JPS6055640A - 化合物半導体基板の分割方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ）座業上の利用分野 本発明は切断面が所定の形状１寸法に形成される発光ダ
イオード等の化合物半導体基板の分割方法に関する。

口）従来技術 従来半導体基板は第１図左側≦二示す如く表面にスクラ
イブ線（１６１（１Ｇ＋−・を設けてがら加圧環Ｃ二よ
り分割し同図右側に示す如く素子ｏＳａ２１’・・・に
分割していた。このような分割方法は結晶のへき開を利
用したものであるが、第１にレーザダイオードや赤外ダ
イオードでは分割に際して表面側にある発光接合（１３
１に応力が加わらないよう、即ちへき関しゃすいように
、エピタキシャル成長済の基板（概ね２５０〜３２０μ
ｍの厚さ）の裏面（基台側）からポリ９シユするなどし
て厚さを１８０〜２００μｍ程度直二うす＜シ′〔いた
ので、その後の工程で不所望の基板割れが生じやすく扱
いにくかった。また第２１＝光プリンタ用へりド等では
分割した素子を表面側に設けたモノリシヴクの発光接合
０が等ビイチで整列するように配置するが１点状発光部
の整列ビ噌チは例えば１００μｍ程度である。このよう
な場合上述のへき開において基板が垂直にへき関するの
は厚さが約１５０μｍ以下の時であり、厚ければ厚い程
斜めに割れたりパリαδが生じたり素子の欠けαｊが生
じゃすい。例えば基板の厚さが６００μｍのＧａＡｓＰ
では、斜めに割れた時は表面側と表面側の位置ずれは５
〜５２μｓ＋−もなるが、整列ビ叩チの’Ａ　”＝　％
が発光領域とすると素子と素子の間隔は整列ピ９チの約
１／＋　（１程度しかないので整列できないことがある
。またこれをさけるため、ダイシング等で切断すると１
発光接合（１３＋＝応力歪等が加わりやすいから発光効
率が低下したり寿命が短かくなることがありまたダイシ
ング刃は軸側の刃厚が厚くなるよう片面のみ傾斜がつい
てい°Ｃ１その而では素子の切断面に１８〜４３μｍの
傾斜がつい′Ｃ同様に整列させることかできない。

八）発明の目的 本発明は上述の点を考慮し゛〔、パリや欠けが生ぜずま
た取扱中に基板が不測に割れることなく。

さらに端面が略垂直な素子を得ることのできる化合物半
導体基板の分割方法を提供するものである。

二）発明の構成 本発明は最もストレスを嫌う発光接合が表面側近傍Ｉ：
あること墨＝看目してなされたもので、裏面側からグイ
ソングし表面側からスクライプするものである。以下本
発明を実施例に基づい°〔詳細に説明する。

ホ）実施例 第２図は本発明の第１の実施例を示す化合物半導体基板
の分割方法を説明する工程図である。まず第２図ｆａｔ
に示すよう１＝シート（１）の上ＣＧａＡｓ。

ＧａＡｒ八Ｓ等へ化合物半導体の基板（２）を発アＣ接
合＋３）ｔｄｉ＋　、即ち表面を下Ｃ二して貼付、固定
する。続いＣ裏面からグイシングツ−で発光接合（３）
に届かない程度の深さの切断溝ｆ４Ｍ４１・・・を縦横
Ｃ設ける（同図（ｂ））。そして今度は裏面側をエキス
バンド用のシート（５）に貼着、保持し第２Ｆｌｆｃｌ
に示すように表面１ｊｌｎのシート（１）をはがす。そ
して同図（ｄ）の如く。

切断溝ｆ４１ｆ４１・帽二幻応した表面の箇所に、ダイ
ヤモンドカリク等でスクライブ線ｆ６１ｆ６１・・・を
設ける。次にシート（５）の裏面から金属ローラ等で加
圧する事によって基板（２）は割れるが、同図（ｅｌ　
ｌ二元すよう５二この時の切断面（７）Ｃスクライブ面
ともいう）はへき聞に従って略垂直となる。そし−Ｃ必
要に応じ゛Ｃシート（５）を引張って拡大し、分割した
素子（））（））・・・の相互間隔を拡げ、真空ビンセ
ｖト等でシート（５）から素子ｒ２Ｓ＋２Ｓ・・・をと
９出す。

上述の例は発光接合（３）が当面に略平行で全面の。

例えば赤外発光素子などを例纏二とったが１元ブリツク
用〜噌ドの如く発光部分を拡散等で所望部分のみ設けた
場合（＝も適用できる。ただこの場合。

分割した素子の１対の両側はリード電極がくるので、上
記実施例を縦横１＝適用しないで１片方向のみに用い°
Ｃもよい。その時の分割方法を第２の実施例とし°Ｃ説
明する。

ま−ｒ基ｒ４へ側面（発光ドヴトな幀列したいならリー
ド電極ｆｌ！Ｕ、以後この方向を仮に縦方向とする。

）夕定め、基板の所定の位置を切り８として基準面とし
、ＱａＡｓＰ等の基板の表面を上側Ｃニしてその基準面
−二平行に所定の間隔で縦方向ｇ＝スクライブ線を入れ
る。次にシート上Ｃ′″−表面を下菖二して基板を貼付
し、−り記基準面をもとｍ：して、同じ所定の間隔で縦
方向（ニダインングし切断溝を設ける。

そしＣＬＬＩ蕾力の強いシートを裏面に貼付し１表面の
シートを剥離すると、剥離によって基板Ｃ＝応力が加わ
り、ヌクライブ部で基板が割れる。その後表面１側から
ダイシング（二より横方向に切断する。

このよ引＝する事で、横方向には多少傾斜もつき。

あるいは素子の欠けが生じる事もあるが、縦方向は第１
の実施例よ）垂直な切断面（スクライブ面）か得られる
。

尚−上述の例においてより具体的畠；説明するならば、
半導体基板が３００μｍの４式であった場合。

第１の実施例では切断溝の深さを１００〜２００μｔ＊
、　第２の実施例では１５０〜２２０μｍｃ設けると、
それぞれスクライブ面の傾斜は±６μｍ。

±４μｍ程度の範囲内（−充分おさまる。

へ）発明の効果 以−Ｌの如く本発明は１表面側に発光接合を有する半導
体基板の裏面側から切断溝を形成すると共に、切断溝（
二対窓する表面にスクライブ線を設ける工程と、基板に
圧力を加え′Ｃ基板を分割する工程を含んだ化合物半導
体の分割方法であるから。

発光接合Ｃ＝応力否が加わらないので輝度低下は生じず
、またパリや欠けを生じない上に、他の作業中は基板が
厚いままなので取扱いやすく、また分割後の素子側面は
略垂直であるから組立等（−使いやすい。

【図面の簡単な説明】

＋１１（５１・・・シート（２）・・・（半導体の）基
板＋２ｆｔ２１・・・１１．（分割された）素子　（３
）・・・発光接合１４１ｆ４）・・・０１．切断溝　＋
６１ｆ６１・・・０６．スクライブ線　（７）・・・切
断面

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）表面側に発光接合を有する半導体基板の裏面側から
   切断溝を形成すると共に、切断溝に対応する表面Ｃニス
   クライブ線を設ける工程と、基板に圧力を加えて基板を
   分割する工程とを具備した事を特徴とする化合物半導体
   基板の分割方法。