JP2006156950A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ウェハ全面に均一に、簡易かつ高い歩留まりでウェハボンディングを行うことができる発光ダイオードの製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光層7を有する第1のウェハ22の表面に、発光層7からの光に対して透明なGaP基板である第2のウェハ23を配置する。締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0%を有する緩衝膜24を介して、第1および第2のウェハ22,23の接触面に圧縮力を作用させると共に、加熱炉で加熱する。第1および第2のウェハ22,23を、接合不良を生じることなく全面に亘って接合することができる。
【選択図】図1
【解決手段】 発光層7を有する第1のウェハ22の表面に、発光層7からの光に対して透明なGaP基板である第2のウェハ23を配置する。締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0%を有する緩衝膜24を介して、第1および第2のウェハ22,23の接触面に圧縮力を作用させると共に、加熱炉で加熱する。第1および第2のウェハ22,23を、接合不良を生じることなく全面に亘って接合することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば照明、情報表示装置および情報伝送装置等の光源に用いられる半導体発光素子の製造方法に関する。
従来より、発光ダイオード(以下、LED:Light Emitting Diodeという)において内部で発生した光を外部に取り出す効率、すなわち外部出射効率を向上させることは、非常に重要である。
外部出射効率を向上させるためには、LEDの基板として発光波長に対して透明なものを用いることが一般的である。発光波長に対して不透明な基板を用いた場合には、その基板により発光光が吸収されるため、発光層に関して基板と反対側の面(以下、この面を上面という)にしか実質的に光を出射できない。これに対して、発光波長に対して透明な基板を用いた場合には、上面だけでなく他の面からも光を出射させることが可能となる。また、LEDの基板側の面(以下、この面を下面という)をボンディングした場合であっても、発光層から基板側に向かう光を上記下面で反射させて、上面および側面等から出射させることが可能となる。このような透明な基板を有するLEDは、従来よりInGaAsP系の半導体材料を用いた赤外LEDや、AlGaAs系の半導体材料を用いた赤外・赤色LEDや、GaAsP系の半導体材料を用いた黄色LEDや、GaP系の半導体材料を用いた緑色LED等に適用されている。
また、近年では、AlGaInP系の半導体材料を用いた赤・黄・緑色LED等の開発において、複数の基板を互いに直接接合するウェハボンディング技術が急速に実用化され始めている。このウェハボンディング技術により、発光波長に対して透明な基板をLED基板に接合することによって、LEDの外部出射効率の向上が図られている。
この種の第1の従来技術として、GaAs(ガリウム砒素)基板上に形成したAlGaInP(アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン)系の半導体層の表面に、GaP(ガリウム・リン)透明基板を、加圧と高温処理によって直接接合する技術が提案されている(特許第3230638号公報:特許文献1参照)。
また、第2の従来技術として、In(インジウム)を含むボンディング層を介して、LED発光層と透明層とをウェハボンディングする技術が提案されている(特許第3532953号公報:特許文献2参照)。
また、第3の従来技術として、第1の基板上に成長した第1のエピタキシャル層上に、マスクを介して第2のエピタキシャル層を成長し、この第2のエピタキシャル層に、上記マスクに達するトレンチを形成する。この後、上記第2のエピタキシャル層上に第2の基板をウェハボンディングし、上記トレンチを介して上記マスクをエッチングする。これにより、上記第2のエピタキシャル層および第2の基板を、上記第1の基板および第1のエピタキシャル層から分離する技術が提案されている(特開2001−53056号公報:特許文献3参照)。
また、第4の従来技術として、GaAs基板の上に発光層としての積層体を形成したエピタキシャルウェーハを形成し、エピタキシャルウェーハに、300μmピッチで縦横にブレードダイシングを行い、幅100μm、深さ20μmの溝を設ける。このエピタキシャルウェーハの溝を設けた面にGaP基板を接着した後、上記エピタキシャルウェーハのGaAs基板を除去し、電極を形成し、素子分離を行って、LEDチップを形成する技術が提案されている(特開2001−57441号公報:特許文献4参照)。
しかしながら、上記各従来技術には、以下のような問題点が有る。
