JPH0611071B2 - 化合物半導体基板の分割方法 - Google Patents
化合物半導体基板の分割方法Info
- Publication number
- JPH0611071B2 JPH0611071B2 JP16540083A JP16540083A JPH0611071B2 JP H0611071 B2 JPH0611071 B2 JP H0611071B2 JP 16540083 A JP16540083 A JP 16540083A JP 16540083 A JP16540083 A JP 16540083A JP H0611071 B2 JPH0611071 B2 JP H0611071B2
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- JP
- Japan
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- light emitting
- semiconductor substrate
- substrate
- compound semiconductor
- dividing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 イ）産業上の利用分野 本発明は切断面が所定の形状、寸法に形成された発光ダ
イオード等の化合物半導体基板の分割方法に関する。
イオード等の化合物半導体基板の分割方法に関する。
ロ）従来の技術 従来半導体基板は第１図左側に示す如く表面にスクライ
ブ線１６、１６…を設けてから加圧等により分割し同図
右側に示す如く素子１１ａ、１１ａ…に分割している。
このような分割方法は液晶のへき開を利用したものであ
る。光プリンタ用ヘッド等では分割して素子を表面側に
設けたモノリシックの発光接合１２が等ピッチで整列す
るように配置するが、点状発光部の整列ピッチは例えば
１００μｍ程度である。このような場合、上述のへき開
において基板が垂直にへき開するのは厚さが約１５０μ
ｍ以下の時であり、厚ければ厚い程斜めに割れたりバリ
１８が生じたり、素子の欠け１９が生じやすい。
ブ線１６、１６…を設けてから加圧等により分割し同図
右側に示す如く素子１１ａ、１１ａ…に分割している。
このような分割方法は液晶のへき開を利用したものであ
る。光プリンタ用ヘッド等では分割して素子を表面側に
設けたモノリシックの発光接合１２が等ピッチで整列す
るように配置するが、点状発光部の整列ピッチは例えば
１００μｍ程度である。このような場合、上述のへき開
において基板が垂直にへき開するのは厚さが約１５０μ
ｍ以下の時であり、厚ければ厚い程斜めに割れたりバリ
１８が生じたり、素子の欠け１９が生じやすい。
例えば基板の厚さが３００μｍのＧａＡｓＰでは、斜め
に割れた時は表面側と裏面側の位置ずれは５〜５２μｍ
にもなるが、整列ピッチの1/2〜2/3が発光領域とすると
素子と素子の間隔は整列ピッチの約1/10程度しかないの
で整列できないことがある。またこれをさけるため、ダ
イシング等で切断すると、発光接合１２に応力歪等が加
わりやすいから発光効率が低下したり寿命が短くなるこ
とがあり、またダイシング刃は軸側の刃厚が厚くなるよ
うに片面のみ傾斜がついていてその面では素子の切断面
に１８〜４３μｍの傾斜がついて同様に整列させること
ができない。
に割れた時は表面側と裏面側の位置ずれは５〜５２μｍ
にもなるが、整列ピッチの1/2〜2/3が発光領域とすると
素子と素子の間隔は整列ピッチの約1/10程度しかないの
で整列できないことがある。またこれをさけるため、ダ
イシング等で切断すると、発光接合１２に応力歪等が加
わりやすいから発光効率が低下したり寿命が短くなるこ
とがあり、またダイシング刃は軸側の刃厚が厚くなるよ
うに片面のみ傾斜がついていてその面では素子の切断面
に１８〜４３μｍの傾斜がついて同様に整列させること
ができない。
ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上述の点を考慮して、バリや欠けが生ぜず、ま
た発光接合への応力歪みによる輝度低下が生ぜず、さら
に切断面が略垂直な素子を得ることのできる化合物半導
体基板の分割方法を提供するものである。
た発光接合への応力歪みによる輝度低下が生ぜず、さら
に切断面が略垂直な素子を得ることのできる化合物半導
体基板の分割方法を提供するものである。
ニ）課題を解決するための手段 本発明は上述の課題を解決するために、表面側に複数の
離れて整列した発光接合を有する半導体基板の裏面側か
らダイシングして発光接合に届かない程度の深さの切断
溝を形成すると共に、所定の隣接する発光接合間の略中
央状に位置しかつ切断溝に対応する表面にスクライブ線
を設ける。そして隣接する発光接合間の略中央に於て表
面に略垂直にへき開する様に基板に圧力を加えて基板を
分割するものである。
離れて整列した発光接合を有する半導体基板の裏面側か
らダイシングして発光接合に届かない程度の深さの切断
溝を形成すると共に、所定の隣接する発光接合間の略中
央状に位置しかつ切断溝に対応する表面にスクライブ線
を設ける。そして隣接する発光接合間の略中央に於て表
面に略垂直にへき開する様に基板に圧力を加えて基板を
分割するものである。
ホ）作用 本発明は上述の様に発光接合の近傍という短い距離だけ
をへき開するので、バリや欠けが生じないし、切断面が
略垂直になる。また発光接合に届かない程度にダイシン
グするので、輝度低下を生じない。
をへき開するので、バリや欠けが生じないし、切断面が
略垂直になる。また発光接合に届かない程度にダイシン
グするので、輝度低下を生じない。
ト）実施例 以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。第２
図は本実施例に係る化合物半導体基板の分割方法を説明
する工程図である。最初に第２図（ａ）は化合物半導体
基板１の平面図である。この図に於て発光接合２が整列
され、そのリード電極２ａ、２ａが縦に並んだ側を基準
側面と定め、この基準側面に平行に基板１の所定の位置
を切り落として、これを基準面Ａとする。以下の説明に
於て、基準面Ａに平行又は垂直な方向をそれぞれ縦方
向、横方向と呼ぶ。表面側の横方向に複数の離れて整列
した発光接合２が、例えばＧａＡｓＰ等の化合物半導体
基板１に形成される。この様に整列した発光接合２の群
が縦方向にも複数行、形成される。
図は本実施例に係る化合物半導体基板の分割方法を説明
する工程図である。最初に第２図（ａ）は化合物半導体
基板１の平面図である。この図に於て発光接合２が整列
され、そのリード電極２ａ、２ａが縦に並んだ側を基準
側面と定め、この基準側面に平行に基板１の所定の位置
を切り落として、これを基準面Ａとする。以下の説明に
於て、基準面Ａに平行又は垂直な方向をそれぞれ縦方
向、横方向と呼ぶ。表面側の横方向に複数の離れて整列
した発光接合２が、例えばＧａＡｓＰ等の化合物半導体
基板１に形成される。この様に整列した発光接合２の群
が縦方向にも複数行、形成される。
次に第２図（ｂ）の正面図に示す様に、シート３の上に
基板１を発光接合２側、即ち表面を下にして貼付、固定
する。続いて裏面からダイシングソーで発光接合２に届
かない程度の深さの切断溝４を縦方向に設ける（第２図
（ｃ））。そして今度は裏面側をエキスパンド用のシー
ト５に貼着、保持し、第２図（ｄ）に示す様に表面側の
シート３をはがす。そして第２図（ａ）と（ｅ）に示す
様に、所定の隣接する発光接合２間の略中央上に位置
し、かつ切断溝４に対応する表面に、かつ縦方向に２点
鎖線Ｂで示す様に、スクライブ線６をダイヤモンドカッ
タ等により形成する。
基板１を発光接合２側、即ち表面を下にして貼付、固定
する。続いて裏面からダイシングソーで発光接合２に届
かない程度の深さの切断溝４を縦方向に設ける（第２図
（ｃ））。そして今度は裏面側をエキスパンド用のシー
ト５に貼着、保持し、第２図（ｄ）に示す様に表面側の
シート３をはがす。そして第２図（ａ）と（ｅ）に示す
様に、所定の隣接する発光接合２間の略中央上に位置
し、かつ切断溝４に対応する表面に、かつ縦方向に２点
鎖線Ｂで示す様に、スクライブ線６をダイヤモンドカッ
タ等により形成する。
次に、シート５の裏面から金属ローラ等で加圧する事に
より基板１は割れるが、第２図（ｆ）に示す様にこの時
の切断面７（スクライブ面ともいう）は、へき開に従っ
て基板１に対して略垂直となる。そして第２図（ａ）の
２点鎖線Ｃで示す様に、表面側からダイシングにより横
方向に切断する。更に必要に応じて第２図（ｇ）に示す
様に、シート５を引張って拡大し、分割した素子１ａの
相互間隔を拡げ、真空ピンセット等でシート５から素子
１ａを取り出す。
より基板１は割れるが、第２図（ｆ）に示す様にこの時
の切断面７（スクライブ面ともいう）は、へき開に従っ
て基板１に対して略垂直となる。そして第２図（ａ）の
２点鎖線Ｃで示す様に、表面側からダイシングにより横
方向に切断する。更に必要に応じて第２図（ｇ）に示す
様に、シート５を引張って拡大し、分割した素子１ａの
相互間隔を拡げ、真空ピンセット等でシート５から素子
１ａを取り出す。
この様にする事で、横方向には多少傾斜もつきあるいは
素子の欠けが生ずる。しかし発光接合２の整列ピッチは
例えば約１００μｍで、発光接合２の大きさは約５０〜
６７μｍの正方形であり、素子１ａの幅は例えば約１ｍ
ｍである。そして、再び第２図（ａ）に於て、２点鎖線
Ｃで示した側面から発光接合２までの距離は約４７０μ
ｍもあり、さらに発光接合２の縦方向にはリード電極２
ａ、２ｂが形成されているので、２点鎖線ｃで示した横
方向をダイシングしても、発光接合２の損傷の恐れはな
い。
素子の欠けが生ずる。しかし発光接合２の整列ピッチは
例えば約１００μｍで、発光接合２の大きさは約５０〜
６７μｍの正方形であり、素子１ａの幅は例えば約１ｍ
ｍである。そして、再び第２図（ａ）に於て、２点鎖線
Ｃで示した側面から発光接合２までの距離は約４７０μ
ｍもあり、さらに発光接合２の縦方向にはリード電極２
ａ、２ｂが形成されているので、２点鎖線ｃで示した横
方向をダイシングしても、発光接合２の損傷の恐れはな
い。
更に上述の分割方法により、縦方向は垂直な切断面（ス
クライブ面）が得られる。より具体的に説明するなら
ば、基板１が３００μｍの厚さであった場合、切断溝４
の深さを１５０〜２２０μｍに設けると、へき開面の傾
斜は±４μｍ程度の範囲に充分おさまる。
クライブ面）が得られる。より具体的に説明するなら
ば、基板１が３００μｍの厚さであった場合、切断溝４
の深さを１５０〜２２０μｍに設けると、へき開面の傾
斜は±４μｍ程度の範囲に充分おさまる。
ヘ）発明の効果 本発明は上述の様に、発光接合に届かない深さ切断溝を
ダイシングにて形成し、発光接合間の略中央に於てへき
開するので発光接合に応力歪みが加わらないから、輝度
低下しない。またポリッシュする必要がないので、基板
が厚いままだから作業中に取扱いやすい。そして、端の
発光接合は切断面から離れて形成されるので、分割され
た素子に於ける横への光放出がないから、複数個の素子
を離して整列させた光プリントヘッドに於て、隣接する
二つの素子間で輝度が均一となり、不所望の光ピークを
生じない。
ダイシングにて形成し、発光接合間の略中央に於てへき
開するので発光接合に応力歪みが加わらないから、輝度
低下しない。またポリッシュする必要がないので、基板
が厚いままだから作業中に取扱いやすい。そして、端の
発光接合は切断面から離れて形成されるので、分割され
た素子に於ける横への光放出がないから、複数個の素子
を離して整列させた光プリントヘッドに於て、隣接する
二つの素子間で輝度が均一となり、不所望の光ピークを
生じない。
更に発光接合の近傍という短い距離に於て、同一材質で
ある基板の中をへき開するので、切断面が表面に略垂直
になるから所定の寸法に精度よく切断できる。故に端の
発光接合と切断面の距離を小さく設定しても、上述の様
に発光接合を損傷せずに精度よく切断できる。
ある基板の中をへき開するので、切断面が表面に略垂直
になるから所定の寸法に精度よく切断できる。故に端の
発光接合と切断面の距離を小さく設定しても、上述の様
に発光接合を損傷せずに精度よく切断できる。
第１図は従来の分割方法を説明するための正面図、第２
図（ａ）乃至（ｇ）は本発明の実施例の化合物半導体基
板の分割方法を説明する工程図である。 １……半導体基板、２……発光接合、４……切断溝、６
……スクライブ線
図（ａ）乃至（ｇ）は本発明の実施例の化合物半導体基
板の分割方法を説明する工程図である。 １……半導体基板、２……発光接合、４……切断溝、６
……スクライブ線
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−53474（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−115191（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−123738（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】表面側に複数の離れて整列した発光接合を
有する半導体基板の裏面側からダイシングして発光接合
に届かない程度の深さの切断溝を形成すると共に、所定
の隣接する発光接合間の略中央上に位置し、かつ前記切
断溝に対応する表面にスクライブ線を設ける工程と、前
記隣接する発光接合間の略中央に於て表面に略垂直にへ
き開する様に基板に圧力を加えて基板を分割する工程と
を具備した事を特徴とする化合物半導体基板の分割方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16540083A JPH0611071B2 (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 化合物半導体基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16540083A JPH0611071B2 (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 化合物半導体基板の分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055640A JPS6055640A (ja) | 1985-03-30 |
| JPH0611071B2 true JPH0611071B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=15811686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16540083A Expired - Lifetime JPH0611071B2 (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 化合物半導体基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611071B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100853057B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2008-08-19 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 |
| WO2022202074A1 (ja) | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Tdk株式会社 | 酸化ガリウム基板の分割方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5071792A (en) * | 1990-11-05 | 1991-12-10 | Harris Corporation | Process for forming extremely thin integrated circuit dice |
| GB8924938D0 (en) * | 1989-11-04 | 1989-12-28 | Beloit Corp | A headbox apparatus for forming a multi-ply web |
| JPH0864556A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-03-08 | Nec Corp | ガラス基板の分離方法 |
| JP3235586B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2001-12-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2001345289A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| EP3252806B1 (en) | 2002-03-12 | 2019-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate dividing method |
| TWI520269B (zh) * | 2002-12-03 | 2016-02-01 | 濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Cutting method of semiconductor substrate |
| JP2004221187A (ja) | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| KR101119387B1 (ko) | 2003-07-18 | 2012-03-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 절단방법 |
| JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
| DE102004063180B4 (de) * | 2004-12-29 | 2020-02-06 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips aus einem Siliziumwafer und damit hergestellte Halbleiterbauelemente |
| JP2007184426A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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| JP5436906B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-03-05 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5123331B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2013-01-23 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体チップの製造方法および窒化物半導体チップ |
| CN109920759B (zh) * | 2019-02-03 | 2021-03-09 | 中国科学院微电子研究所 | 芯片的切割方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099075A (ja) * | 1973-12-28 | 1975-08-06 | ||
| JPS53115191A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | Production of gap light emiting diode |
| US4237601A (en) * | 1978-10-13 | 1980-12-09 | Exxon Research & Engineering Co. | Method of cleaving semiconductor diode laser wafers |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16540083A patent/JPH0611071B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100853057B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2008-08-19 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 |
| WO2022202074A1 (ja) | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Tdk株式会社 | 酸化ガリウム基板の分割方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6055640A (ja) | 1985-03-30 |
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