CN101100018A - 激光加工方法和芯片 - Google Patents

激光加工方法和芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN101100018A
CN101100018A CNA200710126927XA CN200710126927A CN101100018A CN 101100018 A CN101100018 A CN 101100018A CN A200710126927X A CNA200710126927X A CN A200710126927XA CN 200710126927 A CN200710126927 A CN 200710126927A CN 101100018 A CN101100018 A CN 101100018A
Authority
CN
China
Prior art keywords
upgrading zone
zone
processing object
laser
object thing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200710126927XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101100018B (zh
Inventor
杉浦隆二
坂本刚志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN101100018A publication Critical patent/CN101100018A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101100018B publication Critical patent/CN101100018B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Abstract

本发明提供一种激光加工方法，其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片(11)的内部在加工对象物(1)上照射激光，并使聚焦点沿着切割预定线(5)相对移动，由此，沿着切割预定线(5)分别形成位于加工对象物(1)的内部的改质区域(M1)、(M2)之后，在加工对象物(1)的内部形成位于改质区域(M1)和改质区域(M2)之间的改质区域(M3)。

Description

激光加工方法和芯片
技术领域
本发明涉及用于将板状的加工对象物沿着切割预定线切割的激光加工方法和芯片。
背景技术
作为现有的激光加工方法，已知有通过将聚焦点对准板状加工对象物的内部来照射激光，从而沿着加工对象物的切割预定线，在加工对象物的内部形成多列成为切割的起点的改质区域的方法(例如，参照日本开2004-343008号公报)。
发明内容
但是，如上所述的激光加工方法，例如由于加工对象物的厚度和劈开性等，有可能不能将加工对象物精度良好地切割。
于是，本发明的课题是，提供能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割的激光加工方法以及通过使用这样的激光加工方法而得到的芯片。
为了达到上述课题，本发明的激光加工方法，其特征在于，通过将聚焦点对准板状的加工对象物的内部照射激光，从而沿着加工对象物的切割预定线，在加工对象物的内部形成成为切割的起点的改质区域，该激光加工方法包括：沿着切割预定线形成在加工对象物的厚度方向排列的第1改质区域和第2改质区域的工序；沿着切割预定线形成位于第1改质区域与第2改质区域之间的第3改质区域的工序。
在这里，优选在形成第1改质区域和第2改质区域的工序中，沿着切割预定线形成第1改质区域，在形成第1改质区域之后，沿着切割预定线形成位于第1改质区域与在加工对象物中激光入射的激光入射面之间的第2改质区域。这样，通过沿着切割预定线，在加工对象物的内部形成第1改质区域，形成位于第1改质区域与激光入射面之间的第2改质区域，形成位于第1改质区域与第2改质区域之间的第3改质区域，其与按顺序在加工对象物的内部形成第1改质区域、第3改质区域、第2改质区域的情况(即，从激光入射面的相反侧起至激光入射面侧依次形成改质区域的情况)相比，在切割加工对象物时，能够防止切割面的激光入射面侧的端部从切割预定线大幅度地脱离。其理由是因为，例如，在加工对象物具有在平行于其厚度方向且相对于包括切割预定线的面倾斜的方向上的解理面的情况下，如果按该顺序在加工对象物的内部形成第1改质区域、第3改质区域、第2改质区域，则在形成第2改质区域时，割裂从已经形成的第3改质区域向沿着解理面的方向大幅度延伸，该割裂会从切割预定线大幅度脱离而到达至激光入射面。
此外，优选在形成第3改质区域之后，沿着切割预定线，形成位于第2改质区域和第3改质区域之间的第4改质区域。
由此，与按照如下顺序在加工对象物的内部形成第1改质区域、第2改质区域、第4改质区域、第3改质区域的情况相比，在切割加工对象物时，可以防止切割面成凸凹状。其理由是因为：如果按照该顺序在加工对象物的内部形成第1改质区域、第2改质区域、第4改质区域、第3改质区域，则在形成第3改质区域时，由于存在于第3改质区域与激光入射面之间的第4改质区域引起激光的散射或吸收等，从而不能很好地形成第3改质区域，因此，会产生不形成龟裂本身，或者从第3改质区域延伸的割裂与从相邻于该第3改质区域的改质区域延伸的割裂不连结等的情况。
此外，有加工对象物具备半导体基板，改质区域包括熔融处理区域的情况。
此外，优选包括：以改质区域作为切割的起点，沿着切割预定线切割加工对象物的工序。由此，可以沿着切割预定线精度良好地切割加工对象物。
此外，优选在形成第3改质区域的工序中，至少产生跨过第1改质区域与第2改质区域之间的割裂。此时，通过形成在加工对象物的厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域，在加工对象物中的第1改质区域和第2改质区域之间的部分，向切割预定线的两侧产生拉伸应力。因此，若形成位于第1改质区域和第2改质区域之间的第3改质区域，则可以以该第3改质区域为开端产生至少跨过第1改质区域和第2改质区域之间的割裂。因此，例如，如果在加工对象物的一个面附近形成第1改质区域、且在加工对象物的另一个面附近形成第2改质区域，则即使在加工对象物的厚度比较厚时，也可以在不增加相对于1条切割预定线应形成的改质区域的列数的情况下，能够在加工对象物中的在沿着切割预定线的部分的大致全体上形成割裂。如上所述，即使在板状的加工对象物的厚度比较厚的情况下，若利用该激光加工方法，也可以缩短在加工对象物上形成改质区域的时间，而且，根据该激光加工方法可以进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。
另外，各改质区域是通过将聚焦点对准加工对象物的内部照射激光，由在加工对象物的内部产生多光子吸收和其它的光吸收而形成的。
在本发明的激光加工方法中，第3改质区域可以沿着切割预定线的大致全体而形成，也可以沿着切割预定线的一端部分而形成。如上所述，在加工对象物上的第1改质区域与第2改质区域之间的部分，因为向切割预定线的两侧产生拉伸应力，即使减少位于第1改质区域和第2改质区域之间的第3改质区域的形成，有时割裂也会在第1改质区域与第2改质区域之间的部分的大致全体上行进。因此，如果沿着切割预定线的大致全体来形成第3改质区域，则可以防止由于某种原因割裂的行进停止的情况，可以可靠地在第1改质区域与第2改质区域之间的部分的大致全体上形成割裂。另一方面，如果沿着切割预定线的一端部分形成第3改质区域，则可以进一步缩短在加工对象物上形成改质区域的时间，可以在第1改质区域和第2改质区域之间的部分的大致全体上形成割裂。
在本发明的激光加工方法中优选为，在第1改质区域和第2改质区域中的、偏靠加工对象物中的激光入射的激光入射面附近的一方的改质区域侧，形成第3改质区域。若形成位于第1改质区域和第2改质区域之间的第3改质区域，则在开始时，割裂从第3改质区域起向第1改质区域和第2改质区域中的靠近第3改质区域的改质区域行进，不久之后，割裂就从第1改质区域和第2改质区域之中的远离激光入射面的另一方的改质区域起、向靠近激光入射面的一方的改质区域行进(以下，将割裂从另一方的改质区域起行进至一方的改质区域所需要的沿着切割预定线的距离称为“助跑距离”)。在此，以偏靠第1改质区域和第2改质区域中的在激光入射面附近的一方的改质区域一侧的方式形成第3区域时，可以以比较短的助跑距离，使割裂从远离激光入射面的另一方的改质区域起、向激光入射面附近的一方的改质区域行进。这样，如果助跑距离变短，则可以以比较小的外力沿着切割预定线切割加工对象物。
在本发明的激光加工方法中，也有加工对象物具备半导体基板、改质区域包括熔融处理区域的情况。
此外，本发明相关的芯片是具有大致平行于厚度方向的侧面的芯片，其特征在于，在侧面上形成有：在厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域；位于第1改质区域和第2改质区域之间，厚度方向上的长度短于第1改质区域和第2改质区域的第3改质区域；至少跨过第1改质区域和第2改质区域之间，并相对于所述厚度方向倾斜地延伸的华纳线(wallner line)。
该芯片通过使用上述本发明相关的激光加工方法而得到。在此，厚度方向上的第3改质区域的长度短于第1改质区域和第2改质区域是因为：在形成第3改质区域之前，由于产生跨过第1改质区域和第2改质区域之间的割裂，所以在形成第3改质区域时，聚焦点上的吸收激光的程度下降的缘故。此外，华纳线(wallner line)相对于厚度方向倾斜地延伸，是因为跨过第1改质区域和第2改质区域之间的割裂相对于厚度方向倾斜地前进的缘故。
另外，华纳线(wallner line)是在割裂行进时在大致垂直于其行进方向的方向上延伸地形成。
另外，本发明的芯片优选为，还具备功能元件，改质区域包括形成在半导体材料中的熔融处理区域。
附图说明
图1是利用本实施方式的激光加工装置进行的激光加工中的加工对象物的平面图。
图2是沿图1所示的加工对象物的II-II线的剖面图。
图3是利用本实施方式的激光加工装置进行的激光加工后的加工对象物的平面图。
图4是沿图3所示的加工对象物的IV-IV线的剖面图。
图5是沿图3所示的加工对象物的V-V线的剖面图。
图6是利用本实施方式的激光加工装置所切割的加工对象物的平面图。
图7是表示本实施方式的激光加工装置中的电场强度和裂纹点的大小的关系的图。
图8是本实施方式的激光加工装置的第1工序中的加工对象物的剖面图。
图9是本实施方式的激光加工装置的第2工序中的加工对象物的剖面图。
图10是本实施方式的激光加工装置的第3工序中的加工对象物的剖面图。
图11是本实施方式的激光加工装置的第4工序中的加工对象物的剖面图。
图12是表示利用本实施方式的激光加工装置所切割的硅晶片的一部分中的剖面的照片的图。
图13是表示本实施方式的激光加工装置中的激光的波长与硅基板的内部的透过率之间的关系的图。
图14是表示作为本发明的第1实施方式的激光加工方法的对象的加工对象物的主视图。
图15是沿着图14中的XV-XV线的局部剖面图。
图16是用于说明本发明的第1实施方式的激光加工方法的沿着图14中的XVI-XVI线的局部剖面图。
图17是用于说明图16所示的激光加工方法的后续的图。
图18(a)是表示利用现有技术的激光加工方法的加工对象物的切割面的图，图18(b)是表示利用本发明的第1实施方式的激光加工方法的加工对象物的切割面的图。
图19(a)是表示利用本发明的第2实施方式的激光加工方法的加工对象物的切割面的图，图19(b)是表示利用本发明的第3实施方式的激光加工方法的加工对象物的切割面的图。
图20是作为本发明的第4实施方式的激光加工方法的对象的加工对象物的平面图。
图21是沿着图20所示的XXI-XXI线的局部剖面图。
图22是沿着图20所示的XXII-XXII线的局部剖面图。
图23是沿着图20所示的XXI-XXI线的局部剖面图。
图24是表示沿着图20所示的XXII-XXII线的局部剖面的照片的图。
图25是通过使用本实施方式的激光加工方法而得到的半导体芯片的侧面图。
图26是沿着图20所示的XXII-XXII线的局部剖面图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细地说明本发明的优选实施方式。本实施方式的激光加工方法中，为了在加工对象物的内部形成改质区域，利用所谓的多光子吸收现象。因而，首先说明利用多光子吸收来形成改质区域用的激光加工方法。
如果光子的能量hv比材料吸收的能带隙EG更小，则成为光学上的透明。因而，在材料上产生吸收的条件是hv＞EG。但是，即使光学上的透明，如果使激光的强度变得非常大，则在nhv＞EG的条件(n＝2，3，4，...)下会在材料上产生吸收。将该现象称为多光子吸收。在脉冲波的情况下，激光的强度由激光的聚焦点的峰值功率密度(W/cm2)所决定，例如在峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上的条件下发生多光子吸收。峰值功率密度从(聚焦点上激光的每个脉冲的能量)÷(激光的光束点截面积×脉冲宽度)而求得。另外，在连续波的情形中，激光的强度由激光的聚焦点的电场强度(W/cm2)所决定。
关于利用这种多光子吸收的本实施方式的激光加工方法的原理，将参照图1～图6来说明。如图1所示，在晶片(板状)的加工对象物1的表面3上，有用于切割加工对象物1的切割预定线5。切割预定线5是直线状延伸的假定线。在本实施方式的激光加工方法中，如图2所示，在产生多光子吸收的条件下将聚焦点P对准加工对象物1的内部来照射激光L，以形成改质区域7。另外，所谓聚焦点P是指激光L聚光之处。并且，切割预定线5并不限于直线状，亦可为曲线状，且并不限于假定线，亦可为实际上划在加工对象物1上的线。
接着，通过使激光L沿着切割预定线5(即，朝图1的箭头A方向)相对地移动，而使聚焦点P沿着切割预定线5移动。由此，如图3～图5所示，改质区域7沿着切割预定线5而形成在加工对象物1的内部，该改质区域7成为切割起点区域8。在此，所谓切割起点区域8的意思是指加工对象物1被切割时成为切割(割裂)的起点的区域。该切割起点区域8，既存在通过连续地形成改质区域7而形成的情况，也存在通过断断续续地形成改质区域7而形成的情况。
本实施方式的激光加工方法中，在加工对象物1的表面3上几乎不吸收激光L，因此加工对象物1的表面3并不熔融。
当在加工对象物1的内部形成切割起点区域8时，由于容易以该切割起点区域8作为起点而产生割裂，因此如图6所示，可以用比较小的力来切割加工对象物1。于是，在加工对象物1的表面3上并不产生不需要的割裂，可以高精度地切割加工对象物1。
对于以该切割起点区域8为起点的加工对象物1的切割，可考虑下列两个方式。一种情况是，在切割起点区域8形成之后，通过在加工对象物1上施加人为的力，使得以切割起点区域8作为起点加工对象物1被割裂，从而使加工对象物1被切割。这是，例如，当加工对象物1的厚度较大时的切割。所谓施加人为的力，是指例如沿着加工对象物1的切割起点区域8对加工对象物1施加弯曲应力或剪切应力，或者通过给加工对象物1赋予温度差而产生热应力。另外一种情况是，通过形成切割起点区域8，从而以切割起点区域8作为起点而朝向加工对象物1的剖面方向(厚度方向)自然地产生割裂，结果使加工对象物1被切割。这在例如加工对象物1的厚度小的情况下，可以通过由一列改质区域7而形成切割起点区域8来进行，在加工对象物1的厚度大的情况下，可以通过在厚度方向上形成多列的改质区域7而形成切割起点区域8来进行。另外，即使在这种自然割裂的情况下，在切割之处，割裂并不会生成至对应于未形成切割起点区域8的部位的部分的表面3上，而能够仅割断对应于形成切割起点区域8的部位的部分，因此可以良好地控制割断。近年来，硅晶片等的加工对象物1的厚度有变薄的倾向，因此这种控制性良好的割断方法是非常有效的。
另外，在本实施方式的激光加工方法中，作为改质区域有下列(1)～(3)的情况。
(1)改质区域为包含一个或多个裂纹(crack)的裂纹区域的情况
将聚焦点对准加工对象物(例如玻璃或由LiTaO3制成的压电材料)的内部，在聚焦点上的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光。该脉冲宽度的大小满足如下条件，即，使得在产生多光子吸收的同时不会给加工对象物的表面造成多余的损伤，而且可以仅在加工对象物的内部形成裂纹区域。由此，在加工对象物的内部发生由于多光子吸收而产生的光学性的损伤的现象。由该光学性的损伤而在加工对象物的内部引起热形变，由此在加工对象物的内部形成裂纹区域。作为电场强度的上限值，例如是1×1012(W/cm2)。脉冲宽度优选为例如1ns～200ns。另外，由多光子吸收引起的裂纹区域的形成，例如记载于第45次激光热加工研究会议论文集(1998年12月)的第23页～第28页的“由固体激光高谐波产生的玻璃基板的内部条纹”中。
本发明人通过实验求出了电场强度与裂纹的大小之间的关系。实验条件如下。
(A)加工对象物：；派热克斯(注册商标)玻璃(厚度700μm)
(B)激光
光源：半导体激光激发Nd:YAG激光器
波长：1064nm
激光点截面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz
脉冲宽度：30ns
输出：输出＜1mJ/脉冲
激光品质：TEM00
偏光特性：直线偏光
(C)聚光用透镜
对激光波长的透过率：60％
(D)载置加工对象物的载置台的移动速度：100mm/秒
另外，所谓激光品质为TEM00，意思是指聚光性高且可聚光至激光的波长程度。
图7是表示上述实验的结果的图表。横轴为峰值功率密度，激光为脉冲激光，因此电场强度以峰值功率密度来表示。纵轴表示由1个脉冲的激光在加工对象物的内部所形成的裂纹部分(裂纹点)的大小。裂纹点集中而形成裂纹区域。裂纹点的大小，是指裂纹点的形状中为最大的长度的部分的大小。图中的黑圆点所表示的数据是聚光用透镜(C)的倍率为100倍、数值孔径(NA)为0.80的情形。另一方面，图中的白圆点所表示的数据是聚光用透镜(C)的倍率为50倍、数值孔径(NA)为0.55的情形。可知从峰值功率密度为1011(W/cm2)左右开始在加工对象物的内部产生裂纹点，随着峰值功率密度变大，裂纹点也变大。
下面，将参照图8～图11来说明由形成裂纹区域来进行的加工对象物的切割的机理。如图8所示，在产生多光子吸收的条件下，将聚焦点P对准加工对象物1的内部，在加工对象物1上照射激光L，沿着切割预定线在内部形成裂纹区域9。裂纹区域9是包含一个或多个裂纹的区域。如此形成的裂纹区域9成为切割起点区域。如图9所示，以裂纹区域9作为起点(即，以切割起点区域作为起点)裂纹更进一步生长，如图10所示，裂纹到达加工对象物1的表面3和背面21，如图11所示，通过分割加工对象物1来切割加工对象物1。到达加工对象物1的表面3和背面21的裂纹，既有自然生长的情况，也有通过在加工对象物1上施加力而生长的情况。
(2)改质区域为熔融处理区域的情况
将聚焦点对准加工对象物(例如硅那样的半导体材料)的内部，在聚焦点中的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1μs以下的条件下，照射激光。由此，加工对象物的内部通过多光子吸收而被局部加热。由该加热在加工对象物的内部形成熔融处理区域。所谓熔融处理区域，是指暂时熔融后再固化了的区域，或熔融状态中的区域，或从熔融状态起进行再固化的状态的区域，亦可以指相变化的区域或晶体结构发生变化的区域。并且，熔融处理区域亦可以指：在单晶体结构、非结晶结构、多晶体结构中，某种结构变化成另一种结构的区域。即，例如意味着，从单晶体结构变化为非结晶结构的区域、从单晶体结构变化为多晶体结构的区域、从单晶体结构变化为包括非结晶结构及多晶体结构的结构的区域。加工对象物为硅单晶体结构时，熔融处理区域例如为非结晶硅结构。作为电场强度的上限值，例如为1×1012(W/cm2)。脉冲宽度优选为例如1ns～200ns。
本发明人通过实验确认了在硅晶片(半导体基板)的内部形成熔融处理区域。实验条件如下。
(A)加工对象物：硅晶片(厚度350μm，外径4英寸)
(B)激光
光源：半导体激光激发Nd:YAG激光器
波长：1064nm
激光点截面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz
脉冲宽度：30ns
输出：20μJ/脉冲
激光品质：TEM00
偏光特性：直线偏光
(C)聚光用透镜
倍率：50倍
N.A.：0.55
对激光波长的透过率：60％
(D)载置加工对象物的载置台的移动速度：100mm/秒
图12是表示通过在上述条件下的激光加工而被切割的硅晶片的一部分中的剖面的照片的图。在硅晶片11的内部形成有熔融处理区域13。另外，利用上述条件形成的熔融处理区域13的厚度方向的大小为100μm左右。
说明通过多光子吸收来形成熔融处理区域13的情形。图13是表示激光的波长与硅基板的内部的透过率之间的关系的图。但是，除去了硅基板的表面侧及背面侧各自的反射成分，仅表示了内部的透过率。对于硅基板的厚度t为50μm、100μm、200μm、500μm、1000μm的各个情况表示了上述关系。
例如，在Nd:YAG激光器的波长1064nm处，硅基板的厚度为500μm以下的情况下，可知在硅基板的内部激光透过80％以上。图12所示的硅晶片11的厚度为350μm，因此通过多光子吸收形成的熔融处理区域13形成在硅晶片11的中心附近，即，从表面起175μm的部分上。此时的透过率如果参考厚度200μm的硅晶片，则由于成为90％以上，因此在硅晶片11的内部被吸收的激光很少，几乎全部透过。这意味着，并非在硅晶片11的内部吸收激光，在硅晶片11的内部形成了熔融处理区域13(即，由于激光引起的通常的加热而形成熔融处理区域)，而是通过多光子吸收形成了熔融处理区域13。利用多光子吸收进行的熔融处理区域的形成，例如记载于焊接学会全国大会讲演概要第66集(2000年4月)的第72页～第73页的“利用皮秒脉冲激光进行的硅加工特性评价”中。
另外，以由熔融处理区域所形成的切割起点区域为起点，通过朝向剖面方向产生割裂，该割裂到达硅晶片的表面和背面，由此硅晶片被最终切割。到达硅晶片的表面和背面的该割裂，有自然生长的情形，也有通过在硅晶片上施加力而生长的情形。并且，割裂从切割起点区域到硅晶片的表面和背面是自然生长的情形中，有下列的任何一种情况：从形成切割起点区域的熔融处理区域发生熔融的状态开始起割裂生长的情况；和，从形成切割起点区域的熔融处理区域发生熔融的状态开始起再固化时割裂生长的情况。但是，无论哪种情况，熔融处理区域均仅在硅晶片的内部形成，在切割后的切割面中，如图12所示，仅在内部形成熔融处理区域。这样，在加工对象物的内部由熔融处理区域形成切割起点区域的情况下，在割断时不容易产生脱离切割起点区域线的不必要的割裂，因此割断控制变得容易。顺便说一下，熔融处理区域的形成不仅有由多光子吸收而产生的情况，也有因为其它吸收作用而产生的情况。
(3)改质区域为折射率变化区域的情况
将聚焦点对准加工对象物(例如玻璃)的内部，在聚焦点中的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉冲宽度为1ns以下的条件下，照射激光。如果使脉冲宽度极短，在加工对象物的内部引起多光子吸收，则由多光子吸收产生的能量不转化成热能，而在加工对象物的内部引起离子价变化、结晶化、或极化取向等的永久性的结构变化，从而形成折射率变化区域。作为电场强度的上限值，例如是1×1012(W/cm2)。脉冲宽度优选为例如1ns以下，更优选为1ps以下。由多光子吸收引起的折射率变化区域的形成，例如记载于第42次激光热加工研究会论文集(1997年.11月)的第105页～第111页的“飞秒激光照射引起的对玻璃内部的光致结构的形成”中。
以上在改质区域方面说明了(1)～(3)的情形，但是如果考虑到晶片状的加工对象物的晶体结构或其劈开性等而以如下方式形成切割起点区域，则可以将该切割起点区域作为起点，用更小的力，且精度良好地切割加工对象物。
即，在由硅等的金刚石结构的单晶半导体所形成的基板的情况中，优选在沿着(111)面(第1解理面)或(110)面(第2解理面)的方向上形成切割起点区域。并且，在由GaAs等的闪锌矿型结构的III-V族化合物半导体所形成的基板的情况下，优选在沿着(110)面的方向上形成切割起点区域。并且，在具有蓝宝石(Al2O3)等的六方晶系的晶体结构的基板的情况下，优选以(0001)面(C面)为主面在沿着(1120)面(A面)或(1100)面(M面)的方向上形成切割起点区域。
另外，如果沿着应形成上述切割起点区域的方向(例如，沿着单晶硅基板中的(111)面的方向)、或与应形成切割起点区域的方向正交的方向，在基板上形成定向平面(orientation flat)，则通过以该定向平面作为基准，可以容易且正确地在基板上形成沿着应形成切割起点区域的方向的切割起点区域。
下面，将说明本发明的优选的实施方式。
[第1实施方式]
如图14和图15所示，加工对象物1具备硅晶片11，和包含多个功能元件15且在硅晶片11的表面11a上形成的功能元件层16。硅晶片11具有在与其厚度方向t不同的方向上割裂容易延伸的结晶方位。具体而言，硅晶片11是具有平行于其厚度方向且沿着相对于包括后述的切割预定线5的面倾斜的方向的解理面的结晶结构体，割裂容易沿着该解解理面的方向延伸。在此，硅晶片11以其表面11a为(111)面。
功能元件15是例如，由晶体生长所形成的半导体动作层、光电二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、或者作为电路而形成的电路元件等，在平行于或垂直于硅晶片11的定向平面6的方向上以矩阵状形成有多个。这样的加工对象物1，沿着以通过相邻的功能元件间的方式被设定成格子状的切割预定线5(参照图14的虚线)，通过激光加工被切割成为微小芯片，即分立器件(Discrete Device)。
切割该加工对象物1时，首先，例如将扩张胶带粘贴于加工对象物1的背面21。接着，以加工对象物1的表面3作为激光入射面，将聚焦点对准硅晶片11的内部，从该激光入射面11a照射激光，沿着各切割预定线5形成将成为切割起点的改质区域。然后，使扩张胶带扩张。由此，以改质区域为切割的起点，沿着切割预定线5，按照每个功能元件15精度优良地切割加工对象物1，使多个半导体芯片互相分离。另外，改质区域除了熔融处理区域以外，也有包括裂纹区域等的情况。
在此，对上述改质区域的形成更详细地进行说明。
首先，如图16(a)所示，将聚焦点对准硅晶片11的内部向加工对象物1上照射激光，使聚焦点沿着切割预定线5相对移动，由此，沿着切割预定线5在加工对象物1的内部形成一列改质区域M1。在此，改质区域M1位于硅晶片11的内部的背面21附近。
接着，如图16(b)所示，将聚焦点对准硅晶片11的内部向加工对象物1上照射激光，使聚焦点沿着切割预定线5相对移动，由此，沿着切割预定线5在加工对象物1的内部形成一列位于改质区域M1和激光入射面3之间的改质区域M2。在此，改质区域M2位于硅晶片11的内部的表面3附近。
接着，如图17(a)所示，将聚焦点对准硅晶片11的内部向加工对象物1上照射激光，使聚焦点沿着切割预定线5相对移动，由此，沿着切割预定线5在加工对象物1的内部形成一列位于改质区域M1和改质区域M2之间的改质区域M3。在此，改质区域M3位于硅晶片11的内部的，改质区域M1和改质区域M2之间的背面21侧。
接着，如图17(b)所示，将聚焦点对准硅晶片11的内部向加工对象物1上照射激光，使聚焦点沿着切割预定线5相对移动，由此，沿着切割预定线5在加工对象物1的内部形成一列位于改质区域M2和改质区域M3之间的改质区域M4。在此，改质区域M4位于硅晶片11的内部的改质区域M2和改质区域M3之间。
另外，在现有技术的激光加工方法中，为了防止由在加工对象物1中位于入射激光的表面3和激光的聚焦点之间的改质区域引起的激光的散射和吸收等，通常从背面21侧到表面3侧依次在加工对象物1的内部形成多列改质区域，即，在加工对象物1的内部通常依次形成改质区域M1、改质区域M3、改质区域M4、改质区域M2。但是，这种情况下，在切割加工对象物1时，切割面的表面3侧的端部会大幅度脱离切割预定线5，该端部会成裙状凹陷或成裙状突出(参照图18(a))。
于是，本发明者们经过反复的专心研究的结果，发现了在切割加工对象物1时切割面的表面3侧的端部会大幅度脱离切割预定线5是由于以下的现象引起的。即，如果在加工对象物1的内部按照以下顺序形成多列改质区域M1、改质区域M3、改质区域M4、改质区域M2，则在形成改质区域M2时，从相邻于该改质区域M2的已经形成的改质区域M4起在沿着硅晶片11的解理面的方向上将产生割裂，或者，从改质区域M4延伸的割裂在沿着解理面的方向上大幅度地生长，该割裂从会切割预定线5大幅度脱离而到达表面3。进而，如上所述，如果从背面21侧起向表面3侧依次形成多列改质区域，则在形成改质区域M2时，从已经形成的改质区域M3起在沿着硅晶片11的解理面的方向上将产生割裂，或者，从改质区域M3延伸的割裂在沿着解理面的方向上大幅度地生长，该割裂从切割预定线5会大幅度脱离而到达表面3。因此，在切割加工对象物1时切割面的表面3侧的端部会大幅度脱离切割预定线5。
本发明人基于上述的知识，经过进一步的反复研究后，如上所述，沿着切割预定线5，在加工对象物1的内部形成改质区域M1，形成位于改质区域M1和加工对象物1的表面3之间的改质区域M2，形成位于改质区域M1和改质区域M2之间的改质区域M3。换而言之，在加工对象物1的内部，按照距离表面3深的位置、浅的位置的顺序形成改质区域后，再在这些改质区域之间的中间位置形成改质区域。
由此，可以抑制上述现象，即，可以抑制割裂大幅度脱离切割预定线5而到达加工对象物1的表面3的现象，并且，与在加工对象物1的内部按照如下顺序形成多列改质区域M1、改质区域M3、改质区域M4、改质区域M2的情况相比，能够防止在切割加工对象物1时切割面的表面3侧的端部大幅度脱离切割预定线5的情况的发生。其结果是，如图18(b)所示，即使加工对象物是具有平行于其厚度方向且沿着相对于包括切割预定线的面倾斜的方向的解理面的晶体结构体，也可以抑制切割面的表面侧成裙状突出，可以提高切割面的端面品质。
另一方面，在按照如下顺序在加工对象物1的内部形成改质区域M1、改质区域M2、改质区域M4、改质区域M3的情况下，当切割加工对象物1时切割面成凸凹状。这是因为：在这种情况中，当形成改质区域M3时，在存在于形成的改质区域M3和表面3之间的改质区域M4上激光发生散射和吸收等，因而不能很好地形成改质区域M3，因此，会发生不能形成龟裂本身，或者从改质区域M3延伸的割裂与从相邻于该改质区域M3的改质区域M1、M4延伸的割裂不连结等的情况。
但是，在本实施方式的激光加工方法中，如上所述，在形成改质区域M3后，沿着切割预定线5，在加工对象物1的内部形成位于改质区域M2和改质区域M3之间的改质区域M4，因此与在加工对象物1的内部按照如下顺序形成多列改质区域M1、改质区域M2、改质区域M4、改质区域M3的情况相比，可以可靠地连结从改质区域M3延伸的割裂与从相邻的改质区域M1、M4延伸的割裂，可以防止在切割加工对象物1时切割面变成凸凹状。其结果是，即使加工对象物是具有平行于其厚度方向且沿着倾斜于包括切割预定线的面的方向的解理面的结晶结构体，也可以沿着切割预定线在其厚度方向上比较笔直地切割加工对象物，可以进一步提高切割面的端面品质。
[第2实施方式]
接着，对本发明的第2实施方式的激光加工方法进行说明。该第2实施方式的激光加工方法与图16和图17所示的第1实施方式的激光加工方法的不同点是，没有形成改质区域M4。具体而言，在第2实施方式的激光加工方法中，沿着切割预定线，在加工对象物的内部，在离激光入射面较深的位置上形成改质区域，然后在离激光入射面较浅的位置上形成改质区域，之后在它们之间形成改质区域，然后进行切割。在这种情况中，如图19(a)所示，在切割加工对象物时起到与上述同样的作用效果，即，防止切割面的激光入射面侧的端部大幅度地从切割预定线脱离。
[第3实施方式]
接着，对本发明的第3实施方式的激光加工方法进行说明。该第3实施方式的激光加工方法与图16和图17所示的第1实施方式的激光加工方法的不同点是，在形成改质区域M1之前，从激光入射面的相反侧起向激光入射面侧依次形成多个改质区域。具体而言，在第3实施方式的激光加工方法中，例如，使用厚度250μm的加工对象物，沿着切割预定线，在加工对象物的内部，以激光入射面为厚度方向的基准(0μm的位置)从67μm的位置到23μm的位置依次形成多列的即11列的改质区域，在7μm的位置上形成第12列改质区域，在13.5μm的位置上形成第13列改质区域，在10μm的位置上形成第14列改质区域，然后进行切割。在这种情况中，如图19(b)所示，在切割加工对象物时起到与上述同样的作用效果，即，防止切割面的激光入射面侧的端部大幅度地从切割预定线脱离。
[第4实施方式]
如图20和图21所示，加工对象物1具备厚度为200μm的硅晶片(半导体基板)11，和包含多个功能元件15且在硅晶片11的表面上形成的功能元件层16。功能元件15是例如，由晶体生长所形成的半导体动作层、光电二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、或者作为电路而形成的电路元件等，在平行于或垂直于硅晶片11的定向平面6的方向上以矩阵状形成有多个。
将具有如上构成的加工对象物1以如下的方式按照每个功能元件15进行切割。首先，在加工对象物1的表面3(即，功能元件层16的表面)上粘贴保护胶带，在用保护胶带保护功能元件层16的状态下，在激光加工装置的载置台上，固定保持着加工对象物1的保护胶带。接着，以通过相邻的功能元件15，15之间的方式，将切割预定线5设定为格子状。然后，以加工对象物1的背面21(即，硅晶片11的背面)为激光入射面，将聚焦点对准硅晶片11的内部，并在产生多光子吸收的条件下照射激光，由此沿着各切割预定线5在硅晶片11的内部形成熔融处理区域。在这里，沿着各切割预定线5在加工对象物1的厚度方向上形成3列熔融处理区域。接着，将固定在载置台上的胶带与加工对象物1一起实施分离。然后，在加工对象物1的背面21粘贴扩张胶带，从功能元件层16的表面剥离保护胶带后，使扩张胶带扩张，从而沿着切割预定线5切割加工对象物1，同时使通过切割而得到的多个半导体芯片互相分离。
在此，对上述熔融处理区域的形成进行更详细的说明。
首先，如图22(a)所示，将聚焦点对准距离加工对象物1的背面21的距离为68μm的位置上照射激光，由此沿着各切割预定线5在硅晶片11的内部形成熔融处理区域(第1改质区域)131。接着，将聚焦点对准距离加工对象物1的背面21的距离为195μm的位置上照射激光，由此沿着各切割预定线5在硅晶片11的内部形成熔融处理区域(第2改质区域)132。作为形成熔融处理区域131、132时的激光的照射条件的具体例有，激光的能量为0.68W，沿着切割预定线5的激光的聚焦点的移动速度为350mm/s。另外，还有到达至加工对象物1的背面21的割裂是从熔融处理区域131起产生的情况，以及到达至加工对象物1的表面3的割裂是从熔融处理区域132起产生的情况。
在形成熔融处理区域131、132之后，通过将聚焦点对准距离加工对象物1的背面21的距离为160μm的位置处照射激光，从而沿着各切割预定线5在硅晶片11的内部形成熔融处理区域(第3改质区域)133。作为形成熔融处理区域133时的激光的照射条件的具体例有，激光的能量为0.68W，沿着切割预定线5的激光的聚焦点的移动速度为600mm/s。另外，也存在割裂混合存在于熔融处理区域131、132、133中的情况。
此时，熔融处理区域133形成在熔融处理区域131、132中的，偏靠激光入射面即背面21附近的熔融处理区域131的一侧。由此，在开始时，割裂24从熔融处理区域133起行进至熔融处理区域131、132中的靠近熔融处理区域133的熔融处理区域131，不久，如图22(b)所示，割裂24从熔融处理区域131、132中的远离激光入射面即背面21的熔融处理区域132起，行进至靠近激光入射面即背面21的熔融处理区域131。
这样，通过形成熔融处理区域133而产生跨过熔融处理区域131、132之间的割裂24，如图23所示，这是由于通过形成在加工对象物1的厚度方向上并列的熔融处理区域131、132，而在加工对象物1上的熔融处理区域131、132之间的部分上，朝向切割预定线5的两侧产生拉伸应力而导致的。也就是说，由于该拉伸应力的存在，形成在加工对象物1中的熔融处理区域131、132之间的部分上的熔融处理区域133变成起点，产生跨过熔融处理区域131、132之间的割裂24。
另外，如图22(b)所示，助跑距离D(即，割裂24从熔融处理区域132行进至熔融处理区域131所需要的沿着切割预定线5的距离)通过后，加工对象物1的厚度方向上的熔融处理区域133的长度变得短于熔融处理区域131、132。这是因为在形成熔融处理区域133之前产生跨过熔融处理区域131、132之间的割裂24，因而在形成熔融处理区域133时聚焦点上的激光的吸收的程度下降的缘故。顺便说一下，应用上述激光的照射条件的情况下，助跑距离D为100μm左右。
此外，熔融处理区域133可以沿着切割预定线5的大致全体形成，也可以仅在切割预定线5的某些地方形成。如后者那样，尽管照射了激光还是出现未形成熔融处理区域133之处是因为，吸收激光的程度由于割裂而降低，因而为达到用于形成熔融处理区域133的加工能量的缘故。由于这样的理由，有时仅在加工对象物1的一端部分形成熔融处理区域133。
但是，由于以下的理由，优选激光的聚焦点从加工对象物1的切割预定线5的一端移动至另一端。即，虽然希望割裂沿着切割预定线5的大致全体形成，但是如前所述，由于出现未形成熔融处理区域133之处等的理由，也存在产生暂时不产生割裂之处的情况。于是，通过在切割预定线5的全部上照射激光，可以使割裂在切割预定线5的各个部分上产生，从而可以进行加工对象物1的高精度的切割。
如上所述，由于熔融处理区域131形成在加工对象物1的背面21附近，且熔融处理区域132形成在加工对象物1的表面3附近，因此，即使在200μm以上这样的加工对象物1的厚度比较厚的情况下，也可以不增加相对于1条切割预定线5需要形成的熔融处理区域13的列数，而可以在加工对象物1上沿着切割预定线5的部分的大致全体上形成割裂24。因此，即使加工对象物1的厚度比较厚的情况下，也可以缩短在加工对象物1上形成熔融处理区域13的时间，可以沿着切割预定线5精度良好地切割加工对象物1。
而且，熔融处理区域133仅仅是用于产生跨过熔融处理区域131、132之间的割裂24的开端，因此，相比于形成熔融处理区域131、132时的沿着切割预定线5的激光的聚焦点的移动速度，可以提高形成熔融处理区域133时的沿着切割预定线5的激光的聚焦点的移动速度。
此外，如图24(a)所示，熔融处理区域133形成在熔融处理区域131、132中的，偏靠激光入射面即背面21附近的熔融处理区域131的一侧。由此，如图24(b)所示，相比于熔融处理区域133的形成在熔融处理区域131、132中的、偏靠远离激光入射面即背面21的熔融处理区域132的一侧的情况相比，可以通过较短的助跑距离D使割裂从熔融处理区域132向熔融处理区域131行进。这样，助跑距离D变短的话，与助跑距离D较长的情况相比，可以以较小的外力沿着切割预定线5切割加工对象物1。另外，在图24(a)、(b)中，与图22(a)、(b)的情况相反，使激光的聚焦点沿着切割预定线5从右向左移动。
图25是通过使用上述本实施方式的激光加工方法而得到的半导体芯片(芯片)25的侧面图。半导体芯片25是矩形薄板状，在大致平行于其厚度方向的侧面25a上，形成有在半导体芯片25的厚度方向上排列的熔融处理区域131、132以及位于熔融处理区域131、132之间的熔融处理区域133。在半导体芯片25的厚度方向上的熔融处理区域133的长度，如上所述，短于熔融处理区域131、132。具体而言，在应用上述激光的照射条件的情况下，在半导体芯片25的厚度方向上，相对于熔融处理区域131的长度为20～25μm、熔融处理区域132的长度为25～30μm，而熔融处理区域133的长度为15～20μm。
而且，在半导体芯片25的侧面25a上形成有横跨熔融处理区域131、132之间的华纳线(wallner line)26。如图22(a)、(b)所示，当割裂24行进时，华纳线(wallner line)在大致垂直于其行进方向的方向上延伸，因此成倾斜于半导体芯片25的厚度方向地延伸(参照图24(a)、(b))。
以上对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式。
例如，在上述实施方式中，作为加工对象物使用了具备其表面为(111)面的硅晶片11的加工对象物1，但也可以是具备在不同于厚度方向的方向上具有解理面的硅晶片的加工对象物，也可以具备具有厚度方向上的解理面的硅晶片的加工对象物。
此外，也可以不是硅晶片11，而是例如镓砷等的半导体化合物材料、压电材料、蓝宝石等的具有结晶性的材料。
此外，在上述实施方式中，激光的照射条件可以不限定于脉冲距(pulse pitch)宽度和输出等，而可以为各种照射条件。例如，激光的照射条件可以是使激光的脉冲距变窄、提高输出或者将它们组合等的割裂比较难以延伸的条件，此时可以抑制割裂的生长。
此外，在上述实施方式中，在形成熔融处理区域131、132中的靠近激光入射面的熔融处理区域131之后，形成远离激光入射面的熔融处理区域132，但是熔融处理区域131、132的形成顺序也可以相反，或者也可以同时形成。
此外，如图26所示，也可以形成多列(这里为2列)位于熔融处理区域131、132之间的熔融处理区域133。由此，在图22(b)所示的状态下不产生割裂24的区域R中，可以增补作为割裂的起点的熔融处理区域133，可以用更小的外力沿着切割预定线5切割加工对象物1。
此外，在250μm以上这样的加工对象物1的厚度更厚的情况下，可以形成多列(例如2列)熔融处理区域131、132中的靠近激光入射面的熔融处理区域131，或者形成多列(例如2列)远离激光入射面的熔融处理区域132。
此外，在上述实施方式中，在由半导体材料形成的晶片的内部形成熔融处理区域，但也可以在由玻璃或压电材料等其它材料形成的晶片的内部形成裂纹区域或折射率变化区域等其它的改质区域。
利用本发明可以进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度切割。

Claims (13)

1.一种激光加工方法，其特征在于，
通过将聚焦点对准板状的加工对象物的内部照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线，在所述加工对象物的内部形成成为切割的起点的改质区域，
包括：
沿着所述切割预定线，形成在所述加工对象物的厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域的工序；
沿着所述切割预定线，形成位于所述第1改质区域与所述第2改质区域之间的第3改质区域的工序。
2.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，
在形成所述第1改质区域和第2改质区域的工序中，
沿着所述切割预定线形成第1改质区域，
在形成所述第1改质区域之后，沿着所述切割预定线，形成位于所述第1改质区域与在所述加工对象物中激光入射的激光入射面之间的第2改质区域。
3.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，
包括：
在形成所述第3改质区域之后，沿着所述切割预定线，形成位于所述第2改质区域与所述第3改质区域之间的第4改质区域的工序。
4.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，
所述加工对象物具备半导体基板，所述改质区域包括熔融处理区域。
5.如权利要求3所述的激光加工方法，其特征在于，
所述加工对象物具备半导体基板，所述改质区域包括熔融处理区域。
6.如权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，
包括：
以所述改质区域作为切割的起点，沿着所述切割预定线切割所述加工对象物的工序。
7.如权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，
在形成所述第3改质区域的工序中，
至少产生跨过所述第1改质区域与所述第2改质区域之间的割裂。
8.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，
沿着所述切割预定线的大致全体形成所述第3改质区域。
9.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，
沿着所述切割预定线的一端部分形成所述第3改质区域。
10.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，
在所述第1改质区域和所述第2改质区域中的，偏靠所述加工对象物中的激光入射的激光入射面附近的一方的改质区域侧，形成所述第3改质区域。
11.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于，
所述加工对象物具备半导体基板，所述改质区域包括熔融处理区域。
12.一种芯片，其特征在于，
具有大致平行于厚度方向的侧面，
在所述侧面上形成有：
在所述厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域；
位于所述第1改质区域和所述第2改质区域之间，在所述厚度方向的长度短于所述第1改质区域和所述第2改质区域的第3改质区域；
至少跨过所述第1改质区域和所述第2改质区域之间，并相对于所述厚度方向倾斜地延伸的华纳线。
13.如权利要求12所述的芯片，其特征在于，
还具备功能元件，所述改质区域包括形成在半导体材料中的熔融处理区域。
CN200710126927XA 2006-07-03 2007-07-03 激光加工方法和芯片 Active CN101100018B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006183498 2006-07-03
JP2006-183498 2006-07-03
JP2006183498 2006-07-03
JP2006221161 2006-08-14
JP2006221161 2006-08-14
JP2006-221161 2006-08-14

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210032963.0A Division CN102554462B (zh) 2006-07-03 2007-07-03 激光加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101100018A true CN101100018A (zh) 2008-01-09
CN101100018B CN101100018B (zh) 2012-04-25

Family

ID=38543973

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210032963.0A Active CN102554462B (zh) 2006-07-03 2007-07-03 激光加工方法
CN200710126927XA Active CN101100018B (zh) 2006-07-03 2007-07-03 激光加工方法和芯片

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210032963.0A Active CN102554462B (zh) 2006-07-03 2007-07-03 激光加工方法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7897487B2 (zh)
EP (1) EP1875983B1 (zh)
JP (2) JP5410561B2 (zh)
KR (1) KR101466392B1 (zh)
CN (2) CN102554462B (zh)
ES (1) ES2428826T3 (zh)
TW (2) TWI511192B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102470551A (zh) * 2009-07-28 2012-05-23 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法
CN102896417A (zh) * 2011-07-27 2013-01-30 东芝机械株式会社 激光切片方法
US8871540B2 (en) 2011-07-27 2014-10-28 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Laser dicing method
US8895345B2 (en) 2010-06-24 2014-11-25 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Dicing methods
CN104736489A (zh) * 2012-06-05 2015-06-24 康宁股份有限公司 使用激光切割玻璃的方法
CN104889577A (zh) * 2015-06-23 2015-09-09 无锡宏纳科技有限公司 一种平面光波导分路器晶圆激光切割工艺
CN105189020A (zh) * 2013-03-28 2015-12-23 浜松光子学株式会社 激光加工方法
CN105336732A (zh) * 2015-10-16 2016-02-17 厦门市三安光电科技有限公司 半导体器件及其制备方法
CN108630739A (zh) * 2017-03-22 2018-10-09 东芝存储器株式会社 半导体装置及其制造方法
CN111326948A (zh) * 2018-12-15 2020-06-23 深圳市中光工业技术研究院 激光器芯片的制备方法
CN112518141A (zh) * 2020-11-24 2021-03-19 无锡先导智能装备股份有限公司 一种激光诱导切割方法及装置
CN112775539A (zh) * 2019-11-07 2021-05-11 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光加工方法及装置

Families Citing this family (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ATE534142T1 (de) * 2002-03-12 2011-12-15 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum auftrennen eines substrats
CN1328002C (zh) 2002-03-12 2007-07-25 浜松光子学株式会社 加工对象物切割方法
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
DE60315515T2 (de) * 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
ES2523432T3 (es) * 2003-07-18 2014-11-25 Hamamatsu Photonics K.K. Chip semiconductor cortado
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
WO2005098916A1 (ja) 2004-03-30 2005-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体チップ
KR101109860B1 (ko) * 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8735770B2 (en) * 2006-10-04 2014-05-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for forming a modified region in an object
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
KR101757937B1 (ko) 2009-02-09 2017-07-13 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 가공대상물 절단방법
US8347651B2 (en) * 2009-02-19 2013-01-08 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
KR101769158B1 (ko) 2009-04-07 2017-08-17 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP5491761B2 (ja) * 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5379604B2 (ja) * 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
US8932510B2 (en) * 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
JP2013503105A (ja) * 2009-08-28 2013-01-31 コーニング インコーポレイテッド 化学強化ガラス基板からガラス品をレーザ割断するための方法
JP5410250B2 (ja) 2009-11-25 2014-02-05 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8946590B2 (en) 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
JP5479924B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
JP2011201759A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Namiki Precision Jewel Co Ltd 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法
EP2544220A4 (en) * 2010-03-05 2015-12-02 Namiki Precision Jewel Co Ltd SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD FOR THE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, PRODUCTION PROCESS FOR A SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH A MULTILAYER FILM AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
TWI513670B (zh) 2010-08-31 2015-12-21 Corning Inc 分離強化玻璃基板之方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US9345976B2 (en) * 2011-08-29 2016-05-24 Mattel, Inc. Toy figurine with removable features
JP5894754B2 (ja) * 2011-09-16 2016-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US9610653B2 (en) 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
US20140099857A1 (en) * 2012-10-04 2014-04-10 Mattel, Inc. Toy Figurine with Projectiles
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
JP5598801B2 (ja) * 2012-12-18 2014-10-01 株式会社レーザーシステム レーザーダイシング方法、チップの製造方法およびレーザー加工装置
US9701564B2 (en) 2013-01-15 2017-07-11 Corning Incorporated Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
JP6189066B2 (ja) * 2013-03-27 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102013207480A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Smartrac Technology Gmbh Verfahren zur Vereinzelung eines Wafers in Chips
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9815144B2 (en) 2014-07-08 2017-11-14 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
CN107073642B (zh) * 2014-07-14 2020-07-28 康宁股份有限公司 使用长度和直径可调的激光束焦线来加工透明材料的系统和方法
CN107073641B (zh) 2014-07-14 2020-11-10 康宁股份有限公司 接口块；用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的系统和方法
US9617180B2 (en) 2014-07-14 2017-04-11 Corning Incorporated Methods and apparatuses for fabricating glass articles
US10611667B2 (en) 2014-07-14 2020-04-07 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
EP3536440A1 (en) 2014-07-14 2019-09-11 Corning Incorporated Glass article with a defect pattern
TWI566870B (zh) * 2014-09-30 2017-01-21 國立交通大學 雷射加工方法及雷射加工物
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
EP3245166B1 (en) 2015-01-12 2020-05-27 Corning Incorporated Laser cutting of thermally tempered substrates using the multi photon absorption method
HUE055461T2 (hu) 2015-03-24 2021-11-29 Corning Inc Kijelzõ üveg kompozíciók lézeres vágása és feldolgozása
CN107666983B (zh) 2015-03-27 2020-10-02 康宁股份有限公司 可透气窗及其制造方法
WO2017011296A1 (en) 2015-07-10 2017-01-19 Corning Incorporated Methods of continuous fabrication of holes in flexible substrate sheets and products relating to the same
WO2017030039A1 (ja) * 2015-08-18 2017-02-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6605278B2 (ja) 2015-09-29 2019-11-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP6608713B2 (ja) * 2016-01-19 2019-11-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
SG11201809797PA (en) 2016-05-06 2018-12-28 Corning Inc Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
WO2018022476A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing
US10522963B2 (en) 2016-08-30 2019-12-31 Corning Incorporated Laser cutting of materials with intensity mapping optical system
KR102078294B1 (ko) 2016-09-30 2020-02-17 코닝 인코포레이티드 비-축대칭 빔 스폿을 이용하여 투명 워크피스를 레이저 가공하기 위한 기기 및 방법
KR102428350B1 (ko) 2016-10-24 2022-08-02 코닝 인코포레이티드 시트형 유리 기판의 레이저 기반 기계 가공을 위한 기판 프로세싱 스테이션
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
KR102123795B1 (ko) * 2017-05-10 2020-06-18 최병찬 지그 조립체 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
US10589445B1 (en) * 2018-10-29 2020-03-17 Semivation, LLC Method of cleaving a single crystal substrate parallel to its active planar surface and method of using the cleaved daughter substrate
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
JP2000119031A (ja) * 1998-10-15 2000-04-25 Hitachi Ltd スクライブ方法及び装置
JP4664140B2 (ja) 2000-09-13 2011-04-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
ATE534142T1 (de) 2002-03-12 2011-12-15 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum auftrennen eines substrats
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
CN1328002C (zh) 2002-03-12 2007-07-25 浜松光子学株式会社 加工对象物切割方法
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
ES2381254T3 (es) 2002-12-05 2012-05-24 Hamamatsu Photonics K.K. Dispositivos de procesamiento con láser
JP2004188422A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
CN1758986B (zh) * 2003-03-12 2012-03-28 浜松光子学株式会社 激光加工方法
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
JP2004343008A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用した被加工物分割方法
ES2523432T3 (es) 2003-07-18 2014-11-25 Hamamatsu Photonics K.K. Chip semiconductor cortado
