KR20170128104A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents
웨이퍼의 가공 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170128104A KR20170128104A KR1020170057359A KR20170057359A KR20170128104A KR 20170128104 A KR20170128104 A KR 20170128104A KR 1020170057359 A KR1020170057359 A KR 1020170057359A KR 20170057359 A KR20170057359 A KR 20170057359A KR 20170128104 A KR20170128104 A KR 20170128104A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- street
- modified layer
- laser beam
- axis direction
- Prior art date
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 238000002407 reforming Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 73
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(과제) 디바이스 칩의 모퉁이에 결락이 발생하지 않도록 웨이퍼를 분할할 수 있도록 하는 것.
(해결 수단) 웨이퍼 (W) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 이면 (W2) 으로부터 웨이퍼의 내부에 위치시켜 제 1 스트리트 (L1) 및 제 2 스트리트 (L2) 를 따라 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층 (R) 을 형성한다. 개질층의 형성 후, 웨이퍼의 이면으로부터 연삭하는 연삭 동작에 의해, 개질층을 기점으로 하여 웨이퍼를 제 1 스트리트 및 제 2 스트리트를 따라 디바이스 칩 (DC) 으로 분할한다. 개질층의 형성에 있어서, 제 1 스트리트를 X 축 방향으로 위치시켜 레이저 빔을 조사할 때, 인접하는 디바이스 (D) 마다 제 1 스트리트 내에서 Y 축 방향으로 소정 간격 어긋나게 하여 개질층을 형성한다. 이로써, 인접하는 디바이스 칩의 모퉁이끼리가 분할시에 대각선 상에서 스치지 않게 된다.
(해결 수단) 웨이퍼 (W) 에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 이면 (W2) 으로부터 웨이퍼의 내부에 위치시켜 제 1 스트리트 (L1) 및 제 2 스트리트 (L2) 를 따라 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층 (R) 을 형성한다. 개질층의 형성 후, 웨이퍼의 이면으로부터 연삭하는 연삭 동작에 의해, 개질층을 기점으로 하여 웨이퍼를 제 1 스트리트 및 제 2 스트리트를 따라 디바이스 칩 (DC) 으로 분할한다. 개질층의 형성에 있어서, 제 1 스트리트를 X 축 방향으로 위치시켜 레이저 빔을 조사할 때, 인접하는 디바이스 (D) 마다 제 1 스트리트 내에서 Y 축 방향으로 소정 간격 어긋나게 하여 개질층을 형성한다. 이로써, 인접하는 디바이스 칩의 모퉁이끼리가 분할시에 대각선 상에서 스치지 않게 된다.
Description
본 발명은, 웨이퍼를 복수의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
예를 들어, 300 [㎛] 이상의 비교적 두께가 있는 웨이퍼를 절삭 블레이드로 다이싱하면, 이면 치핑이 커진다는 문제가 있다. 이 때문에, 레이저 가공과 연삭 가공을 조합한 SDBG (Stealth Dicing Before Grinding) 를 사용하는 방법이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). SDBG 에서는, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 웨이퍼의 소정 깊이의 위치에 강도가 저하된 개질층을 형성한다. 그 후, 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써, 웨이퍼가 마무리 두께까지 박화됨과 함께, 연삭 압력에 의해 웨이퍼가 개질층을 분할 기점으로 하여 개개의 디바이스 칩으로 분할된다.
그러나, SDBG 에 의해 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성 후, 개개의 칩으로 분할할 때에, 칩의 대각선 방향으로 인접하는 코너 사이에 간격이 없기 때문에 칩의 코너끼리가 서로 스쳐, 코너에 있어서 결락이 발생하기 쉬워진다는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 개개의 디바이스 칩의 모퉁이에 결락이 발생하지 않도록 웨이퍼를 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼 표면에 일방의 방향으로 형성된 복수의 제 1 스트리트와, 제 1 스트리트와 직교하는 방향으로 형성된 복수의 제 2 스트리트에 의해 구획된 복수의 디바이스를 구비한 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 유지 테이블에 유지된 웨이퍼에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 수단과, 유지 테이블 및 레이저 빔 조사 수단을 상대적으로 X 축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단과, 유지 테이블 및 레이저 빔 조사 수단을 상대적으로 스트리트의 간격에 대응하여 Y 축 방향으로 산출 이송하는 산출 이송 수단과, 각 구성 요소를 제어하는 제어 수단을 구비하는 레이저 가공 장치로 제 1 스트리트 및 제 2 스트리트를 따라 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 표면측에 보호 테이프가 첩착 (貼着) 된 웨이퍼를 유지 테이블에 유지하는 유지 스텝과, 유지 스텝을 실시한 후에, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 이면으로부터 웨이퍼의 내부에 위치시켜 제 1 스트리트 및 제 2 스트리트를 따라 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 개질층 형성 스텝과, 개질층 형성 스텝을 실시한 후에, 웨이퍼의 이면으로부터 연삭 수단에 의해 연삭하여 마무리 두께로 박화함과 함께 연삭 동작에 의해 개질층을 기점으로 하여 웨이퍼를 제 1 스트리트 및 제 2 스트리트를 따라 분할하는 분할 스텝을 구비하고, 개질층 형성 스텝에 있어서는, 인접하는 디바이스 칩의 모퉁이끼리가 분할시에 대각선 상에서 스치지 않도록, 적어도 제 1 스트리트를 X 축 방향으로 위치시켜 레이저 빔을 조사할 때, 인접하는 디바이스마다 제 1 스트리트 내에서 Y 축 방향으로 소정 간격 어긋나게 하여 개질층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 개질층 형성 스텝에 있어서, 인접하는 디바이스마다 산출 이송 방향으로 소정 간격 어긋나게 하여 비연속의 개질층을 형성하므로, 디바이스 칩의 칩의 대각선 방향으로 인접하는 모퉁이 사이에 간격을 형성할 수 있다. 이로써, 분할 스텝에서 디바이스 칩의 모퉁이끼리가 서로 스치는 것을 저감시킬 수 있고, 모퉁이에서의 결락을 감소시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 디바이스 칩의 모퉁이에 결락이 발생하지 않도록 웨이퍼를 분할할 수 있다.
도 1 은 본 실시형태에 관련된 피가공물의 개략 사시도이다.
도 2 는 본 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 개략 사시도이다.
도 3 은 본 실시형태의 유지 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 4 는 본 실시형태의 개질층 형성 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 5 는 본 실시형태의 개질층 형성 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 6 은 본 실시형태의 개질층 형성 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 7 은 본 실시형태의 분할 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 8 은 본 실시형태의 분할 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 2 는 본 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 개략 사시도이다.
도 3 은 본 실시형태의 유지 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 4 는 본 실시형태의 개질층 형성 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 5 는 본 실시형태의 개질층 형성 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 6 은 본 실시형태의 개질층 형성 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 7 은 본 실시형태의 분할 스텝을 나타내는 설명도이다.
도 8 은 본 실시형태의 분할 스텝을 나타내는 설명도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법에 대해 설명한다. 먼저, 도 1 을 참조하여, 본 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법에 의해 가공되는 웨이퍼에 대해 설명한다. 도 1 은 본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 개략 사시도이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (W) 는, 대략 원판상으로 형성되어 있고, 표면 (W1) 에는 디바이스층 (WA) 이 형성되어 있다. 웨이퍼 (W) 의 표면 (W1) 에는, 일방의 방향으로 연장되는 제 1 스트리트 (L1) 와, 제 1 스트리트 (L1) 와 직교하는 방향으로 연장되는 복수의 제 2 스트리트 (L2) 가 형성되어 있다. 이들 제 1, 제 2 스트리트 (L1, L2) 에 구획된 영역에는 복수의 디바이스 (D) 가 형성되어 있다. 또, 웨이퍼 (W) 의 표면에는, 디바이스 (D) 를 보호하기 위한 보호 테이프 (T) 가 첩착된다. 웨이퍼 (W) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 환상의 링 프레임 (F) 에 깔린 점착 시트 (S) 에 하면측이 첩착되고, 링 프레임 (F) 에 유지된다.
웨이퍼 (W) 는, 예를 들어 300 [㎛] 이상의 두께를 갖고 있고, 레이저 가공과 연삭 가공을 조합한 SDBG 에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할된다. 이 경우, 레이저 가공으로 웨이퍼 (W) 내에 개질층이 형성된 후에, 연삭 가공으로 웨이퍼 (W) 가 마무리 두께까지 연삭되면서, 개질층을 분할 기점으로 하여 웨이퍼 (W) 가 분할된다. 또한, 웨이퍼 (W) 는, 실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 기판에 IC, LSI 등의 반도체 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼여도 되고, 사파이어, 탄화규소 등의 무기 재료 기판에 LED 등의 광 디바이스가 형성된 광 디바이스 웨이퍼여도 된다.
계속해서, 도 2 를 참조하여, 본 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법에 사용되는 레이저 가공 장치에 대해 설명한다. 도 2 는 본 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치의 개략 사시도이다. 또한, 본 실시형태에 관련된 레이저 가공 장치는, 도 2 에 나타내는 구성에 한정되지 않는다. 레이저 가공 장치는, 웨이퍼에 대해 개질층을 형성할 수 있으면, 어떠한 구성이어도 된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치 (10) 는, 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공 유닛 (12) 과 웨이퍼 (W) 를 상면에 유지한 유지 테이블 (13) 을 상대 이동시켜, 웨이퍼 (W) 를 가공하도록 구성되어 있다.
레이저 가공 장치 (10) 는, 직방체상의 기대 (11) 를 갖고 있다. 기대 (11) 의 상면에는, 유지 테이블 (13) 을 X 축 방향으로 가공 이송함과 함께, Y 축 방향으로 산출 이송하는 척 테이블 이동 기구 (14) 가 형성되어 있다. 척 테이블 이동 기구 (14) 의 후방에는, 입벽부 (16) 가 세워져 형성되어 있다. 입벽부 (16) 의 전면 (前面) 으로부터는 아암부 (17) 가 돌출되어 있고, 아암부 (17) 에는 유지 테이블 (13) 에 대향하도록 레이저 가공 유닛 (12) 이 지지되어 있다.
척 테이블 이동 기구 (14) 는, 유지 테이블 (13) 과 레이저 가공 유닛 (12) 을 산출 이송 방향 (Y 축 방향) 으로 상대 이동시키는 산출 이송 수단 (20) 과, 가공 이송 방향 (X 축 방향) 으로 상대 이동시키는 가공 이송 수단 (21) 을 구비하고 있다.
산출 이송 수단 (20) 은, 기대 (11) 의 상면에 배치된 Y 축 방향에 평행한 1 쌍의 가이드 레일 (23) 과, 1 쌍의 가이드 레일 (23) 에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Y 축 테이블 (24) 을 갖고 있다. Y 축 테이블 (24) 의 하면측에는, 도시되지 않은 너트부가 형성되고, 이들 너트부에 볼 나사 (25) 가 나사 결합되어 있다. 그리고, 볼 나사 (25) 의 일단부에 연결된 구동 모터 (26) 가 회전 구동됨으로써, Y 축 테이블 (24), 가공 이송 수단 (21) 및 유지 테이블 (13) 이 가이드 레일 (23) 을 따라 Y 축 방향으로 이동된다.
가공 이송 수단 (21) 은, Y 축 테이블 (24) 의 상면에 배치된 X 축 방향에 평행한 1 쌍의 가이드 레일 (30) 과, 가이드 레일 (30) 을 개재하여 가공 이송 방향 (X 축 방향) 으로 이동 가능한 가동부 (31) 를 구비하고 있다. 가동부 (31) 는, 가이드 레일 (30) 에 의해 X 축 방향의 슬라이드 이동이 가이드되는 X 축 테이블 (32) 과, X 축 테이블 (32) 의 하부에 형성된 리니어 모터 (모터) (33) 를 갖고 있다. 리니어 모터 (33) 는, 가이드 레일 (30) 사이에서 X 축 방향을 따라 배치된 마그넷 플레이트 (35) 에 대향하는 전자 코일 (도시 생략) 을 구비하고 있다. 전자 코일은, 예를 들어 삼상 교류가 이송을 어긋나게 하여 순차 통전되고, X 축 방향이 되는 왕복 이동 방향을 따라 리니어 모터 (33) 자체 및 X 축 테이블 (32) 을 이동시키는 이동 자계를 형성한다. 또한, 가공 이송 수단 (21) 은 상기에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 산출 이송 수단 (20) 과 같이 회전 구동되는 볼 나사를 사용한 구성으로 변경해도 된다.
X 축 테이블 (32) 의 상면에는, 유지 테이블 (13) 이 유지되어 있다. 유지 테이블 (13) 은, 원판상으로 형성되어 있고, θ 테이블 (38) 을 개재하여 X 축 테이블 (32) 의 상면에 회전 가능하게 형성되어 있다. 유지 테이블 (13) 의 상면에는, 포러스 세라믹스재에 의해 흡착면이 형성되어 있다. 유지 테이블 (13) 의 주위에는, 지지 아암을 개재하여 4 개의 클램프부 (39) 가 형성되어 있다. 4 개의 클램프부 (39) 가 에어 액츄에이터 (도시 생략) 에 의해 구동됨으로써, 웨이퍼 (W) 의 주위의 링 프레임 (F) 이 사방으로부터 협지 고정된다.
레이저 가공 유닛 (12) 은, 아암부 (17) 의 선단에 형성된 레이저 빔 조사 수단으로서의 가공 헤드 (40) 를 갖고 있다. 아암부 (17) 및 가공 헤드 (40) 내에는, 레이저 가공 유닛 (12) 의 광학계가 형성되어 있다. 가공 헤드 (40) 는, 도시 생략한 발진기로부터 발진된 레이저 빔을 집광 렌즈에 의해 집광하고, 유지 테이블 (13) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 에 레이저 빔을 조사하여 레이저 가공한다. 이 경우, 레이저 빔은, 웨이퍼 (W) 에 대해 투과성을 갖는 파장이며, 광학계에 있어서 웨이퍼 (W) 의 내부에 위치되도록 조정된다.
이 레이저 빔의 조사에 의해 웨이퍼 (W) 의 내부에 분할 기점이 되는 개질층 (R) (도 4 및 도 5 참조) 이 형성된다. 개질층 (R) 은, 레이저 빔의 조사에 의해 웨이퍼 (W) 의 내부의 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위와 상이한 상태가 되고, 주위보다 강도가 저하되는 영역을 말한다. 개질층 (R) 은, 예를 들어, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역이며, 이들이 혼재된 영역이어도 된다. 가공 헤드 (40) 로부터 조사되는 레이저 빔은, 개질층 (R) 을 형성하는 집광 위치의 높이를 제어할 수 있게 되어 있다.
레이저 가공 장치 (10) 에는, 장치 각 구성 요소를 통괄 제어하는 제어 수단 (51) 이 형성되어 있다. 제어 수단 (51) 은 각종 처리를 실행하는 프로세서로 구성된다. 제어 수단 (51) 에는, 도시 생략한 각종 검출기로부터의 검출 결과가 입력된다. 제어 수단 (51) 으로부터는, 구동 모터 (26), 리니어 모터 (33), 가공 헤드 (40) 등에 제어 신호를 출력한다.
이하, 도 3 내지 도 7 을 참조하여, 웨이퍼의 가공 방법에 대해 설명한다. 도 3 은 본 실시형태의 유지 스텝, 도 4 내지 도 6 은 본 실시형태의 개질층 형성 스텝, 도 7 및 도 8 은 분할 스텝의 설명도를 각각 나타내고 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 웨이퍼의 가공 방법을 SDBG 에 적용한 일례에 대해 설명하지만, 웨이퍼의 내부에 개질층을 기점으로 분할하는 다른 공법에 적용하는 것이 가능하다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 먼저 유지 스텝이 실시된다. 유지 스텝에서는, 보호 테이프 (T) 가 첩착된 웨이퍼 (W) 가 유지 테이블 (13) 상에 보호 테이프 (T) 를 개재하여 흡착 유지된다.
도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 유지 스텝이 실시된 후에는 개질층 형성 스텝이 실시된다. 개질층 형성 스텝에서는, 먼저 유지 테이블 (13) 이 이동, 회전됨으로써, 예를 들어 제 1 스트리트 (L1) 가 X 축 방향과 평행이 되고, 제 2 스트리트 (L2) 가 Y 축 방향과 평행이 되도록 웨이퍼 (W) 가 위치된다. 이어서, 유지 테이블 (13) 상의 웨이퍼 (W) 에 대해, 가공 헤드 (40) 가 X 축 방향과 평행이 되는 제 1 스트리트 (L1) 에 위치된다. 그 후, 웨이퍼 (W) 의 이면 (W2) 측에 레이저 빔이 조사되면서, 유지 테이블 (13) 및 가공 헤드 (40) 가 X 축 방향과 평행하게 상대 이동 (가공 이송) 된다. 이로써, 제 1 스트리트 (L1) 를 따라 레이저 빔이 조사되고, 웨이퍼 (W) 의 내부에 제 1 스트리트 (L1) 를 따른 개질층 (R) 이 형성된다.
대상의 제 1 스트리트 (L1) 를 따라 개질층 (R) 을 형성한 후에는, 레이저 빔의 조사가 정지되고, 유지 테이블 (13) 과 가공 헤드 (40) 가 Y 축 방향으로 제 1 스트리트 (L1) 의 간격에 대응하여 상대 이동 (산출 이송) 된다. 이로써, 가공 헤드 (40) 를, 대상의 제 1 스트리트 (L1) 에 인접하는 제 1 스트리트 (L1) 에 맞출 수 있다.
계속해서, 인접하는 제 1 스트리트 (L1) 를 따라 동일한 개질층 (R) 이 형성된다. 이 동작을 반복하여, X 축 방향으로 연신되는 모든 제 1 스트리트 (L1) 를 따라 개질층 (R) 이 형성되고, 그 후, 유지 테이블 (13) 을 회전축의 둘레로 90 °회전시켜, Y 축 방향으로 연신되는 제 2 스트리트 (L2) 를 따라 개질층 (R) 이 형성된다.
개질층 (R) 에서는, 레이저 빔의 파장에 기초하는 펄스 피치마다 개질이 실시되고, 단면에서 보았을 때 세로로 긴 타원이 가공 이송 방향 (X 축 방향) 으로 연속하여 나열되도록 형성된다. 레이저 빔에 의한 개질층 (R) 의 형성은, 복수 회 반복하여 실시해도 되며, 예를 들어 2 회 실시하는 경우, 최초의 개질층 (R1) 의 형성에서는, 집광점의 도 4 에 있어서의 상하 위치를, 광 디바이스 웨이퍼 (W) 의 표면 (W1) 가까이에 위치시켜 레이저 빔이 조사된다. 이러한 집광점의 상하 위치에서 모든 각 스트리트 (L1, L2) 를 따라 최초의 개질층 (R1) 을 형성한 후, 집광점이 단계적으로 상방향으로 이동된다. 그리고, 2 회째의 개질층 (R2) 의 형성이 최초의 개질층 (R1) 의 형성과 동일하게 실시된다. 그 형성 위치는, 최초의 개질층 (R1) 의 이면 (W2) 측 (상측) 에 소정 거리 이격시킨 위치로 설정된다. 이로써, 웨이퍼 (W) 의 표면 (W1) 측으로부터 이면 (W2) 측에 걸쳐 2 층의 개질층 (R1, R2) 이 형성되고, 바꾸어 말하면, 웨이퍼 (W) 의 내부에 각 스트리트 (L1, L2) 를 따른 분할 기점이 형성된다.
여기서, 개질층 형성 스텝에 있어서는, 도 6 에 나타내는 바와 같이, X 축 방향과 평행한 제 1 스트리트 (L1) 가 일직선 상에 위치하지 않고 비연속으로 형성된다. 제 1 스트리트 (L1) 의 형성은, 먼저 가공 헤드 (40) 의 제 1 스트리트 (L1) 에 대한 위치 부여에 있어서, 예를 들어, Y 축 방향의 위치가 도 6 의 위치 (Y1) 가 되도록 집광점이 설정된다. 그리고, 웨이퍼 (W) 의 가공 이송에 있어서, X 축 방향으로 1 개의 디바이스 (D) 걸러 레이저 빔의 조사와 조사 정지가 반복된다. 이로써, 제 1 스트리트 (L1) 내의 Y 축 방향 위치 (Y1) 에 있어서, X 축 방향으로 인접하는 디바이스 (D) 마다, 개질층 (R) 이 형성되는 영역과 형성되지 않는 영역이 교대로 형성되게 된다.
Y 축 방향 위치 (Y1) 에 개질층 (R) 이 형성된 후, 집광점이 제 1 스트리트 (L1) 내에서 Y 축 방향으로 간격 (a) 만큼 어긋나고, Y 축 방향 위치 (Y2) 에 집광점이 설정되도록 웨이퍼 (W) 가 산출 이송된다. 그 후, 웨이퍼 (W) 가 X 축 방향으로 가공 이송되면서, Y 축 방향 위치 (Y1) 에서 개질층 (R) 이 형성되어 있지 않은 영역에서, Y 축 방향 위치 (Y2) 에서 레이저 빔이 조사된다. 따라서, 이 레이저 빔의 조사에 있어서도, X 축 방향으로 1 개의 디바이스 (D) 걸러 레이저 빔의 조사와 조사 정지가 반복된다. 바꾸어 말하면, Y 축 방향 위치 (Y2) 에 있어서도, X 축 방향으로 인접하는 디바이스 (D) 마다, 개질층 (R) 이 형성되는 영역과 형성되지 않는 영역이 교대로 형성되게 된다. 이로써, Y 축 방향 위치 (Y1) 에 형성된 개질층 (R) 과 Y 축 방향 위치 (Y2) 에 형성된 개질층 (R) 을 어울러, X 축 방향으로 인접하는 디바이스 (D) 마다, 제 1 스트리트 (L1) 내에서 Y 축 방향으로 간격 (a) 만큼 어긋나게 하여 개질층 (R) 이 형성된다.
이와 같은 개질층 (R) 이, X 축 방향으로 연신되는 모든 제 1 스트리트 (L1) 를 따라 형성된 후, 상기 서술한 바와 같이 Y 축 방향으로 연신되는 제 2 스트리트 (L2) 를 따라 개질층 (R) 이 형성된다. 제 2 스트리트 (L2) 의 개질층 (R) 을 도시한 바와 같이 연속된 직선상으로 형성함으로써, 도 6 에서 Y 축 방향으로 인접하는 디바이스 (D) 의 모퉁이 (코너) (C) 끼리는 대략 동일한 위치에 배치되는 한편, X 축 방향으로 인접하는 디바이스 (D) 의 모퉁이 (C) 끼리는 Y 축 방향으로 간격 (a) 이 떨어져 위치한다. 디바이스 (D) 의 대각선 방향에서 인접하는 디바이스 (D) 의 모퉁이 (C) 끼리는 동일한 위치가 되지 않고 떨어져 위치하게 된다.
여기서, 간격 (a) 에 있어서는, 제 1 스트리트 (L1) 에 들어가는 범위이면, 넓은 편이 바람직하다. 개질층 (R) 의 형성 위치가 되는 Y 축 방향 위치 (Y1, Y2) 는, 제 1 스트리트 (L1) 의 폭 방향 중심으로부터 동일 거리로 하는 것이 바람직하고, 간격 (a) 을 10 ∼ 40 [㎛] 로 하고, 제 1 스트리트 (L1) 의 폭 방향 중심에서 Y 축 방향 위치 (Y1, Y2) 까지의 거리를 5 ∼ 20 [㎛] 로 하는 것을 예시할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 제 2 스트리트 (L2) 에 형성되는 개질층 (R) 이 제 2 스트리트 (L2) 의 폭 방향 중심 위치에 형성된다. 따라서, 디바이스 (D) 의 도 6 중 상단 및 하단과, 이들에 인접하는 제 2 스트리트 (L2) 의 개질층 (R) 의 거리는 개략 동일해진다. 따라서, 디바이스 (D) 에 전기적인 접속을 실시하기 위한 패드 등은, 디바이스 (D) 의 도 6 중 상하 양단을 따라 형성하는 편이, 상단에서의 실장과 하단에서의 실장을 동일하게 실시할 수 있도록 하여 작업성을 양호하게 유지할 수 있다.
도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 개질층 형성 스텝이 실시된 후에는 분할 스텝이 실시된다. 분할 스텝에서는, 연삭 장치 (60) 의 척 테이블 (61) 상에 보호 테이프 (T) 를 개재하여 웨이퍼 (W) 가 유지된다. 연삭 휠 (연삭 수단) (62) 이 회전하면서 척 테이블 (61) 에 가까워지고, 연삭 휠 (62) 과 웨이퍼 (W) 의 이면 (W1) 이 회전 접촉함으로써 웨이퍼 (W) 가 마무리 두께로 박화되도록 연삭된다. 이 연삭 동작에 의해 연삭 휠 (62) 로부터 연삭 압력이 개질층 (R1, R2) 에 작용하여, 개질층 (R1, R2) 을 기점으로 하여 웨이퍼 (W) 의 두께 방향으로 크랙이 신장된다. 이로써, 웨이퍼 (W) 가 제 1 스트리트 (L1) 및 제 2 스트리트 (L2) 를 따라 분할되고, 개개의 디바이스 칩 (DC) (도 7 에서는 도시 생략) 이 형성된다.
이와 같은 실시형태에 의하면, 제 1 스트리트 (L1) 의 개질층 (R) 을 상기 서술한 바와 같이 형성하고, 디바이스 (D) 의 대각선 방향에서 인접하는 모퉁이 (C) 끼리가 떨어져 위치하므로, 분할 스텝에 있어서 인접하는 디바이스 칩 (DC) 의 모퉁이끼리가 대각선 상에서 스치지 않도록 할 수 있다. 여기서, 예를 들어, 특히 각 스트리트 (L1, L2) 에 대해 결정 방향이 45 °기울어진 방향의 웨이퍼 (W) 를 사용하는 경우, 연삭 압력에 의해 디바이스 칩 (DC) 의 대각선 방향으로 결락이 발생하기 쉬워진다. 본 실시형태에서는, 이러한 대각선 방향에서 인접하는 디바이스 (D) 의 모퉁이 (C) 끼리가 떨어져 스치지 않으므로, 결정 방향이 상기와 같이 기울어져 있어도, 모퉁이 (C) 의 결락이나 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 각 스트리트 (L1, L2) 를 따라 웨이퍼 (W) 를 개개의 디바이스 칩 (DC) 으로 양호하게 분할할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상, 방향 등에 대해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절히 변경하는 것이 가능하다. 그 밖에, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시하는 것이 가능하다.
예를 들어, 상기 실시형태에서는, 제 1 스트리트 (L1) 의 개질층 (R) 에 대해 인접하는 디바이스 (D) 마다 비연속이 되도록 형성하였지만, 제 2 스트리트 (L2) 에 대해서도 동일하게 비연속으로 형성해도 된다. 이 경우에 있어서도, 디바이스 (D) 의 대각선 방향에서 인접하는 모퉁이 (C) 끼리가 떨어지도록 할 수 있다. 또한, 디바이스 (D) 에 있어서, 본딩 패드가 제 1 스트리트 (L1) 및 제 2 스트리트 (L2) 의 일방만을 따르는 위치에 형성되는 경우, 본딩 패드가 형성되어 있지 않은 쪽의 스트리트 (L1, L2) 에서 상기 서술한 바와 같이 비연속이 되는 개질층 (R) 을 형성하여 분할한다. 이로써, 본딩 패드와 디바이스 칩의 외측 가장자리의 거리가 일정해지고, 본딩 패드로부터의 본딩 위치 등의 처리 조건에 변경을 가하지 않고 본딩하는 것이 가능해진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 분할 후의 디바이스 칩에 크랙이나 결락을 발생시키지 않고, 웨이퍼를 양호하게 분할할 수 있다는 효과를 갖고, 특히 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 유용하다.
10 : 레이저 가공 장치
13 : 유지 테이블
20 : 산출 이송 수단
21 : 가공 이송 수단
40 : 가공 헤드 (레이저 빔 조사 수단)
51 : 제어 수단
C : 모퉁이
D : 디바이스
DC : 디바이스 칩
L1 : 제 1 스트리트
L2 : 제 2 스트리트
R : 개질층
T : 보호 테이프
W : 웨이퍼
W1 : 표면
W2 : 이면
13 : 유지 테이블
20 : 산출 이송 수단
21 : 가공 이송 수단
40 : 가공 헤드 (레이저 빔 조사 수단)
51 : 제어 수단
C : 모퉁이
D : 디바이스
DC : 디바이스 칩
L1 : 제 1 스트리트
L2 : 제 2 스트리트
R : 개질층
T : 보호 테이프
W : 웨이퍼
W1 : 표면
W2 : 이면
Claims (1)
- 웨이퍼 표면에 일방의 방향으로 형성된 복수의 제 1 스트리트와, 그 제 1 스트리트와 직교하는 방향으로 형성된 복수의 제 2 스트리트에 의해 구획된 복수의 디바이스를 구비한 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지된 웨이퍼에 레이저 빔을 조사하는 레이저 빔 조사 수단과, 그 유지 테이블 및 그 레이저 빔 조사 수단을 상대적으로 X 축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단과, 그 유지 테이블 및 그 레이저 빔 조사 수단을 상대적으로 그 스트리트의 간격에 대응하여 Y 축 방향으로 산출 이송하는 산출 이송 수단과, 각 구성 요소를 제어하는 제어 수단을 구비하는 레이저 가공 장치로 그 제 1 스트리트 및 그 제 2 스트리트를 따라 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
표면측에 보호 테이프가 첩착된 웨이퍼를 유지 테이블에 유지하는 유지 스텝과,
그 유지 스텝을 실시한 후에, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 웨이퍼의 이면으로부터 웨이퍼의 내부에 위치시켜 그 제 1 스트리트 및 그 제 2 스트리트를 따라 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 개질층 형성 스텝과,
그 개질층 형성 스텝을 실시한 후에, 그 웨이퍼의 이면으로부터 연삭 수단에 의해 연삭하여 마무리 두께로 박화함과 함께 연삭 동작에 의해 상기 개질층을 기점으로 하여 웨이퍼를 그 제 1 스트리트 및 그 제 2 스트리트를 따라 분할하는 분할 스텝을 구비하고,
그 개질층 형성 스텝에 있어서는, 인접하는 디바이스 칩의 모퉁이끼리가 분할시에 대각선 상에서 스치지 않도록, 적어도 그 제 1 스트리트를 X 축 방향으로 위치시켜 레이저 빔을 조사할 때, 인접하는 디바이스마다 그 제 1 스트리트 내에서 Y 축 방향으로 소정 간격 어긋나게 하여 개질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2016-096972 | 2016-05-13 | ||
| JP2016096972A JP6636384B2 (ja) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170128104A true KR20170128104A (ko) | 2017-11-22 |
| KR102226645B1 KR102226645B1 (ko) | 2021-03-10 |
Family
ID=60323434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170057359A KR102226645B1 (ko) | 2016-05-13 | 2017-05-08 | 웨이퍼의 가공 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6636384B2 (ko) |
| KR (1) | KR102226645B1 (ko) |
| CN (1) | CN107452678B (ko) |
| TW (1) | TWI721152B (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6745165B2 (ja) * | 2016-08-09 | 2020-08-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| US20190363017A1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Die sawing singulation systems and methods |
| JP7120903B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2022-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| US11897056B2 (en) | 2018-10-30 | 2024-02-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing device and laser processing method |
| CN112775539A (zh) * | 2019-11-07 | 2021-05-11 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 激光加工方法及装置 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06275714A (ja) * | 1993-03-22 | 1994-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
| WO2003077295A1 (en) | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
| JP2004186340A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体ウエハの劈開方法 |
| JP2006043713A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
| JP2009158889A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
| JP2010123797A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
| JP2011108708A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2014138113A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP5598801B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2014-10-01 | 株式会社レーザーシステム | レーザーダイシング方法、チップの製造方法およびレーザー加工装置 |
| JP2015201585A (ja) * | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6053381B2 (ja) * | 2012-08-06 | 2016-12-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003072090A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Ricoh Co Ltd | 液滴吐出ヘッド及びその製造方法、マイクロデバイス、インクカートリッジ並びにインクジェット記録装置 |
| JP2013089714A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | チップ形成方法 |
-
2016
- 2016-05-13 JP JP2016096972A patent/JP6636384B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-14 TW TW106112629A patent/TWI721152B/zh active
- 2017-05-08 KR KR1020170057359A patent/KR102226645B1/ko active IP Right Grant
- 2017-05-10 CN CN201710325604.7A patent/CN107452678B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06275714A (ja) * | 1993-03-22 | 1994-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
| WO2003077295A1 (en) | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
| JP2004186340A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体ウエハの劈開方法 |
| JP2006043713A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
| JP2009158889A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
| JP2010123797A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
| JP2011108708A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP6053381B2 (ja) * | 2012-08-06 | 2016-12-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
| JP5598801B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2014-10-01 | 株式会社レーザーシステム | レーザーダイシング方法、チップの製造方法およびレーザー加工装置 |
| JP2014138113A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2015201585A (ja) * | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107452678A (zh) | 2017-12-08 |
| TW201806011A (zh) | 2018-02-16 |
| JP2017204607A (ja) | 2017-11-16 |
| KR102226645B1 (ko) | 2021-03-10 |
| JP6636384B2 (ja) | 2020-01-29 |
| CN107452678B (zh) | 2021-07-09 |
| TWI721152B (zh) | 2021-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102368338B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| KR102369760B1 (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| KR102475682B1 (ko) | SiC 기판의 분리 방법 | |
| TWI696539B (zh) | 晶圓之薄化方法 | |
| KR20170128104A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| JP5073962B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| KR102450902B1 (ko) | SiC 웨이퍼의 생성 방법 | |
| US10297501B2 (en) | Method for dividing wafer into individual chips | |
| KR20170012026A (ko) | 웨이퍼의 박화 방법 | |
| KR102178776B1 (ko) | SiC 웨이퍼의 생성 방법 | |
| TWI732934B (zh) | 晶圓之加工方法 | |
| KR20150117607A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
| JP5988603B2 (ja) | 光デバイスウェーハの分割方法 | |
| JP6001931B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP5856491B2 (ja) | 光デバイスウェーハの分割方法 | |
| JP2020178064A (ja) | チップの製造方法 | |
| JP5846764B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| KR102272439B1 (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
| TWI732959B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| JP2018098295A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2019016651A (ja) | ウェーハの加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |