TW201719736A - 光元件晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠在側面不會形成凹凸的情況下將光元件晶圓分割成一個個的光元件之光元件晶圓的加工方法。本發明之光元件晶圓的加工方法包含：將對藍寶石基板具有透射性的波長之脈衝雷射光的聚光點，從藍寶石基板的背面側定位於內部，並沿著對應於分割預定線的區域照射，使細孔和屏蔽細孔之非晶質成長而沿著分割預定線形成屏蔽隧道之屏蔽隧道形成步驟，和，對實施過屏蔽隧道形成步驟之光元件晶圓施加外力，將光元件晶圓沿分割預定線分割成一個個的光元件晶片之分割步驟。在屏蔽隧道形成步驟，使脈衝雷射光帶發散角地入射到聚光透鏡，藉以產生球面像差。

Description

光元件晶圓的加工方法 發明領域
本發明涉及一種將在藍寶石基板的表面上形成有發光層且在以格子狀的複數條分割預定線區劃成之複數個區域上分別形成有光元件的光元件晶圓，沿著分割預定線分割成一個個的光元件晶片之光元件晶圓的加工方法。
發明背景
光元件製造程序中，是在大致呈圓板形狀的藍寶石基板表面上積層由n型氮化鎵半導體層及p型氮化鎵半導體層所形成的發光層(磊晶層)，並且在以形成格子狀的複數條分割預定線區劃成之複數個區域上形成發光二極體、雷射二極體等之光元件，以構成光元件晶圓。接著，沿分割預定線切斷光元件晶圓以分割形成有光元件的區域，製造出一個個的光元件晶片。
上述之沿光元件晶圓的分割預定線進行的切斷作業，通常，是用稱為切割機的切割裝置實施的。此切割裝置具備：保持被加工物的吸盤工作台、用來切割被保持在該吸盤工台作上之被加工物的切割機構，和使吸盤工作 台與切割機構相對地進行移動之切割進給機構。切割機構包含轉軸和安裝於該轉軸之切割刀，以及旋轉驅動轉軸之驅動機構。切割刀由圓盤狀的基台和裝設在該基台的側面外周部之環狀的刀刃構成，刀刃是，例如將粒徑3μm左右的鑽石磨粒藉電鑄固定於基台上形成厚度20μm左右。
然而，由於構成光元件晶圓的藍寶石基板摩斯硬度高，因此未必容易利用上述切割刀進行切斷。此外，因為切割刀具有20μm左右的厚度，所以區劃元件的分割預定線寬度必須在50μm左右。因此，分割預定線所占面積比率提高，有生產性差的問題。
為解決上述問題，沿分割預定線分割光元件晶圓的分割方法已經被提出的有，沿著分割預定線照射對藍寶石基板具有吸收性之波長的脈衝雷射光，藉以形成成為斷裂起點的雷射加工槽，再沿著形成有成為此破斷起點之雷射加工槽的分割預定線施加外力以進行割斷的方法(例如，參見專利文獻1)。
然而，如果沿著形成於構成光元件晶圓之藍寶石基板的表面之分割預定線照射雷射光以形成雷射加工槽，則由於發光二極體等之光元件的外周受到燒蝕且稱為碎屑之熔融物附著，故而有亮度降低，光元件的品質低下的問題。
為解決此種問題，在下述專利文獻2中揭示了，從未形成發光層(磊晶層)之藍寶石基板的背面側，將對藍寶石基板具有透射性之波長的雷射光的聚光點定位於內部並 沿著分割預定線進行照射，在藍寶石基板內部沿分割預定線形成改質層，藉此而沿著因為形成改質層以致強度降低之分割預定線將藍寶石基板加以分割之加工方法。
然而，如果在藍寶石基板的內部沿分割預定線形成改質層，光元件的外周就會被改質層覆蓋，不僅光元件的抗折度會降低，還會有無法從背面達到表面垂直地進行分割的問題。
為解決此種問題，下述專利文獻3揭示了，在以單晶基板的折射率(N)除以對脈衝雷射光進行聚光之聚光透鏡的開口數(NA)而得之數值為0.05~0.2的範圍內設定聚光鏡的開口數(NA)，並照射利用此聚光透鏡聚光的脈衝雷射光，使細孔和屏蔽該細孔的非晶質在被定位於單晶基板之聚光點和脈衝雷射光入射側之間成長而形成屏蔽隧道的雷射加工方法。
【先前技術文獻】
【專利文獻1】特開平10-305420號公報
【專利文獻2】特許第3408805號公報
【專利文獻3】特開2014-221483號公報
發明概要
依據上述專利文獻3中記載之雷射加工方法，藉由在構成光元件晶圓的藍寶石基板上沿分割預定線施行雷射加工的方式，由於能夠從藍寶石基板的背面延續到表面 地使細孔和屏蔽該細孔的非晶質成長而形成屏蔽隧道，因此除了可以沿分割預定線垂直地分割光元件晶圓外，同時還能夠防止因碎屑飛散所造成之光元件的品質及抗折強度的降低。
然而，如果依據上述專利文獻3記載的雷射加工方法，沿分割預定線對構成光元件晶圓之藍寶石基板施行雷射加工以形成屏蔽隧道，則如圖8所示，在藍寶石基板之厚度方向中間部會發生凹陷(深深凹入)，出現在分割後之光元件的側面形成凹凸的新問題。
本發明即是有鑑於上述事實而完成的，其主要的技術課題在於提供一種能夠不會有在側面形成因凹陷而導致之凹凸的情形下，將光元件晶圓分割成一個個的光元件晶片之光元件晶圓的加工方法。
為解決上述主要的技術課題，依據本發明提供了一種光元件晶圓的加工方法，係將藍寶石基板的表面上形成有發光層，且在以格子狀的複數條分割預定線區劃成之複數個區域上分別形成有光元件的光元件晶圓，分割成一個個的光元件晶片之光元件晶圓的加工方法，其包含：將對藍寶石基板具有透射性的波長之脈衝雷射光的聚光點，從藍寶石基板的背面側定位到內部並沿著對應於分割預定線的區域進行照射，使細孔與屏蔽該細孔之非晶質成長而沿著分割預定線形成屏蔽隧道之屏蔽隧道形成步驟，和，對實施過該屏蔽隧道形成步驟之光元件晶圓施加外力，將 光元件晶圓沿分割預定線分割成一個個的光元件晶片之分割步驟；特徵在於，該屏蔽隧道形成步驟係使脈衝雷射光帶發散角地入射到聚光透鏡，藉以使通過聚光透過後的脈衝雷射光產生球面像差。
較佳的是，在上述屏蔽隧道形成步驟中，是利用配設在聚光透鏡的上游側之凹透鏡來使脈衝雷射光帶有發散角。上述凹透鏡的焦距宜設定在-0.1~-5m。
如果依據本發明之光元件晶圓的加工方法，因為在屏蔽隧道形成步驟，藉由使脈衝雷射光帶著發散角入射到聚光透鏡的方式，照射生成球面像差的脈衝雷射光，所以從藍寶石基板的背面側延續到表面均勻地形成屏蔽隧道，因此在藍寶石基板的厚度方向中間部不會有出現凹陷(深深凹入)的情況，在分割成的光元件晶片的側面就沒有形成凹凸的情形。
2‧‧‧光元件晶圓
20‧‧‧藍寶石基板
20a‧‧‧藍寶石基板的表面
20b‧‧‧藍寶石基板的背面
21‧‧‧發光層
21a‧‧‧發光層的表面
211‧‧‧分割預定線
212‧‧‧光元件
23‧‧‧屏蔽隧道
231‧‧‧細孔
232‧‧‧非晶質
3‧‧‧保護膠帶
4‧‧‧雷射加工裝置
41‧‧‧雷射加工裝置之吸盤工作台
42‧‧‧雷射光照射機構
421‧‧‧套管
422‧‧‧脈衝雷射光振盪機構
422a‧‧‧脈衝雷射振盪器
422b‧‧‧重複頻率設定機構
422c‧‧‧脈衝寬度設定機構
423‧‧‧輸出調整
424‧‧‧聚光器
424a‧‧‧方向變換鏡
424b‧‧‧聚光透鏡
424c‧‧‧凹透鏡
43‧‧‧攝像機構
5‧‧‧環狀的框架
6‧‧‧切割膠帶
7‧‧‧分割裝置
71‧‧‧基座
71a‧‧‧載置面
72‧‧‧夾具
73‧‧‧彎曲負載施加機構
731‧‧‧支持構件
732‧‧‧按壓構件
LB‧‧‧脈衝雷射光
P1~P2‧‧‧脈衝雷射光之球面像差範圍
P0‧‧‧球面像差範圍的中間點
【圖1】(a),(b)所示為光元件晶圓的斜視圖及主要部分的放大示意斷面圖。
【圖2】(a),(b)保護膠帶黏貼步驟的說明圖。
【圖3】用於實施屏蔽隧道形成步驟之雷射加工裝置的主要部分斜視圖。
【圖4】示於圖3之雷射加工裝置中所裝設的雷射光照射機構的方塊構成圖。
【圖5】(a)-(e)屏蔽隧道形成步驟的說明圖。
【圖6】晶圓支持步驟的說明圖。
【圖7】(a)-(c)分割步驟的說明圖。
【圖8】以習知的加工方法將光元件晶圓分割成一個個的光元件之斜視圖。
較佳實施例之詳細說明
以下將參照所附圖式，就本發明之光元件晶圓的加工方法，更詳細地做說明。
圖1之(a)及(b)中所示為，依據本發明之光元件晶圓的加工方法進行加工之光元件晶圓的斜視圖及其主要部分斷面圖。光元件晶圓2是在厚度為500μm之藍寶石(Al2O3)基板20的表面20a，以磊晶成長法積層10μm的厚度之由n型氮化鎵半導體層及p型氮化鎵半導體層構成的發光層21而形成。此外，在發光層21，由形成格子狀的複數條分割預定線211區劃出的複數個區域上形成有光元件212。
在沿分割預定線將上述之光元件晶圓2分割成一個個的光元件晶片之光元件晶圓的加工方法中，首先，為了保護構成光元件晶圓2之發光層21的表面21a上所形成之光元件212，要實施在發光層21的表面21a上黏貼保護膠帶的保護膠帶黏貼步驟。亦即，如圖2所示，將保護膠帶3黏貼於構成光元件晶圓2之發光層21的表面21a。另外，在本實施態樣中，保護膠帶3是在厚度為100μm之壓克力系樹脂片材的表面敷設厚度5μm左右的壓克力系樹脂黏著層。
如果已經實施過上述保護膠帶黏貼步驟，就要實 施屏蔽隧道形成步驟，將對藍寶石基板20具有透射性的波長的脈衝雷射光之聚光點，從藍寶石基板20的背面定位於內部並沿著對應於分割預定線211的區域進行照射，使細孔和屏蔽該細孔的非晶質成長而沿著分割預定線形成屏蔽隧道。在本實施態樣中，此屏蔽隧道形成步驟係使用圖3中所示之雷射加工裝置4來實施。圖3所示之雷射加工裝置4具備保持被加工物之吸盤工作台41、對被保持於該吸盤工作台41上之被加工物照射雷射光的雷射光照射機構42，和對被保持於吸盤工作台41上之被加工物進行攝像的攝像機構43。吸盤工作台41被組設成吸引保持被加工物的狀態，並以未圖示出之加工進給機構在圖3中以箭頭X表示之加工進給方向移動，同時以未圖示出之分度進給機構在圖3中以箭頭Y表示的分度進給方向上移動。
上述雷射光照射機構42包含實質上水平地配置之圓筒形狀的套管421。雷射光照射機構42係如圖4所示地具備，配設在套管421內之脈衝雷射光振盪機構422、對於從脈衝雷射光振盪機構422發出之脈衝雷射光的輸出進行調整之輸出調整機構423，和，對已經利用該輸出調整機構423調整過輸出的脈衝雷射光進行聚光，並照射於作為被保持在吸盤工作台41的上面，即保持面，之被加工物的光元件晶圓2之聚光器424。脈衝雷射光振盪機構422由，脈衝雷射振盪器422a、對脈衝雷射振盪器422a發出之脈衝雷射光的重複頻率進行設定之重複頻率設定機構422b，以及對脈衝雷射振盪器422a發出之脈衝雷射光的脈衝寬度進行設定 之脈衝寬度設定機構422c構成。在本實施態樣中，如此構成之脈衝雷射光振盪機構422發出的是波長1030nm之脈衝雷射光LB。此外，脈衝雷射光振盪機構422及上述輸出調整機構423由未圖示出之控制機構所控制。
上述聚光器424由方向變換鏡424a、聚光透鏡424b和凹透鏡424c組成；方向變換鏡424a使從脈衝雷射光振盪機構422發出且輸出被輸出調整機構423調整過之脈衝雷射光LB，在圖4中往下方變換方向；聚光透鏡424b將透過該方向變換鏡424a改變過方向之脈衝雷射光LB聚光並照射到被保持在吸盤工作台41的上面，即保持面之被加工物；凹透鏡424c配設在該聚光透鏡424b的上游側，使脈衝雷射光LB帶有發散角。此聚光器424之聚光透鏡424b的開口數(NA)被設定如下。亦即，聚光透鏡424b之開口數(NA)被設定在，以藍寶石(Al2O3)基板的折射率除以開口數(NA)之值為0.05~0.2的範圍。據此，因為藍寶石(Al2O3)基板的折射率為1.7，所以聚光透鏡424b之開口數(NA)被設定在0.085~0.34的範圍。此外，上述雷射光照射機構42具備聚光點位置調整機構(未圖示出)，以便對聚光器424之聚光透鏡424b所聚集之脈衝雷射光的聚光點位置進行調整。
配設在上述聚光透鏡424b的上游側之凹透鏡424c，使通過方向變換鏡424a而改變了方向之脈衝雷射光LB帶發散角並導向聚光透鏡424b。因此，如圖4所示，通過配設凹透鏡424c的安排，於被聚光透鏡424b所聚光之脈衝雷射光，在從P1到P2的範圍生成球面像差。再者，球面像 差的範圍可以用凹透鏡424c的焦距(f)進行調整，而凹透鏡424c的焦距(f)以設定在-0.1~-5m為宜。
此外，上述實施態樣中，雖然例示採用凹透鏡424c作為生成球面像差的機構，以便使脈衝雷射光帶發散角並導向聚光透鏡424b的例子，但是，如果從脈衝雷射光振盪機構422所發出的脈衝雷射光本身就帶有指定的發散角，那就未必要設置凹透鏡等的球面像差生成機構了。
安裝在構成上述雷射光照射機構42之套管421的前端部之攝像機構43，除了利用可見光進行攝像之一般的攝像元件(CCD)外，係以對被加工物照射紅外線之紅外線照明機構、捕捉由該紅外線照明機構所照射之紅外線的光學系統，和輸出對應於由該光學系統所捕捉到之紅外線的電氣信號之攝像元件(紅外線CCD)等所構成，並將所拍攝之圖像信號傳送到未圖示出之控制機構。
使用如以上地構成之雷射加工裝置4，對實施過上述保護膠帶黏貼步驟之光元件晶圓2實施上述之屏蔽隧道形成步驟時，係將黏貼著光元件晶圓2之保護膠帶3側載置於圖3中所示之雷射加工裝置4的吸盤工作台41上。且，使未圖示出之吸引機構作動，以便隔著保護膠帶3將光元件晶圓2吸引保持在吸盤工作台41上(晶圓保持步驟)。因此，保持在吸盤工作台41上的光元件晶圓2變成藍寶石基板20的背面20b在上側。像這樣，再由未圖示出之加工進給機構將吸引保持光元件晶圓2之吸盤工作台41定位到攝像機構43的正下方。
吸盤工作台41一被定位到攝像機構43的正下方，就由攝像機構43及未圖示出之控制機構實行對準作業，對光元件晶圓2之應進行雷射加工的加工區域進行檢測。亦即，攝像機構43及未圖示出之控制機構執行圖形匹配，以便實施形成於光元件晶圓2之第1方向的分割預定線211，與沿著分割預定線211照射雷射光之雷射光照射機構42的聚光器424之校準，完成雷射光照射位置之對準(對準步驟)。另外，對於在光元件晶圓2上形成於與上述第1方向直交的方向之分割預定線211，也同樣地完成雷射光照射位置之對準。此外，在對準步驟中，光元件晶圓2之分割預定線211及形成有光元件212之發光層21的位置雖然是位在下側，但是，因為攝像機構43係如上所述地具備用紅外線照明機構和捕捉紅外線的光學系統，以及輸出對應於紅外線之電氣信號的攝像元件(紅外線CCD)構成之攝像機構，所以可以從藍寶石基板20側穿透而對分割預定線211進行攝像。
實施過上述對準步驟後，即如圖5之(a)所示地，將吸盤工作台41移動到照射雷射光之雷射光照射機構42的聚光器424所位處之雷射光照射區域，將指定的分割預定線211定位到聚光器424的正下方。此時，如圖5之(a)所示，光元件晶圓2被定位成分割預定線211的一端(圖5之(a)中的左端)位在聚光器424正下方的位置。並且，使未圖示出之聚光點位置調整機構作動，在光軸方向上移動聚光器424(定位步驟)，以便如圖5之(c)所示地，使從聚光器424之聚光透鏡424b照射過去的脈衝雷射光LB之球面像差的範圍，即從 P1到P2，的中間點P0從藍寶石基板20的背面20b被定位到厚度方向之所要求的位置。此外，在本實施態樣中，從聚光透鏡424b照射過去的脈衝雷射光LB之球面像差的範圍，即從P1到P2，的中間點P0，被設定在從光元件晶圓2中之脈衝雷射光所入射的藍寶石基板20的背面20b起之所要求的位置上(例如，從背面20b起往表面20a側76μm的位置)。
如上所述地實施了定位步驟後，就實施屏蔽隧道形成步驟，讓雷射光照射機構42作動並從聚光器424照射雷射光LB，使細孔和屏蔽該細孔的非晶質，從由定位於構成光元件晶圓2之藍寶石基板20的聚光透鏡424b所照射之脈衝雷射光LB的球面像差的範圍(P1~P2)附近(背面20b側)往表面20a形成而形成屏蔽隧道。亦即，一邊從聚光器424照射對構成光元件晶圓2之藍寶石(Al2O3)基板20具有透射性的波長之脈衝雷射光LB，一邊使吸盤工作台41在圖5之(a)中用箭頭X1表示的方向上以指定的進給速度移動(屏蔽隧道形成步驟)。且，如圖5之(b)所示，當分割預定線211之另一端(圖5之(b)中的右端)，來到雷射光照射機構42之聚光器424的雷射光照射位置時，就停止脈衝雷射光的照射，同時停止吸盤工作台41的移動。
另外，上述屏蔽隧道形成步驟的加工條件係設定如下。
波長：1030nm
重複頻率：40kHz
脈衝寬度：10ps
平均輸出：0.5W
點徑：φ 5μm
加工進給速度：400mm/秒
聚光透鏡的開口數：0.25
藉由實施上述之屏蔽隧道形成步驟，在構成光元件晶圓2之藍寶石基板20的內部，細孔231和形成在該細孔231周圍的非晶質232係如圖5之(c)所示地，從像差聚光點P附近(背面20b)往表面20a成長，沿分割預定線211，以指定的間隔(在圖示之實施態樣中是10μm的間隔(加工進給速度：400mm/秒)/(重複頻率：40kHz))形成非晶質之屏蔽隧道23。如此形成的屏蔽隧道23係如圖5之(d)及(e)所示，由形成於中心之直徑φ 1μm左右的細孔231，和形成於該細孔231周圍之直徑φ 10μm的非晶質232構成，在本實施態樣中，形成一種彼此相鄰的非晶質232之間互連而相連接的形態。此外，在屏蔽隧道形成步驟中，因為從聚光透鏡424b被照射過去的脈衝雷射光LB，係如上所述地在生成球面像差的狀態下被照射到藍寶石基板20，所以屏蔽隧道23是從藍寶石基板20的背面延續到表面均勻地形成，因此在厚度方向中間部不會有出現凹陷(深深凹入)的情形。
假使如上所述地實施過屏蔽隧道形成步驟，接著就要實施晶圓支持步驟，在構成光元件晶圓2之藍寶石基板20的背面20b黏貼切割膠帶並以環狀的框架支持切割膠帶的外周部。亦即，如圖6所示，將構成光元件晶圓2之藍寶石基板20的背面20b黏貼於外周部被裝設上去之切割膠帶6 的表面以覆蓋環狀框架5的內側開口部。並且，將構成光元件晶圓2之發光層21的表面21a上所黏貼之保護膠帶3剝離。因此，黏貼於切割膠帶6的表面之光元件晶圓2就變成發光層21的表面21a在上側。
接著，實施分割步驟，對光元件晶圓2施加外力，將光元件晶圓2沿分割預定線211分割成有一個個的光元件212之晶片。此分割步驟是採用圖7之(a)中所示之分割裝置7來實施。亦即，將隔著切割膠帶6支持實施過上述晶圓支持步驟的光元件晶圓2之環狀的框架5，以切割膠帶6側在上地載置於圓筒狀之基座71的載置面71a上，用配設於圓筒狀的基座71之外周的夾具72固定住。並且，將構成光元件晶圓2之藍寶石基板20側載置於構成彎曲負載施加機構73之平行地配設的圓柱狀之複數個支持構件731上。此時，如圖7之(b)所示地載置成，沿分割預定線211形成之屏蔽隧道23被定位在支持構件731與731之間。並且，將按壓構件732定位在黏貼於構成光元件晶圓2之藍寶石基板20的背面20b之切割膠帶6的，與圖7之(a)中被支持於支持構件731與731之間的最右端的分割預定線211對應的位置並進行按壓。結果，在光元件晶圓2，彎曲荷重沿著沿圖7之(a)中最右端的分割預定線211而形成之屏蔽隧道23起作用，拉伸負載則發生在露出藍寶石基板20的表面20a之屏蔽隧道23側，從而如圖7之(c)所示地，沿分割預定線211形成之屏蔽隧道23變成分割的起點並沿著分割預定線211被分割。沿著被支持在支持構件731與731之間的分割預定線211依序實施此分割步驟，直到 圖7之(a)中最左端的分割預定線211為止。
此外，因為在示於上述圖5的屏蔽隧道形成步驟中，被從聚光透鏡424b照射的脈衝雷射光LB係如上所述地，在生成球面像差的狀態下被照射到藍寶石基板20，所以成為上述分割的起點之形成於藍寶石基板20的屏蔽隧道23是從藍寶石基板20的背面延續到表面均勻地形成，因此沒有在厚度方向中間部出現凹陷(深深凹入)的情形，如圖7之(c)所示，在分割成的光元件212的側面，沒有像圖8中所示之習知的加工方法一樣，形成以凹陷(深深凹入)為基礎的凹凸狀況。
如以上所述地處理，沿著在構成光元件晶圓2之藍寶石基板20的內部，沿第1方向延伸之分割預定線211而形成之屏蔽隧道23進行分割後，讓圓筒狀的基座71旋轉90度，再沿著沿與上述第1方向直交的方向延伸之分割預定線211而形成之屏蔽隧道23實施上述分割步驟，就可以將光元件晶圓2分割成一個個有光元件212的晶片。
2‧‧‧光元件晶圓
20‧‧‧藍寶石基板
20a‧‧‧藍寶石基板的表面
20b‧‧‧藍寶石基板的背面
21‧‧‧發光層
211‧‧‧分割預定線
23‧‧‧屏蔽隧道
231‧‧‧細孔
232‧‧‧非晶質
3‧‧‧保護膠帶
41‧‧‧雷射加工裝置之吸盤工作台
424‧‧‧聚光器
424b‧‧‧聚光透鏡
LB‧‧‧脈衝雷射光
P1~P2‧‧‧脈衝雷射光之球面像差範圍
P0‧‧‧球面像差範圍的中間點

Claims (3)

  1. 一種光元件晶圓的加工方法，係將藍寶石基板的表面上形成有發光層，且在以格子狀的複數條分割預定線區劃成之複數個區域上分別形成有光元件的光元件晶圓，分割成一個個的光元件晶片之光元件晶圓的加工方法，其特徵在於包含：屏蔽隧道形成步驟，係將對藍寶石基板具有透射性的波長之脈衝雷射光的聚光點，從藍寶石基板之背面側定位於藍寶石基板的內部並沿著對應於分割預定線的區域進行照射，使細孔與屏蔽該細孔之非晶質成長而沿著分割預定線形成屏蔽隧道；及分割步驟，係對實施過該屏蔽隧道形成步驟的光元件晶圓施加外力，將光元件晶圓沿著分割預定線分割成一個個的光元件晶片；該屏蔽隧道形成步驟通過使脈衝雷射光帶發散角地入射到聚光透鏡的方式，使通過聚光透鏡後之脈衝雷射光產生球面像差。
  2. 如請求項1記載之光元件晶圓的加工方法，其中該屏蔽隧道形成步驟係利用配設在該聚光透鏡的上游側之凹透鏡使脈衝雷射光帶有發散角。
  3. 如請求項2記載之光元件晶圓的加工方法，其中該凹透鏡的焦距被設定成-0.1~-5m。
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