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP2005123329A (ja) 2003-10-15 2005-05-12 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
WO2005067113A1 (ja) 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2005203541A (ja) 2004-01-15 2005-07-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
WO2005098916A1 (ja) 2004-03-30 2005-10-20 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4829781B2 (ja) 2004-03-30 2011-12-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
WO2005109854A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for processing color image data
JP4694795B2 (ja) 2004-05-18 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4732063B2 (ja) 2004-08-06 2011-07-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101109860B1 (ko) 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2007165850A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ウェハおよびウェハの分断方法
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428823B1 (ko) 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP5101073B2 (ja) 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8735770B2 (en) 2006-10-04 2014-05-27 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for forming a modified region in an object
JP2008112028A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Optrex Corp 表示パネルの製造方法、および表示パネル
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102470551B (zh) * 2009-07-28 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法
US8890026B2 (en) 2009-07-28 2014-11-18 Hamamatsu Photonics K.K. Method for cutting processing target
CN102470551A (zh) * 2009-07-28 2012-05-23 浜松光子学株式会社 加工对象物切断方法
US8895345B2 (en) 2010-06-24 2014-11-25 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Dicing methods
CN102896417A (zh) * 2011-07-27 2013-01-30 东芝机械株式会社 激光切片方法
US8871540B2 (en) 2011-07-27 2014-10-28 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Laser dicing method
CN104736489B (zh) * 2012-06-05 2017-11-28 康宁股份有限公司 使用激光切割玻璃的方法
CN104736489A (zh) * 2012-06-05 2015-06-24 康宁股份有限公司 使用激光切割玻璃的方法
CN105189020A (zh) * 2013-03-28 2015-12-23 浜松光子学株式会社 激光加工方法
US9764421B2 (en) 2013-03-28 2017-09-19 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
CN104889577A (zh) * 2015-06-23 2015-09-09 无锡宏纳科技有限公司 一种平面光波导分路器晶圆激光切割工艺
CN105336732A (zh) * 2015-10-16 2016-02-17 厦门市三安光电科技有限公司 半导体器件及其制备方法
CN105336732B (zh) * 2015-10-16 2017-09-29 厦门市三安光电科技有限公司 半导体器件及其制备方法
CN108630739A (zh) * 2017-03-22 2018-10-09 东芝存储器株式会社 半导体装置及其制造方法
CN108630739B (zh) * 2017-03-22 2021-12-21 东芝存储器株式会社 半导体装置及其制造方法
CN111326948A (zh) * 2018-12-15 2020-06-23 深圳市中光工业技术研究院 激光器芯片的制备方法
CN112775539A (zh) * 2019-11-07 2021-05-11 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光加工方法及装置
CN112518141A (zh) * 2020-11-24 2021-03-19 无锡先导智能装备股份有限公司 一种激光诱导切割方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101466392B1 (ko) 2014-11-28
CN102554462B (zh) 2014-12-10
JP5410561B2 (ja) 2014-02-05
KR20080003736A (ko) 2008-01-08
JP2012129553A (ja) 2012-07-05
US8338271B2 (en) 2012-12-25
TWI511192B (zh) 2015-12-01
TW201448000A (zh) 2014-12-16
EP1875983B1 (en) 2013-09-11
EP1875983A1 (en) 2008-01-09
US8043941B2 (en) 2011-10-25
CN101100018B (zh) 2012-04-25
TWI485759B (zh) 2015-05-21
CN102554462A (zh) 2012-07-11
US20120006799A1 (en) 2012-01-12
ES2428826T3 (es) 2013-11-11
US7897487B2 (en) 2011-03-01
US20080000884A1 (en) 2008-01-03
TW200809942A (en) 2008-02-16
JP2013059808A (ja) 2013-04-04
US20100184271A1 (en) 2010-07-22
JP5702761B2 (ja) 2015-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101100018B (zh) 激光加工方法和芯片
CN101218664B (zh) 加工对象物切断方法
CN101461039B (zh) 激光加工方法
CN101516565B (zh) 激光加工方法
CN101434010B (zh) 激光加工方法及半导体装置
CN100496859C (zh) 激光加工方法
CN101516566B (zh) 激光加工方法和激光加工装置
CN101522362B (zh) 激光加工方法
CN102172799B (zh) 激光加工方法及激光加工装置
CN101862904B (zh) 激光加工方法及半导体芯片
CN101146642B (zh) 激光加工方法
CN100527360C (zh) 激光加工方法及半导体芯片
CN101522360B (zh) 激光加工装置
CN101242927B (zh) 激光加工方法
CN100355031C (zh) 基板的分割方法
CN100472726C (zh) 激光加工方法
CN100466185C (zh) 激光加工方法及加工对象物
CN103934578A (zh) 激光加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant