JP4776994B2 - 加工対象物切断方法 - Google Patents
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Description
加工対象物(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ加工対象物の表面に余計なダメージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領域の形成は、例えば、第45回レーザ熱加工研究会論文集(1998年.12月)の第23頁〜第28頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより、加工対象物の内部には溶融処理領域と微小空洞とが形成される場合がある。なお、電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
繰り返し周波数:40kHz
パルス幅:30ns
パルスピッチ:7μm
加工深さ:8μm
パルスエネルギー:50μJ/パルス
(C)集光用レンズ
NA:0.55
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:280mm/秒
加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光を照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns以下が好ましく、1ps以下がさらに好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第42回レーザ熱加工研究会論文集(1997年.11月)の第105頁〜第111頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
Claims (6)
- 基板と、複数の機能素子を有して前記基板の表面に設けられた積層部とを備える加工対象物を、x軸方向及びy軸方向に延在するように格子状に設定された切断予定ラインに沿って前記機能素子毎に切断する加工対象物切断方法であって、
前記基板の内部に集光点を合わせて前記積層部側からレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って、前記基板の厚さ方向の中心位置から前記基板の裏面側に偏倚した第1の改質領域を前記基板の内部に形成する工程と、
前記基板の内部に集光点を合わせて前記積層部側からレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って、前記基板の厚さ方向の中心位置から前記基板の表面側に偏倚した第2の改質領域を前記基板の内部に形成し、前記第2の改質領域から前記基板の表面に割れを生じさせる工程と、
前記第1及び前記第2の改質領域を形成した後に、前記基板の裏面に取り付けられた拡張可能部材を拡張させる工程と、
前記拡張可能部材を拡張させた状態で、前記拡張可能部材を介して前記基板の裏面に対し、前記x軸方向に延在する前記切断予定ラインに沿って順次に押圧部材を押し当てることにより、前記割れが開くように前記加工対象物に応力を生じさせ、前記x軸方向に延在する前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を短冊状に切断する工程と、
前記加工対象物を短冊状に切断した後に、前記拡張可能部材を拡張させた状態で、前記拡張可能部材を介して前記基板の裏面に対し、前記y軸方向に延在する前記切断予定ラインに沿って順次に前記押圧部材を押し当てることにより、前記割れが開くように前記加工対象物に応力を生じさせ、前記y軸方向に延在する前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物をチップ状に切断する工程と、を含むことを特徴とする加工対象物切断方法。 - 前記拡張可能部材は、リング状の支持フレームの開口部を覆い且つ前記加工対象物が前記開口部に位置するように前記支持フレームに張られており、
前記拡張可能部材を拡張させる工程では、前記支持フレームをベースに固定した状態で、前記ベースの内側に配置された拡張部材をz軸方向に移動させることにより、前記拡張可能部材を拡張させ、
前記加工対象物を短冊状に切断する工程では、前記拡張部材を前記z軸方向に移動させた状態で、前記拡張部材の内側に配置された前記押圧部材を前記z軸方向に移動させた後、前記y軸方向に移動させることにより、前記x軸方向に延在する前記切断予定ラインに沿って順次に前記押圧部材を押し当て、
前記加工対象物をチップ状に切断する工程では、前記拡張部材を前記z軸方向に移動させた状態で、前記拡張部材の内側に配置された前記押圧部材を前記z軸方向に移動させた後、前記x軸方向に移動させることにより、前記y軸方向に延在する前記切断予定ラインに沿って順次に前記押圧部材を押し当てることを特徴とする請求項1記載の加工対象物切断方法。 - 前記基板において前記切断予定ラインに沿った部分では、前記基板の厚さ方向の中心位置に対して前記基板の表面側の部分における前記第2の改質領域の形成密度は、前記基板の厚さ方向の中心位置に対して前記基板の裏面側の部分における前記第1の改質領域の形成密度より高いことを特徴とする請求項1又は2記載の加工対象物切断方法。
- 前記基板において前記切断予定ラインに沿った部分では、前記第2の改質領域の列数は、前記第1の改質領域の列数より多いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
- 前記第1の改質領域を前記基板の内部に形成した後に、前記第2の改質領域を前記基板の内部に形成し、前記第2の改質領域から前記基板の表面に割れを生じさせることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
- 前記基板は半導体基板であり、前記第1及び前記第2の改質領域は溶融処理領域を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の加工対象物切断方法。
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