JP5905274B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
まず、第1実施形態について説明する。図11は、本発明の第1実施形態に係るレーザ加工方法を実施するレーザ加工装置を示す概略構成図である。図11に示すように、レーザ加工装置300は、レーザ光源202、反射型空間光変調器203、4f光学系241及び集光光学系204を筐体231内に備えている。レーザ光源202は、レーザ光Lを出射するものであり、例えばファイバレーザが用いられている。ここでのレーザ光源202は、水平方向にレーザ光Lを出射するように、筐体231の天板236にねじ等で固定されている。
次に、本発明に係る第2実施形態について説明する。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と同一の説明は省略し、異なる点について主に説明する。
Claims (5)
- 半導体基板にレーザ光を照射して前記半導体基板の内部を改質することにより、前記半導体基板の厚さ方向に亀裂を発生させるための切断起点領域と、不純物を捕獲するためのゲッタリング領域と、を前記半導体基板に形成するレーザ光照射工程を備え、
前記レーザ光照射工程は、
前記レーザ光を切断用分岐レーザ光及びゲッタリング用分岐レーザ光に分岐させる工程と、
前記切断用分岐レーザ光を前記半導体基板に集光させ、前記半導体基板の内部に前記切断起点領域を切断予定ラインに沿って形成すると同時に、前記ゲッタリング用分岐レーザ光を前記半導体基板に集光させ、前記半導体基板の内部において前記切断起点領域とは異なる位置に前記ゲッタリング領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体基板の表面上に機能素子を形成する機能素子形成工程と、
前記機能素子形成工程の前に、前記半導体基板に前記レーザ光を照射して前記半導体基板の内部を改質することにより、前記ゲッタリング領域とは別の他のゲッタリング領域を前記半導体基板の内部に形成する機能素子形成前工程と、を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記機能素子形成工程の後、前記他のゲッタリング領域が残存しないように前記前記半導体基板を研磨して薄化させる研磨工程を備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記研磨工程は、前記レーザ光照射工程の後に実施され、
前記研磨工程では、発生させた前記亀裂の少なくとも一部が前記半導体基板に残存し且つ前記切断起点領域が前記半導体基板に残存しないように、前記半導体基板を研磨して薄化させることを特徴とする請求項3記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記研磨工程は、前記レーザ光照射工程の前に実施されることを特徴とする請求項3記載の半導体デバイスの製造方法。
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