ATE469724T1 - Laserbearbeitungsverfahren - Google Patents

Laserbearbeitungsverfahren

Info

Publication number
ATE469724T1
ATE469724T1 AT05765811T AT05765811T ATE469724T1 AT E469724 T1 ATE469724 T1 AT E469724T1 AT 05765811 T AT05765811 T AT 05765811T AT 05765811 T AT05765811 T AT 05765811T AT E469724 T1 ATE469724 T1 AT E469724T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
modified region
cut
line
cutting
become
Prior art date
Application number
AT05765811T
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Sakamoto
Original Assignee
Hamamatsu Photonics Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics Kk filed Critical Hamamatsu Photonics Kk
Application granted granted Critical
Publication of ATE469724T1 publication Critical patent/ATE469724T1/de

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Laser Surgery Devices (AREA)
AT05765811T 2004-07-30 2005-07-14 Laserbearbeitungsverfahren ATE469724T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004224505A JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2004-07-30 レーザ加工方法
PCT/JP2005/013055 WO2006011372A1 (ja) 2004-07-30 2005-07-14 レーザ加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE469724T1 true ATE469724T1 (de) 2010-06-15

Family

ID=35786122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT05765811T ATE469724T1 (de) 2004-07-30 2005-07-14 Laserbearbeitungsverfahren

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7709767B2 (de)
EP (1) EP1777031B1 (de)
JP (1) JP4634089B2 (de)
KR (1) KR101216793B1 (de)
CN (1) CN100496859C (de)
AT (1) ATE469724T1 (de)
DE (1) DE602005021642D1 (de)
ES (1) ES2344708T3 (de)
MY (1) MY141090A (de)
TW (1) TWI354596B (de)
WO (1) WO2006011372A1 (de)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
CN101335235B (zh) 2002-03-12 2010-10-13 浜松光子学株式会社 基板的分割方法
EP1498216B1 (de) * 2002-03-12 2010-12-29 Hamamatsu Photonics K.K. Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts
TWI520269B (zh) * 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
WO2004080643A1 (ja) * 2003-03-12 2004-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法
EP2324950B1 (de) * 2003-07-18 2013-11-06 Hamamatsu Photonics K.K. Zu schneidende Halbleitersubstrate mit behandelter Region und Loch-Region, und Verfahren zum Schneiden dieser Substrate
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US8946055B2 (en) 2004-03-30 2015-02-03 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method for cutting substrate and laminate part bonded to the substrate
JP4694795B2 (ja) * 2004-05-18 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN101434010B (zh) * 2004-08-06 2011-04-13 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体装置
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP4322881B2 (ja) * 2006-03-14 2009-09-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US7897487B2 (en) 2006-07-03 2011-03-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP2008028347A (ja) * 2006-07-25 2008-02-07 Disco Abrasive Syst Ltd 脆化域形成方法
WO2008035679A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008041604A1 (fr) * 2006-10-04 2008-04-10 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé de traitement laser
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
EP2394775B1 (de) 2009-02-09 2019-04-03 Hamamatsu Photonics K.K. Werkstückschneidverfahren
US9035216B2 (en) 2009-04-07 2015-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Method and device for controlling interior fractures by controlling the laser pulse width
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5379604B2 (ja) * 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JP2011146973A (ja) * 2010-01-15 2011-07-28 Seiko Epson Corp 圧電デバイスの製造方法
KR101704028B1 (ko) * 2010-06-21 2017-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP5597051B2 (ja) * 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5653110B2 (ja) * 2010-07-26 2015-01-14 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5725430B2 (ja) 2011-10-18 2015-05-27 富士電機株式会社 固相接合ウエハの支持基板の剥離方法および半導体装置の製造方法
JP6035127B2 (ja) * 2012-11-29 2016-11-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5967211B2 (ja) 2013-04-04 2016-08-10 富士電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
CN105592994B (zh) * 2013-08-07 2018-10-12 通快激光与系统工程有限公司 用于加工板状工件的方法和装置及由这类工件制成的产品
US11420894B2 (en) 2015-04-24 2022-08-23 Nanoplus Ltd. Brittle object cutting apparatus and cutting method thereof
CN105365061A (zh) * 2015-11-18 2016-03-02 无锡科诺达电子有限公司 一种蓝宝石的精细切割仪
JP6636384B2 (ja) * 2016-05-13 2020-01-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6745165B2 (ja) * 2016-08-09 2020-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6746211B2 (ja) * 2016-09-21 2020-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6775880B2 (ja) * 2016-09-21 2020-10-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN110646875A (zh) * 2019-09-26 2020-01-03 东莞市微科光电科技有限公司 一种滤光片制作方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01225510A (ja) * 1988-03-04 1989-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体基板の切断分割方法
JP3292021B2 (ja) * 1996-01-30 2002-06-17 三菱電機株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3626442B2 (ja) * 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3624909B2 (ja) * 2002-03-12 2005-03-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4050534B2 (ja) * 2002-03-12 2008-02-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4634089B2 (ja) 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5162163B2 (ja) * 2007-06-27 2013-03-13 株式会社ディスコ ウェーハのレーザ加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006011372A1 (ja) 2006-02-02
ES2344708T3 (es) 2010-09-03
KR20070049186A (ko) 2007-05-10
JP4634089B2 (ja) 2011-02-16
EP1777031A4 (de) 2009-04-29
CN100496859C (zh) 2009-06-10
US7709767B2 (en) 2010-05-04
EP1777031B1 (de) 2010-06-02
DE602005021642D1 (de) 2010-07-15
KR101216793B1 (ko) 2012-12-28
TWI354596B (en) 2011-12-21
TW200610604A (en) 2006-04-01
MY141090A (en) 2010-03-15
US20090026185A1 (en) 2009-01-29
JP2006043713A (ja) 2006-02-16
EP1777031A1 (de) 2007-04-25
CN1993200A (zh) 2007-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE469724T1 (de) Laserbearbeitungsverfahren
ATE512751T1 (de) Laserbearbeitungsverfahren
MY141077A (en) Laser processing method
MY146877A (en) Laser processing method and laser processing apparatus
TW200721286A (en) Method and device for laser beam machining
EP1494271A4 (de) Verfahren zum auftrennen eines substrats
MY172847A (en) Laser processing method and semiconductor apparatus
MY147331A (en) A machining method using laser
EP1649965A4 (de) Lasterstrahlbearbeitungsverfahren, laserstrahlbearbeitungsvorrichtung und durch laser maschinell bearbeitetes produkt
ATE556807T1 (de) Laserverarbeitungsverfahren
WO2008084642A1 (ja) レーザ加工装置及びそれを用いたレーザ加工方法
MY146899A (en) Laser processing method and semiconductor chip
PL1995013T3 (pl) Sposób i system zapewniające wyeliminowanie zewnętrznego przebijania otworów podczas sterowanego numerycznie wycinania zgrupowanych elementów
DE502008002281D1 (de) Verfahren zur herstellung eines brillenglases
SG10201902670RA (en) Wafer processing method
TW200626276A (en) Laser processing method and laser processing apparatus
ATE376473T1 (de) Verfahren zur bestimmung der fokuslage eines laserstrahls
SG10201807747VA (en) Wafer processing method
CN104400029A (zh) 一种能够有效提高可转位刀片使用性能的制备方法
ATE419817T1 (de) Vorrichtung zum ausbilden von schnittflächen in einem transparenten material
ATE369227T1 (de) Verfahren zum schneiden von zu fügenden bauteilen mit laserstrahlung
SG10201807745YA (en) Wafer processing method
CN107546300B (zh) 一种led芯片的切割及劈裂方法
TW200709881A (en) Laser cutting apparatus and method
CN104759763A (zh) 一种激光切割烟支及咀棒的方法

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties