KR20170126407A - 레이저 가공 장치 - Google Patents

레이저 가공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170126407A
KR20170126407A KR1020170056805A KR20170056805A KR20170126407A KR 20170126407 A KR20170126407 A KR 20170126407A KR 1020170056805 A KR1020170056805 A KR 1020170056805A KR 20170056805 A KR20170056805 A KR 20170056805A KR 20170126407 A KR20170126407 A KR 20170126407A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser beam
wafer
light
condenser
laser
Prior art date
Application number
KR1020170056805A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102251272B1 (ko
Inventor
나오토시 기리하라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20170126407A publication Critical patent/KR20170126407A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102251272B1 publication Critical patent/KR102251272B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
    • B23K26/0617—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis and with spots spaced along the common axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/384—Removing material by boring or cutting by boring of specially shaped holes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0007—Applications not otherwise provided for
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명은, 큰 힘을 필요로 하지 않고 기판을 분할할 수 있는 실드 터널을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
레이저 가공 장치의 집광기는 구면 수차의 기능을 갖는다. 집광기가 구면 수차의 기능을 갖고 있기 때문에, 조사되는 레이저 광선의 횡단면의 위치에 따라 집광점 위치를 웨이퍼의 두께 방향으로 연속적으로 변화시킬 수 있다. 이에 따라, 레이저 광선의 한 번의 조사에 의해, 웨이퍼의 표면으로부터 이면에 걸쳐 세공과 이 세공을 둘러싸는 비정질로 이루어진 균질한 실드 터널을 형성할 수 있다.

Description

레이저 가공 장치{LASER PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 예컨대, 실리콘, 사파이어, 탄화규소, 질화갈륨 등으로 이루어진 웨이퍼에 레이저 가공을 행하는 레이저 가공 장치에 관한 것이다.
IC, LSI, LED, SAW 디바이스, 파워 디바이스 등의 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 레이저 가공 장치에 의해 분할 기점이 형성됨과 더불어, 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 디바이스 칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터, 조명 기기 등의 전기 기기에 이용된다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).
레이저 가공 장치는, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 집광기를 구비한 레이저 광선 조사 수단과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 상대적으로 가공 이송하는 가공 이송 수단으로 대체로 구성되어 있고, 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따라 고 정밀도로 레이저 광선을 조사함으로써, 개개의 디바이스 칩으로 분할하기 위한 분할 기점을 형성하는 분할 가공을 행할 수 있다.
상기 분할 기점을 형성하는 레이저 가공 장치로서는, 상기 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이 피가공물에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여 어블레이션 가공을 행하는 타입의 것과, 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 피가공물의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성하는 타입(예컨대, 특허문헌 2를 참조)으로 나누어진다. 그러나, 어느 쪽 타입에 있어서도 웨이퍼를 완전 절단하기 위해서는 분할 예정 라인을 따라 복수 회 레이저 광선을 조사할 필요가 있어, 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.
그래서, 본 출원인은, 피가공물인 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 레이저 광선을 집광하여 조사하는 집광 렌즈의 개구수를, 웨이퍼를 형성하는 재료의 굴절률에 따라 적절하게 설정함으로써, 분할 예정 라인의 표면으로부터 이면에 이르는 세공과 이 세공을 둘러싸는 비정질로 이루어진 이른바 실드 터널을 형성하고, 상기 실드 터널을 분할 예정 라인을 따라 형성하여 분할 기점으로 하는 기술을 개발하여, 이미 제안하였다(예컨대, 특허문헌 3을 참조). 또한, 특허문헌 1∼3에 개시된 기술에서는, 레이저 광선 조사 수단의 집광기에 설치되는 집광 렌즈로서, 비구면 렌즈를 채용하고, 요철면의 형상을 조정하거나 혹은 복수 장의 렌즈의 조합에 의해 구성하는 등, 웨이퍼에 있어서의 피가공점을 지나는 광축 상의 1점에 레이저 광선이 집광되도록 설정하고 있다.
일본 특허 공개 평성 제10-305420호 공보 일본 특허 제3408805호 공보 일본 특허 공개 제2014-221483호 공보
그런데, 상기 특허문헌 3에 개시된 레이저 가공 장치에 의해 형성되는 종래의 실드 터널에 따르면, 동일한 가공점에 복수 회 레이저 광선을 조사하지 않고, 취약한 분할 기점을 형성하는 것이 가능하지만, 웨이퍼의 재료나 두께의 변화에 대응하면서 분할 예정 라인을 따라 원하는 균질한 실드 터널을 형성하는 것은 용이하지 않다. 특히, 분할 예정 라인을 따라 형성되는 상기 실드 터널의 강도(=취약성)는, 웨이퍼에 조사하는 레이저 광선의 파워에 크게 영향을 받기 때문에, 형성되는 실드 터널이 분할 예정 라인을 따라 미리 정해진 일정 강도가 되도록 레이저 광선의 파워를 적절히 조정하는 것이 필요하게 된다. 그러나, 박화된 웨이퍼 내부의 1점에 집광점을 설정함으로써 실드 터널을 형성하는 경우, 분할 예정 라인의 전체에 걸쳐 균질한 실드 터널을 형성하는 것이 어렵고, 결과적으로, 실드 터널을 형성한 후, 외력을 부가함으로써 기판을 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 데에는, 비교적 큰 힘(예컨대, 40 N)이 필요하다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 큰 힘을 필요로 하지 않고 기판을 분할할 수 있는 실드 터널을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 레이저 가공 장치로서, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단과, 상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 상대적으로 가공 이송하는 가공 이송 기구를 구비하고, 상기 레이저 광선 조사 수단은, 펄스 레이저 광선을 발진시키는 레이저 발진기와, 상기 레이저 발진기가 발진시킨 펄스 레이저 광선을 집광하여 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 조사하는 집광기를 포함하며, 상기 집광기는, 상기 집광기의 내측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치를, 상기 집광기의 외측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치보다 상기 척 테이블측으로 연속적으로 변화하도록 위치시키는 구면 수차의 기능을 갖고 있고, 집광점 위치가 레이저 광선의 횡단면 위치에 따라 웨이퍼의 두께 방향으로 연속적으로 변화하는 레이저 광선을 웨이퍼에 조사함으로써, 웨이퍼의 내부에 세공과 이 세공을 둘러싸는 비정질로 이루어진 실드 터널을 형성하는 레이저 가공 장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 구면 수차의 기능은 구면 수차를 갖는 집광 렌즈에 의해 달성된다. 혹은, 상기 구면 수차의 기능은, 집광 렌즈와, 상기 집광 렌즈에 대하여 척 테이블측에 배치되고 상기 집광 렌즈에 의해 집광되는 레이저 광선의 집광점 위치를 보정하는 집광점 보정판과의 조합에 의해 달성된다. 바람직하게는, 조사되는 레이저 광선의 횡단면 중, 외측의 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점으로부터 내측의 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점까지, 집광점의 연장 길이는 50 ㎛∼2000 ㎛이다.
본 발명의 레이저 가공 장치에 따르면, 집광기가 조사되는 레이저 광선의 집광점의 위치를 웨이퍼의 두께 방향으로 연속적으로 변화시키는 구면 수차의 기능을 갖고 있기 때문에, 레이저 광선의 한 번의 조사에 의해, 웨이퍼의 표면으로부터 이면에 걸쳐 세공과 이 세공을 둘러싸는 비정질로 이루어진 실드 터널을 형성할 수 있으므로, 웨이퍼에 조사된 레이저 광선의 에너지가 유효하게 사용되며, 양호한 실드 터널을 형성할 수 있다. 따라서, 조사하는 레이저 광선의 출력을 각별히 크게 하지 않고, 균질한 실드 터널을 형성할 수 있어, 분할 기점으로서 작용하는 실드 터널의 강도를 저하시킬 수 있기 때문에, 종래에 비하여 약한 힘으로 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 있다.
도 1은 본 발명에 기초하여 구성된 레이저 가공 장치의 전체 사시도.
도 2는 도 1에 기재된 레이저 가공 장치에 설치된 레이저 광선 조사 수단의 개략을 설명하기 위한 모식도.
도 3은 도 2에 도시된 레이저 광선 조사 수단에 의해 실드 터널을 형성할 때의 집광점 위치를 설명하기 위한 모식도.
도 4의 (a)는 실드 터널 형성 공정을 도시한 사시도, 도 4의 (b)는 하나의 실드 터널의 모식적 사시도, 도 4의 (c)는 내부에 복수의 실드 터널이 형성된 웨이퍼의 단면도이다.
이하, 본 발명 실시형태의 레이저 가공 장치에 대해서 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에는, 본 발명의 레이저 가공 장치(40)의 전체 사시도가 도시되어 있다. 레이저 가공 장치(40)는, 베이스(41)와, 상기 피가공물을 유지하는 유지 기구(42)와, 유지 기구(42)를 이동시키는 이동 수단(43)과, 유지 기구(42)에 유지되는 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(44)과, 촬상 수단(45)과, 컴퓨터에 의해 구성되는 도시하지 않은 제어 수단을 구비하고, 제어 수단에 의해 각 수단이 제어되도록 구성되어 있다.
유지 기구(42)는, X 방향으로 이동 가능하게 베이스(41)에 탑재된 직사각형상의 X 방향 가동판(可動板)(51)과, Y 방향으로 이동 가능하게 X 방향 가동판(51)에 탑재된 직사각형상의 Y 방향 가동판(53)과, Y 방향 가동판(53)의 상면에 고정된 원통형의 지주(50)와, 지주(50)의 상단에 고정된 직사각형상의 커버판(52)을 포함한다. 커버판(52)에는 Y 방향으로 연장되는 긴 구멍(52a)이 형성되어 있다. 긴 구멍(52a)을 통해 위쪽으로 연장되는 원형상의 피가공물을 유지하는 유지 수단으로서의 척 테이블(54)의 상면에는, 다공질 재료로 형성되어 실질적으로 수평으로 연장되는 원형상의 흡착척(56)이 배치되어 있다. 흡착척(56)은, 지주(50)를 지나는 유로에 의해 도시하지 않은 흡인 수단에 접속되어 있다. 척 테이블(54)의 주연부에는, 둘레 방향으로 간격을 두고 복수개의 클램프(58)가 배치되어 있다. 또한, X 방향은 도 1에 화살표 X로 나타내는 방향이고, Y 방향은 도 1에 화살표 Y로 나타내는 방향으로서 X 방향에 직교하는 방향이다. X 방향, Y 방향으로 규정되는 평면은 실질적으로 수평이다.
이동 수단(43)은, X 방향 이동 수단(60)과, Y 방향 이동 수단(65)과, 도시하지 않은 회전 수단을 포함한다. X 방향 이동 수단(60)은, 베이스(41) 상에서 X 방향으로 연장되는 볼나사(60b)와, 볼나사(60b)의 한쪽 단부에 연결된 모터(60a)를 갖는다. 볼나사(60b)의 도시하지 않은 너트부는, X 방향 가동판(51)의 하면에 고정되어 있다. 그리고 X 방향 이동 수단(60)은, 볼나사(60b)에 의해 모터(60a)의 회전 운동을 직선 운동으로 변환하여 X 방향 가동판(51)에 전달하고, 베이스(41) 상의 안내 레일(43a)을 따라 X 방향 가동판(51)을 X 방향으로 진퇴시킨다. Y 방향 이동 수단(65)은, X 방향 가동판(51) 상에서 Y 방향으로 연장되는 볼나사(65b)와, 볼나사(65b)의 한쪽 단부에 연결된 모터(65a)를 갖는다. 볼나사(65b)의 도시하지 않은 너트부는, Y 방향 가동판(53)의 하면에 고정되어 있다. 그리고, Y 방향 이동 수단(65)은, 볼나사(65b)에 의해 모터(65a)의 회전 운동을 직선 운동으로 변환하고, Y 방향 가동판(53)에 전달하며, X 방향 가동판(51) 상의 안내 레일(51a)을 따라 Y 방향 가동판(53)을 Y 방향으로 진퇴시킨다. 회전 수단은, 지주(50)에 내장되어 지주(50)에 대하여 흡착척(56)을 회전시킨다.