すなわち、上記第1の従来技術では、LEDの製造に一般的に用いられる直径2インチや3インチのウェハでは、透明基板の全面を歩留まり良く均一に接着することが困難であるという問題がある。
出願人が行った試験では、図7の正面図および図8の平面図に示すような治具50を用いて、GaAs基板上にAlGaInP系の半導体層が形成されてなる第1ウェハ122の表面に、GaP透明基板である第2ウェハ123を密着させて加圧し、加熱炉で高温処理を行った。上記第1および第2ウェハ122,123は直径2インチのウェハである。その結果、高温処理の後に加熱炉からウェハを取り出したところ、ウェハに割れが生じて次の工程に移ることができなかった。また、ウェハを1/4に分割して接合を行った場合でも、半導体層および透明基板の接合面の平坦性に起因して、接合不良となる面積が比較的多く発生した。図9は、接合前の第1ウェハ122を示す図であり、図10は、接合を行った後の第1および第2のウェハ122,123を示す図である。図10に示すように、第1および第2のウェハ122,123に割れ112が生じ、また、接合部分110がウェハの中央および径方向外側に島状に生じて、これ以外の部分が接合されなくて接合不良が生じている。このように、上記第1の従来技術は、LEDの量産には適用し難いという問題がある。
また、第2の従来技術では、第1の実施例に記載されているように、成長基板上にLED層を形成した後、透明基板をウェハボンディングする前に、上記成長基板を除去する。この成長基板が除去された状態のLED層は、薄くて破損し易いので、歩留まりの低下を招くという問題がある。さらに、第2の実施例に記載されているように、ウェハボンディングを行うとき、ウェハの破損や亀裂を抑制するため、ウェハが柔軟となる温度に達したときに、空気圧ピストンで上記ウェハを加圧する装置が必要である。したがって、製造装置の複雑化やその制御の複雑化を招くという問題がある。
また、第3の従来技術には、ウェハボンディング工程の具体的な内容が記載されていない。
また、第4の従来技術によって製造されたLEDチップは、エピタキシャルウェーハに100μmの幅の溝を300μmピッチで形成するので、このエピタキシャルウェーハとGaP基板との接着面が小さくなるという問題がある。
特許第3230638号公報
特許第3532953号公報
特開2001−53056号公報
特開2001−57441号公報
そこで、本発明の課題は、ウェハ全面に均一に、簡易かつ高い歩留まりでウェハボンディングを行うことができる発光ダイオードの製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の半導体発光素子の製造方法は、発光層を含む少なくとも1つの半導体層が形成された第1のウェハの表面に、上記発光層の発光波長に対して透明な第2のウェハを配置する工程と、
上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、この第1のウェハおよび第2のウェハの接合不良を防止する接合不良防止構造を設ける工程と、
上記第1のウェハと第2のウェハとが互いに接する接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する工程と
を備えることを特徴としている。
上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、この第1のウェハおよび第2のウェハの接合不良を防止する接合不良防止構造を設ける工程と、
上記第1のウェハと第2のウェハとが互いに接する接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する工程と
を備えることを特徴としている。
上記構成によれば、上記第1のウェハの表面に、上記第2のウェハが配置される。上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、上記接合不良防止構造が設けられる。この接合不良防止構造の存在の下、上記接触面に圧縮力を作用させると共に、この接触面を加熱する。したがって、上記第1のウェハおよび第2のウェハの上記接触面で互いに接する部分の例えば熱膨張係数が互いに異なるような場合においても、上記接触面における第1および第2のウェハの接合不良を防止することができる。
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、発光層を含む少なくとも1つの半導体層が形成された第1のウェハの表面に、上記発光層の発光波長に対して透明な透明層が形成された第2のウェハを、この第2のウェハの透明層の表面が上記第1のウェハの表面に接するように配置する工程と、
上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、この第1のウェハおよび第2のウェハの接合不良を防止する接合不良防止構造を設ける工程と、
上記第1のウェハと第2のウェハとが互いに接する接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する工程と
を備えることを特徴としている。
上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、この第1のウェハおよび第2のウェハの接合不良を防止する接合不良防止構造を設ける工程と、
上記第1のウェハと第2のウェハとが互いに接する接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する工程と
を備えることを特徴としている。
上記構成によれば、上記第1のウェハの表面に、上記第2のウェハが、この第2のウェハの透明層の表面が上記第1のウェハの表面に接するように配置される。上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、上記接合不良防止構造が設けられる。この接合不良防止構造の存在の下、上記接触面に圧縮力を作用させると共に、この接触面を加熱する。したがって、上記第1のウェハおよび第2のウェハの上記接触面で互いに接する部分の例えば熱膨張係数が互いに異なるような場合においても、上記第1のウェハおよび第2のウェハは、上記接触面における接合不良を防止することができる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記接合不良防止構造は、上記第1のウェハおよび第2のウェハの少なくとも一方の面であって、上記接触面と逆側の面に配置された応力緩衝膜である。
上記実施形態によれば、上記第1のウェハおよび第2のウェハの少なくとも一方の面であって、上記接触面と逆側の面に上記応力緩衝膜を配置した状態で、上記接触面に圧縮力を作用させると共に、この接触面を加熱する。これにより、上記接触面における応力の分布の偏りが低減する。したがって、上記接触面における第1および第2のウェハの接合不良を防止できる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記応力緩衝膜は、締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0%を有する。
上記実施形態によれば、締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0%を有する上記応力緩衝膜により、上記第1および第2のウェハの接合面における応力の偏りを効果的に低減することができる。より好ましくは、上記応力緩和率は、締め付け面圧5〜20kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.8〜2.5%である。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記応力緩衝膜は、0.2mm以上2.0mm以下の厚みを有する。
上記実施形態によれば、0.2mm以上2.0mm以下の厚みを有する上記応力緩衝膜により、上記第1および第2のウェハの接合面における応力の偏りを効果的に低減することができる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記接合不良防止構造は、上記接触面に臨むように所定間隔をおいて設けられた溝である。
上記実施形態によれば、上記接触面に臨むように所定間隔をおいて設けられた溝の存在の下、上記接触面に圧縮力を作用させると共に、この接触面を加熱する。これにより、上記接触面における応力の分布の偏りが低減する。したがって、上記接触面における第1および第2のウェハの接合不良を防止できる。なお、上記溝は、第1のウェハと第2のウェハのうちのいずれに設けてもよい。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、
上記溝は、半導体発光素子のチップサイズに応じた間隔をおいて設けられている。
上記溝は、半導体発光素子のチップサイズに応じた間隔をおいて設けられている。
上記実施形態によれば、上記溝は、半導体発光素子のチップサイズに応じた間隔を置いて設けられているので、この溝に沿って第1および第2のウェハを分割することにより、容易に半導体発光素子のチップを得ることができる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記溝は、ダイシングで形成されている。
上記実施形態によれば、上記溝は、ダイシングで形成されるので、容易に接合不良防止構造を設けることができると共に、第1および第2のウェハをチップに分割できる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記溝は、エッチングで形成されている。
上記実施形態によれば、上記溝は、エッチングで形成されるので、容易に接合不良防止構造を設けることができると共に、第1および第2のウェハをチップに分割できる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記溝は、5μm以上80μm以下の深さを有する。
上記実施形態によれば、上記溝は、5μm以上80μm以下の深さを有するので、上記接触面における応力の分布の偏りを効果的に低減できる。なお、上記溝は、この溝が設けられた第1または第2のウェハにおいて、溝の底から接触面と反対側の面までの厚みが100μm以上になる深さであるのが好ましい。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記接合不良防止構造は、厚みが100μm以上300μm以下である上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方である。
上記実施形態によれば、上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方の厚みが100μm以上300μm以下であることにより、この第1および第2のウェハの接触面に圧縮力を作用させると共に加熱したとき、この接触面における応力の分布の偏りが低減する。したがって、上記接触面における第1および第2のウェハの接合不良を防止できる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記接合不良防止構造は、研削、エッチングおよびケミカルメカニカルポリッシュのうちの少なくとも1つによって形成する。
上記実施形態によれば、研削、エッチングおよびケミカルメカニカルポリッシュのうちの少なくとも1つによって、容易に接合不良防止構造を得ることができる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記第1のウェハおよび第2のウェハの少なくとも1つは、MOCVD(有機金属化学気相蒸着)法またはMBE(分子線エピタキシー)法で形成された層を有する。
上記実施形態によれば、上記第1のウェハおよび第2のウェハの少なくとも1つは、MOCVD法またはMBE法で形成された層を有し、この層は、成長に比較的長時間を要する。したがって、上記層を従来におけるように基板から一旦分離しようとすると、上記層のみによって所定の強度が得られる程度の比較的大きい厚みに成長する必要があるので、この層の成長にかかる時間が比較的長くなって、半導体発光素子の製造にかかる時間が比較的大きくなる。これに対して、上記実施形態によれば、上記層を基板から一旦分離しないで、ウェハの状態で第1および第2ウェハを接合できるので、上記層を所定の強度が得られる程度にまで成長する必要が無いから、半導体発光素子の製造にかかる時間を短縮できる。さらに、上記層は、発光に必要な最小限の厚みに成長すればよいので、この層の材料の無駄な使用を防止できる。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記溝は、この溝が形成されたウェハの厚みに対して、1/3〜1/20の割合の深さを有する。
上記実施形態によれば、上記接触面における応力の分布の偏りを効果的に低減できて、上記第1ウェハと第2ウェハの接合不良を効果的に防止できる。上記溝の深さの上記ウェハの厚みに対する割合が1/3よりも大きい場合、この溝が設けられたウェハに割れが生じ易くなる。一方、上記溝の深さの上記ウェハの厚みに対する割合が1/20よりも小さい場合、上記接触面における応力分布の偏りの低減効果が不十分になって、上記第1ウェハと第2ウェハの接着面積の減少を招いてしまう。
一実施形態の半導体発光素子の製造方法は、上記溝は、この溝が設けられた間隔に対して、0.05〜0.2の割合の幅を有する。
上記実施形態によれば、上記第1のウェハと第2のウェハの接触面積を確保しつつ、この接触面の応力の分布の偏りを防止して、接合不良の防止を行うことができる。上記溝の幅の上記間隔に対する割合が0.2よりも大きい場合、第1ウェハと第2ウェハの接触面積が減少する。一方、上記溝の幅の上記間隔に対する割合が0.05よりも小さい場合、上記接触面における応力分布の偏りの低減効果が不十分となって、上記第1ウェハと第2ウェハの接着面積の減少を招いてしまう。
以上のように、本発明の半導体発光素子の製造方法は、発光層を含む少なくとも1つの半導体層が形成された第1のウェハの表面に、上記発光層の発光波長に対して透明な第2のウェハを配置する工程と、上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、この第1のウェハおよび第2のウェハの接合不良を防止する接合不良防止構造を設ける工程と、上記第1のウェハと第2のウェハとが互いに接する接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する工程とを備えるので、上記第1のウェハおよび第2のウェハの上記接触面で互いに接する部分の例えば熱膨張係数が互いに異なるような場合においても、上記接触面における第1および第2のウェハの接合不良を防止することができる。
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
実施形態では、発光層に4元の量子井戸を有するAlGaInP(アルミニウム・ガリウム・インジウム・リン)系の半導体発光素子としての発光ダイオードを製造する。
(第1実施形態)
図1は、上記発光ダイオードの製造方法における接合工程を示す図である。この接合工程は、第1のウェハ22と第2のウェハ23とを接合する工程であり、接合不良防止構造である応力緩衝膜としての緩衝膜29を介して、上記第1および第2のウェハ22,23の間の接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する。
図1は、上記発光ダイオードの製造方法における接合工程を示す図である。この接合工程は、第1のウェハ22と第2のウェハ23とを接合する工程であり、接合不良防止構造である応力緩衝膜としての緩衝膜29を介して、上記第1および第2のウェハ22,23の間の接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する。
上記第1のウェハ22は、n型GaAs(ガリウム・砒素)基板上に、発光層を含む複数の半導体層が形成されたものであり、上記第2のウェハ23は、上記発光層からの光に対して透明なp型GaP基板23である。
以下、図2A乃至2Fを参照して、上記発光ダイオードの製造方法を説明する。なお、図2A乃至2Eでは、上記第1のウェハ22および第2のウェハ23のうち、チップ状に分離すべき部分を示している。
先ず、図2Aに示すように、GaAs基板1上に、バッファー層2、エッチングストップ層3、電流拡散層4、バッファー層5、クラッド層6、発光層7、スペーサ層16、クラッド層17、中間層18、貼付コンタクト層20およびキャップ層21を形成する。上記各層は、MOCVD法により成長し、下記の表1および表2のような組成及び層厚を有する。
上記表1は、基板1から発光層7までの層について組成等を示している。上記表2は、上記発光層7上のスペーサ層16からキャップ層21までの層について組成等を示している。表1に示すように、上記発光層7は、図示しないが、ウエル層とバリア層とを交互に積層した4元の量子井戸層で構成されている。
また、上記GaAs基板1は、上記各層の成長が行われる表面の面方位が(100)面から<011>方向に15°オフした角度になっている。なお、上記GaAs基板1の表面の面方位は、他の面方位であってもよい。
また、上記GaAs基板1上の各層は、MBE法を用いて形成してもよい。
続いて、図2Bに示すように、キャップ層21を除去すると共に、このキャップ層21の除去により露出した貼付コンタクト層20のうち、2μm程度の厚みに相当する部分を除去する。そして、上記部分が除去された貼付コンタクト層20の表面を、CMP(化学機械研磨)法で研磨して鏡面にする。これにより、第1のウェハ22が得られる。
この後、図2Cに示すように、上記第1のウェハ22の表面である貼付コンタクト層20の表面に、第2のウェハであるGaP基板23を、第1のウェハのGaAs基板1の結晶軸に合わせて配置する。そして、上記第1のウェハ22と第2のウェハ23との接合工程を行う。
この接合工程では、図1に示すような治具50を用いて、上記第1のウェハ22と第2のウェハ23とを接合する。上記治具50は石英からなり、上記第1のウェハ22を支持する下台51と、上記第2のウェハ23の図1において上側の面を覆う押さえ板52と、所定の大きさの力を受けて上記押さえ板52を押圧する押圧部53を有する。この押圧部53は、正面から見て概略コ字状を有する枠体54によって上下方向に案内されるようになっている。上記枠体54は上記下台51に係合して、この下台51と上記押圧部53との間に位置する上記押さえ板52に力を適切に伝達するようになっている。
上記治具の下台51の上にPBN(熱分解チッ化ホウ素:パイロリティックボロンナイトライド)24を配置し、このPBN上に、第1のウェハ22および第2のウェハ23を配置する。ここで、上記第2ウェハ23についても表面を鏡面研磨し、この鏡面研磨した表面が、上記第1のウェハ22の鏡面研磨した表面に接するように配置する。また、上記第1のウェハ22の表面の成長軸と、上記第2のウェハ23の表面の成長軸とを一致させる。この第2のウェハ23の上側面であって、上記第1および第2のウェハ22,23との接触面と逆側の面に、接合不良防止構造としての緩衝膜29を配置する。
上記緩衝膜29は、締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0%を有する材料から形成されており、1mmの厚みを有する。
上記緩衝膜29の上側面にPBN25を配置し、このPBN25の上側面に治具の押さえ板52を接触させる。そして、上記治具の押圧部53に0.6Nmの力を加えて、上記押さえ板52および緩衝膜29を介して、第2のウェハ23と第1のウェハ22との接触面に圧縮力を作用させる。この状態で、上記第1および第2のウェハ22,23を、治具50と共に加熱炉にセットして、750℃の温度で1時間加熱する。ここで、上記第1および第2のウェハ22,23の接触面は、上記緩衝膜29によって、応力の偏りが低減された状態で圧縮力がかかる。これにより、上記接触面の略全面に亘って良好な接合界面40が形成される。
加熱が終了し、冷却を行った後、接合された第1および第2のウェハ22,23を加熱炉から取り出す。このようにしてウェハボンディング(直接接合)が行われた第1および第2ウェハ22,23の接合体は、図3の平面図に示すように、割れや接合不良等が生じることが無い。
この後、図2Dに示すように、第1ウェハ側の基板1およびバッファー層2をNH4OH−H2O2混合溶液によってエッチング除去する。
続いて、図2Eに示すように、第1ウェハ側のエッチングストップ層3をエッチング除去する。そして、上記エッチングストップ層3の除去により露出した電流拡散層4の表面に、N電極45を形成する。一方、第2ウェハ側のGaP基板23を、表面部分のバックグラインド研削によって所定厚みに形成し、この研削後の表面にP電極46を形成する。続いて、ウェハと電極45,46との接続部分を合金化するため、約450℃の温度の下で15分間熱処理を行う。そして、電極45,46が形成された第1および第2のウェハ22,23を、ダイシングによってチップに分割して、図2Fに示すような発光ダイオードが完成する。
このようにして製造された発光ダイオードは、GaP基板23と貼付コンタクト層20との間の接合状況は良好であった。また、製造過程において、接合後の基板1、バッファー層2およびエッチングストップ層3のエッチング除去を経た後においても、また、比較的大きい力が加わるダイシングの後においても、接合部分に剥がれ等の不良は生じなかった。
このように、本実施形態の半導体発光素子の製造方法によれば、第1および第2のウェハ22,23を、比較的簡易な方法によって、全面に均一に接合することができる。したがって、発光強度が比較的高い発光ダイオードを、従来よりも歩留まり良く製造できる。
上記実施形態において、上記緩衝膜29は、締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0%を有したが、締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜5.0%を有していればよい。より好ましくは、締め付け面圧5〜20kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.8〜2.5%である。
また、上記緩衝膜29の厚みは、1mmに限られず、0.2mm以上2.0mm以下の間で適宜設定することができる。
また、上記緩衝膜29は、第2のウェハ23の上側面ではなくて、第1のウェハ22の下側面に配置してもよい。
(第2実施形態)
本実施形態の半導体発光素子の製造方法は、接合不良防止構造が、第1のウェハ22の表面に形成された溝である以外は第1実施形態と同様である。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成部分には同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
本実施形態の半導体発光素子の製造方法は、接合不良防止構造が、第1のウェハ22の表面に形成された溝である以外は第1実施形態と同様である。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成部分には同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
本実施形態では、図2Bに示された第1のウェハ22を形成した後、この第1のウェハ22の表面に、貼付コンタクト層20の表面から所定深さに達する溝61を、図4に示すような縦横方向に形成する。この溝61が、接合不良防止構造として機能するものであり、ダイシングによって形成し、この溝61が形成された第1のウェハ22の厚みに対して、1/3〜1/20の割合の深さを有するのが好ましい。より好ましくは、上記溝61の深さは5〜80μmである。
この後、上記溝61を形成した第1のウェハ22を、上記溝61の形成面を上側にして、図1と同様に、PBN24を介して治具の下台51の上に配置する。この第1のウェハ22の上に、第2のウェハであるGaP基板23を、このGaP基板23の鏡面研磨した表面が上記第1のウェハ22の溝形成面に接するように配置する。ここで、上記第1のウェハ22の表面の成長軸と、上記第2のウェハ23の成長軸とが一致するように配置する。
続いて、上記第2のウェハ23の上側にPBN25を配置し、押さえ板52を配置して、押圧部53を介して第1および第2のウェハ22,23の接触面に圧縮力を作用させる。この状態で、加熱炉によって750℃の温度で1時間加熱し、冷却することにより、図5に示すような割れや接合不良の無いウェハの接合体が得られる。
本実施形態によれば、上記第1のウェハ22の接合面に縦横方向の溝61を形成するので、この溝61の配置間隔をチップサイズに対応させることにより、第1および第2のウェハ22,23の接合体を、上記溝61に沿って比較的容易にチップに分離することができる。
なお、上記溝61の形成方法はダイシングに限られず、エッチングによって形成してもよい。
また、接合面に臨む溝は、第1のウェハ22の表面ではなくて、第2のウェハ23の表面に設けてもよい。
また、上記溝61は、この溝61が設けられたピッチに対して、0.05〜0.2の割合の幅を有するのが好ましい。具体的には、上記溝61は、10μm〜50μmの幅に形成するのが好ましい。
また、本実施形態において、第1実施形態の接合不良防止構造を併用してもよい。すなわち、第1のウェハ22又は第2のウェハ23の接触面に溝61を設けた上で、この第1のウェハ22と第2のウェハ23との接触面と逆側の面に、第1実施形態における緩衝膜29と同じ緩衝膜を配置し、この緩衝膜を介して第1のウェハ22と第2のウェハ23との接触面に圧縮力を作用させてもよい。この溝61と緩衝膜29との相乗効果により、接触面における応力分布の偏りを効果的に低減でき、第1及び第2のウェハ22,23の割れや接合不良の防止を効果的に行うことができる。
(第3実施形態)
本実施形態の半導体発光素子の製造方法は、接合不良防止構造が、所定の厚みに形成された第1のウェハ22である以外は、第1実施形態と同様である。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成部分には同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
本実施形態の半導体発光素子の製造方法は、接合不良防止構造が、所定の厚みに形成された第1のウェハ22である以外は、第1実施形態と同様である。本実施形態において、第1実施形態と同一の構成部分には同一の参照番号を付して、詳細な説明を省略する。
本実施形態では、図2Bに示された第1のウェハ22を形成した後、この第1ウェハ22のGaAs基板1側の表面部分を、図6に示すように、バックグラインダによって研削する。この研削により、上記第1のウェハ22のGaAs基板1の厚みを、350μmから250μm程度にする。これにより、第1のウェハ22の全体の厚みが、256μm程度になる。この厚みに形成された第1のウェハ22が、接合不良防止構造として機能する。
この後、GaAs基板1の厚みを削減した第1のウェハ22を、貼付コンタクト層20の表面を上側にして、図1と同様に、PBN24を介して治具の下台51の上に配置する。この第1のウェハ22の上に、第2のウェハであるGaP基板23を、このGaP基板23の鏡面研磨した表面が上記第1のウェハ22の貼付コンタクト層20の表面に接するように配置する。ここで、上記第1のウェハ22の表面の成長軸と、上記第2のウェハ23の成長軸とが一致するように配置する。
続いて、上記第2のウェハ23の上側にPBN25を配置し、押さえ板52を配置して、押圧部53を介して第1および第2のウェハ22,23の接触面に圧縮力を作用させる。この状態で、加熱炉によって750℃の温度で1時間加熱し、冷却することにより、割れや接合不良の無いウェハの接合体が得られる。
本実施形態によれば、上記第1のウェハ22の厚みを100μm以上300μm以下の範囲に削減するので、上記第1および第2のウェハ22,23との間の接触面に、接合時に応力の偏りが生じることが防止される。したがって、割れや接合不良の無いウェハの接合体を得ることができる。
なお、上記第1のウェハ22の厚みは、バックグラインダ以外の他の方法による研磨で削減してもよく、また、エッチングおよびケミカルメカニカルポリッシュによって削減してもよい。
また、上記第1のウェハ22ではなくて、第2のウェハ23の厚みを所定の厚みに形成して、この厚みに形成された第2のウェハ23を接合不良防止構造としてもよい。
また、上記各実施形態において、半導体発光素子としての発光ダイオードは、AlGaInP4元系の発光層を有したが、発光層の構造は量子井戸構造に限られず、また、他の組成の発光ダイオードにも広く適用可能である。すなわち、本発明は、赤(AlGaAs等)、青(GaN、InGaN、SiC等)、黄色(AlGaInP等)、緑(AlGaInP等)等の組成および発光色に限られず、あらゆる発光ダイオードに関して適用できる。
また、第2のウェハとして、第1のウェハの発光層7からの光に対して透明なGaP基板を用いたが、他の材料からなる基板を用いてもよい。また、第2のウェハは、発光層7からの光に対して不透明な基板上に、上記光に対して透明な透明層が形成されたものであってもよく、この場合、上記透明層を第1のウェハの表面に接合すればよい。
また、発光ダイオード以外の半導体レーザ等にも本発明は適用可能である。
さらに、第1乃至第3実施形態における接合不良防止構造を、2つ以上重複して用いてもよく、これにより、更に効果的に、割れや接合不良の無い状態で第1のウェハ22と第2のウェハ23を接合することができる。
7 発光層
22 第1のウェハ
23 第2のウェハ
29 緩衝膜
40 接合面
61 溝
22 第1のウェハ
23 第2のウェハ
29 緩衝膜
40 接合面
61 溝
Claims (15)
- 発光層を含む少なくとも1つの半導体層が形成された第1のウェハの表面に、上記発光層の発光波長に対して透明な第2のウェハを配置する工程と、
上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、この第1のウェハおよび第2のウェハの接合不良を防止する接合不良防止構造を設ける工程と、
上記第1のウェハと第2のウェハとが互いに接する接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する工程と
を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 発光層を含む少なくとも1つの半導体層が形成された第1のウェハの表面に、上記発光層の発光波長に対して透明な透明層が形成された第2のウェハを、この第2のウェハの透明層の表面が上記第1のウェハの表面に接するように配置する工程と、
上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、この第1のウェハおよび第2のウェハの接合不良を防止する接合不良防止構造を設ける工程と、
上記第1のウェハと第2のウェハとが互いに接する接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する工程と
を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記接合不良防止構造は、上記第1のウェハおよび第2のウェハの少なくとも一方の面であって、上記接触面と逆側の面に配置された応力緩衝膜であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記応力緩衝膜は、締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0%を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項3または4に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記応力緩衝膜は、0.2mm以上2.0mm以下の厚みを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記接合不良防止構造は、上記接触面に臨むように所定間隔をおいて設けられた溝であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記溝は、半導体発光素子のチップサイズに応じた間隔をおいて設けられていることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記溝は、ダイシングで形成されていることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記溝は、エッチングで形成されていることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記溝は、5μm以上80μm以下の深さを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1または2に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記接合不良防止構造は、厚みが100μm以上300μm以下である上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項11に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記接合不良防止構造は、研削、エッチングおよびケミカルメカニカルポリッシュのうちの少なくとも1つによって形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記第1のウェハおよび第2のウェハの少なくとも1つは、MOCVD法またはMBE法で形成された層を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記溝は、この溝が形成されたウェハの厚みに対して、1/3〜1/20の割合の深さを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項6に記載の半導体発光素子の製造方法において、
上記溝は、この溝が設けられた間隔に対して、0.05〜0.2の割合の幅を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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