JP6549014B2 - 光デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、サファイア基板の表面に発光層が形成され格子状の複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法に関する。
光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板の表面にｎ型窒化ガリウム半導体層およびｐ型窒化ガリウム半導体層からなる発光層（エピ層）が積層され格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより光デバイスが形成された領域を分割して個々の光デバイスを製造している。
上述した光デバイスウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは２０μｍ程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が５０μｍ程度必要となる。このため、分割予定ラインの占める面積比率が高くなり、生産性が悪いという問題がある。
上述した問題を解消するために、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、サファイア基板に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することにより破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、この破断の起点となるレーザー加工溝が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板の表面に形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成すると、発光ダイオード等の光デバイスの外周がアブレーションされてデブリと呼ばれる溶融物が付着するため輝度が低下し、光デバイスの品質が低下するという問題がある。
このような問題を解消するために、発光層（エピ層）が形成されていないサファイア基板の裏面側からサファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、サファイア基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成することにより、サファイア基板を改質層が形成されることによって強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿って分割する加工方法が下記特許文献２に開示されている。
しかるに、サファイア基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成すると、光デバイスの側面が改質層で覆われ光デバイスの抗折強度が低下するとともに、裏面から表面に亘って垂直に分割することはできないという問題がある。
このような問題を解消するために、パルスレーザー光線を集光する集光レンズの開口数（ＮＡ）を単結晶基板の屈折率（Ｎ）で除した値が０．０５〜０．２の範囲で集光レンズの開口数（ＮＡ）を設定し、この集光レンズによって集光したパルスレーザー光線を照射して単結晶基板に位置付けられた集光点とパルスレーザー光線が入射された側との間に細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを形成するレーザー加工方法が下記特許文献３に開示されている。
特開平１０−３０５４２０号公報 特許第３４０８８０５号公報 特開２０１４−２２１４８３号公報
上記特許文献３に記載されたレーザー加工方法によって光デバイスウエーハを構成するサファイア基板に分割予定ラインに沿ってレーザー加工を施すことにより、サファイア基板の裏面から表面に亘って細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを形成することができるため、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って垂直に分割することができるとともに、デブリの飛散による光デバイスの品質および抗折強度の低下を防ぐことができる。
しかるに、上記特許文献３に記載されたレーザー加工方法によって光デバイスウエーハを構成するサファイア基板に分割予定ラインに沿ってレーザー加工を施しシールドトンネルを形成すると、図８に示すようにサファイア基板の厚み方向中間部に抉れ（エグレ）が生じて、分割された光デバイスの側面に凹凸が形成されるという新たな問題が生じた。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、側面に抉れ（エグレ）による凹凸が形成されることなく光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、サファイア基板の表面に発光層が形成され格子状の複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
サファイア基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をサファイア基板の裏面側から内部に位置付けて分割予定ラインに対応する領域に沿って照射し、細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成工程と、
該シールドトンネル形成工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割する分割工程と、を含み、
該シールドトンネル形成工程は、集光点を生成する集光レンズにパルスレーザー光線を拡がり角を持って入光させることにより球面収差を生成せしめる、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
上記シールドトンネル形成工程は、集光レンズの上流側に配設された凹レンズによってパルスレーザー光線に拡がり角を持たせる。
また、上記凹レンズの焦点距離は、−０．１〜−５ｍに設定されている。
本発明による光デバイスウエーハの加工方法においては、サファイア基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をサファイア基板の裏面側から内部に位置付けて分割予定ラインに対応する領域に沿って照射し、細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成工程と、該シールドトンネル形成工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割する分割工程とを含み、シールドトンネル形成工程は、集光点を生成する集光レンズにパルスレーザー光線を拡がり角を持って入光させることにより球面収差を生成せしめたパルスレーザー光線を照射するので、サファイア基板の裏面から表面に亘って均一に形成されるため、サファイア基板の厚み方向中間部に抉れ（エグレ）が生じることがなく、分割された光デバイスの側面に凹凸が形成されることはない。
本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図。 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における保護テープ貼着工程の説明図。 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるシールドトンネル形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 図３に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図。 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるシールドトンネル形成工程の説明図。 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の説明図。 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における分割工程の説明図。 従来の加工方法によって光デバイスウエーハが個々に分割された光デバイスの斜視図。
以下、本発明による光デバイスウエーハの加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図１の（ａ）および（ｂ）には、本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって加工される光デバイスウエーハの斜視図が示されている。
図１の（ａ）および（ｂ）に示す光デバイスウエーハ２は、厚みが５００μｍのサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板２０の表面２０ａにｎ型窒化ガリウム半導体層およびｐ型窒化ガリウム半導体層からなる発光層２１がエピタキシャル成長法によって１０μｍの厚みで積層して形成されている。なお、発光層２１には、格子状に形成された複数の分割予定ライン２１１によって区画された複数の領域に光デバイス２１２が形成されている。
上述した光デバイスウエーハ２を分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法においては、先ず、光デバイスウエーハ２を構成する発光層２１の表面２１ａに形成された光デバイス２１２を保護するために、発光層２１の表面２１ａに保護テープを貼着する保護テープ貼着工程を実施する。即ち、図２に示すように光デバイスウエーハ２を構成する発光層２１の表面２１ａに保護テープ３を貼着する。なお、保護テープ３は、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのアクリル系樹脂シートの表面にアクリル系樹脂粘着層が厚さ５μｍ程度敷設されている。
上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、サファイア基板２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をサファイア基板２０の裏面側から内部に位置付けて分割予定ライン２１１に対応する領域に沿って照射し、細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成工程を実施する。このシールドトンネル形成工程は、図示の実施形態においては図３に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図３において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。レーザー光線照射手段４２は、図４に示すように上記ケーシング４２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段４２２と、該パルスレーザー光線発振手段４２２から発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段４２３と、該出力調整手段４２３によって出力が調整されたパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル４１の上面である保持面に保持された被加工物としての光デバイスウエーハ２に照射する集光器４２４を具備している。パルスレーザー光線発振手段４２２は、パルスレーザー光線発振器４２２ａと、パルスレーザー光線発振器４２２ａが発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する繰り返し周波数設定手段４２２ｂ、およびパルスレーザー光線発振器４２２ａが発振するパルスレーザー光線のパルス幅を設定するパルス幅設定手段４２２ｃとから構成されている。このように構成されたパルスレーザー光線発振手段４２２は、図示の実施形態においては波長が１０３０ｎｍのパルスレーザー光線ＬＢを発振する。なお、パルスレーザー光線発振手段４２２および上記出力調整手段４２３は、図示しない制御手段によって制御されるようになっている。
上記集光器４２４は、パルスレーザー光線発振手段４２２から発振され出力調整手段４２３によって出力が調整されたパルスレーザー光線ＬＢを図４において下方に向けて方向変換する方向変換ミラー４２４ａと、該方向変換ミラー４２４ａによって方向変換されたパルスレーザー光線ＬＢを集光してチャックテーブル４１の上面である保持面に保持された被加工物に照射する集光レンズ４２４ｂと、該集光レンズ４２４ｂの上流側に配設されパルスレーザー光線ＬＢに拡がり角を持たせる凹レンズ４２４ｃとからなっている。この集光器４２４の集光レンズ４２４ｂは、開口数（ＮＡ）が次のよう設定されている。即ち、集光レンズ４２４ｂの開口数（ＮＡ）は、開口数（ＮＡ）をサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板の屈折率で除した値が０．０５〜０．２の範囲に設定される。従って、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板の屈折率が１．７であるので、集光レンズ４２４ｂの開口数（ＮＡ）は０．０８５〜０．３４の範囲に設定されている。なお、上記レーザー光線照射手段４２は、集光器４２４の集光レンズ４２４ｂによって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。
上記集光レンズ４２４ｂの上流側に配設された凹レンズ４２４ｃは、図４において破線で示すように方向変換ミラー４２４ａによって方向変換されたパルスレーザー光線を拡がり角を持って集光レンズ４２４ｂに導く。従って、凹レンズ４２４ｃを配設することにより、
図４に示すように集光レンズ４２４ｂによって集光されるパルスレーザー光線にはＰ１からＰ２の範囲で球面収差が生成される。なお、球面収差の範囲は凹レンズ４２４ｃの焦点距離（ｆ）によって調整することができ、凹レンズ４２４ｃの焦点距離（ｆ）は−０．１〜−５ｍに設定することが望ましい。
なお、上述した実施形態においては、球面収差を生成する手段としてパルスレーザー光線を拡がり角を持って集光レンズ４２４ｂに導くための凹レンズ４２４ｃを用いた例を示したが、パルスレーザー光線発振手段４２２から発振されるパルスレーザー光線自体が所定の拡がり角を持っている場合には、必ずしも凹レンズ等の球面収差生成手段を必ずしも設ける必要はない。
上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
以上のように構成されたレーザー加工装置４を用いて、上記保護テープ貼着工程が実施された光デバイスウエーハ２に上述したシールドトンネル形成工程を実施するには、図３に示すレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に光デバイスウエーハ２が貼着された保護テープ３側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープ３を介して光デバイスウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１に保持された光デバイスウエーハ２は、サファイア基板２０の裏面２０ｂが上側となる。このようにして、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。
チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１１と、分割予定ライン２１１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、光デバイスウエーハ２に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン２１１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。なお、アライメント工程においては、光デバイスウエーハ２の分割予定ライン２１１および光デバイス２１２が形成された発光層２１は下側に位置しているが、撮像手段４３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、サファイア基板２０側から透過して分割予定ライン２１１を撮像することができる。
上述したアライメント工程を実施したならば、図５の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２１１を集光器４２４の直下に位置付ける。このとき、図５の（ａ）で示すように光デバイスウエーハ２は、分割予定ライン２１１の一端（図５の（ａ）において左端）が集光器４２４の直下に位置するように位置付けられる。そして、図５の（ｃ）に示すように集光器４２４の集光レンズ４２４ｂから照射されるパルスレーザー光線ＬＢの球面収差の範囲であるＰ１からＰ２の中間点Ｐ０がサファイア基板２０の裏面２０ｂから厚み方向の所望の位置に位置付けられるように図示しない集光点位置調整手段を作動して集光器４２４を光軸方向に移動する（位置付け工程）。なお、図示の実施形態においては、集光レンズ４２４ｂから照射されるパルスレーザー光線ＬＢの球面収差の範囲であるＰ１からＰ２の中間点Ｐ０は、光デバイスウエーハ２におけるパルスレーザー光線が入射されるサファイア基板２０の裏面２０ｂから所望位置（例えば裏面２０ｂから７６μｍ表面２０ａ側の位置）に設定されている。
上述したように位置付け工程を実施したならば、レーザー光線照射手段４２を作動して集光器４２４からパルスレーザー光線ＬＢを照射して光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０に位置付けられた集光レンズ４２４ｂから照射されるパルスレーザー光線ＬＢの球面収差の範囲（Ｐ１〜Ｐ２）付近（裏面２０ｂ側）から表面２０ａに向けて細孔と該細孔をシールドする非晶質とを形成させてシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程を実施する。即ち、集光器４２４から光デバイスウエーハ２を構成するサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを照射しつつチャックテーブル４１を図５の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる（シールドトンネル形成工程）。そして、図５の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段４２の集光器４２４のレーザー光線照射位置に分割予定ライン２１１の他端（図５の（ｂ）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。
なお、上記のシールドトンネル形成工程は、次に示す加工条件に設定されている。
波長 ：１０３０ｎｍ
繰り返し周波数 ：４０ｋＨｚ
パルス幅 ：１０ｐｓ
平均出力 ：０．５Ｗ
スポット径 ：φ５μｍ
加工送り速度 ：４００ｍｍ／秒
集光レンズの開口数 ：０．２５
上述したシールドトンネル形成工程を実施することにより、光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の内部には、図５の（ｃ）に示すように収差集光点Ｐ付近（裏面２０ｂ）から表面２０ａに向けて細孔２３１と該細孔２３１の周囲に形成された非晶質２３２が成長し、分割予定ライン２１１に沿って所定の間隔（図示の実施形態においては１０μｍの間隔（加工送り速度：４００ｍｍ／秒）／（繰り返し周波数：４０ｋＨｚ））で非晶質のシールドトンネル２３が形成される。このように形成されたシールドトンネル２３は、図５の（ｄ）および（ｅ）に示すように中心に形成された直径がφ１μｍ程度の細孔２３１と該細孔２３１の周囲に形成された直径がφ１０μｍの非晶質２３２とからなり、図示の実施形態においては互いに隣接する非晶質２３２同士がつながるように連接して形成される形態となっている。なお、シールドトンネル形成工程においては、集光レンズ４２４ｂから照射されるパルスレーザー光線ＬＢが上述したように球面収差が生成された状態でサファイア基板２０に照射されるので、シールドトンネル２３はサファイア基板２０の裏面から表面に亘って均一に形成されるため、厚み方向中間部に抉れ（エグレ）が生じることがない。
以上のようにしてシールドトンネル形成工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の裏面２０ｂにダイシングテープを貼着し該ダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図６に示すように、環状のフレーム５の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ６の表面に光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の裏面２０ｂを貼着する。そして、光デバイスウエーハ２を構成する発光層２１の表面２１ａに貼着されている保護テープ３を剥離する。従って、ダイシングテープ６の表面に貼着された光デバイスウエーハ２は、発光層２１の表面２１ａが上側となる。
次に、光デバイスウエーハ２に外力を付与し、光デバイスウエーハ２を分割予定ライン２１１に沿って個々の光デバイス２１２に分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図７の（ａ）に示す分割装置７を用いて実施する。即ち、上記ウエーハ支持工程が実施された光デバイスウエーハ２をダイシングテープ６を介して支持する環状のフレーム５を円筒状のベース７１の載置面７１ａ上にダイシングテープ６側を上にして載置し、円筒状のベース７１の外周に配設されたクランプ７２によって固定する。そして、光デバイスウエーハ２を構成する側を曲げ荷重付与手段７３を構成する平行に配設された円柱状の複数の支持部材７３１上に載置する。このとき、図７の（ｂ）に示すように支持部材７３１と７３１との間に上記分割予定ライン２１１に沿って形成されたシールドトンネル２３が位置付けられるように載置する。そして、光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の裏面２０ｂに貼着されたダイシングテープ６における図７の（ａ）において支持部材７３１と７３１との間に支持された最右端の分割予定ライン２１１と対応する位置に押圧部材７３２を位置付けて押圧する（分割工程）。この結果、光デバイスウエーハ２には図７の（ａ）において最右端の分割予定ライン２１１に沿って形成されたシールドトンネル２３に沿って曲げ荷重が作用してサファイア基板２０の表面２０ａ側に露出されているシールドトンネル２３側に引っ張り荷重が発生し、図７の（ｃ）に示すように分割予定ライン２１１に沿って形成されたシールドトンネル２３が分割の起点となって分割予定ライン２１１に沿って分割される。この分割工程を支持部材７３１と７３１との間に支持された分割予定ライン２１１に沿って図７の（ａ）において最左端の分割予定ライン２１１まで順次実施する。
なお、上記分割の起点となるサファイア基板２０に形成されたシールドトンネル２３は、上述した図５に示すシールドトンネル形成工程において集光レンズ４２４ｂから照射されるパルスレーザー光線ＬＢが上述したように球面収差が生成された状態でサファイア基板２０に照射されるので、サファイア基板２０の裏面から表面に亘って均一に形成されるため、厚み方向中間部に抉れ（エグレ）が生じることがなく、図７の（ｃ）に示すように分割された光デバイス２１２の側面に上記図８に示す従来の加工方法のように抉れ（エグレ）に基づく凹凸が形成されることはない。
以上のようにして、光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の内部に所定方向に延びる分割予定ライン２１１に沿って形成されたシールドトンネル２３に沿って分割したならば、円筒状のベース７１を９０度回動せしめて、上記所定方向と直交する方向に延びる分割予定ライン２１１に沿って形成されたシールドトンネル２３に沿って上記分割工程を実施することにより、光デバイスウエーハ２は個々の光デバイス２１２に分割することができる。
２：光デバイスウエーハ
２０：サファイア基板
２１：発光層（エピ層）
２１１：分割予定ライン
２１２：光デバイス
２３：シールドトンネル
３：保護テープ
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４２４：集光器
４２４ｂ：集光レンズ
４２４ｃ：凹レンズ
７：分割装置

Claims (3)

  1. サファイア基板の表面に発光層が形成され格子状の複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
    サファイア基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をサファイア基板の裏面側から内部に位置付けて分割予定ラインに対応する領域に沿って照射し、細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成工程と、
    該シールドトンネル形成工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割する分割工程と、を含み、
    該シールドトンネル形成工程は、集光点を生成する集光レンズにパルスレーザー光線を拡がり角を持って入光させることにより球面収差を生成せしめる、
    ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
  2. 該シールドトンネル形成工程は、該集光レンズの上流側に配設された凹レンズによってパルスレーザー光線に拡がり角を持たせる、請求項１記載の光デバイスウエーハの加工方法。
  3. 該凹レンズの焦点距離は、−０．１〜−５ｍに設定されている、請求項２記載の光デバイスウエーハの加工方法。
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