JPS5861644A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5861644A JPS5861644A JP56161133A JP16113381A JPS5861644A JP S5861644 A JPS5861644 A JP S5861644A JP 56161133 A JP56161133 A JP 56161133A JP 16113381 A JP16113381 A JP 16113381A JP S5861644 A JPS5861644 A JP S5861644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- substrate
- diamond wheel
- semiconductor
- cracks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板
をダイヤモンドホイールによね切断する方法に関する。
をダイヤモンドホイールによね切断する方法に関する。
素子形成工程を終了した半導体基板を個々の素子に分離
するダイシング方法として、先端にダイヤモンドが付着
されたスクライビング・ツールで基板をスクライブする
方法、外周にダイヤインドが付着されたダイヤモンド・
ホイールで基板を切断する方法が多く用いられている。
するダイシング方法として、先端にダイヤモンドが付着
されたスクライビング・ツールで基板をスクライブする
方法、外周にダイヤインドが付着されたダイヤモンド・
ホイールで基板を切断する方法が多く用いられている。
上記２つの方法は−ずれも基板を機械的に分離する手段
であるため、分離された半導体素子の周縁部には若干の
クランクを生じる。特に化合物半導体のガリウム−硅素
（Ｇａｐｓ）ｆｄ非常に吃ろくて欠は易い。そのためＧ
ａＡ＠よりなる半導体装置の製造工程においては、スク
ライビングクールによるダイシング方法はクラックの発
売が甚だしいので用いることができない◎またダイヤモ
ンド、ホイールによりダイシングする場合には、基板の
ホイールが入る［１Ｍ（ホイール側の面）にはクラック
が少ないが、反対側の面には多数のクラックが発生する
。
であるため、分離された半導体素子の周縁部には若干の
クランクを生じる。特に化合物半導体のガリウム−硅素
（Ｇａｐｓ）ｆｄ非常に吃ろくて欠は易い。そのためＧ
ａＡ＠よりなる半導体装置の製造工程においては、スク
ライビングクールによるダイシング方法はクラックの発
売が甚だしいので用いることができない◎またダイヤモ
ンド、ホイールによりダイシングする場合には、基板の
ホイールが入る［１Ｍ（ホイール側の面）にはクラック
が少ないが、反対側の面には多数のクラックが発生する
。
そこでＧａＡｓよりなる半導体装置を製造するには、ダ
イシング工程がきわめて煩雑なものとなる。
イシング工程がきわめて煩雑なものとなる。
−例としてＱａｌｓよりなる超高周波ＭＥ８ Ｆｌｔ
’Ｉ’のダイシング工程を第１図に示す。
’Ｉ’のダイシング工程を第１図に示す。
まず第１図（ａ）に示すようにガラス板のような支持板
１上に素子形成工程及び素子検査工程を終了したＧａＡ
ｓ基板２を、素子が形成された一生面を下に向けてワッ
クス８で貼りつける。次いで同図（ｂ）に示すようにＧ
ａＡｓ基板２の背面（他の主面）４側を研磨法及びエツ
チング法により除去して、基板２の厚さを凡そ６０〔μ
ｍ〕とする。
１上に素子形成工程及び素子検査工程を終了したＧａＡ
ｓ基板２を、素子が形成された一生面を下に向けてワッ
クス８で貼りつける。次いで同図（ｂ）に示すようにＧ
ａＡｓ基板２の背面（他の主面）４側を研磨法及びエツ
チング法により除去して、基板２の厚さを凡そ６０〔μ
ｍ〕とする。
次いで同図（Ｃ）に示すように上記背面４上に、蒸着法
によりニクロム（ＮｉＯｒ）及び金（Ａｕ）よ抄なる薄
層５を形成し、その上に前記−主面側に形成された各素
子に対応する部分を開口部とするホトレジスト膜６を形
成し、次にこのホトレジスト膜６をマスクとして、メッ
キ法により銀（Ａｇ ）及び金（Ａｕ ）をそれぞれ凡
そ４０（μｍ）、８（μｍ）の厚さに被着してプレーテ
ッド・ヒート・シンク（Ｐｌａｔｅｄ Ｈｅａｔ ５ｉ
ｎｋ蓚以下Ｐ、Ｈ，Ｓ、と略記する）７を形成する。
によりニクロム（ＮｉＯｒ）及び金（Ａｕ）よ抄なる薄
層５を形成し、その上に前記−主面側に形成された各素
子に対応する部分を開口部とするホトレジスト膜６を形
成し、次にこのホトレジスト膜６をマスクとして、メッ
キ法により銀（Ａｇ ）及び金（Ａｕ ）をそれぞれ凡
そ４０（μｍ）、８（μｍ）の厚さに被着してプレーテ
ッド・ヒート・シンク（Ｐｌａｔｅｄ Ｈｅａｔ ５ｉ
ｎｋ蓚以下Ｐ、Ｈ，Ｓ、と略記する）７を形成する。
このあとダイシングを行なうのであるが、このままダイ
ヤモンド・ホイールで基板２を切断すると、前述した如
く基板２の一生面、つまり素子側に多数のクラックが発
生し、素子を不良としてしまう。そこで同図（ｄ）に示
すように、ガラス板ｌから基板２を一旦取りはずし、上
下をひっくり返し、−主面８を上にして再びガラス板１
に貼りつける。しかる後ダイヤモンド・ホイール９によ
り一生面８ｆｉｌから基板２を切断する。
ヤモンド・ホイールで基板２を切断すると、前述した如
く基板２の一生面、つまり素子側に多数のクラックが発
生し、素子を不良としてしまう。そこで同図（ｄ）に示
すように、ガラス板ｌから基板２を一旦取りはずし、上
下をひっくり返し、−主面８を上にして再びガラス板１
に貼りつける。しかる後ダイヤモンド・ホイール９によ
り一生面８ｆｉｌから基板２を切断する。
上述のように従来は煩雑な工程によりクラックの発生を
防止していた。しかし上述の工程では、厚さ約５０〔μ
ｍ〕の薄い基板２を貼り替える際に基板２が割れ易く、
そのため製造歩留が低下する。
防止していた。しかし上述の工程では、厚さ約５０〔μ
ｍ〕の薄い基板２を貼り替える際に基板２が割れ易く、
そのため製造歩留が低下する。
本発明の目的は上記間顯点を解消ルて、基板の一生面に
クラックを発生させることなく、背面側よりダイヤモン
ド・ホイールにより基板を切断し得るダイシング方法を
提供することにある。
クラックを発生させることなく、背面側よりダイヤモン
ド・ホイールにより基板を切断し得るダイシング方法を
提供することにある。
本発明の特ａｈ、素子形成工程を終了した半導体基板の
一生面のダイシングライン部を選択的に除去して予め溝
を形成する工程と、前記半導体基板の他の主面の前記溝
に対応する位置をダイヤモンド・ホイールで切断する工
程とを含なことにある。
一生面のダイシングライン部を選択的に除去して予め溝
を形成する工程と、前記半導体基板の他の主面の前記溝
に対応する位置をダイヤモンド・ホイールで切断する工
程とを含なことにある。
第２図−は本発明の一実施例をその製造工程の順に説明
するための図で、同図（ａ）は素子の配列を示す要部上
面図、同図（ｂ）〜（ｇ）は要部断面図である〇 素子形成工程及び素子検査工程を終了した後、後述する
背面処理及びダイシング工程に先立って、第２図（ａ）
に示す各素子１００間に設けられたダイシングラインｕ
部に溝を形成する。
するための図で、同図（ａ）は素子の配列を示す要部上
面図、同図（ｂ）〜（ｇ）は要部断面図である〇 素子形成工程及び素子検査工程を終了した後、後述する
背面処理及びダイシング工程に先立って、第２図（ａ）
に示す各素子１００間に設けられたダイシングラインｕ
部に溝を形成する。
それには同図（ｂ）に示すように、ダイシングライン部
に開口を有するホトレジスト膜稔を形成し、これをマス
クとしてＧａＡｓ基板２の一生面（素子が形成された面
）８を選択的に除去して溝塾を形成する。この溝を形成
するためのエツチング液は通常用いられるもののなかか
ら選択してよ−が、例えば硝ｆｉｌｌ （ＨＮＯ，）と
過酸化水素（Ｈ２Ｏ意）の混合液を用い得る。この混合
液はＧａム８の異方性エツチング液であるため、溝Ｂは
壁面が６度に傾斜するＶ字状に形成される。まなこの溝
氏と直交する方向の溝祉同図（Ｃ）に見られるように、
壁面が初度に傾斜する台形状に形成される。
に開口を有するホトレジスト膜稔を形成し、これをマス
クとしてＧａＡｓ基板２の一生面（素子が形成された面
）８を選択的に除去して溝塾を形成する。この溝を形成
するためのエツチング液は通常用いられるもののなかか
ら選択してよ−が、例えば硝ｆｉｌｌ （ＨＮＯ，）と
過酸化水素（Ｈ２Ｏ意）の混合液を用い得る。この混合
液はＧａム８の異方性エツチング液であるため、溝Ｂは
壁面が６度に傾斜するＶ字状に形成される。まなこの溝
氏と直交する方向の溝祉同図（Ｃ）に見られるように、
壁面が初度に傾斜する台形状に形成される。
上記溝Ｕの寸法は、幅及び深さの双方ともがα〜美〔μ
ｍ）程度であればよい。
ｍ）程度であればよい。
次いで同図（ｄ）に示すようにガラス板１上に、上記基
板２を溝ｌを形成した一生面を下に向けてワックス８で
貼りつけ、上側に露呈せる背面（他の主１１）４を研磨
法及びエツチング法により除去して、基板２を凡そω〔
μｍ〕の厚さにする。
板２を溝ｌを形成した一生面を下に向けてワックス８で
貼りつけ、上側に露呈せる背面（他の主１１）４を研磨
法及びエツチング法により除去して、基板２を凡そω〔
μｍ〕の厚さにする。
次いで同図（ｅ）に示すように背面４上に蒸着法により
Ｎｉ０ｒ−Ａｕ層５を形成し、その上に前記−主面８側
に形成された各素子に対応する部分を開口部とするホト
レジスト膜６を形成し、次にこのホトレジスト膜６をマ
スクとして、メッキ法によりムｇ及びムＵをそれぞれ凡
そ４０〔μｆｆ）、８（μｍ〕の厚さに被着してＰ、Ｈ
，８，７を形成する。
Ｎｉ０ｒ−Ａｕ層５を形成し、その上に前記−主面８側
に形成された各素子に対応する部分を開口部とするホト
レジスト膜６を形成し、次にこのホトレジスト膜６をマ
スクとして、メッキ法によりムｇ及びムＵをそれぞれ凡
そ４０〔μｆｆ）、８（μｍ〕の厚さに被着してＰ、Ｈ
，８，７を形成する。
次いで同図（ｆ）に示すように上記開塾に対応する位置
において、基板２を背面４６１よりダイヤモンドホイー
ル９で切断する。同図（ｇ）はその細部を拡大した図で
、ダイヤモンドホイール９の切り込み深さ社、溝Ｕの底
部（図では基板２を裏返しであるので、溝口の最上部）
に達する程度とする。
において、基板２を背面４６１よりダイヤモンドホイー
ル９で切断する。同図（ｇ）はその細部を拡大した図で
、ダイヤモンドホイール９の切り込み深さ社、溝Ｕの底
部（図では基板２を裏返しであるので、溝口の最上部）
に達する程度とする。
以上により基板２は個六の素子に切断分離されたのであ
るが、本実施例によれば、クラックは溝ロの壁面には発
生するが、これらはごく微小なものであり、素子の表面
には達しない。また本実施例では前述の従来例と異なり
、基板２を貼り替える必要がないので、基板２が割れる
こともない。
るが、本実施例によれば、クラックは溝ロの壁面には発
生するが、これらはごく微小なものであり、素子の表面
には達しない。また本実施例では前述の従来例と異なり
、基板２を貼り替える必要がないので、基板２が割れる
こともない。
この２つの効果により、本実施例では半導体装置の製造
歩留が大幅に向上する。
歩留が大幅に向上する。
なおこのあと、レジスト剥離液によりホトレジスト膜６
を除去し、ワックス８を加熱溶融せしめて分離された素
子をガラス板ｌより取りはずし、洗浄工程を経て半導体
素子が完成し、更に組み立て工程、対土工程等を経てＱ
ａＡｓ超高周波ＭＥＳＦＥＴが完成する。
を除去し、ワックス８を加熱溶融せしめて分離された素
子をガラス板ｌより取りはずし、洗浄工程を経て半導体
素子が完成し、更に組み立て工程、対土工程等を経てＱ
ａＡｓ超高周波ＭＥＳＦＥＴが完成する。
なお本発明はＧａＡｓよりなる半導体装置の製造に用い
得るのみならず、Ｓｉ等他の半導体材料よりなり、ダイ
シング工程の前に背向処理を必要とする半導体装置を製
造する場合にも用い得る。
得るのみならず、Ｓｉ等他の半導体材料よりなり、ダイ
シング工程の前に背向処理を必要とする半導体装置を製
造する場合にも用い得る。
以上説明した如く本発明によれば、半導体基板に形成さ
れた素子表面にクラックを発生させることなく、基板を
ダイヤモンド、・ホイールによす基板背向より切断する
ことが可能となり、半導体装置の製造歩留が向上し、し
かも製造工程が容易となる。
れた素子表面にクラックを発生させることなく、基板を
ダイヤモンド、・ホイールによす基板背向より切断する
ことが可能となり、半導体装置の製造歩留が向上し、し
かも製造工程が容易となる。
第１図は従来の半導体装置の製造方法を説明するための
要部断面図、第２図は本発明の一実施例を製造工程の順
に示す要部上面図及び要部断面図であるａ 図に・おいて、１は支持板、２は半導体基板、４は他の
主面、８け一生面、９はダイヤモンドホイール、１０は
半導体素子、１１はダイシングライン、口は溝を示す。 第１１４ 第２図
要部断面図、第２図は本発明の一実施例を製造工程の順
に示す要部上面図及び要部断面図であるａ 図に・おいて、１は支持板、２は半導体基板、４は他の
主面、８け一生面、９はダイヤモンドホイール、１０は
半導体素子、１１はダイシングライン、口は溝を示す。 第１１４ 第２図
Claims (1)
- 複数個の半導体素子が、互いにダイシングラインを隔て
て形成されてなる半導体基板の、−主面の前記ダイシン
グライン部を選択的に除去して溝を形成する工程と、前
記半導体基板を前記−主面を下にして支持板上に貼り付
け、表面を露呈せる他の主面の前記溝に対応する位置に
おいて、前記半導体基板をダイヤモンドホイールにより
切断する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161133A JPS5861644A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56161133A JPS5861644A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861644A true JPS5861644A (ja) | 1983-04-12 |
Family
ID=15729217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56161133A Pending JPS5861644A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861644A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233948A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JPH0288203A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
-
1981
- 1981-10-08 JP JP56161133A patent/JPS5861644A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233948A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JPH0288203A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4722130A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US3897627A (en) | Method for manufacturing semiconductor devices | |
| US20060205182A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US10083850B2 (en) | Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier | |
| US4023260A (en) | Method of manufacturing semiconductor diodes for use in millimeter-wave circuits | |
| US6603190B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPS63261851A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US3698941A (en) | Method of applying contacts to a semiconductor body | |
| EP2461359B1 (en) | Method for forming substrate with insulating buried layer | |
| JPH01184927A (ja) | 大面積半導体基板の製造方法 | |
| JPS5861644A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06295848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61158145A (ja) | 半導体基板の加工方法 | |
| JPH01302837A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| US6074948A (en) | Method for manufacturing thin semiconductor device | |
| JP2506019B2 (ja) | 透過マスクの製造方法 | |
| JPH04307735A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03293747A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10312980A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2678479B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1126403A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH0476208B2 (ja) | ||
| JPH03104276A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2576462B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5854652A (ja) | 半導体装置の製造方法 |