JP5702761B2 - レーザ加工装置 - Google Patents
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Description
また、第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する際においては、一方の表面からレーザ光を入射して切断予定ラインに沿って、第1の改質領域を形成し、第1の改質領域を形成した後に、一方の表面からレーザ光を入射して切断予定ラインに沿って、第1の改質領域と他方の表面との間に位置する第2の改質領域を形成することが好ましい。
また、加工対象物の一方の表面又は他方の表面にエキスパンドテープを貼り付ける手段と、加工対象物が切断予定ラインに沿って切断されるようにエキスパンドテープを拡張する手段と、を含むことが好ましい。
(A)加工対象物:パイレックス(登録商標)ガラス(厚さ700μm)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
(A)加工対象物:シリコンウェハ(厚さ350μm、外径4インチ)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
〔第1実施形態〕
〔第2実施形態〕
〔第3実施形態〕
〔第4実施形態〕
Claims (10)
- 一方の表面と前記一方の表面に対向する他方の表面とを備える板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工装置であって、
前記レーザ光を発振する光源と、
前記加工対象物が載置される載置台と、
前記載置台上の前記加工対象物の内部に、前記光源から発振させた前記レーザ光を照射させて前記改質領域を形成させる手段と、を備え、
前記改質領域を形成させる手段は、
前記光源から前記レーザ光を発振させ、前記一方の表面から前記レーザ光を集光用レンズを介して入射させ、前記切断予定ラインに沿って、前記レーザ光の集光点を相対的に移動させて前記加工対象物の厚さ方向に並ぶ第1の改質領域を形成させる制御手段と、
前記光源から前記レーザ光を発振させ、前記一方の表面から前記レーザ光を集光用レンズを介して入射させ、前記切断予定ラインに沿って、前記レーザ光の集光点を相対的に移動させて前記加工対象物の厚さ方向に並ぶ第2の改質領域を形成させる制御手段と、
前記第1の改質領域及び第2の改質領域を形成させた後に、前記光源から前記レーザ光を発振させ、前記一方の表面から前記レーザ光を集光用レンズを介して入射させ且つ前記第1の改質領域もしくは前記第2の改質領域の何れかを通過させ、前記切断予定ラインに沿って、前記レーザ光の集光点を相対的に移動させて、前記第1の改質領域と前記第2の改質領域との間に位置する第3の改質領域を、少なくとも前記第1の改質領域と前記第2の改質領域との間に渡る割れが発生するように形成させる制御手段と、からなることを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記改質領域を形成させる手段は、
前記第1の改質領域を形成させる制御手段を動作した後に、前記第2の改質領域を形成させる制御手段を動作し、
前記第2の改質領域を形成させる制御手段は、前記第1の改質領域と前記一方の表面との間に位置する前記第2の改質領域を形成させることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。 - 前記改質領域を形成させる手段は、
前記第1の改質領域を形成させる制御手段を動作した後に、前記第2の改質領域を形成させる制御手段を動作し、
前記第2の改質領域を形成させる制御手段は、前記第1の改質領域と前記他方の表面との間に位置する前記第2の改質領域を形成させることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。 - 前記改質領域を形成させる手段は、
前記第3の改質領域を形成させる制御手段を動作した後に、前記光源から前記レーザ光を発振させ、前記レーザ光を集光用レンズを介して入射させ、前記切断予定ラインに沿って、前記レーザ光の集光点を相対的に移動させて前記第2の改質領域と前記第3の改質領域との間に位置する第4の改質領域を形成させる制御手段を動作することを特徴とする請求項1〜3の何れか一項記載のレーザ加工装置。 - 前記改質領域を形成させる手段は、前記切断予定ラインの略全体に沿って前記第3の改質領域を形成させることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記改質領域を形成させる手段は、前記切断予定ラインの一端部分に沿って前記第3の改質領域を形成させることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記改質領域を形成させる手段は、前記第1の改質領域及び前記第2の改質領域のうち前記加工対象物においてレーザ光が入射するレーザ光入射面に近い一方の改質領域側に偏倚するように、前記第3の改質領域を形成させることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記改質領域を形成させる手段は、前記第3の改質領域を形成させる際、前記第1及び第2の改質領域を形成させるときの前記集光点の移動速度よりも速い移動速度で、前記集光点を移動させることを特徴とする請求項1〜7の何れか一項記載のレーザ加工装置。
- 前記加工対象物は半導体基板を備え、
前記改質領域を形成させる手段は、溶融処理領域を含む前記改質領域を形成させることを特徴とする請求項1〜8の何れか一項記載のレーザ加工装置。 - 前記改質領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜9の何れか一項記載のレーザ加工装置。
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