JPH0233948A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPH0233948A JPH0233948A JP63184337A JP18433788A JPH0233948A JP H0233948 A JPH0233948 A JP H0233948A JP 63184337 A JP63184337 A JP 63184337A JP 18433788 A JP18433788 A JP 18433788A JP H0233948 A JPH0233948 A JP H0233948A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光ダイオード（以下ＬＥＤと記す）、受光素
子あるいはＬＥＤアレイ、受光素子アレイ等の光半導体
の製造方法、詳しくは素子分離方法に関するものである
。
子あるいはＬＥＤアレイ、受光素子アレイ等の光半導体
の製造方法、詳しくは素子分離方法に関するものである
。
従来の技術
近年、ＬＥＤは単なる表示用ランプとしてのみならず、
ファクシミリやプリンター等の事務機器にもその用途を
拡大しつつある。特にプリンター分野においてレーザお
よびＬＥＤを使用する方法が注目されている。ＬＥＤプ
リンターは発光点を一方向に多数並べたＬＥＤアレイに
よりプリントされる。発光点の数は１インチ当り３００
個程度であり、Ａ４サイズの紙にプリントするためには
、ＬＥＤアレイの長さは約３０ｃｍ必要となる。
ファクシミリやプリンター等の事務機器にもその用途を
拡大しつつある。特にプリンター分野においてレーザお
よびＬＥＤを使用する方法が注目されている。ＬＥＤプ
リンターは発光点を一方向に多数並べたＬＥＤアレイに
よりプリントされる。発光点の数は１インチ当り３００
個程度であり、Ａ４サイズの紙にプリントするためには
、ＬＥＤアレイの長さは約３０ｃｍ必要となる。
ＬＥＤアレイの発光色は一般に赤色が用いられ、材料と
して砒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡｅ Ａｓ）や砒
化燐化ガリウム（ＧａＡｓＰ）が使用される。これら化
合物半導体のウェハサイズは現在の技術では直系５０ｍ
ｍ程度であり、かつ砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板との
格子不整合により、ウェハにそりが生じている。そのた
め、幅１ｍｍ、長さ５＋＋ｏａ程度の素子（チップ）に
分離して、これらを−列に６０個程度並べることにより
ＬＥＤアレイを形成している。
して砒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡｅ Ａｓ）や砒
化燐化ガリウム（ＧａＡｓＰ）が使用される。これら化
合物半導体のウェハサイズは現在の技術では直系５０ｍ
ｍ程度であり、かつ砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板との
格子不整合により、ウェハにそりが生じている。そのた
め、幅１ｍｍ、長さ５＋＋ｏａ程度の素子（チップ）に
分離して、これらを−列に６０個程度並べることにより
ＬＥＤアレイを形成している。
半導体ウェハから個々のチップに分離する方法としては
、ダイヤモンド粉末を主材料とする刃（ブレード）によ
りウェハを切削して溝を形成するダイシング法と、ウェ
ハのへき開に沿ってウェハ表面をダイヤモンド針により
傷をつけ、へき開を利用するスクライブ法がある。
、ダイヤモンド粉末を主材料とする刃（ブレード）によ
りウェハを切削して溝を形成するダイシング法と、ウェ
ハのへき開に沿ってウェハ表面をダイヤモンド針により
傷をつけ、へき開を利用するスクライブ法がある。
以下に従来の素子分離方法について説明する。
第２図は従来の製造方法におけるＧａＡｅ ＡｓＬＥＤ
アレイウェハの断面を示す。まず（１００）面のｐ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、液相法によりｐ型Ｇａ１−ｘＡｅｘ
Ａｓ（ｘ＝０．７５）クラッド層２、ｐ型層 ａ ＋
−ｘ ′Ａ Ｑ ｘ−Ａ ｓ （ｘ ’ ＝ ０ 、３
５ ）活性層、ｎ型層ａトｘＡｆ！ ｘＡｓ（ｘ＝０．
７５）クラッド層を連続して成長する。その後、発光部
を分離するため、ｎ型層ａＡｅＡｓ層４側から選択的に
亜鉛（Ｚｎ）を拡散して高濃度ｐ型層５を活性層３の下
まで形成する。さらに酸化珪素（Ｓｉ０２）６を付着さ
せｎ型電極７および裏面にｎ型電極８を形成する。
アレイウェハの断面を示す。まず（１００）面のｐ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、液相法によりｐ型Ｇａ１−ｘＡｅｘ
Ａｓ（ｘ＝０．７５）クラッド層２、ｐ型層 ａ ＋
−ｘ ′Ａ Ｑ ｘ−Ａ ｓ （ｘ ’ ＝ ０ 、３
５ ）活性層、ｎ型層ａトｘＡｆ！ ｘＡｓ（ｘ＝０．
７５）クラッド層を連続して成長する。その後、発光部
を分離するため、ｎ型層ａＡｅＡｓ層４側から選択的に
亜鉛（Ｚｎ）を拡散して高濃度ｐ型層５を活性層３の下
まで形成する。さらに酸化珪素（Ｓｉ０２）６を付着さ
せｎ型電極７および裏面にｎ型電極８を形成する。
Ｚｎ拡散層５はｐ−ｎ接合で電流がブロックされ、電流
が流れず、発光領域の分離帯となっている。発光領域は
ｎ側電極７の下の活性層３であり、光は紙面に垂直方向
のｎ側電極７の横から放射される。
が流れず、発光領域の分離帯となっている。発光領域は
ｎ側電極７の下の活性層３であり、光は紙面に垂直方向
のｎ側電極７の横から放射される。
Ｌ Ｅ Ｄアｌノイのチップは極めて細長いため、非常
に割れやすい。そのため、チップ（ウェハ）は２００μ
ｍ以上の厚さが必要である。ウェハが厚いと直接スクラ
イブ法では正常なへき開は出来ない。また、直接ダイシ
ング法では切断面は凹凸であり、チップの角が欠けるチ
ッピングという現象が発生する。さらに、ダイシング中
の応力によりひび割れ（クラック）が発生し、輝度劣化
の原因となる。
に割れやすい。そのため、チップ（ウェハ）は２００μ
ｍ以上の厚さが必要である。ウェハが厚いと直接スクラ
イブ法では正常なへき開は出来ない。また、直接ダイシ
ング法では切断面は凹凸であり、チップの角が欠けるチ
ッピングという現象が発生する。さらに、ダイシング中
の応力によりひび割れ（クラック）が発生し、輝度劣化
の原因となる。
そこで従来は、厚さ２５０μｍのウェハの裏面側からダ
イシングにより深さ約１００μｍの溝９を形成した後、
ウェハの表面側の上記溝９七同じ位置１０にスクライブ
により傷をつけ、へき開によりチップに分離していた。
イシングにより深さ約１００μｍの溝９を形成した後、
ウェハの表面側の上記溝９七同じ位置１０にスクライブ
により傷をつけ、へき開によりチップに分離していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の方法では、ダイシングの残りし
るが１５０μｍと比較的厚く、ダイシングによる溝９が
約２０μｍと幅広いため、ウェハに垂直にへき開せず、
一部斜め方向に割れる。
るが１５０μｍと比較的厚く、ダイシングによる溝９が
約２０μｍと幅広いため、ウェハに垂直にへき開せず、
一部斜め方向に割れる。
チップが斜め方向に割れると、チップを多数一方向に並
べＬＥＤアレイを作成する場合において、チップとチッ
プの接合がなめらかにならず、接合部において発光部と
発光部の間隔が広がる場合も発生するという欠点を有し
ている。
べＬＥＤアレイを作成する場合において、チップとチッ
プの接合がなめらかにならず、接合部において発光部と
発光部の間隔が広がる場合も発生するという欠点を有し
ている。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、チップ分
離方法において、チップを斜めに割ることなく、チップ
とチップの接合をなめらかにする方法を提供するもので
ある。
離方法において、チップを斜めに割ることなく、チップ
とチップの接合をなめらかにする方法を提供するもので
ある。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の光半導体装置の製
造方法は、半導体ウェハの裏面にＶ字形の溝を形成し、
表面の前記Ｖ字形の溝と同じ位置をスクライブにより傷
をつけ個々のチップに分離する構成を有している。
造方法は、半導体ウェハの裏面にＶ字形の溝を形成し、
表面の前記Ｖ字形の溝と同じ位置をスクライブにより傷
をつけ個々のチップに分離する構成を有している。
作用
この方法により、チップが斜めに割れることなく、ウェ
ハに垂直に割れるため、ＬＥＤアレイ等チップを複数個
並べる場合において、チップとチップの接続をなめらか
にすることができる。
ハに垂直に割れるため、ＬＥＤアレイ等チップを複数個
並べる場合において、チップとチップの接続をなめらか
にすることができる。
実施例
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。第１図は本発明の実施例におけるＧａＡｆ！ Ａｓ
ＬＥＤアレイウェハの断面を示す。
る。第１図は本発明の実施例におけるＧａＡｆ！ Ａｓ
ＬＥＤアレイウェハの断面を示す。
まず（１００）面のＧａＡｓ基板１上に従来法と同様に
液相法でＧａＡ１！ Ａｓ層２，３．４を成長し、Ｚｎ
選択拡散層５，５ｉ０２膜６．ｎ側電極７を形成した。
液相法でＧａＡ１！ Ａｓ層２，３．４を成長し、Ｚｎ
選択拡散層５，５ｉ０２膜６．ｎ側電極７を形成した。
その後、ＧａＡｓ基板１側（裏面）の所定の位置にレジ
ストでストライブを形成し、リン酸：過酸化水素＝に２
の溶液で裏面を選択エツチングしＶ字形の溝１１を作成
した。この際ｎ側（表面）もレジストで保護している。
ストでストライブを形成し、リン酸：過酸化水素＝に２
の溶液で裏面を選択エツチングしＶ字形の溝１１を作成
した。この際ｎ側（表面）もレジストで保護している。
（１００）面のＧａＡｓ基板を使用しているため、レジ
ストのストライブをく○ＩＴ＞方向に形成すれば、エツ
チングによりＶ字形の溝１１が作成できる。そしてこの
方向はウェハのへき開方向でもある。
ストのストライブをく○ＩＴ＞方向に形成すれば、エツ
チングによりＶ字形の溝１１が作成できる。そしてこの
方向はウェハのへき開方向でもある。
次に、ｎ側とｎ側のレジストを除去し、ｎ側電極８を蒸
着した後、ウェハの表面側の上記Ｖ字形の溝１１の頂点
と同じ位置１０にスクライブにより傷をつけ、へき開に
よりチップに分離した。なお、７字形の溝１１のウェハ
内の垂直方向は、チップとチップの接続には関係がない
ため、従来の方法で分離した。
着した後、ウェハの表面側の上記Ｖ字形の溝１１の頂点
と同じ位置１０にスクライブにより傷をつけ、へき開に
よりチップに分離した。なお、７字形の溝１１のウェハ
内の垂直方向は、チップとチップの接続には関係がない
ため、従来の方法で分離した。
以上のように、本実施例によれば、７字形の溝１１の頂
点が尖がっているため、スクライブ位置を頂点の位置に
正確に合わせれば、チップは斜め方向に割れることなく
、ウェハに垂直にへき開することができる。実験の結果
、７字形の溝１１の頂点の部分のウェハの厚さく残りし
ろ）は１５０μｍ以下になるようにすることが好適であ
った。
点が尖がっているため、スクライブ位置を頂点の位置に
正確に合わせれば、チップは斜め方向に割れることなく
、ウェハに垂直にへき開することができる。実験の結果
、７字形の溝１１の頂点の部分のウェハの厚さく残りし
ろ）は１５０μｍ以下になるようにすることが好適であ
った。
なお、本発明の実施例においてＧａＡｅＡｓＬＥＤアレ
イの場合を示したが、ＧａＡｓＰＬＥＤアレイや受光素
子アレイにも適用できる。さらに通常のＬＥＤや受光素
子などのチップ分離にも有効な方法である。
イの場合を示したが、ＧａＡｓＰＬＥＤアレイや受光素
子アレイにも適用できる。さらに通常のＬＥＤや受光素
子などのチップ分離にも有効な方法である。
発明の効果
本発明によれば、光半導体ウェハの一方の面にＶ字形の
溝を形成し、他方の面の上記Ｖ字形の溝と同じ位置をス
クライブ法により傷をつけ個々のチップに分離すること
により、チップは斜め方向に割れることなく、ウェハに
垂直にへき開される。その結果、ＬＥＤア１ノイの様に
チップを複数個並べる場合、チップとチップの接続をな
めらかにすることができる優れた製造方法を実現できる
ものである。
溝を形成し、他方の面の上記Ｖ字形の溝と同じ位置をス
クライブ法により傷をつけ個々のチップに分離すること
により、チップは斜め方向に割れることなく、ウェハに
垂直にへき開される。その結果、ＬＥＤア１ノイの様に
チップを複数個並べる場合、チップとチップの接続をな
めらかにすることができる優れた製造方法を実現できる
ものである。
第１図は本発明の実施例におけるＧａＡｅＡｓＬＥＤア
レイのウェハの断面図、第２図は従来の方法におけるＧ
ａＡ１！ ＡｓＬＥＤアレイのウェハの断面図である。 １ ＝ ＝ ｐ型ＧａＡＳ基板、２−− ｐ型Ｇａ １
−、Ａ ｆ！ｘＡｓ（ｘ ＝０．７５）クラッド層、３
− ・・・ｐ型Ｇａ１−、ｃ・Ａｅｘ・Ａｓ（ｘ ’
＝０．３５）活性層、４ ・＝ ＝−ｎ型Ｇ ａ ＋−
ｘＡ ｅ ｘＡ ５（ｘ＝０．７５）クラッド層、５・
・・・・・Ｚｎ選択拡散層、６・・・・・・５ｉ０２膜
、７・・・・・・ｎ側電極、８・・・・・・ｐ（ＩＩＩ
電極、９・・・・・・ダイシングによる溝、１０・・・
・・・スクライブ位置、１１・・・・・・Ｖ字形溝。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図
レイのウェハの断面図、第２図は従来の方法におけるＧ
ａＡ１！ ＡｓＬＥＤアレイのウェハの断面図である。 １ ＝ ＝ ｐ型ＧａＡＳ基板、２−− ｐ型Ｇａ １
−、Ａ ｆ！ｘＡｓ（ｘ ＝０．７５）クラッド層、３
− ・・・ｐ型Ｇａ１−、ｃ・Ａｅｘ・Ａｓ（ｘ ’
＝０．３５）活性層、４ ・＝ ＝−ｎ型Ｇ ａ ＋−
ｘＡ ｅ ｘＡ ５（ｘ＝０．７５）クラッド層、５・
・・・・・Ｚｎ選択拡散層、６・・・・・・５ｉ０２膜
、７・・・・・・ｎ側電極、８・・・・・・ｐ（ＩＩＩ
電極、９・・・・・・ダイシングによる溝、１０・・・
・・・スクライブ位置、１１・・・・・・Ｖ字形溝。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図
Claims (3)
- （１）半導体ウェハの一方の面に素子分離位置に合わせ
てＶ字形の溝を形成し、他方の面の前記Ｖ字形の溝と同
じ位置をスクライブ法により傷をつけ、個々の素子に分
離することを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - （２）Ｖ字形の溝の方向が半導体ウェハのへき開方向と
一致することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置
の製造方法。 - （３）半導体ウェハの厚さが２００μｍ以上であり、Ｖ
字形の溝の頂点部分の厚さが１５０μｍ以下であること
を特徴とする請求項１または２記載の光半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184337A JPH0233948A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184337A JPH0233948A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233948A true JPH0233948A (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=16151539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63184337A Pending JPH0233948A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0233948A (ja) |
Cited By (5)
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-
1988
- 1988-07-22 JP JP63184337A patent/JPH0233948A/ja active Pending
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