JP2011233641A - 板状物のレーザー加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面に積層して形成された被膜に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することにより被膜を除去する際に、被膜や基板にクラックを生ずることなくレーザー加工溝を形成することができる板状物のレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に被膜が積層して形成された板状物をチャックテーブル上に保持し、所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成することにより被膜を分割予定ラインに沿って除去する板状物のレーザー加工方法であって、板状物に所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射する前に、板状物を少なくともレーザー光線を照射する分割予定ラインに沿って所定の温度に加熱する。
【選択図】図６

Description

本発明は、基板の表面に被膜が積層して形成された板状物に分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することにより分割予定ラインに沿って被膜を除去する板状物のレーザー加工方法に関する。

当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスが分割予定ラインによって区画されており、この分割予定ラインに沿って分割することによって個々のデバイスを製造している。

このような半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った分割は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定して形成されている。

近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスの処理能力を向上するために、シリコン等の基板の表面にSiO2,SiO,SiN等のガラス質材料からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）と回路を形成する機能膜が積層された積層体によってデバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。

上述した低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）はウエーハの素材と異なるため、切削ブレードによって同時に切削することが困難である。即ち、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離がデバイスにまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。

また、ガラス基板の表面に金属膜が積層して形成された板状物を切削ブレードによって切削すると、切削ブレードに金属膜が付着して切削ブレードの切削能力が低下するという問題がある。

上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成することにより積層体を除去し、このレーザー加工溝に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献１に開示されている。

特開２００９−２１４７６号公報

而して、シリコンウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成することにより積層体を除去すると、低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等の積層体にクラックが発生し、デバイスの品質を低下させるという新たな問題が生じた。
また、ガラス基板の表面に金属膜が積層して形成された板状物にレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成することにより金属膜を除去すると、ガラス基板にクラックが発生し、分割されたチップの品質を低下させるという問題もある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、基板の表面に積層して形成された被膜に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成することにより被膜を除去する際に、被膜や基板にクラックを生ずることなくレーザー加工溝を形成することができる板状物のレーザー加工方法を提供することである。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に被膜が積層して形成された板状物をチャックテーブル上に保持し、所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成することにより被膜を分割予定ラインに沿って除去する板状物のレーザー加工方法であって、
板状物に所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射する前に、板状物を少なくともレーザー光線を照射する分割予定ラインに沿って所定の温度に加熱する、
ことを特徴とする板状物のレーザー加工方法が提供される。

上記板状物の加熱は、板状物を保持するチャックテーブルを加熱することによって実施する。
また、上記板状物の加熱は、レーザー光線を照射する照射位置の加工送り方向の上流側に熱風を噴射することによって実施する。
また、上記板状物の加熱は、レーザー光線を照射する照射位置の加工送り方向の上流側に加熱用のレーザー光線を照射することによって実施する。
また、上記板状物の加熱は、レーザー光線を照射する照射位置の加工送り方向の上流側に加熱用赤外線を照射することによって実施する。
上記板状物の加熱温度は、５０〜２００℃に設定されている。

本発明による板状物のレーザー加工方法においては、基板の表面に被膜が積層して形成された板状物に所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射する前に、板状物を少なくともレーザー光線を照射する分割予定ラインに沿って所定の温度に加熱するので、レーザー光線を照射することによって生ずるサーマルショックまたは衝撃力が緩和され、被膜または基板にクラックが生ずることはない。従って、分割予定ラインに沿って分割されたデバイス等のチップは、被膜および基板にクラックが発生しないので、品質が低下することはない。

本発明による板状物のレーザー加工方法によってレーザー加工される板状物としての半導体ウエーハを示す斜視図。 図１に示す半導体ウエーハの要部拡大断面図。 図１に示す半導体ウエーハが環状のフレームにダイシングテープを介して支持された状態を示す斜視図。 本発明による板状物のレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 図４に示すレーザー加工装置を構成するチャックテーブルの断面図。 本発明による板状物のレーザー加工方法における積被膜除去工程を示す説明図。 図６に示す積被膜除去工程が実施された半導体ウエーハの要部断面拡大図。 本発明による板状物のレーザー加工方法における板状物の加熱方法の第２の実施形態を示す説明図。 本発明による板状物のレーザー加工方法における板状物の加熱方法の第３の実施形態を示す説明図。 本発明による板状物のレーザー加工方法における板状物の加熱方法の第４の実施形態を示す説明図。 本発明による板状物のレーザー加工方法によって加工された半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削するための切削装置の要部斜視図。 図１１に示す切削装置によって半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切削する切削工程を示す説明図。 図１２に示す切削工程が実施された半導体ウエーハの要部断面拡大図。

以下、本発明による板状物のレーザー加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。

図１には、本発明による板状物のレーザー加工方法によってレーザー加工される板状物としての半導体ウエーハの斜視図が示されており、図２には図１に示す半導体ウエーハの要部拡大断面図が示されている。図１および図２に示す半導体ウエーハ２は、シリコン等の基板２０の表面に絶縁膜と回路を形成する機能膜が積層された被膜２１によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス２２は、格子状に形成された分割予定ライン２３によって区画されている。なお、図示の実施形態においては、基板２０は、シリコンよって厚さが例えば６０μmに形成されている。また、被膜２１は厚さが２〜１０μmに形成されており、被膜２１を形成する絶縁膜は、SiO2,SiO,SiN等ガラス質材料からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなっている。

上述した半導体ウエーハ２を分割予定ライン２３に沿って個々のデバイス２２に分割するには、半導体ウエーハ２を図３に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。このとき、半導体ウエーハ２は、裏面２bをダイシングテープTの表面に貼着する（ウエーハ支持工程）。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された半導体ウエーハ２は、表面２ａが露出することになる。

次に、上記半導体ウエーハ２の分割予定ライン２３に沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ライン２３に沿って被膜２１を除去する被膜除去工程を実施する。この被膜除去工程は、図示の実施形態においては図４に示すレーザー加工装置３を用いて実施する。図４に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２と、チャックテーブル３１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。

上記チャックテーブル３１は、図5に示すように円板状に形成されチャックテーブル本体３１１と、該チャックテーブル本体３１１の上面に配設された通気性を有する被加工物保持部材３１２とからなっている。チャックテーブル本体３１１はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、その上面には円形の嵌合凹部３１１aが設けられている。この嵌合凹部３１１aには、底面の外周部に被加工物保持部材３１２が載置される環状の載置棚３１１bが設けられている。また、チャックテーブル本体３１１には嵌合凹部３１１aに開口する吸引通路３１１cが設けられており、この吸引通路３１１cは図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、吸引通路３１１cを通して嵌合凹部３１１aに負圧が作用せしめられる。被加工物保持部材３１２はポーラスなセラミックス等からなる多孔性部材によって形成されており、内部にヒーターコイル３１２aが埋設されている。このように被加工物保持部材３１２はポーラスなセラミックス等からなる多孔性部材によって形成されているので、図示しない吸引手段が作動することにより吸引通路３１１cを通して嵌合凹部３１１aに作用した負圧が、被加工物保持部材３１２の上面である保持面に作用せしめられる。このように構成されたチャックテーブル３１は、図示しない加工送り手段によって図４において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図４において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング３２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器３２２が装着されている。

上記レーザー光線照射手段３２を構成するケーシング３２１の先端部に装着された撮像手段３３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。

上述したレーザー加工装置３を用いて実施する被膜除去工程について図４乃至図７を参照して説明する。
被膜除去工程は、先ず上述した図４に示すレーザー加工装置３のチャックテーブル３１の被加工物保持部材３１２上に半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル３１の被加工物保持部材３１２上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図４においては、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル３１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。

上述したようにチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル３１の被加工物保持部材３１２に埋設されたヒーターコイル３１２aに通電して被加工物保持部材３１２を５０〜２００℃に加熱する。このようにして被加工物保持部材３１２を加熱することにより、被加工物保持部材３１２上にダイシングテープTを介して保持された半導体ウエーハ２が５０〜２００℃に加熱される。

次に、図示しない加工送り手段を作動して半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１を撮像手段３３の直下に移動する。チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２３と、分割予定ライン２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。

上述したアライメント工程を実施したならば、図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２３を集光器３２２の直下に位置付ける。このとき、図６の（ａ）に示すように半導体ウエーハ２は、分割予定ライン２３の一端(図６の（ａ）において左端)が集光器３２２の直下に位置するように位置付けられる。そして、集光器３２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを図６の(a)に示すように半導体ウエーハ２の表面２a(上面)付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段３２の集光器３２２から被膜２１に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図６の（ｂ）で示すように分割予定ライン２３の他端（図６の（ｂ）において右端）が集光器３２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この結果、図６の（ｂ）および図７に示すように半導体ウエーハ２には、分割予定ライン２３に沿ってレーザー加工溝２４が形成され、被膜２１は分割予定ライン２３に沿って除去されて分断される。この被膜除去工程においては、半導体ウエーハ２を５０〜２００℃に加熱した状態で実施するので、パルスレーザー光線を照射することによって生ずるサーマルショックまたは衝撃力が緩和され、被膜２１および基板２０にクラックが生ずることはない。本発明者等の実験によると、半導体ウエーハ２を２００℃に加熱して上記被膜除去工程を実施したところ、被膜２１および基板２０にクラックが発生しなかった。

なお、上記被膜除去工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：２００ｋＨｚ
出力 ：０．５Ｗ
集光スポット径：４０μｍ
加工送り速度 ：５０ｍｍ／秒

以上のようにして、半導体ウエーハ２の所定方向に延在する全ての分割予定ライン２３に沿って上記被膜除去工程を実施したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に形成された各分割予定ライン２３に沿って上記被膜除去工程を実施する。

次に、ガラス基板の表面に金属膜からなる被膜が積層して形成された板状物にレーザー光線を照射して、所定の分割ラインに沿って被膜を除去する場合の被膜除去工程における加工条件について説明する。
光源 ：ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：５００ｋＨｚ
出力 ：４．５Ｗ
集光スポット径：４０μｍ
加工送り速度 ：６００ｍｍ／秒

本発明者等の実験によると、ガラス基板の表面に金属膜からなる被膜が積層して形成された板状物を２００℃に加熱して上記加工条件により被膜除去工程を実施したところ、ガラス基板にクラックが発生しなかった。

次に、板状物を加熱する加熱方法の他の実施形態について説明する。
図８は、板状物を加熱する加熱方法の第２の実施形態を示すもので、集光器３２２から照射されるレーザー光線の照射位置より加工送り方向(X1)の上流側に、加熱ヒータを備えた熱風噴射ノズル３５から熱風を噴射する。この結果、板状物として半導体ウエーハ２は、熱風噴射ノズル３５から噴射される熱風によって加熱される。
なお、熱風噴射ノズル３５から噴射される熱風の条件は、次のように設定されている。
加熱ヒータの容量 ：１００〜８００W
熱風噴射ノズルの噴出口径 ：０．５〜１mm
風量 ：６〜５０リットル／分

次に、板状物を加熱する加熱方法の第３の実施形態について、図９を参照して説明する。
図９に示す加熱方法は、集光器３２２から照射されるレーザー光線の照射位置より加工送り方向(X1)の上流側に加熱用のレーザー光線を照射する集光器３２２から加熱用のレーザー光線を照射する。この結果、板状物として半導体ウエーハ２は、集光器３２２から照射される加熱用レーザー光線によって加熱される。
なお、加熱用のレーザー光線の条件は、次のように設定されている。
波長 ：７９０〜９８０ｎｍの連続波
出力 ：０．１〜３０Ｗ
集光スポット径 ：０．０５〜２mｍ

次に、板状物を加熱する加熱方法の第４の実施形態について、図１０を参照して説明する。
図１０に示す加熱方法は、集光器３２２から照射されるレーザー光線の照射位置より加工送り方向(X1)の上流側に赤外線ランプ３７から加熱用赤外線を照射する。この結果、板状物として半導体ウエーハ２は、赤外線ランプ３７から照射される赤外線によって加熱される。
なお、赤外線ランプの条件は、次のように設定されている。
出力 ：１０００Ｗ
集光スポット径 ：１〜３mｍ

上述した被膜除去工程を実施したならば、被膜２１が除去された分割予定ライン２３に沿って基板２０を切断する切削工程を実施する。この切削工程は、図１１に示す切削装置を用いて実施する。図１１に示す切削装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持された被加工物を切削する切削手段４２と、該チャックテーブル４１に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない切削送り手段によって図１１において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。

上記切削手段４２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持された回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の先端部に装着された切削ブレード４２３を含んでおり、回転スピンドル４２２がスピンドルハウジング４２１内に配設された図示しないサーボモータによって回転せしめられるようになっている。なお、切削ブレード４２３は、図示の実施形態においては粒径３μｍのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードからなっており、厚みが２０μｍに形成されている。上記撮像手段４３は、スピンドルハウジング４２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。

このように構成された切削装置４を用いて切削工程を実施するには、チャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープTを介して半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図１１においては、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFを省いて示しているが、環状のフレームFはチャックテーブル４１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。

上述したように半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４３の直下に移動される。チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、上記被膜除去工程によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２３に沿って形成されたレーザー加工溝２４と、該レーザー加工溝２４と切削ブレード４２３との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２３に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。

以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持されている半導体ウエーハ２の分割予定ライン２３に沿って形成されたレーザー加工溝２４を検出し、切削領域のアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル４１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図１２の(a)に示すように半導体ウエーハ２は切削すべき分割予定ライン２３（レーザー加工溝２４）の一端（図１２の(a)において左端）が切削ブレード４２３の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード４２３を図１２の(a)において矢印４２３aで示す方向に所定の回転速度で回転し、２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り機構によって図１２の(a)において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、図１２の(a)に示すように切削ブレード４２３の外周縁がダイシングテープTに達する位置に設定されている。

上述したように切削ブレード４２３の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード４２３を図１２の(a)において矢印４２３aで示す方向に所定の回転速度で回転しつつ、チャックテーブル４１を図１２の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、図１２の(b)に示すようにチャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２の右端が切削ブレード４２３の直下を通過したらチャックテーブル４１の移動を停止する。そして、切削ブレード４２３を上昇させ２点鎖線で示す退避位置に位置付ける。この結果、図１３に示すように半導体ウエーハ２の基板２０は分割予定ライン２３に形成されたレーザー加工溝２４に沿って切削溝２５が形成されて切断される。

なお、上記切削工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード ：外径５２ｍｍ、厚み２０μｍ
切削ブレードの回転速度：２００００ｒｐｍ
切削送り速度 ：５０ｍｍ／秒

上述した切削工程を半導体ウエーハ２の所定方向に延在する全ての分割予定ライン２３に形成されたレーザー加工溝２４に沿って実施したならば、チャックテーブル４１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に形成された各分割予定ライン２３に形成されたレーザー加工溝２４に沿って上記切削工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ２は、格子状に形成された分割予定ライン２３に沿って切断され個々のデバイス２２に分割される。このようにして分割されたデバイス２２は、上述したようにレーザー加工溝２４を形成する際に被膜２１および基板２０にクラックが発生しないので、デバイスの品質が低下することはない。

２：半導体ウエーハ
２０：基板
２１：被膜
２２：デバイス
２３：分割予定ライン
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置のチャックテーブル
３２：レーザー光線照射手段
３２２：集光器
４：切削装置
４１：切削装置のチャックテーブル
４２：切削手段
４２３：切削ブレード
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ

Claims (6)

1. 基板の表面に被膜が積層して形成された板状物をチャックテーブル上に保持し、所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成することにより被膜を分割予定ラインに沿って除去する板状物のレーザー加工方法であって、
   板状物に所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射する前に、板状物を少なくともレーザー光線を照射する分割予定ラインに沿って所定の温度に加熱する、
   ことを特徴とする板状物のレーザー加工方法。
2. 該板状物の加熱は、該チャックテーブルを加熱することによって、該チャックテーブル保持された該板状物を加熱する、請求項１記載の板状物のレーザー加工方法。
3. 該板状物の加熱は、レーザー光線を照射する照射位置の加工送り方向の上流側に熱風を噴射することによって、該板状物を加熱する、請求項１記載の板状物のレーザー加工方法。
4. 該板状物の加熱は、レーザー光線を照射する照射位置の加工送り方向の上流側に加熱用のレーザー光線を照射することによって、該板状物を加熱する、請求項１記載の板状物のレーザー加工方法。
5. 該板状物の加熱は、レーザー光線を照射する照射位置の加工送り方向の上流側に加熱用赤外線を照射することによって、該板状物を加熱する、請求項１記載の板状物のレーザー加工方法。
6. 該板状物の加熱温度は、５０〜２００℃に設定されている、請求項１から５のいずれかに記載の板状物のレーザー加工方法。

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