JP2007190587A - レーザー加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャックテーブルと、レーザー光線照射ユニットと、チャックテーブルとレーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り機構とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射ユニットは、可視光線領域から近赤外線領域の波長の第1のレーザー光線照射手段6aと、紫外線領域の波長の第2のレーザー光線照射手段6bと、第1のレーザー光線と第2のレーザー光線を集光する共通の集光器53とを具備し、第1のレーザー光線照射手段から照射された第1のレーザー光線を被加工物に照射することにより予備加熱しつつ、第2のレーザー光線照射手段から照射された第2のレーザー光線を被加工物に照射することにより所定の加工を施す。
【選択図】図2
Description
該レーザー光線照射ユニットは、可視光線領域から近赤外線領域の波長を有する第1のレーザー光線を照射する第1のレーザー光線照射手段と、紫外線領域の波長を有する第2のレーザー光線を照射する第2のレーザー光線照射手段と、該第1のレーザー光線照射手段から照射された第1のレーザー光線と該第2のレーザー光線照射手段から照射された第2のレーザー光線を集光する共通の集光器とを具備し、
該第1のレーザー光線照射手段から照射された第1のレーザー光線を被加工物に照射することにより予備加熱しつつ、該第2のレーザー光線照射手段から照射された第2のレーザー光線を被加工物に照射することにより所定の加工を施す、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
また、上記第1のレーザー光線照射手段と第2のレーザー光線照射手段は、近赤外線領域の波長を有するレーザー光線を照射する共通のレーザー光線発振手段と、該共通のレーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を第1の経路と第2の経路に分光する分光手段とを含み、
第1のレーザー光線照射手段は第1の経路に分光されたレーザー光線を上記共通の集光器に導き、第2のレーザー光線照射手段は第2の経路に分光されたレーザー光線を紫外線領域の波長に変換する波長変換手段を備え、波長変換手段によって変換された紫外線領域の波長のレーザー光線を上記共通の集光器に導くように構成されている。また、第2のレーザー光線照射手段は、上記波長変換手段によって変換された紫外線領域の波長のレーザー光線の出力を調整する出力調整手段を備えている。
図2に示す実施形態における第1のレーザー光線照射手段6aは、第1のパルスレーザー光線発振手段61aおよび第1の伝送光学系62aを具備している。記第1のパルスレーザー光線発振手段61aは、可視光線領域から近赤外線領域の波長(380〜4000nm好ましくは500〜2500nm)を有するパルスレーザー光線を発振する。図示の実施形態における第1のパルスレーザー光線発振手段61aは、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器からなる第1のパルスレーザー発振器611aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段612aとから構成されている。このように構成された第1のパルスレーザー光線発振手段61aは、例えば波長が1064nmの近赤外線領域の第1のパルスレーザー光線LBaを発振する。なお、第1のパルスレーザー光線発振手段61aから発振される第1のパルスレーザー光線LBaの繰り返し周波数、発振パルスのタイミング、パルス幅等は後述する制御手段によって制御される。上記第1の伝送光学系62aは、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでおり、第1のパルスレーザー光線発振手段61aから発振される第1のパルスレーザー光線LBaを集光器53に伝送する。
図3に示す実施形態における第1のレーザー光線照射手段7aと第2のレーザー光線照射手段7bは、近赤外線領域の波長を有するレーザー光線を照射する共通のレーザー光線発振手段71を具備している。この共通のレーザー光線発振手段71は、上記図2に示す実施形態における第1のパルスレーザー光線発振手段61aと実質的に同一の構成でよく、図示の実施形態においては波長が1064nmの近赤外線領域のパルスレーザー光線LBを発振するYAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器711と、これに付設された繰り返し周波数設定手段712とから構成されている。
ここで、上記レーザー加工装置によって加工される被加工物としての半導体ウエーハについて、図4および図5を参照して説明する。図4および図5に示す半導体ウエーハ10はシリコンウエーハからなり、その表面10aに格子状に形成された複数のストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。この半導体ウエーハ10は、図5に示すように表面10aにSiO2 /Cu/ SiO2等の絶縁膜103が被覆されている。このように構成された半導体ウエーハ2は、図4に示すように環状のフレーム11に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ12に表面10aを上側にして裏面が貼着される。
上記半導体ウエーハ10のストリート101に沿ってレーザー加工を実施するには、先ず上述した図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に半導体ウエーハ10の表面10aを上にして載置し、該チャックテーブル36上に半導体ウエーハ10を吸引保持する。また、保護テープ12が装着された環状のフレーム11は、チャックテーブル36に配設されたクランプ362によって固定される。
第1のレーザー光線照射手段6aを構成する第1のパルスレーザー光線発振手段61aから発振された波長が1064nmの第1のパルスレーザー光線LBa(シリコンウエーハに対して透過性を有する)は、第1の伝送光学系62aを介して集光器53に伝送され、第1の方向変換ミラー531および第2の方向変換ミラー532を介して対物集光レンズ533によって集光され、半導体ウエーハ10のストリート101の表面に照射される。従って、ストリート101の表面は第1のパルスレーザー光線LBaのエネルギーによって1000℃程度に予備加熱される。この結果、半導体ウエーハ10の表面10aに被覆された絶縁膜103は軟化せしめられる。
(!) 第1のレーザー光線照射手段6a:
光源 :YAGレーザー
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :17W
集光径 :φ20〜40μm
(2) 第2のレーザー光線照射手段6b
光源 :YAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :10kHz
平均出力 :0.5W
集光径 :φ10〜15μm
(3) 加工送り速度 :150mm/秒
共通のレーザー光線発振手段71から発振されるパルスレーザー光線LBは、波長が1064nm、繰り返し周波数が100kHz、平均出力が34Wに設定されている。共通のレーザー光線発振手段71から発振されるパルスレーザー光線LBは、分光手段72によってP波が第1の経路70aにS波が第2の経路70bに分光される。従って、第1の経路70aに分光されたパルスレーザー光線LBの出力と第2の経路70bに分光されたパルスレーザー光線LBの出力は、17Wとなる。第1の経路70aに分光された第1のパルスレーザー光線LBaは、第1の伝送光学系62aを介して集光器53に伝送され、第1の方向変換ミラー531および第2の方向変換ミラー532を介して対物集光レンズ533によって集光され、半導体ウエーハ10のストリート101の表面に照射される。このように半導体ウエーハ10のストリート101の表面に照射される第1のパルスレーザー光線LBaは、波長が1064nm、繰り返し周波数が100kHz、平均出力が17Wとなる。従って、ストリート101の表面は上記図2に示す実施形態と同様に第1のパルスレーザー光線LBaのエネルギーによって1000℃程度に予備加熱される。この結果、半導体ウエーハ10の表面10aに被覆された絶縁膜103は軟化せしめられる。
3:チャックテーブル機構
31:案内レール
36:チャックテーブル
37:加工送り機構
38:第1の割り出し送り機構
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
41:案内レール
42:可動支持基台
43:第2の割り出し送り機構
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:共通のケーシング
53:集光器
6a:第1のレーザー光線照射手段
61a:第1のパルスレーザー光線発振手段
62a:第1の伝送光学系
6b:第2のレーザー光線照射手段
61b:第2のパルスレーザー光線発振手段
62b:第2の伝送光学系
7a:第1のレーザー光線照射手段
7b:第2のレーザー光線照射手段
71:共通のパルスレーザー光線発振手段
72:分光手段
73:波長変換手段
74:方向変換ミラー
75:出力調整手段
8:撮像手段
9:制御手段
10:半導体ウエーハ
11:環状のフレーム
12:保護テープ
Claims (4)
- 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニットと、該チャックテーブルと該レーザー光線照射機構とを相対的に加工送りする加工送り機構と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射ユニットとを該加工送り方向と直行する方向に割り出し送りする割り出し送り機構と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射ユニットは、可視光線領域から近赤外線領域の波長を有する第1のレーザー光線を照射する第1のレーザー光線照射手段と、紫外線領域の波長を有する第2のレーザー光線を照射する第2のレーザー光線照射手段と、該第1のレーザー光線照射手段から照射された第1のレーザー光線と該第2のレーザー光線照射手段から照射された第2のレーザー光線を集光する共通の集光器とを具備し、
該第1のレーザー光線照射手段から照射された第1のレーザー光線を被加工物に照射することにより予備加熱しつつ、該第2のレーザー光線照射手段から照射された第2のレーザー光線を被加工物に照射することにより所定の加工を施す、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 - 該第1のレーザー光線照射手段は可視光線領域から近赤外線領域の波長を有する第1のレーザー光線を発振する第1のレーザー光線発振手段を備え、該第2のレーザー光線照射手段は紫外線領域の波長を有する第2のレーザー光線を発振する第2のレーザー光線発振手段を備えている、請求項1記載のレーザー加工装置。
- 該第1のレーザー光線照射手段と該第2のレーザー光線照射手段は、近赤外線領域の波長を有するレーザー光線を照射する共通のレーザー光線発振手段と、該共通のレーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を第1の経路と第2の経路に分光する分光手段とを含み、
該第1のレーザー光線照射手段は該第1の経路に分光されたレーザー光線を該共通の集光器に導き、該第2のレーザー光線照射手段は該第2の経路に分光されたレーザー光線を紫外線領域の波長に変換する波長変換手段を備え、該波長変換手段によって変換された紫外線領域の波長のレーザー光線を該共通の集光器に導く、請求項1記載のレーザー加工装置。 - 該第2のレーザー光線照射手段は、該波長変換手段によって変換された紫外線領域の波長のレーザー光線の出力を調整する出力調整手段を備えている、請求項3記載のレーザー加工装置。
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