JP2006043713A - レーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工方法Info
- Publication number
- JP2006043713A JP2006043713A JP2004224505A JP2004224505A JP2006043713A JP 2006043713 A JP2006043713 A JP 2006043713A JP 2004224505 A JP2004224505 A JP 2004224505A JP 2004224505 A JP2004224505 A JP 2004224505A JP 2006043713 A JP2006043713 A JP 2006043713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- workpiece
- modified
- modified region
- incident surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明のレーザ加工方法では、板状の加工対象物1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射する。まず、加工対象物1の第1の切断予定ライン5aに沿って、切断の起点となる第1の改質領域71を形成する。次に、切断予定ライン5aと交差する第2の切断予定ライン5bに沿って、改質領域71の少なくとも一部と交差するように、切断の起点となる第2の改質領域72を形成する。次に、切断予定ライン5bに沿って、切断の起点となる第4の改質領域73を形成する。次に、改質領域71とレーザ光Lが入射する加工対象物1の入射面1aとの間に、切断予定ライン5aに沿って、改質領域73の少なくとも一部と交差するように、切断の起点となる第3の改質領域74を形成する。
【選択図】 図14
Description
加工対象物(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ加工対象物の表面に余計なダメージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領域の形成は、例えば、第45回レーザ熱加工研究会論文集(1998年.12月)の第23頁〜第28頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光を照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns以下が好ましく、1ps以下がさらに好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第42回レーザ熱加工研究会論文集(1997年.11月)の第105頁〜第111頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
まず、厚さdの板状の加工対象物1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射し、加工対象物1の第1の切断予定ライン5aに沿ってレーザ光Lを移動させる(図14(A)参照)。これにより、加工対象物1の内部で多光子吸収が生じ、切断予定ライン5aに沿って、切断の起点となる第1の改質領域71を加工対象物1の内部に形成することができる。具体的には、例えば、加工対象物1が載置されるステージ(図示せず)を移動させることにより、レーザ光Lを加工対象物1に対して相対移動させる。
改質領域72を形成した後、改質領域72と入射面1aとの間における加工対象物1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射し、切断予定ライン5bに沿ってレーザ光Lを移動させる(図14(C)参照)。これにより、加工対象物1の内部で多光子吸収が生じ、改質領域72と入射面1aとの間における加工対象物1の内部に、切断予定ライン5bに沿って、切断の起点となる第4の改質領域73を形成することができる。すなわち、改質領域73は改質領域72上に設けられている。なお、改質領域72,73は互いに分離して配置されるとしてもよい。
改質領域74を形成した後、改質領域74と入射面1aとの間における加工対象物1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射し、切断予定ライン5aに沿ってレーザ光Lを移動させる(図15(B)参照)。これにより、加工対象物1の内部で多光子吸収が生じ、改質領域74と入射面1aとの間における加工対象物1の内部に、切断予定ライン5bに沿って、切断の起点となる改質領域75を形成することができる。すなわち、改質領域75は改質領域74上に設けられている。なお、改質領域74,75は互いに分離して配置されるとしてもよい。
Claims (6)
- 板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の第1の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第1の改質領域を前記加工対象物の内部に形成すると共に、前記第1の切断予定ラインと交差する第2の切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域の少なくとも一部と交差するように、切断の起点となる第2の改質領域を前記加工対象物の内部に形成する第1の工程と、
前記第1の工程の後、前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記第1の改質領域と前記レーザ光が入射する前記加工対象物の入射面との間における前記加工対象物の内部に、前記第1の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第3の改質領域を形成すると共に、前記第2の改質領域と前記入射面との間における前記加工対象物の内部に、前記第2の切断予定ラインに沿って、前記第3の改質領域の少なくとも一部と交差するように、切断の起点となる第4の改質領域を形成する第2の工程と、
を含むことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記第1の工程では、前記第1の改質領域を形成した後に前記第2の改質領域を形成し、
前記第2の工程では、前記第3の改質領域を形成した後に前記第4の改質領域を形成することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。 - 前記第1の工程では、前記第1の改質領域を形成した後に前記第2の改質領域を形成し、
前記第2の工程では、前記第4の改質領域を形成した後に前記第3の改質領域を形成することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。 - 前記第1の改質領域を形成するときに前記入射面の第1の入射面情報を記録し、該第1の入射面情報を用いて前記第3の改質領域を形成し、
前記第2の改質領域を形成するときに前記入射面の第2の入射面情報を記録し、該第2の入射面情報を用いて前記第4の改質領域を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。 - 前記第1〜第4の改質領域の少なくとも1つは、前記加工対象物の厚さ方向に並設された複数列の改質領域からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。
- 前記第1及び第2の改質領域、又は、前記第3及び第4の改質領域、の少なくとも一方が、前記加工対象物の厚さ方向に配置された同数列の改質領域からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004224505A JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | レーザ加工方法 |
US11/658,703 US7709767B2 (en) | 2004-07-30 | 2005-07-14 | Laser processing method |
PCT/JP2005/013055 WO2006011372A1 (ja) | 2004-07-30 | 2005-07-14 | レーザ加工方法 |
AT05765811T ATE469724T1 (de) | 2004-07-30 | 2005-07-14 | Laserbearbeitungsverfahren |
CNB2005800257931A CN100496859C (zh) | 2004-07-30 | 2005-07-14 | 激光加工方法 |
KR1020077004750A KR101216793B1 (ko) | 2004-07-30 | 2005-07-14 | 레이저 가공 방법 |
ES05765811T ES2344708T3 (es) | 2004-07-30 | 2005-07-14 | Metodo de tratamiento por laser. |
DE602005021642T DE602005021642D1 (de) | 2004-07-30 | 2005-07-14 | Laserbearbeitungsverfahren |
EP05765811A EP1777031B1 (en) | 2004-07-30 | 2005-07-14 | Laser processing method |
TW094124481A TWI354596B (en) | 2004-07-30 | 2005-07-20 | Laser processing method |
MYPI20053468A MY141090A (en) | 2004-07-30 | 2005-07-28 | Laser processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004224505A JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | レーザ加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006043713A true JP2006043713A (ja) | 2006-02-16 |
JP4634089B2 JP4634089B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=35786122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004224505A Active JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2004-07-30 | レーザ加工方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7709767B2 (ja) |
EP (1) | EP1777031B1 (ja) |
JP (1) | JP4634089B2 (ja) |
KR (1) | KR101216793B1 (ja) |
CN (1) | CN100496859C (ja) |
AT (1) | ATE469724T1 (ja) |
DE (1) | DE602005021642D1 (ja) |
ES (1) | ES2344708T3 (ja) |
MY (1) | MY141090A (ja) |
TW (1) | TWI354596B (ja) |
WO (1) | WO2006011372A1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105537A1 (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2008028347A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 脆化域形成方法 |
CN102130661A (zh) * | 2010-01-15 | 2011-07-20 | 精工爱普生株式会社 | 压电器件的制造方法 |
US8436273B2 (en) | 2007-07-18 | 2013-05-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Machining information supply equipment and supply system |
KR101466392B1 (ko) | 2006-07-03 | 2014-11-28 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 칩 |
US9147599B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Wafer support system and method for separating support substrate from solid-phase bonded wafer and method for manufacturing semiconductor device |
CN105365061A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-02 | 无锡科诺达电子有限公司 | 一种蓝宝石的精细切割仪 |
US9728441B2 (en) | 2013-04-04 | 2017-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2017204607A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR20180018329A (ko) * | 2016-08-09 | 2018-02-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 가공 방법 |
KR20180032184A (ko) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR20180032179A (ko) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
Families Citing this family (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
TWI326626B (en) * | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
KR100749972B1 (ko) | 2002-03-12 | 2007-08-16 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 가공 대상물 절단 방법 |
ES2285634T3 (es) | 2002-03-12 | 2007-11-16 | Hamamatsu Photonics K. K. | Metodo para dividir un siustrato. |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
FR2852250B1 (fr) * | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
US8685838B2 (en) * | 2003-03-12 | 2014-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
KR101193723B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2012-10-22 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 기판, 반도체 기판의 절단방법 및 가공대상물의 절단방법 |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4598407B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4509578B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4601965B2 (ja) * | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5138219B2 (ja) | 2004-03-30 | 2013-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4694795B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2011-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
KR101190454B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2012-10-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 장치 |
JP4762653B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4907965B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4954653B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
WO2008035679A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser |
JP5101073B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4964554B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5132911B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
WO2008041604A1 (fr) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procédé de traitement laser |
JP4402708B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP5449665B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5134928B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5054496B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5692969B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-04-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム |
JP5254761B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241527B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
EP2394775B1 (en) | 2009-02-09 | 2019-04-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Workpiece cutting method |
US9035216B2 (en) | 2009-04-07 | 2015-05-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method and device for controlling interior fractures by controlling the laser pulse width |
JP5491761B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5379604B2 (ja) * | 2009-08-21 | 2013-12-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びチップ |
KR101704028B1 (ko) * | 2010-06-21 | 2017-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP5597051B2 (ja) * | 2010-07-21 | 2014-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5653110B2 (ja) | 2010-07-26 | 2015-01-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | チップの製造方法 |
US8722516B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
JP6035127B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2016-11-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
DE112013007305A5 (de) | 2013-08-07 | 2016-06-02 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines plattenartigen Werkstückes mit einer transparenten, gläsernen, glasartigen keramischen und/oder kristallinen Lage, Trennvorrichtung für ein derartiges Werkstück sowie Produkt aus einem derartigen Werkstück |
US11420894B2 (en) | 2015-04-24 | 2022-08-23 | Nanoplus Ltd. | Brittle object cutting apparatus and cutting method thereof |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
JP7286464B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2023-06-05 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
CN110646875A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-03 | 东莞市微科光电科技有限公司 | 一种滤光片制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01225510A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板の切断分割方法 |
WO2002022301A1 (fr) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede et dispositif d'usinage par rayonnement laser |
JP2002205180A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-07-23 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2003266185A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-24 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2004001076A (ja) * | 2002-03-12 | 2004-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2011-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5162163B2 (ja) * | 2007-06-27 | 2013-03-13 | 株式会社ディスコ | ウェーハのレーザ加工方法 |
-
2004
- 2004-07-30 JP JP2004224505A patent/JP4634089B2/ja active Active
-
2005
- 2005-07-14 US US11/658,703 patent/US7709767B2/en active Active
- 2005-07-14 AT AT05765811T patent/ATE469724T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-07-14 DE DE602005021642T patent/DE602005021642D1/de active Active
- 2005-07-14 CN CNB2005800257931A patent/CN100496859C/zh active Active
- 2005-07-14 WO PCT/JP2005/013055 patent/WO2006011372A1/ja active Application Filing
- 2005-07-14 EP EP05765811A patent/EP1777031B1/en active Active
- 2005-07-14 KR KR1020077004750A patent/KR101216793B1/ko active IP Right Grant
- 2005-07-14 ES ES05765811T patent/ES2344708T3/es active Active
- 2005-07-20 TW TW094124481A patent/TWI354596B/zh active
- 2005-07-28 MY MYPI20053468A patent/MY141090A/en unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01225510A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板の切断分割方法 |
WO2002022301A1 (fr) * | 2000-09-13 | 2002-03-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede et dispositif d'usinage par rayonnement laser |
JP2002205180A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-07-23 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2003266185A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-24 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2004001076A (ja) * | 2002-03-12 | 2004-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105537A1 (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
US8890027B2 (en) | 2006-03-14 | 2014-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing system |
KR101466392B1 (ko) | 2006-07-03 | 2014-11-28 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공 방법 및 칩 |
JP2008028347A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 脆化域形成方法 |
US8436273B2 (en) | 2007-07-18 | 2013-05-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Machining information supply equipment and supply system |
CN102130661A (zh) * | 2010-01-15 | 2011-07-20 | 精工爱普生株式会社 | 压电器件的制造方法 |
US9147599B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Wafer support system and method for separating support substrate from solid-phase bonded wafer and method for manufacturing semiconductor device |
US9728441B2 (en) | 2013-04-04 | 2017-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN105365061A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-02 | 无锡科诺达电子有限公司 | 一种蓝宝石的精细切割仪 |
JP2017204607A (ja) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR20170128104A (ko) * | 2016-05-13 | 2017-11-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR102226645B1 (ko) | 2016-05-13 | 2021-03-10 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR20180018329A (ko) * | 2016-08-09 | 2018-02-21 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 가공 방법 |
KR102272439B1 (ko) | 2016-08-09 | 2021-07-01 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼 가공 방법 |
KR20180032184A (ko) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR20180032179A (ko) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR102294251B1 (ko) | 2016-09-21 | 2021-08-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR102294249B1 (ko) | 2016-09-21 | 2021-08-25 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI354596B (en) | 2011-12-21 |
EP1777031B1 (en) | 2010-06-02 |
WO2006011372A1 (ja) | 2006-02-02 |
TW200610604A (en) | 2006-04-01 |
KR101216793B1 (ko) | 2012-12-28 |
KR20070049186A (ko) | 2007-05-10 |
EP1777031A1 (en) | 2007-04-25 |
JP4634089B2 (ja) | 2011-02-16 |
ATE469724T1 (de) | 2010-06-15 |
EP1777031A4 (en) | 2009-04-29 |
ES2344708T3 (es) | 2010-09-03 |
MY141090A (en) | 2010-03-15 |
US20090026185A1 (en) | 2009-01-29 |
CN100496859C (zh) | 2009-06-10 |
US7709767B2 (en) | 2010-05-04 |
DE602005021642D1 (de) | 2010-07-15 |
CN1993200A (zh) | 2007-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4634089B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP5138219B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4829781B2 (ja) | レーザ加工方法及び半導体チップ | |
JP4197693B2 (ja) | レーザ加工方法及び半導体装置 | |
JP4954653B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4198123B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4907984B2 (ja) | レーザ加工方法及び半導体チップ | |
JP4762653B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP5702761B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP4776994B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP4606741B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP4754801B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4917257B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP4536407B2 (ja) | レーザ加工方法及び加工対象物 | |
JP4732063B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP5312761B2 (ja) | 切断用加工方法 | |
WO2008035679A1 (fr) | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser | |
JP5322418B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP4409840B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP2008012542A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP5177992B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP2008068319A (ja) | レーザ加工方法及びチップ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101116 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4634089 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |