JP2019160970A - ウェーハ加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
改質領域形成工程(ステップS10)では、ウェーハ10の内部に改質領域を形成する。この改質領域形成工程は、図4に示すレーザ加工装置100を用いて実施される。
改質領域形成工程が行われた後、ウェーハ10の裏面10bを加工してウェーハ10を薄化する裏面加工工程(ステップS12)が行われる。裏面加工工程は、図10及び図11に示す裏面加工装置200を用いて実施される。
裏面加工工程が行われた後、ブレイク工程(ステップS14)が実施される。分割工程は、図14に示すブレイク装置300を用いて実施される。
ブレイク工程が行われた後、エキスパンド工程(ステップS16)が実施される。エキスパンド工程は、図16に示すエキスパンド装置400を用いて実施される。
次に、本発明の実施例について説明する。
本実施形態に係るウェーハ加工方法によれば、改質領域形成工程において、分割予定ライン12上でウェーハ10の厚さ方向に複数の非改質領域24を存在させるように、ウェーハ10の厚さ方向に複数の改質領域20を形成しているので、裏面加工工程においてウェーハ10の裏面加工が行われる際に、ウェーハ10が分割予定ライン12に沿って個片化されてしまうことを抑制することができる。そして、ウェーハ10を分割予定ライン12に沿ってブレイク加工することにより、ウェーハ10の表面10a側のデバイス層16にLow−k膜やTEG等の積層体が存在する場合でも、デバイスの品質を低下させることなく、ウェーハ10を分割予定ライン12に沿って精度よく確実かつ効率的に個々のチップに分割することが可能となる。
Claims (6)
- 基板の表面にデバイス層が積層されたウェーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウェーハ加工方法であって、
前記ウェーハの基板内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記ウェーハの基板内部に前記分割予定ラインに沿って改質領域を形成する改質領域形成工程と、
前記ウェーハの裏面から前記分割予定ラインに沿ってブレイクバーを押し付けることにより、前記ウェーハを撓ませて前記改質領域から生じた亀裂を前記デバイス層に伸展させて前記ウェーハをブレイクするブレイク工程と、
を備え、
前記改質領域形成工程は、前記ウェーハの厚さ方向に複数の非改質領域を存在させるように、前記ウェーハの厚さ方向に複数の前記改質領域を形成する、
ウェーハ加工方法。 - 前記改質領域形成工程と前記ブレイク工程との間に、前記ウェーハの裏面を加工して前記ウェーハを薄化する裏面加工工程を備える、
請求項1に記載のウェーハ加工方法。 - 前記改質領域形成工程は、前記裏面加工工程が行われた後の前記ウェーハの基板内部に複数の前記非改質領域が残存するように、複数の前記改質領域を形成する、
請求項2に記載のウェーハ加工方法。 - 前記改質領域形成工程は、複数の前記改質領域のうち、前記デバイス層に近い位置に1又は複数の第1改質領域を形成し、前記第1改質領域よりも前記デバイス層とは反対側に1又は複数の第2改質領域を形成する、
請求項3に記載のウェーハ加工方法。 - 前記改質領域形成工程は、複数の前記非改質領域のうち、前記第1改質領域と前記第2改質領域との間に第1非改質領域を存在させ、前記第2改質領域の前記第1改質領域とは反対側に第2非改質領域を存在させる、
請求項4に記載のウェーハ加工方法。 - 前記改質領域形成工程は、前記第1改質領域から生じた亀裂が前記基板の前記デバイス層との境界面まで伸展するように、前記第1改質領域を形成する、
請求項5に記載のウェーハ加工方法。
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