JP5269356B2 - レーザ加工方法 - Google Patents
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Description
また、第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する工程においては、一方の表面からレーザ光を入射して切断予定ラインに沿って、第1の改質領域を形成し、第1の改質領域を形成した後に、一方の表面からレーザ光を入射して切断予定ラインに沿って、第1の改質領域と他方の表面との間に位置する第2の改質領域を形成することが好ましい。
また、加工対象物の一方の表面又は他方の表面にエキスパンドテープを貼り付ける工程と、加工対象物が切断予定ラインに沿って切断されるようにエキスパンドテープを拡張する工程と、を含むことが好ましい。
(A)加工対象物:パイレックス(登録商標)ガラス(厚さ700μm)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
(A)加工対象物:シリコンウェハ(厚さ350μm、外径4インチ)
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
〔第1実施形態〕
〔第2実施形態〕
〔第3実施形態〕
〔第4実施形態〕
理領域133の長さは15〜20μmである。
Claims (10)
- 一方の表面と前記一方の表面に対向する他方の表面とを備える板状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記加工対象物の内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記一方の表面から前記レーザ光を入射して前記切断予定ラインに沿って、前記加工対象物の厚さ方向に並ぶ第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する工程と、
前記第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する工程の後に、前記一方の表面から前記レーザ光を入射し且つ前記第1の改質領域もしくは前記第2の改質領域の何れかを通過させることで、前記切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域と前記第2の改質領域との間に位置する第3の改質領域を、少なくとも前記第1の改質領域と前記第2の改質領域との間に渡る割れが発生するように形成する工程と、を含むことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する工程においては、
前記一方の表面から前記レーザ光を入射して前記切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域を形成し、
前記第1の改質領域を形成した後に、前記一方の表面から前記レーザ光を入射して前記切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域と前記一方の表面との間に位置する前記第2の改質領域を形成することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。 - 前記第1の改質領域及び第2の改質領域を形成する工程においては、
前記一方の表面から前記レーザ光を入射して前記切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域を形成し、
前記第1の改質領域を形成した後に、前記一方の表面から前記レーザ光を入射して前記切断予定ラインに沿って、前記第1の改質領域と前記他方の表面との間に位置する前記第2の改質領域を形成することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。 - 前記第3の改質領域を形成した後に、前記切断予定ラインに沿って、前記第2の改質領域と前記第3の改質領域との間に位置する第4の改質領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項2又は3記載のレーザ加工方法。
- 前記第3の改質領域は、前記切断予定ラインの略全体に沿って形成されることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 前記第3の改質領域は、前記切断予定ラインの一端部分に沿って形成されることを特徴とする請求項1又は5記載のレーザ加工方法。
- 前記第3の改質領域は、前記第1の改質領域及び前記第2の改質領域のうち、前記加工対象物においてレーザ光が入射するレーザ光入射面に近い一方の改質領域側に偏倚するように形成されることを特徴とする請求項1、5〜6の何れか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物は半導体基板を備え、前記改質領域は溶融処理領域を含むことを特徴とする請求項1〜7の何れか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記改質領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する工程を含むことを特徴とする請求項1〜8の何れか一項記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物の前記一方の表面又は前記他方の表面にエキスパンドテープを貼り付ける工程と、
前記加工対象物が前記切断予定ラインに沿って切断されるように前記エキスパンドテープを拡張する工程と、を含むことを特徴とする請求項1〜9の何れか一項記載のレーザ加工方法。
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