레이저 광선 조사 수단(44)은, 베이스(41)의 상면으로부터 위쪽으로 연장되고, 계속해서 실질적으로 수평으로 연장되는 프레임(46)에 내장되어 있다. 도 2의 (a)에 그 개략을 블록도로 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 레이저 광선 조사 수단(44)은, 피가공물인 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인을 따라 세공과 이 세공을 둘러싸는 비정질로 이루어진 실드 터널을 형성하기 위한 파장(예컨대, 1030 ㎚)의 레이저 광선을 발진시키는 레이저 발진기(44b)와, 레이저 발진기(44b)로부터 발진된 레이저 광선의 출력을 조정하기 위한 감쇠기(44c)와, 감쇠기(44c)에 의해 출력이 조정된 레이저 광선(LB)을, 집광 렌즈(44d)를 구비한 집광기(44a)를 향해 반사시키는 반사판(44f)을 포함하고 있다.
본 실시형태에 있어서의 레이저 가공 장치(40)는 도시하지 않은 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 컴퓨터에 의해 구성되며, 제어 프로그램에 따라서 연산 처리하는 중앙 연산 처리 장치(CPU)와, 제어 프로그램 등을 저장하는 리드 온리 메모리(ROM)와, 검출한 검출치, 연산 결과 등을 일시적으로 저장하기 위한 기록 및 판독 가능한 랜덤 액세스 메모리(RAM)와, 입력 인터페이스 및 출력 인터페이스를 구비한다. 상기 제어 수단의 입력 인터페이스에는, 촬상 수단(45)으로부터의 화상 신호 외에, 유지 기구(42)의 도시하지 않은 X 방향, Y 방향의 위치 검출 수단으로부터의 신호 등이 입력된다. 또한, 상기 출력 인터페이스로부터는, 레이저 발진기(44b), X 방향 이동 수단(60), Y 방향 이동 수단(65) 등을 향해 작동 신호가 송신된다.
촬상 수단(45)은, 프레임(46)의 선단 하면에 부설되어 있고, 안내 레일(43a)의 위쪽에 위치하며, 척 테이블(54)을 안내 레일(43a)을 따라 이동시킴으로써 척 테이블(54)에 배치된 피가공물을 촬상하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 본 실시형태의 촬상 수단(45)은, 가시광선에 의해 촬상하는 도시하지 않은 촬상 소자(CCD)에 의해 구성되어 있지만, 이 밖에 피가공물에 적외선을 조사하기 위한 적외선 광원과, 적외선에 대응한 전기 신호를 출력하는 적외선용 촬상 소자(적외선 CCD)를 구비하여도 좋다.
여기서, 본 발명의 집광기(44a)에 대해서, 도 3도 참조하면서, 더 설명한다. 집광기(44a)는, 적어도 집광 렌즈(44d)를 구비하고, 상기 집광 렌즈(44d)는, 본 발명의 기술 사상에 기초하여, 상기 집광 렌즈(44d)의 내측을 통과한 레이저 광선 LB1에 의해 집광 렌즈(44d)의 광축 상에 형성되는 집광점 P1의 위치를, 외측을 통과한 레이저 광선 LBn에 의해 광축 상에 형성되는 집광점 Pn의 위치보다 척 테이블(54)측으로 연장되도록 위치시키는 구면 수차의 기능을 구비한다. 상기 구면 수차의 기능은, 일반적으로 알려진 구면 렌즈에 의해 구성하는 것이 가능하지만, 본 발명은, 반드시 이것으로 한정되는 것은 아니며, 비구면 렌즈, 혹은 복수의 구면, 비구면 렌즈의 조합에 의해서도 구성하는 것이 가능하고, 웨이퍼(10)의 내부에 있어서 레이저 광선이 입사되는 방향으로 상기 집광점 P1∼Pn이 연장되도록 위치하는 것이 가능하면, 어떠한 구성이라도 좋다. 또한, 상기 집광점 P1로부터 Pn까지 집광점 위치가 변화하는 길이는, 50 ㎛∼2000 ㎛의 사이에서 설정되는 것이 바람직하다. 상기 길이는, 반드시 피가공물인 웨이퍼(10)의 두께보다 크게 설정할 필요는 없지만, 예컨대 웨이퍼(10)의 두께가 300 ㎛인 경우는, 표면으로부터 이면까지의 전체, 즉 300 ㎛에 걸쳐 집광점 P1∼Pn이 연장되도록 설정됨으로써, 보다 양호하게 실드 터널을 형성하는 것이 가능해진다.
본 발명에 기초하여 구성되는 레이저 가공 장치(40)의 작용에 대해서, 도면을 참조하면서, 차례로 설명한다. 우선, 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(12)으로 구획된 각 영역에 SAW 디바이스(14)가 형성되고, 점착 테이프(T)를 통해 환형의 프레임(F)에 유지된 리튬탄탈레이트(LiTaO3)로 이루어진 웨이퍼(10)를 준비한다.
척 테이블(54)의 흡착척(56) 상에, 점착 테이프(T)측을 아래로 하여 상기 웨이퍼(10)를 배치하고, 클램프(58)에 의해 그 환형의 프레임(F)을 유지함과 더불어, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동하여 부압을 흡착척(56)에 작용시켜 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다.
흡착척(56) 상에 웨이퍼(10)를 흡인 유지하였다면, X 방향 이동 수단(60), Y 방향 이동 수단(65)을 작동하여, 척 테이블(54)을 이동시켜서 웨이퍼(10)를 촬상 수단(45)의 바로 아래에 위치시킨다. 척 테이블(54)이 촬상 수단(45)의 바로 아래에 위치하면, 촬상 수단(45) 및 도시하지 않은 제어 수단에 의해, 웨이퍼(10)의 레이저 가공해야 할 영역을 검출하는 얼라인먼트 공정을 실행한다. 즉, 촬상 수단(45) 및 도시하지 않은 제어 수단은, 웨이퍼(10)의 미리 정해진 방향으로 형성되어 있는 분할 예정 라인(12)과, 분할 예정 라인(12)을 따라 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(44)의 집광기(44a)와의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하여 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 행한다. 또한, 상기 미리 정해진 방향과 직교하는 방향으로 형성되는 분할 예정 라인(12)을 따라서도 동일한 얼라인먼트 공정을 수행한다.
상기한 얼라인먼트 공정을 실행하였다면, 척 테이블(54)을, 집광기(44a)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시켜, 제1 방향으로 형성된 분할 예정 라인(12)의 일단이 집광기(44a)의 바로 아래가 되도록 위치시킨다. 그리고, 도시하지 않은 집광점 위치 조정 수단을 작동하여 집광기(44a)를 광축 방향으로 이동시켜서, 웨이퍼(10)를 구성하는 리튬탄탈레이트 기판 내부의 미리 정해진 위치에 집광점을 위치시킨다. 이 때, 집광 렌즈(44d)의 최내측을 지나는 레이저 광선 LB1에 의해 형성되는 집광점 P1의 위치를, 웨이퍼(10)의 내부이며, 웨이퍼(10)의 척 테이블(54)측, 즉, 이면 근방에 위치시키고, 집광 렌즈(44d)의 최외측을 지나는 레이저 광선 LBn에 의해 형성되는 집광점 Pn의 위치를, 웨이퍼(10)의 디바이스가 형성된 표면측에 위치시키도록 설정한다. 이에 따라, 집광기(44a)의 집광 렌즈(44d)를 지나는 레이저 광선(LB)에 의해 형성되는 집광점은, 웨이퍼(10)의 이면으로부터 표면까지 연장되도록 되어 있다. 또한, 도 3 및 도 4의 (c)에는 편의상, 레이저 광선(LB)을 LB1∼LBn으로, 집광점(P)을 P1∼Pn으로, 분해해서 설명하고 있지만, 실제로는, 이와 같이 분해된 상태로 보이는 것은 아니다.
전술한 집광점의 위치 부여를 행하였다면, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 레이저 광선 조사 수단(44)을 작동하여, 레이저 광선 발진기(44b)에 의해 웨이퍼(10) 내에 실드 터널(100)을 형성하는 펄스 레이저 광선을 발진시킨다. 레이저 광선 발진기(44b)로부터 발진된 펄스 레이저 광선(LB)은 감쇠기(44c)로 유도되고, 감쇠기(44c)의 작용에 의해 그 출력이 미리 정해진 값으로 조정되며, 집광기(44a)에 의해 집광되어, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(12)의 일단부에 조사된다. 레이저 광선(LB)의 조사가 시작되면, X 방향 이동 수단(60)을 작동하여, 척 테이블(54)을 도 4의 화살표 X로 나타내는 방향으로 이동시킴으로써, 상기 레이저 광선(LB)이 분할 예정 라인(12)을 따라 조사된다. 이에 따라, 분할 예정 라인(12)을 따라, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 상하 방향으로 연장되는 세공(102)과, 이 세공을 실드하는 비정질(104)로 이루어진 실드 터널(100)이 연속적으로 형성된다(도 4의 (c)를 참조). 상기 레이저 광선 조사 수단(44)과, 척 테이블(54), X 방향 이동 수단(60), Y 방향 이동 수단(65)을 작동하여, 웨이퍼(10)의 표면에 격자형으로 형성된 모든 분할 예정 라인(12)을 따라 상기 실드 터널(100)을 형성한다. 이와 같이 하여, 실드 터널 형성 공정이 완료되면, 웨이퍼(10)에 외력을 부여하여 개개의 디바이스(14)로 분리하는 분리 공정으로 반송한다. 또한, 상기 분리 공정에 대해서는, 본 발명의 주요부를 구성하지 않고, 또한 주지의 분리 수단을 이용할 수 있기 때문에(예컨대, 전술한 특허문헌 3의 도 8 및 그 설명을 참조), 그 상세한 설명은 생략한다.
상기 실드 터널 형성 공정에 있어서의 가공 조건은, 예컨대 다음과 같이 설정되어 있다.
파장 : 1030 ㎚
평균 출력 : 3 W
반복 주파수 : 50 kHz
펄스폭 : 10 ps
스폿 직경 : φ 10 ㎛
집광 렌즈의 개구수/웨이퍼의 굴절률 : 0.05∼0.20
X 방향 가공 이송 속도 : 500 ㎜/초
실드 터널 치수 : φ 1 ㎛의 세공, φ 10 ㎛의 비정질
전술한 바와 같이, 본 실시형태의 레이저 가공 장치에 있어서의 집광기는, 집광기의 내측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치를, 외측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치보다 척 테이블측으로 연장되도록 위치시키는 구면 수차의 기능을 구비하고, 상기 집광기의 내측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점이 웨이퍼의 내부에 위치하며, 세공과 이 세공을 둘러싸는 비정질로 이루어진 실드 터널을 형성한다. 이에 따라, 레이저 광선의 에너지가 실드 터널의 형성에 유효하게 사용되기 때문에, 양호한 실드 터널이 분할 예정 라인 전체에 걸쳐 형성된다. 그리고, 상기 실드 터널이 형성된 분할 예정 라인이, 전체에 걸쳐 충분히 취약해 있기 때문에, 상기 분리 공정에 있어서, 비교적 작은 외력으로 개개의 디바이스로 분할할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 상기 집광기(44a)의 내측을 지나는 레이저 광선 LB1에 의해 형성되는 집광점 P1의 위치를, 외측을 지나는 레이저 광선 LBn에 의해 형성되는 집광점 Pn의 위치보다 상기 척 테이블(54)측으로 연장되도록 위치시키는 구면 수차의 기능을, 집광기(44a)에 설치된 집광 렌즈(44d)에 구비하게 하는 것으로 하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 집광기(44a')에 설치된 집광 렌즈(44e)의 척 테이블(54)측의 위치에, 집광점 보정판(44g)을 설치하는 것으로 하여도 좋다. 상기 집광 렌즈(44e)는, 웨이퍼(10) 내부의 1점에 집광점이 형성되도록 그 렌즈면이 형성되어 있는 데 반하여, 상기 집광점 보정판(44g)은, 집광 렌즈(44e)와 웨이퍼(10) 사이에 설치되고, 집광 렌즈(44e)를 지나는 레이저 광선에 대하여, 내측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치를, 외측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치보다 상기 척 테이블(54)측으로 연장되도록 보정하는 기능을 구비한다.
집광점 보정판(44g)에 대하여 상기한 기능을 갖게 하기 위해서는, 예컨대, 집광점 보정판(44g)을 유리 소재로 형성하고, 레이저 광선이 입사되는 면이 구면 형상이 되는 볼록면을 형성함으로써 실현할 수 있다. 이러한 집광점 보정판(44g)을 상기 위치에 설치함으로써, 집광 렌즈(44e)를 통과한 레이저 광선(LB)에 있어서의 내측 및 외측의 진행 방향이, 집광점 보정판(44g)을 통과함으로써 보정되고, 집광기(44a')의 내측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치를, 외측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치보다 상기 척 테이블(54)측으로 연장되도록 한다. 그리고, 집광기의 내측을 지나는 레이저 광선에 의한 집광점이 웨이퍼의 내부에 위치하여 실드 터널이 형성된다. 결과적으로, 전술한 실시형태와 마찬가지로, 레이저 광선의 에너지가 실드 터널의 형성에 유효하게 사용되며, 양호한 실드 터널이 분할 예정 라인 전체에 걸쳐 형성된다.
또한, 본 발명에 있어서 「구면 수차의 기능을 구비한다」라고 하는 것은, 완전한 구면 형상으로 이루어진 볼록 렌즈에 의해 얻어지는 수차를 발생시키는 경우만을 의미하는 것은 아니다. 요컨대, 상기 집광기의 내측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치가, 외측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치보다 척 테이블측으로 연장되도록 위치되는 기능을 발휘하는 것 전부가 포함된다. 또한, 전술한 실시형태에서는, SAW 디바이스가 형성된 표면측으로부터 레이저 광선을 조사하는 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 표리를 반전시켜, 웨이퍼의 이면측으로부터 레이저 광선을 조사하도록 구성하여도 좋다.
10 : 웨이퍼 12 : 분할 예정 라인
14 : 디바이스 40 : 레이저 가공 장치
41 : 베이스 42 : 유지 기구
43 : 이동 수단 44 : 레이저 광선 조사 수단
44a : 집광기 44d, 44e : 집광 렌즈
44g : 집광점 보정판 45 : 촬상 수단
100 : 실드 터널 102 : 세공
104 : 비정질

Claims (4)

  1. 레이저 가공 장치에 있어서,
    웨이퍼를 유지하는 척 테이블과,
    상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단과,
    상기 척 테이블과 상기 레이저 광선 조사 수단을 상대적으로 가공 이송하는 가공 이송 기구
    를 구비하고,
    상기 레이저 광선 조사 수단은,
    펄스 레이저 광선을 발진시키는 레이저 발진기와,
    상기 레이저 발진기가 발진시킨 펄스 레이저 광선을 집광하여 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 조사하는 집광기
    를 포함하며,
    상기 집광기는, 상기 집광기의 내측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치를, 상기 집광기의 외측을 지나는 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점의 위치보다 상기 척 테이블측으로 연속적으로 변화하도록 위치시키는 구면 수차의 기능을 갖고,
    집광점 위치가 레이저 광선의 횡단면 위치에 따라 웨이퍼의 두께 방향으로 연속적으로 변화하는 레이저 광선을 웨이퍼에 조사함으로써, 웨이퍼의 내부에 세공과 이 세공을 둘러싸는 비정질로 이루어진 실드 터널을 형성하는 것인 레이저 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 구면 수차의 기능은 구면 수차를 갖는 집광 렌즈에 의해 달성되는 것인 레이저 가공 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 구면 수차의 기능은, 집광 렌즈와, 상기 집광 렌즈에 대하여 척 테이블측에 배치되어 상기 집광 렌즈에 의해 집광되는 레이저 광선의 집광점 위치를 보정하는 집광점 보정판으로 달성되는 것인 레이저 가공 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레이저 광선의 횡단면 중, 외측의 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점으로부터 내측의 레이저 광선에 의해 형성되는 집광점까지, 집광점의 연장 길이는 50 ㎛∼2000 ㎛인 것인 레이저 가공 장치.
KR1020170056805A 2016-05-09 2017-05-04 레이저 가공 장치 KR102251272B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-093576 2016-05-09
JP2016093576A JP6755705B2 (ja) 2016-05-09 2016-05-09 レーザー加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170126407A true KR20170126407A (ko) 2017-11-17
KR102251272B1 KR102251272B1 (ko) 2021-05-11

Family

ID=60119655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170056805A KR102251272B1 (ko) 2016-05-09 2017-05-04 레이저 가공 장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10388508B2 (ko)
JP (1) JP6755705B2 (ko)
KR (1) KR102251272B1 (ko)
CN (1) CN107350641B (ko)
DE (1) DE102017207693A1 (ko)
TW (1) TWI706821B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6755705B2 (ja) * 2016-05-09 2020-09-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6882045B2 (ja) * 2017-04-13 2021-06-02 株式会社ディスコ 集光点位置検出方法
JP7217585B2 (ja) * 2017-04-13 2023-02-03 株式会社ディスコ 分割方法
JP6994852B2 (ja) * 2017-06-30 2022-01-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置及びレーザー加工方法
JP7407499B2 (ja) 2017-12-26 2024-01-04 株式会社ディスコ 凹部又は貫通孔の形成方法、電極の形成方法
USD954567S1 (en) * 2019-06-25 2022-06-14 Ebara Corporation Measurement jig
CN110625267A (zh) * 2019-08-22 2019-12-31 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种加工蓝宝石衬底led晶圆的方法及激光装置
US20210107094A1 (en) * 2019-10-14 2021-04-15 Haesung Ds Co., Ltd. Apparatus for and method of polishing surface of substrate
JP2021087967A (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 株式会社ディスコ レーザー加工装置の調整方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4917257B1 (ko) * 1970-10-02 1974-04-27
KR100305420B1 (ko) 1997-01-24 2001-11-22 모리시타 요이찌 다방향제어기및이에사용되는다방향제어장치
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2014221483A (ja) 2013-05-13 2014-11-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2015030040A (ja) * 2013-08-02 2015-02-16 ロフィン−ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド 透明材料の内部でレーザーフィラメンテーションを実行するシステム
KR20150135262A (ko) * 2013-03-27 2015-12-02 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP2015213927A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5307384B2 (ja) * 2007-12-03 2013-10-02 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US8809120B2 (en) * 2011-02-17 2014-08-19 Infineon Technologies Ag Method of dicing a wafer
EP2754524B1 (de) * 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
JP6113529B2 (ja) * 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6121281B2 (ja) * 2013-08-06 2017-04-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US10144088B2 (en) * 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
JP6548944B2 (ja) * 2015-04-09 2019-07-24 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6549014B2 (ja) * 2015-10-13 2019-07-24 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP6755705B2 (ja) * 2016-05-09 2020-09-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4917257B1 (ko) * 1970-10-02 1974-04-27
KR100305420B1 (ko) 1997-01-24 2001-11-22 모리시타 요이찌 다방향제어기및이에사용되는다방향제어장치
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR20150135262A (ko) * 2013-03-27 2015-12-02 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP2014221483A (ja) 2013-05-13 2014-11-27 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2015030040A (ja) * 2013-08-02 2015-02-16 ロフィン−ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド 透明材料の内部でレーザーフィラメンテーションを実行するシステム
JP2015213927A (ja) * 2014-05-08 2015-12-03 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI706821B (zh) 2020-10-11
JP6755705B2 (ja) 2020-09-16
US20190252179A1 (en) 2019-08-15
DE102017207693A1 (de) 2017-11-09
JP2017202488A (ja) 2017-11-16
CN107350641A (zh) 2017-11-17
US10388508B2 (en) 2019-08-20
TW201739553A (zh) 2017-11-16
US20170323774A1 (en) 2017-11-09
US10658171B2 (en) 2020-05-19
CN107350641B (zh) 2021-10-22
KR102251272B1 (ko) 2021-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20170126407A (ko) 레이저 가공 장치
TWI579088B (zh) Laser processing method
JP6121281B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR102313271B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR20170100426A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102316369B1 (ko) 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
KR102303131B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP2014104484A (ja) レーザー加工装置
KR20110093614A (ko) 레이저 가공 장치
KR20160086263A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
US9149886B2 (en) Modified layer forming method
KR102527033B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102535905B1 (ko) 레이저 가공 장치
TW201839829A (zh) 晶圓加工方法
KR102537095B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP6970554B2 (ja) 加工方法
KR20170128100A (ko) 레이저 가공 장치
JP6608746B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6576782B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6529414B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2017050377A (ja) ウエーハの加工方法
JP2016054202A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant