JP2008112028A - 表示パネルの製造方法、および表示パネル - Google Patents

Abstract

【課題】表示パネルの基板の強度を上げることができる表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】表示パネル１００は、大サイズの基板を切断することによって作製される。表示パネル１００は、上側基板３００と下側基板２００とに挟まれた空間であってシール材７００の外側の空間１０１には、毛管現象によって上昇するエッチング液５１を堰き止める堰き止め部７０１を備える。表示パネルをエッチングするときには、配線パターンが設けられる領域２０１および堰き止め部７０１をエッチング液５１の液面より高い位置に保ったまま、表示パネル１００をエッチング液に浸す。その結果、エッチングされた部分の傷の断面形状が滑らかになり、表示パネル１００の強度が上がる。
【選択図】図９

Description

本発明は、液晶表示パネルなどの表示パネルの製造方法、および表示パネルに関し、特に、表示パネルの基板の強度を改善することができる表示パネルの製造方法、および表示パネルに関する。

液晶表示パネルなどの平面型表示パネルは、薄型、軽量、低消費電力であるという特徴を有する。そのような特長を生かして、携帯電話機を始めとする小型軽量の端末機器に広く採用されている。小型軽量の端末機器に搭載される表示パネルは、携帯性をより向上させたいという要求やデザイン上の要求等から、さらなる薄型化が要請されている。液晶表示パネルの構造は、２枚のガラス基板等の基板の間に液晶材料等が注入された構造であるが、液晶表示パネルを薄型にするために、基板の厚さは、例えば研磨によって薄くされる（例えば、特許文献１参照。）。

液晶表示パネルを製造する場合には、大サイズの基板（複数の表示パネルとなる部分を含む基板）を切断することによって、複数の液晶表示パネルを得るようにすることが多い（例えば、特許文献１参照。）。ガラス基板を切断する方法として、例えば、ホイールカッタ等で切断箇所に切れ目（スクライブライン）を形成するスクライブ工程と、スクライブラインに沿って割断するブレーク工程とからなるスクライブ法がある（例えば、特許文献２参照。）。その他、レーザ光で切断箇所にスクライブラインを形成した後に割断するスクライブ法や、レーザ光でガラス基板を切断する方法や、水圧でガラス基板を切断するウォータージェット法などがある。

図１５は、特許文献２に記載されているガラス基板の切断面（斜線部分）を示す説明図である。特許文献２に記載されているように、ホイールカッタ６０によってスクライブライン２０を形成していくときに、スクライブライン２０の下部にリブマーク（Rib Mark）２１と呼ばれる割れ目が形成される。リブマーク２１は、スクライブライン２０から、スクライブライン２０の進行方向に対して後方下に垂れ下がるように形成される。また、特許文献２には、リブマーク２１とともに、円弧状のウォルナーライン（Wallner Line）２２と呼ばれる刻印が形成されることも記載されている。そして、特許文献２に記載されている発明では、基板の切断面において、ウォルナーライン２２を低減できるが、リブマーク２１の形成を防止することはできない。なお、図１５において、一つのリブマーク２１および一つのウォルナーライン２２にのみ符号が付されているが、多数のリブマーク２１およびウォルナーライン２２が形成される。

グリフィス（Griffith）の理論によれば、ガラス等の材料に割れ目（切れ目、傷）が生じた場合に、割れ目の深さを２ｃ、材料のヤング率をＥ、表面エネルギをγとすると、破壊強度σは、（１）式のように表される（例えば、非特許文献１参照）。
σ＝√（γＥ／ｃ） ・・・（１）

特開２００５−７７９４５号公報（段落００１７−００２２） 特開２０００−１１９０３１号公報（段落０００２） 「岩波 理化学事典」（第５版）岩波書店、１９９８年２月２０日、ｐ．３８１

非特許文献１には、割れ目の形状などにもとづいて（１）式を変形しうることが記載されているが、例えば、破壊強度σを（２）式のように表すことができる。（２）式において、Ｋ_ＩＣは破壊靭性値、ａは割れ目の長さ、Ｙは割れ目の形状にもとづく係数である。

σ＝（１／Ｙ）（Ｋ_ＩＣ／√ａ） ・・・（２）

（２）式において、割れ目の長さａが大きいほど、破壊強度σの値は小さくなる。また、Ｙの値は、割れ目の断面形状が鋭角的であるほど大きい。

図１６（Ａ）は、リブマーク２１が形成されたガラス基板の断面Ｐの一部を模式的に示す説明図である。図１６（Ｂ）は、ガラス基板の背面側から見た斜視図である。図１６に示すように、リブマーク２１の断面形状は鋭角的（略三角形）である。よって、（２）式より、破壊強度σの値は小さくなる。つまり、破壊し始める応力の値が小さくなる。すなわち、表示パネルの基板の強度が低下するという課題がある。

本発明は、上記のような課題を解決するための発明であって、表示パネルの基板の強度を上げることができる表示パネルの製造方法、およびそのような製造方法に適用される表示パネルを提供することを目的とする。

本発明による表示パネルの製造方法は、大サイズの基板を切断することによって複数の表示パネルを得る表示パネルの製造方法において、２枚の基板間に、各表示パネルの表示部を区画するシール材を配して、その２枚の基板を貼り合わせて大サイズの基板を作製し、大サイズの基板を切断して、上側基板と下側基板とが積層された構造であり、上側基板と下側基板とのうちの一方には、他方の基板が積層されない領域があり、その領域には、電気信号を伝達するための配線が形成されている表示パネルを作製し、配線が形成されている領域をエッチング液の液面よりも高い位置に保ち、表示パネルをエッチング液に浸してエッチングを行うことを特徴とする。

表示パネルが備える上側基板および下側基板に挟まれた空間であってシール材より外側の空間をエッチング液が毛管現象によって上昇して配線に到達するまでの時間よりも短い時間だけ、表示パネルに対してエッチングを行ってもよい。

表示パネルが備える上側基板および下側基板に挟まれた空間であってシール材より外側の空間に、毛管現象によって上昇するエッチング液を堰き止める堰き止め部を作製し、配線が形成されている領域およびその堰き止め部をエッチング液の液面よりも高い位置に保ち、表示パネルをエッチング液に浸してエッチングを行ってもよい。

本発明による表示パネルは、上側基板と下側基板とが積層された構造であり、上側基板と下側基板とのうちの一方には、他方の基板が積層されていない領域があり、その領域には、電気信号を伝達するための配線が形成されている表示パネルであって、表示パネルの表示部を区画し、上側基板と下側基板とを貼り付けるシール材を備え、上側基板および下側基板に挟まれた空間であってシール材より外側の空間内に、その空間に沿って移動する液体を堰き止める堰き止め部を備えたことを特徴とする。

配線が形成されている領域をエッチング液の液面よりも高い位置に保ち、表示パネルをエッチング液に浸してエッチングを行うことによって、切断面に形成されているリブマーク等の傷の断面形状の鋭角性が弱まって、破壊強度が高くなる。すなわち、表示パネルの基板の強度を高くすることができる。また、配線がエッチング液で腐食してしまうことを防止できる。すなわち、エッチング液による配線の腐食を防止しつつ、表示パネルの基板の強度を高くすることができる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明による表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。図２は、大サイズの基板である貼り合わせ基板４００の一例を示す平面図である。ここでは、表示パネルとして、ＴＦＴ（Thin Film Transistor ）型液晶表示パネルを例にする。貼り合わせ基板４００は、ガラス基板によるアレイ基板とガラス基板による対向基板とが一体化されたものである。一体化とは、例えば、接着剤で貼り合わされていることであるが、一般に、アレイ基板と対向基板とは直に接している訳ではない。

貼り合わせ基板４００から、それぞれが表示部（図２において破線で示す。）を有する複数の表示パネルが得られる。アレイ基板には、それぞれの表示部の信号ライン、走査ライン、ＴＦＴ、画素電極等が形成されている。対向基板には、それぞれの表示部毎のコモン電極等が形成されている。

アレイ基板と対向基板とは、シール材によって貼り合わせられている。ここでは、研磨前のアレイ基板の厚さおよび対向基板の厚さは、それぞれ、０．４ｍｍであるとする。アレイ基板および対向基板が研磨装置による機械的研磨によって薄型化された後、貼り合わせ基板４００が切断される。そして、切断後のそれぞれに対してシール材に設けられている注入口から液晶材料が真空注入法により注入されて液晶層が形成される。なお、切断前に、液晶滴下法ＯＤＦ（One Drop Fill ）により液晶層を形成してもよい。

図３は、表示パネルを示す説明図である。図３に示すように、貼り合わせ基板を切断することによって得られた表示パネル１００は、アレイ基板が切断されて得られた下側基板２００と対向基板が切断されて得られた上側基板３００とが貼り合わせられた構造になっている。この実施の形態では、下側基板２００には、上側基板３００と対向しない領域（露出している領域，配線が設けられている領域）２０１があり、領域２０１には、ＭＰＵ（Micro Processing Unit ）等からの信号を伝達するためのフレキシブル基板（フレキシブルケーブル）を接続したり、駆動用ＩＣを搭載したり、表示部に至る信号線と駆動用ＩＣとを接続したりするための配線パターンすなわち電気信号を伝達するための配線が設けられている。なお、図３には、駆動用ＩＣがまだ実装されていない状態が示されている。

図１のフローチャートを参照して本発明による表示パネルの製造方法の工程を説明する。まず、アレイ基板および対向基板に電極等を形成する（ステップＳ１）。すなわち、アレイ基板に、信号ライン、走査ライン、ＴＦＴ、画素電極等を形成する。さらに、配向膜などを積層する。また、対向基板にコモン電極等を形成する。さらに、配向膜などを積層する。

そして、各表示パネルの表示部を区画するように配されたシール材および基板間の周辺部分に配された周辺シール材で、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせ、貼り合わせ基板４００を形成する（ステップＳ２）。液晶滴下法を用いる場合は基板貼り合わせと同時に液晶層を形成する。また、液晶の真空注入法を用いる場合、シール材には、液晶材料を注入するための注入口が設けられる。

次いで、貼り合わせ基板４００を研磨装置にセットする。ここでは、両面研磨装置を用いることにする。よって、貼り合わせ基板４００を両面研磨装置の上定盤と下定盤との間に挟む。そして、研磨装置に、上定盤による研磨量として０．３ｍｍを設定し、下定盤による研磨量として０．３ｍｍを設定し、研磨装置を作動させる（ステップＳ３）。研磨前の貼り合わせ基板４００の厚さは０．８ｍｍであるから、研磨後には、貼り合わせ基板４００の厚さは０．２ｍｍになる。なお、アレイ基板と対向基板との間には空隙が存在するが、その間隔は基板の厚さに比べて極めて小さい。また、ここでは、薄型の表示パネルを作製することを想定しているが、表示パネルの厚さが、アレイ基板（未研磨状態の基板）の厚さと対向基板（未研磨状態の基板）の厚さとの和の程度でよい場合には、ステップＳ３の工程は不要である。

次に、貼り合わせ基板４００を切断する（ステップＳ４）。ここでは、ホイールカッタでスクライブラインを形成するスクライブ工程と、スクライブラインに沿って割断するブレーク工程とからなるスクライブ法を使用することにする。よって、スクライブラインの下部にリブマークが形成される。

リブマークが形成される箇所は、図３に示す切断面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕである。特に、切断面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕにおいてスクライブラインに近い側である（図１５参照）。なお、図３において紙面背面側に位置する下側基板２００および上側基板３００の各切断面にもリブマークが形成されている。また、切断面Ｒ，Ｓは同一平面上にあり、切断面Ｔ，Ｕは同一平面上にあり、紙面背面側に位置する各切断面は同一平面上にある。すなわち、切断面Ｒ，Ｓについてのスクライブラインは、表示パネル１００の表面に直交する同一面上に位置し、紙面背面側に位置する各切断面についてのスクライブラインは、表示パネル１００の表面に直交する同一面上に位置する。しかし、切断面Ｐと切断面Ｑについてのスクライブラインはずれている。

この実施の形態では、各切断面をソフトエッチングする。例えば、ふっ酸（ふっ化水素：ＨＦ）、硫酸や硝酸などの強酸、もしくは苛性ソーダ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの強アルカリ、またはその化合物を含む水溶液等のエッチング液に、表示パネル１００を浸す。

図４は、エッチング液への表示パネル１００の好ましくない浸漬態様を示す説明図である。図４に例示するように、表示パネル１００全体をエッチング液５１に浸すと、配線パターンが設けられている領域２０１もエッチング液に浸される。領域２０１には、表示部から延びるＩＴＯなどの透明電極や金属配線などが存在し、それらがエッチング液５１によって劣化（腐食）してしまう。よって、表示パネル１００全体をエッチング液５１に浸す浸漬態様は好ましくない。

図５は、エッチング液への表示パネル１００の好ましい浸漬態様を示す説明図である。本発明では、図５に示すように、配線パターンが設けられている領域２０１をエッチング液に浸さずに、他の部分をエッチング液に浸す。すなわち、配線パターンが設けられている領域２０１をエッチング液５１の液面よりも高い位置に保ち、表示パネル１００に対してエッチングを行う。ただし、表示パネル１００をエッチング液に浸す時間が長いと、毛管現象によってエッチング液５１が上側基板３００と下側基板２００との間隙を上昇し、領域２０１に設けられている配線の一部を腐食させてしまう。

図６は、毛管現象によってエッチング液が上昇した場合に腐食してしまう部分を示す説明図である。以下、上側基板３００の端部のうち、配線パターンが設けられている領域２０１に存在する端部を配線側端部３０１と記す。エッチング液５１は、基板２００，３００およびシール材７００で封止された表示部の領域に浸入することはないが、上側基板３００と下側基板２００とに挟まれた空間であってシール材７００の外側の空間１０１には浸入する。また、この空間１０１は狭い空間であるので、空間１０１に浸入したエッチング液は毛管現象によって上昇し、配線側端部３０１まで上昇すると、さらにシール材７００に沿って水平に進んでいく。従って、領域２０１に配置された配線２０２のうち、シール材７００から配線側端部３０１までに配置された部分２０３は、エッチング液によって、腐食されてしまうおそれがある。

エッチング液が毛管現象によって、領域２０１に配置された配線に到達するまでの時間をＴａとする。図５に示すように、配線パターンが設けられている領域２０１をエッチング液に浸さずに、他の部分をエッチング液に浸す場合、エッチング液に浸す時間をＴａ未満とすればよい。

図７は、表示パネル１００のうちのエッチング液５１に浸す部分を示す説明図である。配線パターンが設けられている領域２０１をエッチング液に浸さないようにして（すなわち領域２０１をエッチング液の液面５２より高い位置に保つようにして）、配線側端部３０１とエッチング液の液面５２との距離が２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるように、表示パネル１００をエッチング液に浸すことが好ましい。配線側端部３０１とエッチング液の液面５２との距離が２ｍｍ未満であると、毛管現象によりエッチング液５１が配線２０２に速く到達してしまうために、エッチング時間を十分に確保できない。また、配線側端部３０１とエッチング液の液面５２との距離を１０ｍｍよりも大きくしてしまうと、エッチング液に浸されない部分も多くなってしまう。そのため、配線側端部３０１とエッチング液の液面５２との距離は２ｍｍ以上１０ｍｍ以下とすることが好ましい。

領域２０１をエッチング液に浸さないようにして表示パネル１００をエッチング液５１に浸す時間は、浸漬開始時からエッチング液が領域２０１に配置された配線２０２に到達するまでの時間Ｔａ未満とする。ただし、エッチング液が領域２０１に配置された配線２０２に到達するまでの時間Ｔａは、配線側端部３０１とエッチング液の液面５２との距離、上側基板３００と下側基板２００とのギャップ、温度、エッチング液の種類によって決まる。予め、配線側端部３０１とエッチング液の液面５２との距離、上側基板３００と下側基板２００とのギャップ、温度、エッチング液の種類を定めておき、その条件における時間Ｔａを実験的に明らかにして、その時間Ｔａよりも短い時間、表示パネル１００をエッチング液５１に浸せばよい。

配線パターンが設けられている領域２０１をエッチング液５１の液面より高い位置に保ったままソフトエッチングが完了すると、表示パネル１００を洗浄する（ステップＳ６）。例えば、純水を表示パネル１００に吹き付け、表示パネル１００から純水を流下させる。

そして、下側基板２００の表面側（上側基板３００に対向する面と反対側）に偏光板を貼り付け、上側基板３００の表面側（下側基板２００に対向する面と反対側）に偏光板を貼り付ける（ステップＳ７）

図８（Ａ）は、この実施の形態の表示パネルの製造方法によって作製された表示パネル１００の断面（斜線部分）Ｐの一部を模式的に示す説明図である。図８（Ｂ）は、ガラス基板の背面側から見た斜視図である。図８に示すように、リブマーク２１の断面形状は曲線状である。よって、（２）式より、破壊強度σの値は、図１６に示されたような断面形状が鋭角的である場合に比べて、大きくなる。つまり、ガラス基板が破壊し始めるときの応力の値が大きくなる。すなわち、表示パネルの基板の強度が高くなる。

本発明によれば、エッチング液に浸されない部分ではリブマークは曲線状にならないが、エッチングした部分ではリブマークは曲線状になり、エッチングした部分の強度は上がっている。従って、表示パネル１００のどの箇所にもエッチングしない場合に比べ、表示パネル１００全体としての強度は高くなる。

また、エッチング液が領域２０１に配置された配線２０２に到達するまでの時間Ｔａよりも短い時間だけ、配線パターンが設けられている領域２０１をエッチング液５１の液面よりも高い位置に保ちつつ、表示パネル１００にエッチングを行う。よって、本発明によれば、領域２０１に配置された配線パターンを腐食させることなく、強度の高い表示パネルを製造することができる。

なお、エッチング液５１におけるふっ酸の濃度に特に制限はないが、１０重量％程度のふっ酸またはその化合物を含む水溶液であることが好ましい。濃度が低い場合にはエッチングを完了するのに時間がかかり、濃度が高すぎると、エッチング速度が速くなってエッチング量を所望の程度にするための制御が難しくなる。また、エッチング液５１の温度は、室温（例えば、２２℃）程度でよい。温度が低い場合にはエッチングを完了するのに時間がかかり、温度が高すぎると、エッチング速度が速くなってエッチング量を所望の程度にするための制御が難しくなる。

また、この実施の形態では、表示パネル１００の厚さとして０．２ｍｍを例示したが、それよりも薄い表示パネル１００であっても、本発明を適用可能であり、また、それよりも厚い表示パネル１００であっても、本発明を適用可能である。

また、上記の説明では、リブマークの影響（強度を低下させること）を低減することによって表示パネル１００の強度を高める場合について説明したが、本発明によれば、切断面におけるリブマーク以外の傷の断面形状も鋭角的から曲線状に変化する。すなわち、リブマーク以外の傷の影響も低減される。例えば、レーザ光で切断箇所にスクライブラインを形成した後に割断するスクライブ法や、レーザ光でガラス基板を切断する方法や、水圧でガラス基板を切断するウォータージェット法などで貼り合わせ基板４００を切断した場合には、ホイールカッタでスクライブラインを形成した後に割断する場合に比べて、リブマーク等が生じにくい。

しかし、それらの方法を使用した場合でも、何らかの理由で上記のステップＳ５の工程の前に切断面に傷が付く可能性がある。例えば、ガラス基板はカセットに収納された状態で移動したり、カセットから出し入れされる。その際に、カセットと接触することで傷が生ずることがある。そのような傷についても、ソフトエッチングによって断面形状が鋭角的から曲線状に変化するので、その傷による強度への影響を低減できる。

さらに、本発明では、表示パネル１００表面（切断面以外の面）の大部分はエッチング液に浸される。従って、表示パネル１００表面に生じた傷の断面形状も、ソフトエッチングによって鋭角的から曲線状に変化する。よって、その傷による強度への影響（強度を低下させること）を低減できる。

なお、上記の実施の形態では、表示パネル１００としてＴＦＴ型表示パネルを例にしたが、表示パネルがＳＴＮ（Super Twisted Nematic ）型やＴＮ型などのパッシブマトリクス駆動の表示パネルであっても本発明を適用できる。表示パネル１００がＳＴＮ型表示パネルである場合には、下側基板２００は、例えば走査電極等が配されたコモン基板であり、上側基板３００は、例えば信号電極等が配されたセグメント基板である。また、他の平面型表示パネル、例えば、有機ＥＬ(Electroluminescence ) 表示パネル等の自発光型表示パネルにも本発明を適用できる。例えば、表示パネル１００が有機ＥＬ表示パネルである場合には、下側基板２００は、例えば電極や有機ＥＬ素子が積層された基板であり、上側基板３００は、例えば保護用の基板である。

上記の実施の形態では、表示パネル１００をエッチング液に浸す時間を、エッチング液が領域２０１に配置された配線２０２に到達するまでの時間Ｔａより短くする場合を示した。上側基板３００と下側基板２００とに挟まれた空間であってシール材７００の外側の空間１０１（図６参照。）に堰き止め部を設けて、エッチング液が堰き止め部よりも上方に浸入しないようにしてもよい。以下、堰き止め部を備えた表示パネルをエッチング液に浸す場合について説明する。

図９は、堰き止め部を備えた表示パネルをエッチング液に浸した状態を示す説明図である。堰き止め部７０１を備えた表示パネル１００をエッチング液に浸す場合にも、既に説明した場合と同様に、配線パターンが設けられている領域２０１をエッチング液５１の液面よりも高い位置に保つようにして表示パネル１００をエッチング液に浸す。ただし、堰き止め部７０１もエッチング液５１の液面よりも高い位置に保つ。

図１０は、堰き止め部を備えた表示パネルの構成例を示す説明図である。この表示パネルも、上側基板３００と下側基板２００とがシール材７００によって貼り付けられた構成となっている。シール材７００は、表示パネル１００の表示部（画像を表示する領域）を区画している。すなわち、シール材７００に囲まれた領域が表示部となる。堰き止め部７０１は、上側基板３００と下側基板２００とに挟まれた空間であってシール材７００の外側の空間１０１に設けられる。また、堰き止め部７０１は、シール材７００、上側基板３００および下側基板２００に接触し、堰き止め部７０１の端部のうちシール材７００側の端部と反対側の端部は、上側基板３００および下側基板２００の端部まで到達する。このような構成により、堰き止め部７０１は、毛管現象によって空間１０１を上昇するエッチング液５１を堰き止める。従って、配線２０２のうち、シール材７００から配線側端部３０１までに配置された部分２０３までエッチング液が到達することはなく、配線２０２がエッチング液によって腐食してしまうことを防止することができる。そして、表示パネル１００のうち、エッチング液５１に浸した部分では、傷の断面形状を鋭角的から曲線的に変化させることができ、表示パネルの強度の上げることができる。

堰き止め部７０１は、配線パターンが設けられる領域２０１が存在する辺に隣接している各辺に設けられる。ただし、配線パターンが設けられる領域２０１が存在する辺に隣接する辺にも、配線パターンが設けられる領域２０１が存在する場合がある。この場合、配線パターンが設けられる領域２０１が存在する辺に隣接する各辺のうち、配線パターンが設けられる領域２０１が存在していない方の辺にのみ堰き止め部７０１を設ける。配線パターンが設けられる領域２０１が表示パネル１００の１つの辺にのみ存在する場合には、その辺の両隣の各辺にそれぞれ堰き止め部７０１を設ける。

堰き止め部７０１を作製する場合、シール材７００と一体形成してもよいし、シール材７００とは別の部材によって堰き止め部７０１を作製してもよい。シール材７００と堰き止め部７０１とを一体形成する場合、ステップＳ２において、各表示部を区画するように基板（アレイ基板または対向基板）にシール材を配し、さらに、配線パターンが設けられる領域２０１が存在する辺に隣接する辺におけるシール材から、外側に伸びるようにシール材を配して、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせればよい。領域２０１が存在する辺に隣接する辺におけるシール材から外側に伸びるように配置されたシール材が堰き止め部７０１となる。

ステップＳ３の後のステップＳ４において、貼り合わせ基板４００を切断するときには、領域２０１が存在する辺に隣接する辺におけるシール材から外側に伸びるように配置されたシール材の端部も合わせて接続する。この結果、堰き止め部７０１の端部が上側基板３００および下側基板２００の端部まで到達している状態となる。

また、堰き止め部７０１を、シール材とは別の部材（例えば、樹脂）で形成してもよい。その場合、ステップＳ４で貼り合わせ基板４００を切断した後、貼り合わせ基板４００の切断によって得られた各表示パネル１００に個別に堰き止め部７０１を作製する。このとき、配線パターンが設けられる領域２０１が存在する辺に隣接する辺における空間１０１（上側基板３００と下側基板２００とに挟まれた空間であってシール材７００の外側の空間）に、例えばエポキシ樹脂を筆などで浸入させる。空間１０１は微小な空間であるので、毛管現象によってエポキシ樹脂は空間１０１に浸入し、空間１０１にて硬化する。この結果、硬化したエポキシ樹脂が堰き止め部７０１となる。

堰き止め部７０１とシール材７００とを一体形成した場合、シール材７００を配置した後、樹脂などで個別に堰き止め部を設ける必要がない。すなわち、ステップＳ４の後に、堰き止め部を作製する工程を必要としない。従って、表示パネルの製造工程を簡易にすることができる。なお、堰き止め部７０１とシール材７００とを一体形成した場合、ステップＳ４において、堰き止め部７０１となるシール材とともに貼り合わせ基板４００を切断すると、水平クラックが生じやすくなる。水平クラックは、表示パネルの強度低下の一因となる。

また、シール材７００とは別の材料を用いて、ステップＳ４の後に堰き止め部７０１を作製する場合には、ステップＳ４では、基板のみを切断すればよく、水平クラックは発生しにくい。一方、ステップＳ４の後、堰き止め部７０１を作製することになるので、表示パネルの製造工程が増えることになる。

堰き止め部７０１をシール材７００と一体形成するか、あるいば別途作製するかは、水平クラックの発生抑止と、製造工程の簡易化のいずれを優先させるかによって決定すればよい。水平クラックの発生抑止を優先させる場合には、ステップＳ４の後に堰き止め部７０１を別途作製すればよい。また、製造工程の簡易化を優先する場合には、堰き止め部７０１をシール材７００と一体形成すればよい。

図１１は、堰き止め部７０１の好ましい配置位置の例を示す説明図である。なお、図１１では、上側基板３００と下側基板２００とに挟まれた空間であってシール材７００の外側の空間にエポキシ樹脂を浸入させて、堰き止め部７０１を作製した場合の例を示している。この場合、エポキシ樹脂は毛管現象により、浸入した空間内で広がるので堰き止め部７０１は比較的大きくなる。堰き止め部７０１は、配線端末部３０１を中心にして領域２０１よりも反対側に設けられる。また、堰き止め部７０１を別途形成する場合、堰き止め部７０１は、配線端末部３０１との距離が２ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲に設けられることが好ましい。堰き止め部７０１をエッチング液の液面よりも高い位置に保つにしてエッチングを行うため、配線端末部３０１と堰き止め部７０１との距離を１０ｍｍ以上とすると、表示パネル１００のうちエッチング液に浸す範囲が狭くなってしまう。また、毛管現象を利用してエポキシ樹脂などの材料を上側基板３００と下側基板２００とに挟まれた空間に浸入させる場合、配線端末部３０１との距離が近すぎると、エポキシ樹脂などの材料自体が毛管現象によって配線２０２に到達してしまう。そのため、堰き止め部７０１と配線端末部３０１との距離は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下とすることが好ましい。

一方、堰き止め部７０１とシール材７００とを一体形成する場合には、堰き止め部７０１は広がることはなく、所望の位置に堰き止め部７０１を形成することができる。この場合、堰き止め部７０１と配線端末部３０１との距離は２ｍｍ以内であってもよい。図１２は、シール材７００と一体形成する場合の堰き止め部７０１の配置位置の例を示す説明図である。図１２に示すように、領域２０１が存在する辺におけるシール材７００と配線端末部３０１との距離をＤとしたときに、配線端末部３０１との距離がＤ以上離れた範囲に堰き止め部７０１を設ける。

また、図９から図１２では、１つの辺に堰き止め部７０１を１つ設ける場合を示した。１つの辺に設ける堰き止め部の数は複数であってもよい。図１３は、配線パターンが設けられている領域２０１が存在する辺に隣接する各辺に、それぞれ２つずつ堰き止め部７０１を有する表示パネルの例を示す説明図である。図１３に示すように、１辺に堰き止め部７０１を複数設けると、毛管現象によるエッチング液の上昇の防止をさらに確実にすることができる。ただし、一辺に設ける堰き止め部７０１の数は１〜３個とすることが好ましく、特に２個とすることが好ましい。一辺に設ける堰き止め部７０１の数が増えると、各堰き止め部７０１を全てエッチング液の液面よりも高い位置に保ってエッチングを行うことになるので、表示パネル１００のうちエッチング液に浸す範囲が狭くなる。そのため、一辺に設ける堰き止め部７０１の数は最大でも３個とすることが好ましい。

堰き止め部７０１を備えた表示パネルをエッチング液に浸す場合、領域２０１だけでなく堰き止め部７０１も液面より高い位置に保ち、表示パネル１００をエッチング液に浸す。このとき、堰き止め部７０１とエッチング液の液面の間隔は１〜３ｍｍとすることが好ましく、特に、１ｍｍとすることが好ましい。堰き止め部７０１を液面に近づけすぎると、エッチング液が堰き止め部７０１よりも上部に浸入してしまうおそれがが生じ、また、堰き止め部７０１と液面との距離を大きくしすぎると、表示パネル１００のうちエッチング液に浸す範囲が狭くなってしまうためである。

また、配線パターンが設けられている領域２０１が表示パネル１００の２辺に設けられていてもよい。図１４は、２辺に領域２０１を備えた表示パネル１００の例を示す説明図である。堰き止め部７０１は、配線パターンが設けられる領域２０１が存在する辺に隣接する各辺のうち、配線パターンが設けられる領域２０１が存在していない方の辺にのみ設けられる。従って、堰き止め部７０１は、４つの辺のうち、互いに隣接する辺に設けられる（図１４（ａ）参照。）。この表示パネルをエッチングする場合、図１４（ｂ）に示すように、各領域２０１および各堰き止め部７０１がエッチング液の液面より高くなるようにして、表示パネル１００をエッチング液に浸す。２辺に領域２０１を備えた場合、エッチング液に浸すことができる面積は、１辺のみに領域２０１を備えた表示パネルよりも少なくなるが、少なくともエッチング液に浸した部分では、傷の断面形状を鋭角的から曲線的に変化させることができ、表示パネルの強度を上げることができる。

板厚０．４ｍｍの表示パネルに対して、以下のようにエッチングを行った。なお、この表示パネルにおける上側基板３００と下側基板２００との間隙は、約４μｍであった。また、下側基板２００の領域２０１には、ＩＴＯやＣｒ、その他の金属配線を設けた。表示パネルにおける領域２０１の両側の各辺において、上側基板３００と下側基板２００との間隙にエポキシ樹脂を塗布した。塗布したエポシキ樹脂は、毛管現象によって、上側基板３００と下側基板２００との間隙に浸入し、硬化した。この硬化したエポキシ樹脂が堰き止め部７０１（図１１参照。）である。このようにして、配線端末部３０１を中心にして領域２０１よりも反対側であって、配線端末部３０１から２ｍｍ離れた場所に堰き止め部７０１を作製した。なお、表示パネルにおける領域２０１の両側の各辺には、堰き止め部７０１をそれぞれ１つ作製した。

エッチング液として、ふっ酸と塩酸との混合液を用いた。エッチングを行った部屋の温度は２４℃とした。

配線パターンが設けられた領域２０１および堰き止め部２０１をエッチング液の液面よりも高い位置に保つようにして、表示パネルをエッチング液に１２０秒間浸した。表示パネルをエッチング液から取り出して、領域２０１を観察したところ、領域２０１に配置された配線パターンは腐食していなかった。

［比較例］実施例と同様に、板厚が０．４ｍｍであって、上側基板３００と下側基板２００との間隙が約４μｍの表示パネルに対してエッチングを行った。下側基板２００の領域２０１には、ＩＴＯやＣｒ、その他の金属配線を設けた。ただし、実施例とは異なり、表示パネルに堰き止め部を設けなかった。

エッチング液として、ふっ酸と塩酸との混合液を用いた。エッチングを行った部屋の温度は２４℃とした。

領域２０１をエッチング液の液面よりも高い位置に保って、表示パネルのうち、配線側端部３０１から３ｍｍ以上離れた部分をエッチング液に１２０秒間浸した。表示パネルをエッチング液から取り出して、領域２０１を観察したところ、領域２０１に配置された配線パターンに腐食が認められた。

本発明は、液晶表示パネルや有機ＥＬパネルなどの平面型表示パネルの基板の強度の低下を防止するために好適に適用される。

本発明による表示パネルの製造方法を示すフローチャート。 貼り合わせ基板の一例を示す平面図。 表示パネルを示す説明図。 エッチング液への表示パネルの好ましくない浸漬態様を示す説明図。 エッチング液への表示パネルの好ましい浸漬態様を示す説明図。 毛管現象によってエッチング液が上昇した場合に腐食してしまう部分を示す説明図。 表示パネルのうちのエッチング液５１に浸す部分を示す説明図。 表示パネルの断面Ｐの一部を模式的に示す説明図および基板の背面側から見た斜視図。 堰き止め部を備えた表示パネルをエッチング液に浸した状態を示す説明図。 堰き止め部を備えた表示パネルの構成例を示す説明図。 堰き止め部の好ましい配置位置の例を示す説明図。 シール材７００と一体形成する場合の堰き止め部７０１の配置位置の例を示す説明図。 配線パターンが設けられている領域が存在する辺に隣接する各辺に、それぞれ２つずつ堰き止め部を有する表示パネルの例を示す説明図。 配線パターンが設けられている領域を２辺に備えた表示パネルの例を示す説明図である。 ガラス基板の切断面を示す説明図。 リブマークが形成されたガラス基板の断面Ｐの一部を模式的に示す説明図および斜視図。

符号の説明

２０ スクライブライン
２１ リブマーク
５１ エッチング液
６０ ホイールカッタ
１００ 表示パネル
２００ 下側基板
３００ 上側基板
３０１ 配線側端部
４００ 貼り合わせ基板（大サイズの基板）
７００ シール材
７０１ 堰き止め部

Claims (4)

1. 大サイズの基板を切断することによって複数の表示パネルを得る表示パネルの製造方法において、
   ２枚の基板間に、各表示パネルの表示部を区画するシール材を配して、前記２枚の基板を貼り合わせて大サイズの基板を作製し、
   大サイズの基板を切断して、上側基板と下側基板とが積層された構造であり、上側基板と下側基板とのうちの一方には、他方の基板が積層されない領域があり、前記領域には、電気信号を伝達するための配線が形成されている表示パネルを作製し、
   配線が形成されている領域をエッチング液の液面よりも高い位置に保ち、表示パネルをエッチング液に浸してエッチングを行う
   ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
2. 表示パネルが備える上側基板および下側基板に挟まれた空間であってシール材より外側の空間をエッチング液が毛管現象によって上昇して配線に到達するまでの時間よりも短い時間だけ、表示パネルに対してエッチングを行う
   請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
3. 表示パネルが備える上側基板および下側基板に挟まれた空間であってシール材より外側の空間に、毛管現象によって上昇するエッチング液を堰き止める堰き止め部を作製し、
   配線が形成されている領域および前記堰き止め部をエッチング液の液面よりも高い位置に保ち、表示パネルをエッチング液に浸してエッチングを行う
   請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
4. 上側基板と下側基板とが積層された構造であり、上側基板と下側基板とのうちの一方には、他方の基板が積層されていない領域があり、前記領域には、電気信号を伝達するための配線が形成されている表示パネルであって、
   当該表示パネルの表示部を区画し、上側基板と下側基板とを貼り付けるシール材を備え、
   上側基板および下側基板に挟まれた空間であってシール材より外側の空間内に、当該空間に沿って移動する液体を堰き止める堰き止め部を備えた
   ことを特徴とする表示パネル。

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