件設定步驟，進一步具備：偏位量決定步驟，係根據預先取得之作為該龜裂伸展加工之對象之該具有圖案之基板之個體資訊，決定於該龜裂伸展加工時使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位時之偏位量。
根據請求項1至請求項10之發明，於藉由龜裂伸展加工而單片化具有圖案之基板時，於在與定向平面正交之方向之加工中能使龜裂傾斜之情形，於使雷射光之照射位置偏位之後能夠進行該龜裂伸展加工，因此，在單片化於具有圖案之基板所設置之構成各個元件晶片之單位圖案時，能夠適當地抑制破壞產生。其結果為，使藉由單片化具有圖案之基板而獲得之元件晶片之良率提高。
尤其是，根據請求項2及請求項7之發明，藉由使用IR光作為照明光，即使是在具有圖案之基板於與單位圖案之形成面相反面具備 多重反射膜的情形，亦能夠良好地進行伸展至圖案形成面之龜裂之拍攝，其結果為，能夠適當地特定出雷射光之照射位置之偏位方向。
1‧‧‧控制器
4‧‧‧載台
4m‧‧‧移動機構
5‧‧‧照射光學系統
6‧‧‧上部觀察光學系統
6a、16a‧‧‧攝影機
6b、16b‧‧‧監視器
7‧‧‧上部照明系統
8‧‧‧下部照明系統
10‧‧‧被加工物
10a‧‧‧保持片
11‧‧‧吸引手段
100‧‧‧雷射加工裝置
16‧‧‧下部觀察光學系統
51、71、81‧‧‧半反射鏡
52、82‧‧‧聚光透鏡
CR1、CR2‧‧‧龜裂
DBR‧‧‧多重反射膜
IM1、IM2‧‧‧拍攝影像
IP、IP1‧‧‧雷射光之照射位置
L1‧‧‧上部照明光
L2‧‧‧下部照明光
LB‧‧‧雷射光
M‧‧‧加工痕
OF‧‧‧定向平面
PL‧‧‧加工預定線
S1‧‧‧上部照明光源
S2‧‧‧下部照明光源
SL‧‧‧雷射光源
ST‧‧‧路徑
T、T1、T2‧‧‧(龜裂之)終端位置
UP‧‧‧單位圖案
W‧‧‧具有圖案之基板
W1‧‧‧單結晶基板
Wa、Wb‧‧‧(具有圖案之基板之)主面
圖1，係概略地表示於被加工物之分割中所使用之雷射加工裝置100之構成的示意圖。
圖2，係用以說明龜裂伸展加工中的雷射光LB之照射態樣的圖式。
圖3，係具有圖案之基板W之示意俯視圖及部分放大圖。
圖4，係表示沿加工預定線PL照射有雷射光LB之情形之與具有圖案之基板W之Y方向垂直之剖面中的龜裂伸展之樣子的圖式。
圖5，係表示使雷射光LB之照射位置IP偏位並進行龜裂伸展加工之情形之具有圖案之基板W之厚度方向中的龜裂伸展之樣子的示意剖面圖。
圖6，係表示偏位條件之設定處理之流程的圖式。
圖7，係例示暫時加工時之雷射光LB之照射位置IP1的圖式。
圖8，係例示於步驟STP4中所獲得之加工後的具有圖案之基板W之拍攝影像IM、與用於獲得像素值輪廓之影像處理對象區域RE的圖式。
圖9，係例示第1輪廓PF1、第2輪廓PF2、及差分值輪廓△PF的圖式。
圖10，係為了步驟STP8及步驟STP9之說明而例示之輪廓PF3。
圖11，係根據圖10所示之輪廓PF3而作成之近似直線輪廓。
<雷射加工裝置>
圖1，係概略地表示可適用於本發明之實施形態之於被加工物之分割中所使用之雷射加工裝置100之構成的示意圖。雷射加工裝置100，主要具備進行裝置內之各種動作(觀察動作、對準動作、加工動作等)之控制的控制器1、於其上載置被加工物10的載台4、及對被加工物10照射從雷射光源SL射出之雷射光LB的照射光學系統5。
載台4，主要由石英等在光學上呈透明之構件構成。載台4，形成為可藉由例如吸引泵等之吸引手段11吸引並固定載置於其上面之被加工物10。此外，載台4，成為可藉由移動機構4m而於水平方向移動。另外，在圖1中，於被加工物10貼附有具有黏著性的保持片10a之後，以該保持片10a側作為被載置面而將被加工物10載置於載台4，但使用保持片10a之態樣並非為必須者。
移動機構4m，藉由未圖示之驅動手段之作用使載台4於水平面內並於既定之XY二軸移動。藉此，實現觀察位置之移動或雷射光照射位置之移動。另外，關於移動機構4m，在進行對準等方面，較佳為：以既定之旋轉軸為中心之水平面內之旋轉(θ旋轉)動作，亦與水平驅動獨立地進行。
照射光學系統5，具備雷射光源SL、於省略圖示之鏡筒內具備的半反射鏡51、及聚光透鏡52。
在雷射加工裝置100中，概略而言，使從雷射光源SL發出之雷射光LB，藉由半反射鏡51反射之後，使該雷射光LB以藉由聚光透鏡52而聚焦於載置於載台4之被加工物10之被加工部位之方式聚光，並照射於被加工物10。而且，在該態樣中一邊照射雷射光LB、一邊使載台4移動， 藉此可對被加工物10進行沿既定之加工預定線之加工。亦即，雷射加工裝置100，係藉由對被加工物10相對地掃描雷射光LB，而進行加工之裝置。
作為雷射光源SL，較佳之態樣為使用Nd：YAG雷射。作為雷射光源SL，係使用波長為500nm~1600nm者。此外，為了實現在上述之加工圖案之加工，雷射光LB之脈衝寬度必需為1psec~50psec左右。此外，重複頻率R較佳為10kHz~200kHz左右，雷射光之照射能量(脈衝能量)較佳為0.1μJ~50μJ左右。
另外，在雷射加工裝置100中，於加工處理時，亦可根據需要，以刻意地使聚焦位置從被加工物10之表面偏移之散焦狀態，照射雷射光LB。在本實施形態中，較佳為將散焦值(從被加工物10之表面往朝向內部之方向之聚焦位置的偏移量)設定成0μm以上50μm以下(例如，5μm以上30μm以下)之範圍。
此外，在雷射加工裝置100中，於載台4之上方，具備有用以從上方觀察、拍攝被加工物10之上部觀察光學系統6、及對被加工物10從載台4之上方照射照明光之上部照明系統7。此外，於載台4之下方，具備有對被加工物10從載台4之下方照射照明光之下部照明系統8。
上部觀察光學系統6，具備設於半反射鏡51之上方(鏡筒之上方)的CCD攝影機6a、及與該CCD攝影機6a連接之監視器6b。此外，上部照明系統7，具備上部照明光源S1、與半反射鏡71。
該等上部觀察光學系統6與上部照明系統7，與照射光學系統5同軸地構成。更詳細而言，照射光學系統5之半反射鏡51與聚光透鏡52，與上部觀察光學系統6及上部照明系統7共用。藉此，從上部照明光源 S1發出之上部照明光L1，藉由設置於未圖示之鏡筒內之半反射鏡71而反射，進一步地在透過構成照射光學系統5之半反射鏡51之後，藉由聚光透鏡52聚光，並照射於被加工物10。此外，在上部觀察光學系統6中，在照射有上部照明光L1之狀態下，能夠進行透過聚光透鏡52、半反射鏡51及半反射鏡71之被加工物10之明視野像(bright-field image)的觀察。
此外，下部照明系統8，具備下部照明光源S2、半反射鏡81、及聚光透鏡82。亦即，在雷射加工裝置100中，能夠透過載台4對被加工物10照射從下部照明光源S2射出且藉由半反射鏡81反射之後、藉由聚光透鏡82聚光之下部照明光L2。例如，當使用下部照明系統8時，可在將下部照明光L2照射於被加工物10之狀態下，在上部觀察光學系統6中進行該透過光之觀察等。
進一步地，如圖1所示，在雷射加工裝置100中，亦可具備有用以從下方觀察、拍攝被加工物10之下部觀察光學系統16。下部觀察光學系統16，具備設於半反射鏡81之下方的CCD攝影機16a、及與該CCD攝影機16a連接之監視器16b。在該下部觀察光學系統16中，例如，能夠在將上部照明光L1照射於被加工物10之狀態下進行該透過光之觀察。
另外，在本實施形態之雷射加工裝置100中，發出IR光(紅外光)作為照明光者，被使用於下部照明光源S2。藉此，在雷射加工裝置100中，即使是如在被加工位置具備如反射可見光(白色光)般之層般的加工對象物，亦能夠良好地進行該透過觀察。作為如此般之被加工物，例如，例示具備下述般之多重反射膜DBR之具有圖案之基板W等。在該具有圖案之基板W中，多重反射膜DBR成為幾乎不使可見光透過而進行反射。當然，對 於不存在如反射可見光(白色光)般之層的被加工物，亦能夠進行良好之觀察。或者進一步地，對於上部照明光源S1，亦可為使用發出IR光(紅外光)者之態樣。
控制器1，控制裝置各部之動作，進一步具備使在下述之態樣中的被加工物10之加工處理實現之控制部2、及儲存控制雷射加工裝置100之動作的程式3p或於加工處理時所參照的各種資料之儲存部3。
控制部2，例如係藉由個人電腦或微電腦等泛用之電腦而實現者，且儲存於儲存部3之程式3p由該電腦讀取並實行，藉此將各種之構成要素作為控制部2之功能性的構成要素而實現。
儲存部3，藉由ROM或RAM及硬碟等之儲存媒體而實現。另外，儲存部3，亦可為藉由實現控制部2之電腦之構成要素而實現之態樣，亦可為在硬碟之情形等與該電腦個別地設置之態樣。
於儲存部3，除了程式3p之外、除了作為加工對象之被加工物10之個體資訊(例如，材質、結晶方位、形狀(尺寸、厚度)等)之外，亦儲存記述有加工位置(或路徑位置)之被加工物資料D1，並且儲存與各個加工模式中之雷射加工之態樣對應之記述有關於雷射光之各個參數之條件或載台4之驅動條件(或者該等之設定可能範圍)等之加工模式設定資料D2。此外，於儲存部3，亦可適當地儲存在根據下述之理由而有必要相對於被加工物資料D1所記述之加工位置，使雷射光LB之照射位置以既定距離偏位之情形所參照之照射位置偏位資料D3。
控制部2，主要具備：驅動控制部21，係控制由移動機構4m進行之載台4之驅動或聚光透鏡52之聚焦動作等、關於加工處理之各種 驅動部分之動作；拍攝控制部22，係控制由上部觀察光學系統6或下部觀察光學系統16進行之被加工物10之觀察、拍攝；照射控制部23，係控制來自雷射光源SL之雷射光LB之照射；吸附控制部24，係控制由吸引手段11進行之被加工物10往載台4之吸附固定動作；加工處理部25，係依據被賦予的被加工物資料D1及加工模式設定資料D2實行對加工對象位置之加工處理；及偏位設定部26，係負責於加工處理前設定關於雷射光LB照射位置偏位之條件的處理。
在具備如以上般構成之控制器1的雷射加工裝置100中，一旦由操作者賦予以被記述於被加工物資料D1之加工位置為對象之既定的加工模式之加工實行指示，則加工處理部25取得被加工物資料D1，並且從加工模式設定資料D2取得對應所選擇之加工模式的條件，且以實行對應該條件之動作之方式，經由驅動控制部21或照射控制部23等控制所對應之各部之動作。例如，從雷射光源SL發出之雷射光LB之波長或功率、脈衝之重複頻率、脈衝寬度之調整等，係由照射控制部23實現。藉此，在被作為對象之加工位置中，實現所指定的加工模式中的加工。
但是，在本實施形態之雷射加工裝置100中，在例如被加工物10係具有圖案之基板W(參照圖3及圖4)，且對該具有圖案之基板W進行下述之龜裂伸展加工之情形，可於以上述之態樣進行之雷射加工前，根據需要而使雷射光LB之照射位置偏位。關於該雷射光LB之照射位置之偏位的細節將於下述。
此外，較佳為：雷射加工裝置100，構成為藉由加工處理部25之作用且依據於控制器1中提供給操作者可利用之加工處理選單，而可 選擇對應各種加工內容之加工模式。在該情形，加工處理選單，較佳為以GUI(圖形使用者介面)之方式提供。
藉由具有如以上般之構成，雷射加工裝置100，能夠適切地進行各種之雷射加工。
<龜裂伸展加工之原理>
接著，針對在雷射加工裝置100中可實現之加工手法之一即龜裂伸展加工進行說明。圖2，係用以說明龜裂伸展加工中的雷射光LB之照射態樣的圖式。更詳細而言，圖2，揭示有龜裂伸展加工時之雷射光LB之重複頻率R(kHz)、與當雷射光LB之照射時載置被加工物10之載台之移動速度V(mm/sec)、與雷射光LB之光束點中心間距△(μm)的關係。另外，於以下之說明中，以使用上述之雷射加工裝置100的情況為前提，藉由將雷射光LB之射出源固定，使載置有被加工物10之載台4移動，而實現雷射光LB對被加工物10之相對性的掃描，但在使被加工物10靜止之狀態下，即使是使雷射光LB之射出源移動之態樣，亦能夠同樣地實現龜裂伸展加工。
如圖2所示，在雷射光LB之重複頻率為R(kHz)之情形，就每1/R(msec)從雷射光源發出一雷射脈衝(亦稱單位脈衝光)。在載置有被加工物10之載台4以速度V(mm/sec)進行移動之情形，於某一雷射脈衝發出後至下一雷射脈衝發出之間，由於被加工物10移動V×(1/R)=V/R(μm)，因此某一雷射脈衝之光束中心位置與接著發出之雷射脈衝之光束中心位置之間隔，也就是光束點中心間隔△(μm)定為△=V/R。
由此，在被加工物10表面的雷射光LB之光束徑(亦稱光束 平口(beam waist)徑、點尺寸)Dd與光束點中心間隔△滿足下式之情形，即：△>Dd……(式1)，使雷射光之掃描時各個雷射脈衝不重疊。
此外，一旦單位脈衝光之照射時間也就是脈衝寬度設為極短，則在各個單位脈衝光之被照射位置中，較雷射光LB之點尺寸狹窄之存在於被照射位置之大致中央區域的物質，從所照射之雷射光獲得運動能量而藉此於被照射面往垂直方向飛散或變質等，另一方面，產生如下之現象：以伴隨該飛散而產生之反作用力為首之因單位脈衝光之照射所產生之衝擊或應力，作用於該被照射位置之周圍。
利用該等情況，一旦沿加工預定線依序且離散地照射從雷射光源接連發出之雷射脈衝(單位脈衝光)，則沿加工預定線、於各個單位脈衝光之被照射位置依序形成微小之加工痕，並且於各個加工痕彼此之間連續地形成龜裂，進一步地，亦於被加工物之厚度方向使龜裂伸展。如此般，藉由龜裂伸展加工而形成之龜裂，成為分割被加工物10時之分割起點。另外，在以既定之(非0之)散焦值、以散焦狀態照射雷射光LB之情形，於焦點位置之附近產生變質，該變質產生之區域成為上述之加工痕。
另外，該龜裂伸展加工，即使於被加工物10之雷射光LB之被照射面，設置有例如多重反射膜DBR等之金屬薄膜層，亦能夠毫無問題地進行。
而且，例如使用公知的裂斷裝置，進行使由龜裂伸展加工所形成之龜裂伸展至具有圖案之基板W之相反面的裂斷步驟，藉此能夠分割被加工物10。另外，在藉由龜裂之伸展而將被加工物10於厚度方向完全地 分斷之情形，雖無需上述之裂斷步驟，但即使一部分之龜裂已抵達至相反面，藉由龜裂伸展加工而將被加工物10完全地二分之情況亦相當稀少，因此一般會伴有裂斷步驟。
裂斷步驟，例如可藉由如下之方式進行：將被加工物10設定為形成有加工痕側的主面成為下側之姿勢，在以2個下側裂斷桿支持分割預定線之兩側的狀態下，使上側裂斷桿朝向另一主面、分割預定線之正上方之裂斷位置下降。
另外，若相當於加工痕之間距(pitch)的光束點中心間隔△過大，將使裂斷特性變差而無法實現沿加工預定線之裂斷。於龜裂伸展加工時，有必要考慮此點而決定加工條件。
鑒於以上之觀點，在進行用以在被加工物10形成成為分割起點之龜裂的龜裂伸展加工時，較適切的條件大體上如以下所述。具體的條件，亦可根據被加工物10之材質或厚度等而適當地選擇。
脈衝寬度τ：1psec以上50psec以下；光束徑Dd：約1μm~10μm左右；載台移動速度V：50mm/sec以上3000mm/sec以下；脈衝之重複頻率R：10kHz以上200kHz以下；脈衝能量E：0.1μJ~50μJ。
<具有圖案之基板>
接著，針對作為被加工物10之一例的具有圖案之基板W進行說明。圖 3，係具有圖案之基板W的示意俯視圖及部分放大圖。
所謂的具有圖案之基板W，例如係於藍寶石等之單結晶基板(晶圓、母基板)W1(參照圖4)之一主面上，積層形成既定之元件圖案而成者。元件圖案，具有二維地重複配置於經單片化後各自成為一元件晶片之多個單位圖案UP而成之構成。例如，將成為LED元件等之光學元件或電子元件之單位圖案UP二維地重複。
進一步地，於單結晶基板W1之與形成有元件圖案之主面為相反側之主面，形成有多重反射膜DBR。在本實施形態中，多重反射膜DBR，係藉由重複交互地積層由例如SiO2等構成之第1金屬薄膜層、與由例如TiO2等構成之第2金屬薄膜層而形成。第1金屬薄膜層與第2金屬薄膜層之厚度較佳為1.0μm~4.0μm左右，重複數較佳為20~40左右。
此外，雖具有圖案之基板W在俯視觀察下呈大致圓形狀，但於外周之一部分具備有直線狀之定向平面OF。以下，在具有圖案之基板W之面內，將定向平面OF之延伸方向稱為X方向，將與X方向正交之方向稱為Y方向。
作為單結晶基板W1，使用具有70μm~200μm之厚度者。使用100μm厚之藍寶石單結晶者係較佳之一例。此外，元件圖案通常形成為具有數μm左右之厚度。此外，元件圖案亦可具有凹凸。
例如，若為LED晶片製造用之具有圖案之基板W，係藉由於藍寶石單結晶之上磊晶形成由以GaN(氮化鎵)為首之III族氮化物半導體構成之發光層等之多個薄膜層，進一步地，於該薄膜層之上，在LED元件(LED晶片)形成構成通電電極之電極圖案，進一步地，於藍寶石單結晶之與 薄膜層或電極圖案形成面為相反側之主面，形成多重反射膜DBR而構成。
另外，於具有圖案之基板W之形成時，作為單結晶基板W1，亦可為使用於主面內以與定向平面垂直之Y方向為軸而使c面或a面等之結晶面之面方位相對於主面法線方向傾斜數度左右之所謂的賦有斜角之基板(亦稱斜基板)之態樣。
各個單位圖案UP之邊界部分即寬度狹窄之區域稱為路徑ST。路徑ST，係具有圖案之基板W之分割預定位置，於下述之態樣中藉由雷射光沿路徑ST照射，而將具有圖案之基板W分割成各個元件晶片。路徑ST，通常被設定成數十μm左右之寬度，並於俯視觀察元件圖案之情形呈格子狀。但是，在路徑ST之部分中單結晶基板W1不需露出，而亦可為於路徑ST之位置亦連續地形成有成為元件圖案之薄膜層。
<具有圖案之基板中的龜裂伸展與加工位置之偏位>
以下，為了沿路徑ST分割上述般之具有圖案之基板W，而考慮沿於路徑ST之中心所定之加工預定線PL進行龜裂伸展加工之情形。
另外，在本實施形態中，當進行在該態樣下之龜裂伸展加工時，朝向具有圖案之基板W之中、設置有多重反射膜DBR側的主面Wa(參照圖4)，照射雷射光LB。亦即，以形成有元件圖案側的主面Wb(參照圖4)作為被載置面而載置並固定雷射加工裝置100之載台4，進行雷射光LB之照射。另外，若更詳細地說明，雖於元件圖案之表面存在凹凸，但由於該凹凸相較於具有圖案之基板W整體之厚度十分地小，因此實質上，可視為在形成有具有圖案之基板W之元件圖案側具備有平坦之主面。或者，亦可 將設有元件圖案之單結晶基板W1之主面，視為具有圖案之基板W的主面Wb。
此雖非為在龜裂伸展加工之實施中本質上必須的態樣，但從在路徑ST之寬度小的情形、或甚至在路徑ST之部分亦形成有薄膜層之情形等，使雷射光之照射對元件圖案造成之影響較小、或者、實現更確實的分割的觀點來看，係為較佳之態樣。總言之，在圖3中將單位圖案UP或路徑ST以虛線表示，係為了表示設有多重反射膜DBR之主面Wa係雷射光之照射對象面，設有元件圖案之主面Wb為其相反側。
此外，龜裂伸展加工，係在對雷射光LB賦予既定之(非0的)散焦值之散焦狀態下進行。另外，散焦值，相對於具有圖案之基板W的厚度十分地小。
圖4，係表示在雷射加工裝置100中，設定使龜裂伸展產生之照射條件後，沿著於與定向平面OF正交之Y方向延伸之路徑ST之中心位置中所設定之加工預定線PL照射雷射光LB，而進行了龜裂伸展加工之情形的具有圖案之基板W的厚度方向中的龜裂伸展的樣子之示意剖面圖。另外，在以下，亦將具有圖案之基板W的主面Wa稱為具有圖案之基板W的表面，亦將具有圖案之基板W的主面Wb稱為具有圖案之基板W的背面。
該情形，在具有圖案之基板W的厚度方向中，於從主面Wa起數μm~30μm之距離的位置，沿Y軸方向離散地形成加工痕M，且在各個加工痕M之間使龜裂伸展，並且從加工痕M朝向上方(主面Wa側)及下方(主面Wb側)，分別使龜裂CR1及龜裂CR2伸展。
但是，該等之龜裂CR1及CR2，並非為朝向加工痕M之垂 直上方或下方、也就是沿從加工預定線PL往具有圖案之基板W的厚度方向延伸之面P1伸展，而係以相對於面P1傾斜、且越遠離加工痕M越偏離面P1之態樣伸展。而且，在X方向中，龜裂CR1與龜裂CR2從面P1偏離之方向為相反。
在以該態樣使龜裂CR1及CR2一邊傾斜一邊伸展之情形，藉由該傾斜之程度，如圖4所示，可引起龜裂CR2之終端T，(亦包含藉由其之後之裂斷步驟進行伸展之情形)超出路徑ST之範圍，而伸展至成為元件晶片之單位圖案UP的部分。如此般一旦以龜裂CR1及CR2所伸展之部位為起點進行裂斷，則單位圖案UP將破損，而使元件晶片成為不良品。而且，由經驗可知：如此般之龜裂之傾斜，只要在相同的具有圖案之基板W中於相同方向進行加工，亦會在其他的加工位置中同樣地產生。一旦在各個路徑ST中如此般之厚度方向中的龜裂之傾斜產生，且進一步地引起單位圖案UP之破壞，則將使得為良品之元件晶片的取得個數(良率)降低。
為了避免如此般之不良情況產生，在本實施形態中，以龜裂CR2之終端T落入路徑ST之範圍內的方式，使雷射光LB之照射位置從加工位置即加工預定線PL之設定位置偏位。
圖5，係表示使雷射光LB之照射位置IP，從圖4所示之加工預定線PL往以箭頭AR1所示之-X方向偏位而進行了龜裂伸展加工之情形的具有圖案之基板W的厚度方向中的龜裂伸展的樣子之示意剖面圖。如圖5所示般若使雷射光LB之照射位置IP偏位，則可避免單位圖案UP之破壞。
但是，在圖5中，雖龜裂CR2之終端T2位於加工預定線PL 之正下方，但此並非為必須之態樣，只要終端T2落入路徑ST之範圍內即可。
此外，在圖5中，往不存在有單位圖案UP之主面Wa側伸展的龜裂CR1之終端T1，雖未落入路徑ST之範圍內，但只要沒有對元件晶片之功能造成影響之那麼顯著的傾斜，即不會成為不良情況。例如，只要元件晶片之形狀落入預先規定之容許範圍內，則容許圖5所示之龜裂CR1般之傾斜。
另外，由經驗得知：如上述般之龜裂之傾斜，係僅於對具有圖案之基板W，沿與該定向平面OF正交之Y方向進行龜裂伸展加工之情形所產生之現象，於沿與定向平面OF平行之X方向進行龜裂伸展加工之情形並不會產生。亦即，在沿X方向進行了龜裂伸展加工之情形，具有圖案之基板W的厚度方向中的龜裂之伸展，從加工痕朝向垂直上方及垂直下方產生。
<偏位條件之設定>
如上述般，在欲對具有圖案之基板W進行龜裂伸展加工而單片化之情形，在與定向平面OF正交之Y方向之加工時，存在有雷射光LB之照射位置之偏位係為必要的情形。在該情形中，問題為在圖4及圖5中龜裂CR1往-X方向傾斜並伸展，龜裂CR2往+X方向傾斜並伸展，但此只不過為例示，在兩者之伸展方向會根據各個之具有圖案之基板W而交替之方面，以及在各個具有圖案之基板W中龜裂之傾斜究竟是朝向哪個方向產生，實際上若未試著照射雷射光LB而進行龜裂伸展加工則無法得知。若無法至少 得知傾斜之朝向，則實際上便無法進行對照射位置設定偏位。
此外，在元件晶片之量產過程中，從提高生產性之觀點來看，被要求自動地且盡可能迅速地設定用於偏位之條件。
圖6，係表示根據以上之觀點，在本實施形態之雷射加工裝置100中所進行的偏位條件之設定處理流程的圖式。本實施形態中的偏位條件之設定處理，概略而言，係以如下之方式進行的處理：對欲進行單片化之具有圖案之基板W之一部分實際上進行龜裂伸展加工，藉由影像處理而特定出其結果所產生之龜裂之傾斜的朝向之後，在該所特定出之朝向中，賦予預先設定之偏位量(距離)。該偏位條件之設定處理，係藉由於雷射加工裝置100之控制器1中所具備之偏位設定部26，根據儲存於儲存部3之程式3p，使裝置各部動作，且進行必要之運算處理等而實現。
另外，在進行該設定處理之前，預先將具有圖案之基板W載置並固定於雷射加工裝置100之載台4上，且以其X方向與Y方向分別與移動機構4m之移動方向即水平2軸方向一致之方式進行對準處理。於對準處理中，除了專利文獻1中所揭示般之手法外，可適當地應用公知的手法。此外，於被加工物資料D1中，記述有被當作加工對象之具有圖案之基板W之個體資訊。
首先於最初，決定進行偏位設定用之龜裂伸展加工之位置(雷射光LB之照射位置)(步驟STP1)。另外，於以下，將該偏位設定用之龜裂伸展加工稱為暫時加工。
該暫時加工，較佳為：在其結果不會影響元件晶片之取得個數之位置進行。例如，較佳為：以在具有圖案之基板W中未形成有成為元 件晶片之單位圖案UP的外緣位置等為對象進行。圖7，係例示考慮到該方面之暫時加工時雷射光LB之照射位置IP1的圖式。在圖7中，例示有在較X方向中的位置座標最負方之路徑ST(ST1)更為接近具有圖案之基板W之外緣設定暫時加工用之照射位置IP1之情形。另外，在圖7中，雖跨及具有圖案之基板W的2個外周端位置表示有照射位置IP1，但並不一定要跨及兩外周端位置之間的所有範圍照射雷射光LB。
具體的照射位置IP1之設定方式，並無特別地限定。例如，亦可為根據預先所賦予之關於具有圖案之基板W的形狀之資料而進行之態樣，或者，亦可藉由影像處理特定出路徑ST(ST1)，且根據該特定結果而進行之態樣。
照射位置IP1之設定後，在藉由下部照明光源S2對具有圖案之基板W以IR光照射於主面Wb側的狀態下，使CCD攝影機6a之焦點位置(高度)與主面Wb相合，對照射位置IP1進行拍攝(步驟STP2)。進一步地，藉由對所得到之拍攝影像進行既定之處理，而生成關於照射位置IP1之附近的加工前像素值輪廓(第1輪廓PF1)(步驟STP3)。
接著，對照射位置IP1照射雷射光LB而進行龜裂伸展加工(步驟STP4)。
於加工結束後，在再次藉由下部照明光源S2對具有圖案之基板W以IR光照射於主面Wb側的狀態下，使CCD攝影機6a之焦點位置(高度)與主面Wb相合，對加工後之照射位置IP1進行拍攝(步驟STP5)。進一步地，藉由對所得到之拍攝影像進行既定之處理，而生成關於照射位置IP1之附近的加工後像素值輪廓(第2輪廓PF2)(步驟STP6)。
另外，加工前後之拍攝，係以同一位置為對象而進行者。以包含路徑ST正交之部位的方式進行拍攝。另外，如上述般，在本實施形態之雷射加工裝置100中，由於使下部照明光源S2發出IR光，因此即使是在主面Wa側設置有多重反射膜DBR之具有圖案之基板W，亦能夠良好地拍攝已到達主面Wb之龜裂CR2。
圖8，係例示於步驟STP4中所得到之加工後的具有圖案之基板W的拍攝影像IM、與用以獲得像素值輪廓(第1輪廓PF1及第2輪廓PF2)的影像處理對象區域RE之圖式。在本實施形態中，於加工前後，並且於如圖8所示之路徑ST之交點設定矩形狀之影像處理對象區域RE。而且，針對加工前後之各個拍攝影像，藉由沿X方向累計該影像處理對象區域RE中的Y座標為相同之位置中的像素值(色濃度值)，作成第1輪廓PF1與第2輪廓PF2。
另外，在圖8所示之拍攝影像IM中以相較於周圍更強之對比(具體而言係更黑)所觀察到的，係已到達主面Wb之龜裂CR2。
一旦獲得至第2輪廓PF2，接著，在為了後段之處理單純化而將第1輪廓PF1與第2輪廓PF2分別以5點移動平均等之手法平均化之後，運算第1輪廓PF1與第2輪廓PF2之差分值，生成差分值輪廓△PF(步驟STP7)。
圖9，係例示第1輪廓PF1、第2輪廓PF2、及差分值輪廓△PF的圖式。圖9(a)例示第1輪廓PF1，圖9(b)例示第2輪廓PF2，圖9(c)例示差分值輪廓△PF。但是，在圖9(c)中，亦一併表示有已放大差分值輪廓△PF之頻率的放大輪廓△PF’。
另外，在圖9(a)及圖9(b)所示之第1輪廓PF1及第2輪廓PF2中，使亮度越低(較暗)的地方越成為較高的頻率。因此，龜裂CR2存在的地方成為較高的頻率。
此外，在圖9(c)中，以第1輪廓PF1與第2輪廓PF2之像素值之差越大則頻率變越大之方式，表示差分值輪廓△PF。但是，差分值輪廓△PF，亦可以第1輪廓PF1與第2輪廓PF2之像素值之差越大則頻率變越小(負的絕對值變大)之態樣生成。
當獲得差分值輪廓△PF時，接著，針對在差分值輪廓△PF中相鄰之3點彼此，算出近似直線之斜度α(X)，作成沿X方向描繪出該斜度α(X)值的輪廓(近似直線斜度輪廓)(步驟STP8)。然後，根據所得到之近似直線斜度輪廓，分別算出在差分值輪廓△PF中夾著最小值之2個近似直線之斜度(步驟STP9)。
圖10，係用以說明步驟STP8及步驟STP9而例示之差分值輪廓△PF。另外，在圖10所示之差分值輪廓△PF中，在X=Xmin中係差分值獲得最小值(極值)者。
此外，圖11，係根據圖10所示之差分值輪廓△PF而作成之近似直線輪廓。圖11之近似直線斜度輪廓，概略而言，係表示差分值輪廓△PF之斜度的變化。亦即，存在有如下之關係：在圖11中在α(X)值為正的範圍，差分值輪廓△PF增加，在圖11中在α(X)值為負的範圍，差分值輪廓△PF減少，在圖11中在α(X)值接近0的範圍，差分值輪廓△PF大致為一定。
進一步地，在圖10例示之差分值輪廓△PF中，隨著X值變 大，大致為一定之差分值單調地減少，在X=Xmin中成為最小後，進一步地一旦X值變大則差分值單調地增加。因此，一旦在圖11之近似直線斜度輪廓中，求得在較X=Xmin為大之範圍中α(X)(之絕對值)值成為較既定之閾值A大的X值(X=XU1)、與X>XU1且α(X)(之絕對值)值成為較既定之閾值B小的X值(X=XU2)，則以前者為最小值、以後者為最大值之區間(XU1~XU2)，概略地，係為圖10所示之差分值輪廓△PF中差分值增加之區間。因此，若求得在差分值輪廓△PF中X=XU1與X=XU2之間的近似直線之斜度β1，則該斜度，為表示差分值輪廓△PF中差分值增加之區間的斜度。
同樣地，一旦在圖11之近似直線斜度輪廓中，求得在較X=Xmin為小之範圍中α(X)之絕對值的值成為較既定之閾值A大的X值(X=XL1)、與X<XL1且α(X)之絕對值的值成為較既定之閾值B小的X值(X=XL2)，則以前者為最大值、以後者為最小值之區間(XL2~XL1)，概略地，係為圖10所示之差分值輪廓△PF中差分值減少之區間。因此，若求得在差分值輪廓△PF中X=XL2與X=XL1之間的近似直線之斜度β2，則該斜度，為表示差分值輪廓△PF中差分值減少之區間的斜度。
當以如此方式獲得夾著X=Xmin之2個近似直線之斜度β1、β2時，由2個斜度之差(嚴格來講為絕對值之差)，特定出偏位方向(步驟STP10)。
具體而言，在斜度β1與斜度β2之絕對值之差△β=｜β2｜-｜β1｜與偏位方向之間，從由經驗而特定出之龜裂之傾斜方向與△β之相關的關係，存在有以下之對應關係。
△β>0→終端T1從加工痕M到達-X方向→往+X方向偏位；△β<0→終端T1從加工痕M到達+X方向→往-X方向偏位；△β=0→終端T1到達加工痕M之正上方→無需偏位。
若係圖10所示之情形，由於△β>0，因此特定出應往+X方向偏位。
一旦以如此方式特定出偏位方向，則根據儲存於儲存部3之被加工物資料D1、與照射位置偏位資料D3，決定相對於所特定出之偏位方向的偏位量(步驟STP11)。
如上述般，於被加工物資料D1，記述有實際上被當作加工對象(也就是進行偏位設定用之龜裂伸展加工)之具有圖案之基板W的個體資訊(結晶方位、厚度等)。另一方面，於照射位置偏位資料D3，預先進行可根據具有圖案之基板W的個體資訊而設定偏位量之記述。偏位設定部26，從被加工物資料D1取得具有圖案之基板W的個體資訊，且參照照射位置偏位資料D3，而決定對應該個體資訊之偏位量。
另外，由照射位置偏位資料D3之記述內容所決定之偏位量，係由經驗而被賦予之若以該值使雷射光LB之照射位置相對於加工位置偏位，則在大多情形中可避免因如圖4所示般之龜裂CR2而導致單位圖案UP受破壞之值。例如，可假定如下等之對應：若存在有具有圖案之基板W的厚度越大則龜裂傾斜之程度越大的傾向，則於照射位置偏位資料D3，以具有圖案之基板W的厚度越大則設定越大之偏位量之方式進行記述。
照射位置偏位資料D3之形式，並無特別限定。例如，亦可將照射位置偏位資料D3準備成記述有應就每一具有圖案之基板W的材質 種類或厚度範圍進行設定之偏位量之表的態樣，或者，亦可為規定成厚度與偏位量所具有的函數關係之態樣。
此外，由上述之決定方式清楚可知，偏位量之決定，由於可與從步驟STP1至步驟STP10進行之偏位方向之特定無關地進行，因此並不一定要在特定出偏位方向之後才決定，亦可為在偏位方向之前、或者與偏位方向之特定並行而進行之態樣。
另外，將差分值輪廓△PF生成為亮度越小的地方像素值變越大之情形，藉由比較夾著輪廓之最大值的2個近似直線之斜度，可與上述之情形同樣地對應。
此外，亦可代替2個近似直線之斜度值，而根據各個近似直線之傾斜角度，決定偏位方向。
以上，如已說明般，根據本實施形態，藉由龜裂伸展加工對具有圖案之基板進行單片化時，在與定向平面正交之方向之加工中龜裂會傾斜之情形，根據加工前後之具有圖案之基板的拍攝影像而特定出偏位方向，在使雷射光之照射位置往該偏位方向偏位之後可進行該龜裂伸展加工，因此，可適切地抑制在對設置於具有圖案之基板之構成各個元件晶片之單位圖案進行單片化時產生破壞之情況。其結果為，使藉由單片化具有圖案之基板而獲得之元件晶片之良率提高。而且，由於雷射加工裝置具備有作為下部照明光源而以發出ＩR光作為照明光者，因此即使是具有圖案之基板具備由積層金屬薄膜而形成之反射防止膜之情形，亦能夠良好地進行已伸展至圖案形成面之龜裂拍攝，其結果為，能夠適切地設定偏位方向。

Claims (10)

  1. 一種雷射加工裝置，係具備：射出源，射出雷射光；及載台，可將於單結晶基板上呈二維地重複配置多個單位元件圖案而成之具有圖案之基板固定；藉由使該射出源與該載台相對移動而可使該雷射光沿既定之加工預定線一邊掃描一邊照射於該具有圖案之基板，其特徵在於：藉由該雷射光之各個單位脈衝光，以於該具有圖案之基板形成之加工痕沿該加工預定線離散地配置之方式照射該雷射光，藉此可實行使龜裂從各個該加工痕於該具有圖案之基板伸展之龜裂伸展加工，並且進一步具備：照明手段，係對載置於該載台之該具有圖案之基板發出IR光作為照明光；拍攝手段，係可對載置於該載台之該具有圖案之基板進行拍攝；及偏位條件設定手段，係在該龜裂伸展加工時，設定用於使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位之偏位條件；該偏位條件設定手段，在以形成有該多個單位元件圖案側成為被載置面之方式已將該具有圖案之基板載置於該載台之狀態下，將該具有圖案之基板之中該被載置面之相反面之一部分部位設定成該偏位條件設定用之該龜裂伸展加工之實行部位，對該實行部位進行該偏位條件設定用之該龜裂伸展加工即暫時加工，並且於該拍攝手段，在該暫時加工之前後，在已從該照明手段發出該IR光作為該照明光之狀態下，且於該具有圖案之基板之形成有該多個單位元件圖案側的面已聚焦之狀態下拍攝該暫時加工之該實行部位，藉此取得第1與第2拍攝影像，在針對該第1與第2拍攝影像之各個，沿該暫時加工時之加工方向累計像素值而藉此生成第1與第2像素值輪廓之後，生成該第1與第2像素值輪廓之差分值輪廓，根據該差分值輪廓，特定出在用於單片化該具有圖案之基板之該龜裂伸展加工時應使該雷射光之該照射位置偏位之方向。
  2. 如申請專利範圍第1項之雷射加工裝置，其中，該具有圖案之基板，於該被載置面之該相反側具備多重反射膜。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之雷射加工裝置，其中，該偏位條件設定手段，根據在該差分值輪廓中夾著極值之2個近似直線之斜度，特定出於該龜裂伸展加工時應使該雷射光之該照射位置偏位之方向。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之雷射加工裝置，其中，該偏位條件設定手段，根據預先取得之作為該龜裂伸展加工之對象之該具有圖案之基板的個體資訊，決定於該龜裂伸展加工時使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位時之偏位量。
  5. 如申請專利範圍第3項之雷射加工裝置，其中，該偏位條件設定手段，根據預先取得之作為該龜裂伸展加工之對象之該具有圖案之基板的個體資訊，決定於該龜裂伸展加工時使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位時之偏位量。
  6. 一種具有圖案之基板之加工條件設定方法，係設定進行藉由對於單結晶基板上呈二維地重複配置多個單位元件圖案而成之具有圖案之基板照射雷射光從而單片化該具有圖案之基板之加工時之加工條件，其特徵在於：單片化該具有圖案之基板之加工，係藉由該雷射光之各個單位脈衝光，以於該具有圖案之基板形成之加工痕沿加工預定線離散地配置之方式照射該雷射光，使龜裂從各個該加工痕於該具有圖案之基板伸展之龜裂伸展加工；具備偏位條件設定步驟，該偏位條件設定步驟係在該龜裂伸展加工前，設定用於在該龜裂伸展加工時使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位之偏位條件；該偏位條件設定步驟，具備：設定步驟，係將該具有圖案之基板之中形成有該多個單位元件圖案側的面之相反面之一部分部位，設定成該偏位條件設定用之該龜裂伸展加工即暫時加工之實行部位；第1拍攝步驟，係在已從照明手段發出IR光作為照明光之狀態下，在既定之拍攝手段中，於形成有該多個單位元件圖案側的面已聚焦之狀態下，拍攝該暫時加工之該實行部位而取得第1拍攝影像；暫時加工步驟，係對該實行部位進行該暫時加工；第2拍攝步驟，係在已從該照明手段發出該IR光作為該照明光之狀態下，在既定之拍攝手段中，於形成有該多個單位元件圖案側的面已聚焦之狀態下，拍攝該暫時加工之該實行部位而取得第2拍攝影像；以及偏位方向特定步驟，係針對該第1與第2拍攝影像之各個，沿該暫時加工時之加工方向累計像素值而藉此生成第1與第2像素值輪廓之後，生成該第1與第2像素值輪廓之差分值輪廓，根據該差分值輪廓，特定出在用於單片化該具有圖案之基板之該龜裂伸展加工時應使該雷射光之該照射位置偏位之方向。
  7. 如申請專利範圍第6項之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其中，該具有圖案之基板，於被載置面之相反面具備多重反射膜。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其中，在該偏位方向特定步驟中，根據在該差分值輪廓中夾著極值之2個近似直線之斜度，特定出於該龜裂伸展加工時應使該雷射光之該照射位置偏位之方向。
  9. 如申請專利範圍第6或7項之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其中，該偏位條件設定步驟，進一步具備：偏位量決定步驟，係根據預先取得之作為該龜裂伸展加工之對象之該具有圖案之基板的個體資訊，決定於該龜裂伸展加工時使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位時之偏位量。
  10. 如申請專利範圍第8項之具有圖案之基板之加工條件設定方法，其中，該偏位條件設定步驟，進一步具備：偏位量決定步驟，係根據預先取得之作為該龜裂伸展加工之對象之該具有圖案之基板的個體資訊，決定於該龜裂伸展加工時使該雷射光之照射位置從該加工預定線偏位時之偏位量。
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