CN100496859C - 激光加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明能够提供一种可高精度地切断加工对象物的激光加工方法。在本发明的激光加工方法中，使聚焦点(P)对准板状加工对象物(1)的内部以照射激光(L)。首先，沿着加工对象物(1)的第一切断预定线(5a)，形成作为切断起点的第一改性区域(71)。其次，以沿着与切断预定线(5a)交叉的第二切断预定线(5b)、与改性区域(71)的至少一部分交叉的方式，形成作为切断起点的第二改性区域(72)。其次，沿着切断预定线(5b)而形成作为切断起点的第四改性区域(73)。其次，在改性区域(71)与激光(L)所入射的加工对象物(1)的入射面(1a)之间，以沿着切断预定线(5a)、与改性区域(73)的至少一部分交叉的方式，形成作为切断起点的第三改性区域(74)。

Description

激光加工方法
技术领域
本发明涉及为了切断板状的加工对象物而使用的激光加工方法。
背景技术
在现有的这种技术方面，有如下激光加工方法，通过使聚焦点对准晶片状的加工对象物的内部以照射激光，使沿着切断预定线的改性区域在加工对象物的内部形成多列，而将其改性区域作为切断的起点(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2002—205180号公报
在欲使用上述那样的激光加工方法将板状的加工对象物切断成格子状的情况下，例如，如图20(A)及图20(B)所示，在加工对象物的内部形成改性区域。图20(A)及图20(B)是用于说明在加工对象物101的内部形成改性区域171、172之际的顺序的一例的模式图，图21是沿着图20(B)所示的加工对象物的XXI—XXI线的截面图。
改性区域171、172是按如下顺序形成的。首先，如图20(A)所示，通过使聚焦点对准厚度100d的加工对象物101内部而照射激光100L，将沿着切断预定线105a的改性区域171形成在加工对象物101的内部。其次，如图20(B)所示，通过使聚焦点对准加工对象物101的内部再照射激光100L，使得沿着与切断预定线105a交叉的切断预定线105b的改性区域172形成在加工对象物101的内部。改性区域171、172由沿加工对象物101的厚度方向并列设置的多列的改性区域所构成，这些多列的改性区域是从距离激光100L的入射面101a远的位置被依次形成的。
在以上述顺序形成改性区域171、172后，如图21所示，在改性区域171和改性区域172所交叉的情况下，残存有未形成改性区域172的未改性区域(三角区域)101b。此未改性区域101b的宽度W1是离激光100L的入射面101a越远就会变得越宽。这种未改性区域101b，在加工对象物101的厚度100d大的情况下可以被显著确定。接着，将拍摄图21中的区域A1的照片例子表示于图22，将拍摄图21中的区域B1的照片例子表示于图23(A)及图23(B)。图22、图23(A)及图23(B)是表示通过按上述顺序形成改性区域171、172而被切断的加工对象物101的切截面之照片的图。此外，在图22、图23(A)及图23(B)中表示了加工对象物101的厚度100d为300μm以上的大小的情况下的例子。
在图22中的区域P1内，未形成改性区域172的未改性区域101b被确定。在利用扩展(expand)装置将形成有未改性区域101b的加工对象物101予以切断之后，具有起因于未改性区域101b而造成加工对象物101未被高精度切断的可能。例如，图23(A)中的区域P2内的碎片(chipping)被确认，且图23(B)中的区域P3内的裙形边缘(skirt)(从切截面171s突出的部分)被确认。
如此一来，可以说在通过以上述顺序形成改性区域而将加工对象物切断成格子状的情况下，其切断精度尚有改善的余地。
发明内容
于是，本发明就是有鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种可高精度切断加工对象物的激光加工方法。
为解决上述课题，本发明者们针对形成未改性区域101b的机构(mechanism)作了详细探讨。针对其探讨结果使用图24进行说明。图24是表示以上述的顺序形成改性区域171、172时的一个工序中的加工对象物101之概略截面图。在图24中表示了用以形成改性区域172的工序。成为改性区域172的一部分的改性区域172a，通过使由透镜100LL所聚焦的激光100L扫描而被形成在加工对象物101的内部。因为此时改性区域171已经形成，所以用以形成改性区域172a的位置距离入射面101a越远则激光100L越被改性区域171所遮蔽，具有这样的倾向。其结果，认为未改性区域101b的宽度W1伴随着远离入射面101a而变宽。
于是，本发明的激光加工方法的特征为，包括：第一工序，通过使聚焦点对准板状加工对象物的内部并照射激光而沿着加工对象物的第一切断预定线，将成为切断起点的第一改性区域形成在加工对象物的内部，并且沿着与第一切断预定线交叉的第二切断预定线，以与第一改性区域的至少一部分交叉的方式，将作为切断起点的第二改性区域形成在加工对象物的内部；以及第二工序，在第一工序之后，通过使聚焦点对准加工对象物的内部并照射激光，在第一改性区域和激光所入射的加工对象物的入射面之间的加工对象物的内部，沿着第一切断预定线形成作为切断起点的第三改性区域，并且在第二改性区域和入射面之间的加工对象物的内部，沿着第二切断预定线、以与第三改性区域的至少一部分交叉的方式形成作为切断起点的第四改性区域。
在此激光加工方法中，与在形成第一及第三改性区域之后再形成第二及第四改性区域的方法相比较，在照射激光之际，遮蔽该激光的改性区域在加工对象物的厚度方向上的高度变低。因此，难以生成未形成改性区域的未改性区域，所以可高精度地切断加工对象物。
此外，在第一工序中，形成第一及第二改性区域的顺序未被特别限定。另外，第二工序中，形成第三及第四改性区域的顺序也未被特别限定。
另外，优选，在第一工序中，形成第一改性区域之后再形成第二改性区域，而在第二工序中，在形成第三改性区域之后再形成第四改性区域。
另外，优选，在第一工序中，形成第一改性区域之后再形成第二改性区域，而在第二工序中，在形成第四改性区域之后再形成第三改性区域。
在此激光加工方法中，在形成第二及第四改性区域时，均使激光沿着第二切断预定线移动。因此，没有必要在第一工序和第二工序之间改变激光的移动方向。因而可短时间且高精度地形成第四改性区域。
另外，优选，在形成第一改性区域时，记录入射面的第一入射面信息，使用其第一入射面信息以形成第三改性区域，而在形成第二改性区域时、记录入射面的第二入射面信息，再使用其第二入射面信息以形成第四改性区域。在此，所谓的“入射面信息”是指例如存在于入射面的凹凸在加工对象物的厚度方向上的高度信息。
在这种情况下，可使第三改性区域对准入射面的凹凸或起伏而能够按与第一改性区域基本相同的形状形成第三改性区域。同样地，可使第四改性区域对准入射面的凹凸或起伏而能够按与第二改性区域基本相同的形状形成第四改性区域。
另外，优选，第一～第四改性区域的至少1个是由并列设置于加工对象物的厚度方向上的多列的改性区域所构成。
在这种情况下，加工对象物的厚度方向中的第一～第四改性区域的高度均可作高。
另外，优选，第一及第二改性区域或第三及第四改性区域当中的至少一方是由配置在加工对象物的厚度方向上的同数列的改性区域所构成。例如可以例举出有、(i)第一及第二改性区域为由配置在加工对象物的厚度方向上的同数列的改性区域所构成的情况，(ii)第三及第四改性区域为由配置在加工对象物的厚度方向上的同数列的改性区域所构成的情况，(iii)第一及第二改性区域为由配置在加工对象物的厚度方向上的同数列的改性区域所构成，且第三及第四改性区域为由配置在加工对象物的厚度方向上的同数列的改性区域所构成的情况。
在上述(i)的情况下，加工对象物的厚度方向上的第一及第二改性区域的高度容易成为一致。另外，在上述(ii)的情况下，加工对象物的厚度方向上的第三及第四改性区域的高度容易成为一致。另外，在上述(iii)的情况下，加工对象物的厚度方向的第一及第二改性区域的高度成为容易一致，且加工对象物的厚度方向上的第三及第四改性区域的高度容易成为一致。
若依据本发明，则能够提供一种可高精度地切断加工对象物的激光加工方法。
附图说明
图1：是本实施方式涉及的激光加工方法的激光加工中的加工对象物的平面图。
图2：是沿着图1所示的加工对象物的II—II线的截面图。
图3：是本实施方式涉及的激光加工方法的激光加工后的加工对象物的平面图。
图4：是沿着图3所示的加工对象物的IV—IV线的截面图。
图5：是沿着图3所示的加工对象物的V—V线的截面图。
图6：是由本实施方式涉及的激光加工方法所切断的加工对象物的平面图。
图7：是表示本实施方式涉及的激光加工方法中的电场强度与裂缝点的大小的关系的图表。
图8：是使用本实施方式涉及的激光加工方法而切断加工对象物之际的裂缝区域形成工序中的加工对象物的截面图。
图9：是使用本实施方式涉及的激光加工方法以切断加工对象物之际的裂缝成长工序中的加工对象物的截面图。
图10：是使用本实施方式涉及的激光加工方法以切断加工对象物之际的裂缝成长工序中的加工对象物的截面图。
图11：是使用本实施方式涉及的激光加工方法以切断加工对象物之际的切断工序中的加工对象物的截面图。
图12：是表示由本实施方式涉及的激光加工方法所切断的硅晶片的一部分的截面的照片的图。
图13：是表示本实施方式涉及的激光加工方法的激光的波长与硅基板的内部透射率间的关系的图表。
图14：是以模式的方式表示本实施方式涉及的激光加工方法的各工序的一个例子的立体图。
图15：是以模式的方式表示本实施方式涉及的激光加工方法的各工序的一个例子的立体图。
图16：是沿着图15(C)所示加工对象物的XVI—XVI线的截面图。
图17：是表示通过使用本实施方式涉及的激光加工方法形成改性区域而被切断的加工对象物的切截面的照片的图。
图18：是使用本实施方式涉及的激光加工方法形成改性区域时的一个工序中的加工对象物之概略截面图。
图19：是表示使用本实施方式涉及的激光加工方法形成的改性区域的一个例子的立体图。
图20：是用以说明在加工对象物的内部形成改性区域之际的一个顺序例的模式图。
图21：是是沿着图20(B)所示加工对象物之XXI—XXI线的截面图。
图22：是表示通过按图20(A)及图20(B)所示顺序形成改性区域而切断的加工对象物的切截面的照片的图。
图23：是表示通过按图20(A)及图20(B)所示顺序形成改性区域而切断的加工对象物的切截面的照片的图。
图24：是表示通过按图20(A)及图20(B)所示顺序形成改性区域时的一个工序中的加工对象物的概略截面图。
符号说明
1：加工对象物
1a：入射面
3：表面
4a：切截面(侧面)
5：切断预定线
5a：第一切断预定线
5b：第二切断预定线
7：改性区域
71：第一改性区域
71a～71f：多列的改性区域
72：第二改性区域
73：第四改性区域
74：第三改性区域
8：切断起点区域
13：熔融处理区域
L：激光
P：聚焦点。
具体实施方式
以下，针对本发明的优选实施方式，并参照图面作详细说明。在本实施方式的激光加工方法中，为了在加工对象物的内部形成改性区域、是利用所谓的多光子吸收的现象。于是，首先，就利用多光子吸收以形成改性区域用的激光加工方法进行说明。
在光子的能量hv比材料之吸收的带隙(band gap)EG还小时，则在光学上成为透明。因此，在材料上产生吸收的条件是hv>EG。然而即便是在光学上透明，如果使激光的强度增加非常大，则在nhv>EG的条件(n＝2，3，4，…)下，在材料上会产生吸收。将此现象称为多光子吸收。在为脉冲波的情况下，激光的强度是由激光的聚焦点的峰值功率密度(W/cm2)所决定，例如在峰值功率密度为1×108(W/cm2)以上的条件下会产生多光子吸收。峰值功率密度是可由(聚焦点中的激光的每1脉冲的能量)÷(激光的射束点截面积×脉宽)的方式求得。另外，在为连续波的情况下，激光的强度是以激光的聚焦点的电场强度(W/cm2)所决定。
针对利用此种多光子吸收的本实施方式涉及的激光加工方法的原理，参照图1～图6进行说明。如图1所示，在晶片状(板状)之加工对象物1的表面3上具有用以切断加工对象物1的切断预定线5。切断预定线5是直线状延伸的假想线。在本实施方式涉及的激光加工方法中，如图2所示，是以会产生多光子吸收的条件，使聚焦点P对准在加工对象物1的内部而照射激光L以形成改性区域7。此外，所谓的聚焦点P是指激光L会聚焦的部位。另外，切断预定线5并不受限为直线状、亦可为曲线状，且不限定为假想线、亦可为在加工对象物1上实际被绘制的线。
而且，通过使激光L沿着切断预定线5(亦即，图1之箭头A方向)作相对移动，使得聚焦点P沿着切断预定线5移动。由此，如图3～图5所示，改性区域7是沿着切断预定线5而被形成在加工对象物1的内部，该改性区域7成为切断起点区域8。在此，所谓的切断起点区域8是意味着在加工对象物1被切断之际要作为切断(破裂)起点的区域。该切断起点区域8有时是通过连续地形成改性区域7而形成，有时是通过断续地形成改性区域7而形成。
本实施方式涉及的激光加工方法并不通过加工对象物1吸收激光L以使加工对象物1发热而形成改性区域7。而是使激光L透射加工对象物1，而在加工对象物1的内部发生多光子吸收以形成改性区域7。因此，在加工对象物1的表面3、激光L几乎不被吸收，所以加工对象物1的表面3不会熔融。
如果在加工对象物1的内部形成切断起点区域8，则因为以该切断起点区域8为起点容易发生破裂，所以如图6所示，能够以比较小的力量将加工对象物1切断。因此，可在未在加工对象物1的表面3产生不必要的偏离切断预定线5的破裂的情形下，将加工对象物1高精度地切断。
在切断以该切断起点区域8为起点的加工对象物1的方面，考虑了如下两种方式。其一为，在切断起点区域8形成后，对加工对象物1施加人为力量，由此、加工对象物1是以切断起点区域8为起点而破裂，而加工对象物1被切断的情况。此乃是例如加工对象物1的厚度为大的情况时的切断。所谓的人为力量的施加是指，例如，沿着加工对象物1的切断起点区域8对加工对象物1施加弯曲应力或剪应力，对加工对象物1赋予温度差而产生热应力的情况。其二为，利用形成切断起点区域8，而以切断起点区域8为起点朝加工对象物1的截面方向(厚度方向)自然地破裂，最后使加工对象物1被切断的情况。此乃是例如在加工对象物1的厚度为小的情况下，可通过1列的改性区域7而形成切断起点区域8，而在加工对象物1的厚度为大的情况下，可通过在厚度方向所形成的多列的改性区域7而形成切断起点区域8。此外，即使是此自然破裂的情况，在欲切断的部位，也可在破裂没有先到达与未形成有切断起点区域8之部位对应的部分的表面3的情形下，仅能够将与形成有切断起点区域8的部位相对应之部分割断，所以可控制良好地进行割断。近年，因为硅晶片等的加工对象物1的厚度有变薄之倾向，所以此种控制性好的割断方法是非常有效。
再者，在本实施方式涉及的激光加工方法中，利用多光子吸收所形成的改性区域具有如下(1)～(3)的情况。
(1)在改性区域为包含1个或多个裂缝(crack)的裂缝区域的情况下
使聚焦点对准在加工对象物(例如由玻璃或LiTaO3所成的压电材料)的内部，并在聚焦点中的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉宽为1μs以下的条件下照射激光。此脉宽的大小是在使产生多光子吸收且不对加工对象物的表面造成多余损伤的情形下，能够仅在加工对象物内部形成裂缝区域的条件。由此，在加工对象物的内部发生所谓的因多光子吸收所造成的光学损伤的现象。由该光学的损伤而在加工对象物的内部诱发热变形，由此而在加工对象物的内部形成裂缝区域。以电场强度的上限值而言，例如为1×1012(W/cm2)。脉宽是优选例如1ns～200ns。此外，利用多光子吸收的裂缝区域的形成，在例如第45回激光热加工研究会论文集(1998年12月)的第23页～第28页的“利用固体激光高次谐波的玻璃基板的内部标记”中有所记载。
本发明者是利用实验求得电场强度与裂缝的大小之间的关系。实验条件如下。
(A)加工对象物：派勒斯(Pyrex；(注册商标)玻璃(厚度700μm))
(B)激光
光源：半导体激光激发Nd：YAG激光
波长：1064nm
激光点截面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz
脉宽：30ns
输出：输出<1mJ/脉冲
激光品质：TEM00
偏光特性：直线偏光
(C)聚光用透镜
相对于激光波长的透射率：60％
(D)载置加工对象物之载置台的移动速度：100mm/秒
此外，所谓的激光品质TEM00是意味着聚光性高并且可聚光至激光的波长程度。
图7是表示上述实验结果的图表。横轴为峰值功率密度，因为激光为脉冲激光、所以电场强度是以峰值功率密度表示。纵轴是表示由1脉冲的激光而在加工对象物内部形成的裂缝部分(裂缝点)的大小。裂缝点汇集而成为裂缝区域。裂缝点的大小是在裂缝点之的形状当中，成为最大长度的部分的大小。图表中以黑圈所表示的数据是在聚光用透镜(C)的倍率为100倍、数值孔径(NA)为0.80的情况下的数据。另一方面，图表中以白圈所表示的数据是在聚光用透镜(C)的倍率为50倍、数值孔径(NA)为0.55的情况下的数据。可以了解到从峰值功率密度为1011(W/cm2)左右开始，加工对象物的内部产生裂缝点，裂缝点也随着峰值功率密度变大而变大。
其次，针对利用裂缝区域形成而切断加工对象物之机构，参照图8～图11进行说明。如图8所示，在产生多光子吸收的条件下，使聚焦点P对准加工对象物1的内部并照射激光L，以沿着切断预定线在内部形成裂缝区域9。裂缝区域9是包含1个或多个裂缝的区域。如此形成的裂缝区域9成为切断起点区域。如图9所示，裂缝是以裂缝区域9为起点(亦即，以切断起点区域为起点)而再成长，如图10所示，裂缝到达加工对象物1的表面3和背面21，如图11所示，通过加工对象物1分裂而切断加工对象物1。到达加工对象物1的表面3和背面21的裂缝有时是自然成长，有时是通过对加工对象物1施加力量而成长的。
(2)在改性区域为熔融处理区域的情况下
使聚焦点对准在加工对象物(例如，硅一类的半导体材料)的内部，在聚焦点的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉宽为1μs以下的条件下照射激光。由此、加工对象物的内部因多光子吸收而被局部加热。利用此加热而在加工对象物的内部形成熔融处理区域。所谓的熔融处理区域是指一旦熔融后再固化的区域、正处于熔融状态的区域或从熔融状态再固化的状态的区域，亦可称为已经相变化的区域或结晶结构已经变化的区域。另外，所谓的熔融处理区域亦可说是在单结晶结构、非晶质结构、多结晶结构中，某结构变化成别的结构的区域。亦即，意味着例如从单结晶结构变化成非晶质结构的区域、从单结晶结构变化成多结晶结构的区域、从单结晶结构变化成包含有非晶质结构及多结晶结构的结构的区域。在加工对象物为单晶硅结构的情况下，熔融处理区域是例如非晶质硅结构。以电场强度的上限值而言，例如为1×1012(W/cm2)。脉宽优选为例如1ns～200ns。
本发明者是利用实验确认在硅晶片的内部会形成熔融处理区域的。实验条件如下。
(A)加工对象物：硅晶片((厚度350μm，外径4英寸(inch))
(B)激光
光源：半导体激光激发Nd：YAG激光
波长：1064nm
激光点截面积：3.14×10-8cm2
振荡形态：Q开关脉冲
重复频率：100kHz
脉宽：30ns
输出：20μJ/脉冲
激光品质：TEM00
偏光特性：直线偏光
(C)聚光用透镜
倍率：50倍
N.A.：0.55
相对于激光波长的透射率：60％
(D)载置加工对象物的载置台的移动速度：100mm/秒
图12是表示由上述条件的激光加工方法所切断的硅晶片的一部分的截面的照片的图。在硅晶片11的内部形成有熔融处理区域13。此外，依上述条件所形成的熔融处理区域13的厚度方向的大小为100μm左右。
说明利用多光子吸收而形成熔融处理区域13。图13是表示激光的波长与硅基板的内部透射率间的关系的图表。并且，除去硅基板的表面侧与背面侧各自的反射成分，仅表示内部的透射率。针对硅基板的厚度t为50μm、100μm、200μm、500μm及1000μm各自的上述关系进行了表示。
例如，在Nd：YAG激光的波长1064nm中，在硅基板的厚度为500μm以下的情况下，可知在硅基板的内部、激光透射80％以上。图12所示的硅晶片11的厚度为350μm，所以依多光子吸收的熔融处理区域13系在硅晶片11的中心附近，亦即形成在距离表面175μm的部分上。在这种情况下的透射率，若以厚度200μm的硅晶片为参考，则为90％以上，所以在硅晶片11内部激光仅被吸收少许，几乎都会透射。此乃意味着并非在硅晶片11内部激光被吸收而使熔融处理区域13形成在硅晶片11的内部(亦即，由激光的通常的加热而形成熔融处理区域)，而是由多光子吸收而形成熔融处理区域13。利用多光子吸收的熔融处理区域的形成，例如，在焊接学会全国大会讲演概要第66集(2000年4月)的第72页～第73页的“利用微微秒(pico second)脉冲激光的硅加工之特性评价”中有所记载。
此外，硅晶片，是以熔融处理区域所形成的切断起点区域为起点而朝截面方向产生破裂，且通过其破裂到达硅晶片的表面和背面而使得最后被切断。到达硅晶片的表面和背面的破裂有时是自然成长的情况，而有时是通过对硅晶片施加力量而成长的情况。而且，在破裂是从切断起点区域自然成长至硅晶片的表面和背面的情况下，有破裂是从形成切断起点区域的熔融处理区域正熔融着的状态开始成长的情况，有破裂是从形成切断起点区域的熔融处理区域正熔融的状态开始再固化之际而成长的情况。然而，在任何一种情况下，熔融处理区域仅形成在硅晶片的内部，在切断后的切截面上，如同图12、仅在内部形成有熔融处理区域。如此一来，如果在加工对象物的内部由熔融处理区域而形成切断起点区域，则在割断时，因为难以产生从切断起点区域线偏离的不必要的破裂，所以割断控制变得容易。
(3)在改性区域为折射率变化区域的情况下
使聚焦点对准在加工对象物(例如玻璃)的内部，在聚焦点中的电场强度为1×108(W/cm2)以上且脉宽为1ns以下的条件下照射激光。如果设定脉宽为极短，且使多光子吸收产生在加工对象物的内部，则在多光子吸收的能量未变换成热能的情况下，在加工对象物的内部诱发离子价数变化、结晶化或极化定向等的永久的结构变化而形成折射率变化区域。就电场强度的上限值而言，例如为1×1012(W/cm2)。脉宽优选例如1ns以下，更加优选1ps以下。利用多光子吸收的折射率变化区域的形成，在例如第42次激光热加工研究会论文集(1997年11月)的第105页～第111页的「由毫微微秒(femtosecond)激光照射在玻璃内部的光诱起结构形成」中有所记载。
以上，是利用多光子吸收所形成的改性区域，对(1)～(3)的情况所作的说明，然而在考虑晶片状的加工对象物的结晶结构或其劈开性等而将切断起点区域形成如下的形态时，可以以其切断起点区域为起点而以更小的力且以很好的精度将加工对象物切断。
亦即，在由硅等的钻石结构的单结晶半导体构成基板的情况下，优选，在沿着(111)面(第一劈开面)或(110)面(第二劈开面)的方向上形成切断起点区域。另外，在由GaAs等的闪锌矿型结构的III—V族化合物半导体构成基板的情况下，优选，在沿着(110)面的方向上形成切断起点区域。再者，在具有蓝宝石(AL2O3)等的六方晶系的结晶结构的基板的情况下，优选，以(0001)面(C面)为主面而在沿着(1120)面(A面)或(1100)面(M面)的方向上形成切断起点区域。
此外，若在沿着应形成上述切断起点区域的方向(例如，沿着单结晶硅基板中的(111)面的方向)、或沿着与应形成切断起点区域的方向正交的方向、在基板上形成定向面(orientation flat)的话，则可以以其定向面为基准而将沿着应形成切断起点区域的方向的切断起点区域容易且正确地形成在基板上。
其次，针对本发明之最佳实施方式进行说明。图14(A)～图14(C)及图15(A)～图15(C)是模式地表示本实施方式涉及的激光加工方法的各工序的一个例子的立体图。在本实施方式涉及的激光加工方法中，如图14(A)～图14(C)及图15(A)～图15(C)所示，优选，依次实施如下的第一～第三的工序。
(第一工序)
首先，使聚焦点P对准厚度d的板状加工对象物1的内部以照射激光L，并沿着加工对象物1的第一切断预定线5a使激光L移动(参照图14(A))。由此，在加工对象物1的内部产生多光子吸收，而能够沿着切断预定线5a将作为切断起点的第一改性区域71形成在加工对象物1的内部。具体言之，例如，通过使载置加工对象物1的载物台(stage；未图示)移动，使得激光L对加工对象物1作相对地移动。
作为加工对象物1来说，可以例举出硅晶片等的基板、在表面形成有包含着机能元件的层积部的基板等。在机能元件方面，可以例举出由结晶成长所形成的半导体动作层、光电二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、及作为电路而形成的电路元件等等。另外，机能元件即可以形成在加工对象物1的入射面1a上，也可形成在与入射面1a相反侧的面上。
在形成改性区域71之后，使聚焦点P对准加工对象物1的内部并照射激光L，且使激光L沿着与切断预定线5a交叉的第二切断预定线5b移动(参照图14(B))。由此而在加工对象物1的内部产生多光子吸收，而可沿着切断预定线5b并以与改性区域71的至少一部分交叉的方式而将作为切断起点的第二改性区域72形成在加工对象物1的内部。激光L的移动方向可通过例如使载置加工对象物1的载物台(未图示)旋转90°而改变。
(第二工序)
在形成改性区域72之后，使聚焦点P对准改性区域72和入射面1a之间的加工对象物1的内部并照射激光L，而使激光L沿着切断预定线5b移动(参照图14(C))。由此，在加工对象物1的内部产生多光子吸收，而可在改性区域72和入射面1a之间的加工对象物1内部，沿着切断预定线5b形成作为切断起点的第四改性区域73。亦即，改性区域73是被设置在改性区域72上。此外，改性区域72、73也可相互分离地配置。
在形成改性区域73之后，使聚焦点P对准改性区域71和入射面1a之间的加工对象物1的内部并照射激光L，而使激光L沿着切断预定线5a移动(参照图15(A))。由此，在加工对象物1的内部产生多光子吸收，而可在改性区域71和入射面1a之间的加工对象物1内部，沿着切断预定线5a以与改性区域73的至少一部分交义的方式形成作为切断起点的第三改性区域74。亦即，改性区域74是被设置在改性区域71上。此外，改性区域71，74也可相互分离地配置。
(第三工序)
在形成改性区域74之后，使聚焦点P对准改性区域74和入射面1a之间的加工对象物1的内部并照射激光L，而使激光L沿着切断预定线5a移动(参照图15(B))。由此，在加工对象物1的内部产生多光子吸收，而可在改性区域74和入射面1a之间的加工对象物1内部，沿着切断预定线5b形成作为切断起点的改性区域75。亦即，改性区域75是被设置在改性区域74上。此外，改性区域74、75也可相互分离地配置。
在形成改性区域75之后，使聚焦点P对准改性区域73和入射面1a之间的加工对象物1的内部并照射激光L，而使激光L沿着切断预定线5b移动(参照图15(C))。由此，在加工对象物1的内部产生多光子吸收，而可在改性区域73和入射面1a之间的加工对象物1内部，沿着切断预定线5b，以与改性区域75的至少一部分交叉的方式形成作为切断起点的改性区域76。亦即，改性区域76是被设置在改性区域73上。此外，改性区域73、76也可相互分离地配置。
另外，改性区域71～76与上述改性区域7同样地，即可为由连续形成的改性区域所构成，也可为由隔以规定间隔而断续形成的改性区域所构成。另外，切断预定线5a、5b与上述切断预定线5同样，即可以是直线状或曲线状的假想线，但不限定为假想线，也可为在加工对象物1上实际绘制的线。
在通过经由上述第一～第三工序而形成改性区域71～76之后，例如将扩展带(未图示)贴附在加工对象物1上并使用扩展装置(未图示)沿着切断预定线5a、5b能够将加工对象物1切断。此外，扩展带也可以是在形成改性区域71～76之前预先被贴附在加工对象物1上。
图16是沿着图15(C)所示加工对象物1之XVI—XVI线的截面图。如图16所示，在加工对象物1上未残存未改性区域101b。将拍摄图16中的区域C1后的照片的例子表示在图17中。图17是表示通过利用本实施方式涉及的激光加工方法形成改性区域71～76，所切断的加工对象物1的切断面的一个实施例的照片的图。在图17中无法看到与在图22的区域P1内被确认的未改性区域101b相对应的区域。
在本实施方式涉及的激光加工方法中，如图20(A)及图20(B)所示，与在形成改性区域171之后形成改性区域172的方法相比较，在照射激光L之际、会遮蔽激光L的改性区域在加工对象物1的厚度方向上的高度是变低的。因此，图21所示那样的未改性区域101b难以产生，所以可防止碎片或裙形边缘(skirt)的产生并可高精度地切断加工对象物1。因此，能够使加工对象物1的割断品质提高。另外，在加工对象物1的厚度d为300μm以上的情况下，本实施方式涉及的激光加工方法的效果变得显著。以下，使用图18作详细说明。
图18是使用本实施方式涉及的激光加工方法形成改性区域71～76时的一个工序中的加工对象物1的概略截面图。图18是表示形成改性区域72的一个工序例。成为改性区域72的一部分的改性区域72a是通过使透镜LL所会聚的激光L进行扫描而被形成在加工对象物1的内部。此时，加工对象物1的厚度方向上的改性区域71的高度与图24所示改性区域171相比较是低的。因此，在图18中几乎不存在有图24所示的未改性区域101b。
另外，在本实施方式中，在第一工序中，是在形成改性区域71之后再形成改性区域72，而在第二工序中，是在形成改性区域73之后再形成改性区域74。而在以这种顺序形成改性区域71～74的情况下，因为在形成改性区域72、73时皆使激光L沿着切断预定线5b作移动，所以在第一工序和第二工序之间没有必要改变激光L的移动方向(参照图14(B)及图14(C))。因而，能够在短时间并且高精度地形成改性区域73。
同样地，在第二工序中，是在形成改性区域73之后、再形成改性区域74，而在第三工序中，是在形成改性区域75之后再形成改性区域76，所以可短时间且高精度地形成改性区域75(参照图15(A)及图15(B))。
另外，优选，在形成改性区域71时、记录入射面1a的第一入射面信息，而使用其第一入射面信息来形成改性区域74。第一入射面信息是例如，可沿着切断预定线5a而依次收集存在于入射面1a的凹凸在加工对象物1的厚度方向上的高度信息而获得。当使用第一入射面信息时，则使改性区域74、75对准沿着切断预定线5a的入射面1a的凹凸或起伏，而能够以与改性区域71基本相同的形状来形成。
同样地，优选，在形成改性区域72时、记录入射面1a的第二入射面信息，而使用其第二入射面信息来形成改性区域73。第二入射面信息是例如，可沿着切断预定线5b而依次收集存在于入射面1a的凹凸在加工对象物1的厚度方向上的高度信息而获得。当使用第二入射面信息时，是可将改性区域73、76对准沿着切断预定线5b的入射面1a的凹凸或起伏而以与改性区域72基本相同的形状来形成。
上述的高度信息，例如以如下方式作测定。亦即，首先，用透镜聚光测定用激光并对入射面1a进行照射，而检测该测定用激光的反射光。而且，依据所检测的反射光，通过使用有压电元件的致动器使透镜位移，以使得测定用激光的聚焦点位于入射面1a上。而取得此位移量作为高度信息。
另外，如图19所示，例如改性区域71可以是由在加工对象物1的厚度方向上并列设置的多列的改性区域71a～71f所构成。图19是表示改性区域71的一个例子的立体图。同样地，改性区域72～76也可为由在加工对象物1的厚度方向上所并列设置的多列的改性区域(未图示)所构成。在这种情况下，加工对象物1的厚度方向的改性区域71～76的高度均能够变高，且能够控制其高度。此外，为防止已形成的改性区域会遮蔽激光L，优选，改性区域71a～71f是从离入射面1a远的位置而依序形成的。另外，改性区域71a～71f是与上述改性区域7同样，即可由连续形成的改性区域所构成，也可以由隔以规定的间隔而断续形成的改性区域所构成。
此外，即可以改性区域71～76中的至少1个由多列的改性区域所构成，也可以全部的改性区域71～76为由多列的改性区域所构成。
另外，改性区域71与改性区域72也可以由配置在加工对象物1的厚度方向的同数列的改性区域所构成。由此，加工对象物1的厚度方向的改性区域71及改性区域72的高度容易变为一致。例如图19所示，在改性区域71为由6列的改性区域71a～71f所构成的情况下，优选，改性区域72也为由6列的改性区域(未图示)所构成。
同样地，改性区域73和改性区域74也可以由配置在加工对象物1的厚度方向的同数列的改性区域所构成，改性区域75和改性区域76也可以由配置在加工对象物1的厚度方向的同数列的改性区域所构成。此外，也可以为(a)改性区域71、72，(b)改性区域73、74，及(c)改性区域75、76，当中的至少1个是由同数列的改性区域所构成。例如，可以例举出、改性区域71和改性区域72是由同数列的改性区域所构成，但是改性区域73和改性区域74是由相互不同列数的改性区域所构成，改性区域75和改性区域76皆由相异列数的改性区域所构成的情况。
在其它例子方面，可以举出改性区域71和改性区域72是由同数列(列数a)的改性区域所构成，改性区域73和改性区域74是由同数列(列数b)的改性区域所构成，改性区域75和改性区域76是由同数列(列数c)的改性区域所构成的情况。在这种情况下，列数a、列数b及列数c即可以相同，也可以互异。
以上是针对本发明之最佳实施方式所作的详细说明，然而本发明并不受限于上述实施方式。
例如，在第一工序中，用以形成改性区域71、72的顺序并未被特别限定。另外，在第二工序中，形成改性区域73、74的顺序也未被特别限定。而且，在第三工序中，形成改性区域75、76的顺序也未被特别限定。具体言之，在第一工序中，也可以在形成改性区域71之后再形成改性区域72。另外，在第二工序中，也可以在形成改性区域74之后再形成改性区域73。再者，在第三工序中，也可以在形成改性区域76之后再形成改性区域75。
另外，也可以是通过反复第一～第三工序而在加工对象物1的厚度方向上再形成改性区域。例如，在第三工序之后，也可以在加工对象物1的厚度方向上，再交互地形成沿着切断预定线5a的改性区域和沿着切断预定线5b的改性区域。由此，能够根据加工对象物1的厚度调整在加工对象物1的厚度方向上的改性区域的高度。
另外，改性区域71～76并不限定为通过在加工对象物1的内部产生多光子吸收而被形成的情况。改性区域71～76也可以是通过使在加工对象物1内部产生与多光子吸收同等的光吸收而被形成的情形。
另外，在本实施方式中，是使用硅制的半导体晶片作为加工对象物1，但是半导体晶片的材料不受限于此。在半导体晶片的材料方面，例如可以例举出，硅以外的IV族元素半导体、包含SiC之类的IV族元素的化合物半导体、包含III—V族元素的化合物半导体、包含II—VI族元素的化合物半导体、以及掺杂有各种掺杂剂(不纯物)的半导体等等。
在此，针对上述的图17所示的一实施例中的加工对象物1的切断顺序作详细说明，但本发明并非限定于此实施例。在此实施例中，加工对象物1是厚度725μm的硅晶片。另外，例如改性区域71是由在加工对象物1的厚度方向上并列设置的6列的改性区域71a～71f所形成的(参照图19)。亦即，改性区域71是通过进行6次使激光L沿着切断预定线5a移动的扫描工序而形成的(参照图15(A))。各扫描工序是通过使聚焦点P的位置按照逐渐接近入射面1a的朝向而在6个阶段上移动而进行的。
同样地，改性区域72～74是由在加工对象物1的厚度方向上并列设置的6列的改性区域所形成的，改性区域75、76是由在加工对象物1的厚度方向上并列设置的7列的改性区域所形成的。因此，改性区域71、74、75是合计由19列的改性区域所构成，改性区域72、73、76也是合计由19列的改性区域所构成(参照图16)。
在形成这样的改性区域71～76之后，在加工对象物1上贴附扩展带，再利用扩展装置连同该扩展带一起将加工对象物1切断。将拍摄如此切断的加工对象物1的切断面的照片表示在图17中，作为图。
接着，针对在上述实施例中形成改性区域71～76之际的激光加工条件进行说明。激光L的脉宽为180ns，激光L的照射位置间隔(脉冲间距)为4μm，激光L的频率数为75kHz。另外，载置有加工对象物1的载物台的移动速度是300mm/s。再者，入射面1a到聚焦点P为止的距离(聚焦点位置)与激光L的能量的关系如表1所示。
【表1】
Figure C200580025793D00231
工业上的可利用性
如果根据本发明，则能够提供一种可高精度地切断加工对象物的激光加工方法。

Claims (6)

1.一种激光加工方法，其特征在于，包括：
第一工序，通过使聚焦点对准板状加工对象物的内部并照射激光而沿着所述加工对象物的第一切断预定线，将作为切断起点的第一改性区域形成在所述加工对象物的内部，且沿着与所述第一切断预定线交叉的第二切断预定线，以与所述第一改性区域的至少一部分交叉的方式，将作为切断起点的第二改性区域形成在所述加工对象物的内部；以及
第二工序，在所述第一工序之后，通过使聚焦点对准所述加工对象物的内部并照射激光，在所述第一改性区域和所述激光入射的所述加工对象物的入射面之间的所述加工对象物的内部，沿着所述第一切断预定线形成作为切断起点的第三改性区域，且在所述第二改性区域和所述入射面之间的所述加工对象物的内部，沿着所述第二切断预定线，以与所述第三改性区域的至少一部分交叉的方式形成作为切断起点的第四改性区域。
2.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：
在所述第一工序中，在形成所述第一改性区域之后形成所述第二改性区域，
在所述第二工序中，在形成所述第三改性区域之后形成所述第四改性区域。
3.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：
在所述第一工序中，在形成所述第一改性区域之后形成所述第二改性区域，
在所述第二工序中，在形成所述第四改性区域之后形成所述第三改性区域。
4.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：
在形成所述第一改性区域时，记录所述入射面的第一入射面信息，并使用该第一入射面信息形成所述第三改性区域，
在形成所述第二改性区域时，记录所述入射面的第二入射面信息，并使用该第二入射面信息形成所述第四改性区域。
5.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：
所述第一～第四改性区域的至少1个是由在所述加工对象物的厚度方向上并列设置的多列的改性区域构成。
6.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于：
所述第一及第二改性区域所在的一方或者所述第三及第四改性区域所在的一方中的至少一方是由设置在所述加工对象物的厚度方向上的同数列的改性区域构成。
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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4606741B2 (ja) * 2002-03-12 2011-01-05 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ATE518242T1 (de) 2002-03-12 2011-08-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI520269B (zh) * 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
CN1758985A (zh) * 2003-03-12 2006-04-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法
KR101119387B1 (ko) * 2003-07-18 2012-03-07 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 절단방법
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
KR101336523B1 (ko) 2004-03-30 2013-12-03 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 반도체 칩
JP4694795B2 (ja) * 2004-05-18 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2006013763A1 (ja) * 2004-08-06 2006-02-09 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体装置
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4322881B2 (ja) * 2006-03-14 2009-09-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP2008028347A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Disco Abrasive Syst Ltd 脆化域形成方法
WO2008035679A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428824B1 (ko) * 2006-10-04 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공방법
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
CN102307699B (zh) 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
US9035216B2 (en) 2009-04-07 2015-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Method and device for controlling interior fractures by controlling the laser pulse width
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JP2011146973A (ja) * 2010-01-15 2011-07-28 Seiko Epson Corp 圧電デバイスの製造方法
KR101704028B1 (ko) * 2010-06-21 2017-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP5597051B2 (ja) * 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5653110B2 (ja) 2010-07-26 2015-01-14 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
WO2013058222A1 (ja) 2011-10-18 2013-04-25 富士電機株式会社 固相接合ウエハの支持基板の剥離方法および半導体装置の製造方法
JP6035127B2 (ja) * 2012-11-29 2016-11-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
DE112014001822T5 (de) 2013-04-04 2015-12-24 Fuji Electric Co., Ltd. Verfahren zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung
WO2015018425A1 (de) 2013-08-07 2015-02-12 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum bearbeiten eines plattenartigen werkstückes mit einer transparenten, gläsernen, glasartigen, keramischen und/oder kristallinen lage, trennvorrichtung für ein derartiges werkstück sowie produkt aus einem derartigen werkstück
US11420894B2 (en) 2015-04-24 2022-08-23 Nanoplus Ltd. Brittle object cutting apparatus and cutting method thereof
CN105365061A (zh) * 2015-11-18 2016-03-02 无锡科诺达电子有限公司 一种蓝宝石的精细切割仪
JP6636384B2 (ja) * 2016-05-13 2020-01-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6745165B2 (ja) * 2016-08-09 2020-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6746211B2 (ja) * 2016-09-21 2020-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6775880B2 (ja) * 2016-09-21 2020-10-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN110646875A (zh) * 2019-09-26 2020-01-03 东莞市微科光电科技有限公司 一种滤光片制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01225510A (ja) * 1988-03-04 1989-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体基板の切断分割方法
JP3626442B2 (ja) * 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4050534B2 (ja) * 2002-03-12 2008-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3624909B2 (ja) * 2002-03-12 2005-03-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5162163B2 (ja) * 2007-06-27 2013-03-13 株式会社ディスコ ウェーハのレーザ加工方法

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