JP2017057103A - 窒化ガリウム基板の生成方法 - Google Patents

窒化ガリウム基板の生成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】無駄なく窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットから多数の窒化ガリウム基板を生成できる窒化ガリウム基板の生成方法の提供。【解決手段】第１の面２１と第２の面２２を有する窒化ガリウムインゴット２を複数の窒化ガリウム基板２０にする窒化ガリウム基板の生成方法であって、窒化ガリウムに対して透過性を有するレーザー光線の集光点を第１の面から内部に位置付け照射し、窒化ガリウムを破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面２４を形成する界面形成工程と、窒化ガリウムインゴットの第１の面に第１の保持部材４を貼着し、第２の面に第２の保持部材５を貼着する保持部材貼着工程と、窒化ガリウムインゴットをガリウムが溶融する温度に加熱するとともに、第１の保持部材と第２の保持部材を互いに離反する方向に移動することにより窒化ガリウムインゴットを界面から分離して窒化ガリウム基板を生成する窒化ガリウム基板生成工程とを含む。【選択図】図６

Description

本発明は、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットから所定の厚み有する窒化ガリウム基板を生成する窒化ガリウム基板の生成方法に関する。
窒化ガリウム（ＧａＮ）はシリコンに比べてバンドギャップが３倍広く、絶縁破壊電圧も高いことから電力制御用の半導体素子（パワーデバイス）として利用されている。例えば、窒化ガリウム基板の上面に格子状に配列された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にパワーデバイスが形成されたパワーデバイスウエーハは、分割予定ラインに沿って個々のパワーデバイスに分割され、パソコン、自動車等の制御装置に用いられている。
上述したパワーデバイスウエーハを構成する窒化ガリウム基板は、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットをワイヤーソーでスライスし、スライスした窒化ガリウム基板の表裏面を研磨して鏡面に仕上げる（例えば、特許文献１参照）。
特開２０００−９４２２１号公報
しかるに、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの製造には相当の設備と時間を要するため、例えば直径が１００ｍｍで厚みが３ｍｍの窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットは数百万円と高価であるにも拘わらず、ワイヤーソーでスライスすると窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの６０〜７０％が切削屑として捨てられることになり、不経済であるとともに生産性が悪いという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、無駄を出さずに窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットから多くの窒化ガリウム基板を生成することができる窒化ガリウム基板の生成方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、第１の面と該第１の面と反対側の第２の面を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットを複数の窒化ガリウム基板に生成する窒化ガリウム基板の生成方法であって、
窒化ガリウム（ＧａＮ）に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該第１の面から窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの内部に位置付け照射し、窒化ガリウム（ＧａＮ）を破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面を形成する界面形成工程と、
窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの該第１の面に第１の保持部材を貼着するとともに、該第２の面に第２の保持部材を貼着する保持部材貼着工程と、
窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットをガリウム（Ｇａ）が溶融する温度に加熱するとともに、該第１の保持部材と該第２の保持部材を互いに離反する方向に移動することにより窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットを該界面から分離して窒化ガリウム基板を生成する窒化ガリウム基板生成工程と、を含む、
ことを特徴とする窒化ガリウム基板の生成方法が提供される。
上記保持部材貼着工程における第２の保持部材は、上記界面形成工程を実施する前に第２の面に貼着する。
上記保持部材貼着工程は、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットをガリウム（Ｇａ）が溶融する温度より高い温度で溶融するワックスを用いて第１の面に第１の保持部材を貼着するとともに第２の面に第２の保持部材を貼着する。
上記界面に析出され窒化ガリウム基板形成工程によって分離された窒化ガリウム基板の分離面に形成されているガリウム（Ｇａ）面を研削して除去する研削工程を実施する。
本発明による窒化ガリウム基板の生成方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を第１の面から窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの内部に位置付け照射し、窒化ガリウム（ＧａＮ）を破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面を形成する界面形成工程と、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの第１の面に第１の保持部材を貼着するとともに、第２の面に第２の保持部材を貼着する保持部材貼着工程と、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットをガリウム（Ｇａ）が溶融する温度に加熱するとともに、第１の保持部材と第２の保持部材を互いに離反する方向に移動することにより窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットを界面から分離して窒化ガリウム基板を生成する窒化ガリウム基板生成工程とを含んでいるので、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの内部に窒化ガリウム（ＧａＮ）を破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面を形成することにより窒化ガリウム基板を生成することができるため、従来のようにワイヤーソーでスライスすることによって捨てられる切削屑が皆無となる。従って、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットを無駄なく窒化ガリウム基板に生成することができ、ワイヤーソーでスライスする従来の加工方法に比して生産性が２．５倍向上する。
本発明による窒化ガリウム基板の生成方法によって加工される窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの斜視図。 本発明による窒化ガリウム基板の生成方法における界面形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 本発明による窒化ガリウム基板の生成方法における界面形成工程の説明図。 本発明による窒化ガリウム基板の生成方法における界面形成工程の他の実施形態が実施された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの平面図。 本発明による窒化ガリウム基板の生成方法における保持部材貼着工程の説明図。 本発明による窒化ガリウム基板の生成方法における保持部材分離工程の説明図。 本発明による窒化ガリウム基板の生成方法における研削工程の第１の実施形態を示す説明図。 本発明による窒化ガリウム基板の生成方法における研削工程の第２の実施形態を示す説明図。 本発明による窒化ガリウム基板の生成方法における保持部材分離工程の説明図。
以下、本発明による窒化ガリウム基板の生成方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
図１には、本発明による窒化ガリウム基板の生成方法によって加工される窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの斜視図が示されている。図１に示す窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２は、直径が１００ｍｍで厚みが３ｍｍに形成されている。この窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２は、軸心に対して垂直な面に形成された第１の面２１と該第１の面２１と反対側の第２の面２２を有している。また、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の外周には、加工基準面となる平面２３が形成されている。
上記窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２から窒化ガリウム基板を生成するには、図示の実施形態においては窒化ガリウム（ＧａＮ）に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該第１の面から窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの内部に位置付け照射し、ＧａＮを破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面を形成する界面形成工程を実施する。この界面形成工程は、図２に示すレーザー加工装置３を用いて実施する。図２に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図２において矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図２において矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に移動せしめられるようになっている。また、チャックテーブル３１は、図示しない回転機構によって回転せしめられるように構成されている。
上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング３２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器３２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段３２は、集光器３２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。
上記レーザー加工装置３を用いて界面形成工程を実施するには、図２に示すようにチャックテーブル３１の上面（保持面）に上記窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の第２の面２２側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル３１上に窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２を吸着保持する（インゴット保持工程）。従って、チャックテーブル３１上に保持された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２は、第１の面２１が上側となる。このとき、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の外周に形成された平面２３がＸ軸方向と平行となるように位置付けられる。このようにチャックテーブル３１上に窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２を吸引保持したならば、図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル３１をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、一端（図３の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして、図３の（ｂ）で示すように集光器３２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点（Ｐ）を第１の面２１（上面）から５００μｍ内部位置に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段３２を作動して集光器３２２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図３の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図３の（ｃ）で示すようにレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の照射位置に窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の他端（図３の（ｃ）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。次に、チャックテーブル３１を割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に５０〜６０μｍ移動し、上記界面形成工程を実施する。この界面形成工程を図３の（ｄ）で示すように窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の全面に対応する領域に実施することにより、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２には図３の（ｅ）で示すように窒化ガリウム（ＧａＮ）を破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面２４が形成される。この界面２４は、図示の実施形態においては１０μｍ程度の厚みで形成される。
なお、上記界面形成工程は、集光器３２２を窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の外周部に位置付け、チャックテーブル３１を回転しつつ集光器３２２を中心に向けて移動し、図４で示すように窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の内部にパルスレーザー光線を渦巻き状に照射することにより、ＧａＮを破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面２４を形成してもよい。
上記界面形成工程は、例えば以下の加工条件で実施される。
波長 ：５３２ｎｍ
繰り返し周波数 ：１５ｋＨｚ
平均出力 ：０．０２Ｗ
パルス幅 ：８００ｐｓ
集光スポット径 ：１０μｍ
加工送り速度 ：４５ｍｍ／秒
次に、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の第１の面２１に第１の保持部材４を貼着するとともに、第２の面２２に第２の保持部材５を貼着する保持部材貼着工程を実施する。即ち、図５の（ａ）および（ｂ）に示すように窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の第１の面２１にワックス６を介して第１の保持部材４を貼着するとともに、第２の面２２にワックス６を介して第２の保持部材５を貼着する。なお、ワックス６は、図示の実施形態のいては上記界面形成工程において窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの内部に窒化ガリウム（ＧａＮ）を破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面を形成するガリウム（Ｇａ）が溶融する温度（３０℃）より溶融温度が高い（例えば１００℃）ワックスが用いられている。
なお、保持部材貼着工程における第２の保持部材５は、上記界面形成工程を実施する前に窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の第２の面２２に貼着してもよい。
上記保持部材貼着工程を実施したならば、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２をＧａが溶融する温度に加熱するとともに、第１の保持部材４と第２の保持部材５を互いに離反する方向に移動することにより窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２を界面２４から分離して窒化ガリウム基板を生成する窒化ガリウム基板生成工程を実施する。即ち、上記保持部材貼着工程が実施された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２に形成された上記界面２４を形成するガリウム（Ｇａ）が溶融する温度に加熱する。なお、図示の実施形態においては上述した保持部材貼着工程において窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の第１の面２１および第２の面２２と第１の保持部材４および第２の保持部材５との間に介在されたワックス６がガリウム（Ｇａ）の溶融する温度（３０℃）より溶融温度が高い（例えば１００℃）ワックスが用いられているので、ワックス６の温度によって上記界面２４が加熱されてガリウム（Ｇａ）は溶融せしめられた状態となっている。このようにして界面２４が加熱されてガリウム（Ｇａ）が溶融された状態となったならば、図６の（ａ）に示すように第１の保持部材４と第２の保持部材５を互いに離反する方向に移動する。この結果、図６の（ｂ）に示すように窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２は、界面２４において第１の保持部材４が貼着され窒化ガリウム基板２０と第２の保持部材５が貼着された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２に分離される。このようにして分離された第２の保持部材５が貼着された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の分離面２ａには図６の（ｃ）に示すようにガリウム（Ｇａ）面２４１が形成されており、第１の保持部材４が貼着され窒化ガリウム基板２０の分離面２０ａには図６の（ｄ）に示すようにＧａ面２４１が形成されている。以上のように、図示の実施形態においては窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の内部に窒化ガリウム（ＧａＮ）を破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた厚みが１０μｍ程度の界面２４を形成することにより窒化ガリウム基板２０を生成することができるので、ワイヤーソーでスライスすることによって捨てられる切削屑が皆無となる。
次に、上記界面２４に析出され窒化ガリウム基板生成工程によって分離された窒化ガリウム基板の分離面および窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の分離面に形成されているガリウム（Ｇａ）面２４１を研削して除去する研削工程を実施する。この研削工程は、図７の（ａ）に示す研削装置７を用いて実施する。図７の（ａ）に示す研削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１に保持された被加工物を研削する研削手段７２を具備している。チャックテーブル７１は、保持面である上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図７の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に回転せしめられる。研削手段７２は、スピンドルハウジング７２１と、該スピンドルハウジング７２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル７２２と、該回転スピンドル７２２の下端に装着されたマウンター７２３と、該マウンター７２３の下面に取り付けられた研削ホイール７２４とを具備している。この研削ホイール７２４は、円環状の基台７２５と、該基台７２５の下面に環状に装着された研削砥石７２６とからなっており、基台７２５がマウンター７２３の下面に締結ボルト７２７によって取り付けられている。
上述した研削装置７を用いて窒化ガリウム基板２０の分離面に形成されているガリウム（Ｇａ）面２４１を研削して除去する第１の研削工程を実施するには、図７の（ａ）に示すようにチャックテーブル７１の上面（保持面）に上記窒化ガリウム基板生成工程によって分離された窒化ガリウム基板２０に貼着されている第１の保持部材４側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル７１上に窒化ガリウム基板２０を第１の保持部材４を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル７１上に保持された窒化ガリウム基板２０は、分離面に形成されたガリウム（Ｇａ）面２４１が上側となる。このようにチャックテーブル７１上に窒化ガリウム基板２０を第１の保持部材４を介して吸引保持したならば、チャックテーブル７１を図７の（ａ） および（ｂ）において矢印７１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段７２の研削ホイール７２４を図７の（ａ）および（ｂ）において矢印７２４ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転して、図７の（ｂ）に示すように研削砥石７２６を被加工面である窒化ガリウム基板２０の分離面に形成されたガリウム（Ｇａ）面２４１に接触せしめ、研削ホイール７２４を図７の（ａ）および （ｂ）において矢印７２４ｂで示すように例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル７１の保持面に対し垂直な方向）に所定量（１０〜２０μｍ）研削送りする。この結果、窒化ガリウム基板２０の分離面に形成されたガリウム（Ｇａ）面２４１が研削され、図７の（ｃ）で示すように窒化ガリウム基板２０の分離面２０ａに形成されていたガリウム（Ｇａ）面が除去される。
次に、上記窒化ガリウム基板生成工程によって分離され第２の保持部材５が貼着された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の分離面に形成されたガリウム（Ｇａ）面２４１を除去する第２の研削工程を上述した研削装置７を用いて実施する。即ち、図８の（ａ）に示すようにチャックテーブル７１の上面（保持面）に上記窒化ガリウム基板生成工程によって分離された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２に貼着されている第２の保持部材５側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル７１上に窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２を第２の保持部材５を介して吸引保持する。従って、チャックテーブル７１上に保持された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２は、分離面に形成されたガリウム（Ｇａ）面２４１が上側となる。このようにチャックテーブル７１上に窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２を第２の保持部材５を介して吸引保持したならば、チャックテーブル７１を図８の（ａ）において矢印７１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段７２の研削ホイール７２４を図８の（ａ）において矢印７２４ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転して、図８の（ａ）に示すように研削砥石７２６を被加工面である窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の分離面に形成されたガリウム（Ｇａ）面２４１に接触せしめ、研削ホイール７２４を図８の（ａ）において矢印７２４ｂで示すように例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル７１の保持面に対し垂直な方向）に所定量（１０〜２０μｍ）研削送りする。この結果、窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の分離面に形成されたガリウム（Ｇａ）面２４１が研削され、図８の（ｂ）で示すように窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の分離面２ａに形成されていたガリウム（Ｇａ）面が除去される。
以上のようにして窒化ガリウム基板生成工程によって分離された窒化ガリウム基板２０の分離面および窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の分離面に形成されたガリウム（Ｇａ）面２４１を研削して除去する研削工程を実施したならば、分離面に形成されていたガリウム（Ｇａ）が除去された窒化ガリウム基板２０に貼着されている第１の保持部材４を分離する保持部材分離工程を実施する。即ち、図９の（ａ）に示すように剥離装置８の保持テーブル８１上に上述した研削工程が実施された窒化ガリウム基板２０の第１の保持部材４側を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより保持テーブル８１上に窒化ガリウム基板２０を第１の保持部材４を介して吸引保持する。従って、保持テーブル８１上に第１の保持部材４を介して保持された窒化ガリウム基板２０は、分離面２０ａが上側となる。そして、保持テーブル８１に配設された図示しないヒーターを作動して第１の保持部材４を加熱し、第１の保持部材４と窒化ガリウム基板２０との間に介在されたワックス６を溶融温度（例えば１００℃）に加熱する。次に、図９の（ｂ）に示すように吸引パッド８２の下面である吸引面を保持テーブル８１上に第１の保持部材４を介して吸引保持された窒化ガリウム基板２０の上面（分離面２０ａ）に載置するとともに、図示しない吸引手段を作動することにより吸引パッド８２の下面である吸引面に窒化ガリウム基板２０の上面を吸引する。そして、図９の（ｃ）に示すように吸引パッド８２を保持テーブル８１から離反する方向に引き上げることにより、窒化ガリウム基板２０を第１の保持部材４から分離することができる。
上述したように窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２から１枚の窒化ガリウム基板２０を生成したならば、残された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２に対して上記界面形成工程、界面形成工程が実施された窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２の第１の面２１に第１の保持部材４を貼着する保持部材貼着工程、窒化ガリウム基板生成工程、研削工程、保持部材分離工程を４回繰り返して実施する。この結果、図示の実施形態においては直径が１００ｍｍで厚みが３ｍｍの窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット２から厚みが略５００μｍの窒化ガリウム基板２０を５枚生成することが可能となり、ワイヤーソーでスライスする従来の加工方法に比して生産性が２．５倍向上する。
２：窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴット
２０：窒化ガリウム基板
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置のチャックテーブル
３２：レーザー光線照射手段
３２２：集光器
４：第１の保持部材
５：第２の保持部材
６：ワックス
７：研削装置
７１：研削装置のチャックテーブル
７２：研削手段
８：剥離装置
８１：保持テーブル
８２：吸引パッド

Claims (4)

  1. 第１の面と該第１の面と反対側の第２の面を有する窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットを複数の窒化ガリウム基板に生成する窒化ガリウム基板の生成方法であって、
    窒化ガリウム（ＧａＮ）に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該第１の面から窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの内部に位置付け照射し、窒化ガリウム（ＧａＮ）を破壊してガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを析出させた界面を形成する界面形成工程と、
    窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットの該第１の面に第１の保持部材を貼着するとともに、該第２の面に第２の保持部材を貼着する保持部材貼着工程と、
    窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットをガリウム（Ｇａ）が溶融する温度に加熱するとともに、該第１の保持部材と該第２の保持部材を互いに離反する方向に移動することにより窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットを該界面から分離して窒化ガリウム基板を生成する窒化ガリウム基板生成工程と、を含む、
    ことを特徴とする窒化ガリウム基板の生成方法。
  2. 該保持部材貼着工程における該第２の保持部材は、上記界面形成工程を実施する前に該第２の面に貼着する、請求項１記載の窒化ガリウム基板の生成方法。
  3. 該保持部材貼着工程は、該窒化ガリウム（ＧａＮ）インゴットをガリウム（Ｇａ）が溶融する温度より高い温度で溶融するワックスを用いて該第１の面に該第１の保持部材を貼着するとともに該第２の面に該第２の保持部材を貼着する、請求項１又は２記載の窒化ガリウム基板の生成方法。
  4. 該界面に析出され窒化ガリウム基板形成工程によって分離された窒化ガリウム基板の分離面に形成されているガリウム（Ｇａ）面を研削して除去する研削工程を実施する、請求項１記載の窒化ガリウム基板の生成方法。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019044142A1 (ja) 2017-09-01 2019-03-07 国立大学法人名古屋大学 基板製造方法
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
JP2020035873A (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
KR20230153408A (ko) 2021-03-02 2023-11-06 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 기판 제조 장치
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11854889B2 (en) 2018-05-24 2023-12-26 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112967948B (zh) * 2020-08-05 2022-05-20 重庆康佳光电技术研究院有限公司 金属镓去除装置及金属镓去除方法
CN112975117B (zh) * 2020-08-27 2022-09-13 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种激光剥离方法及装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
JP2006024782A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Sharp Corp 基板製造方法、および基板製造装置
JP2009061462A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板の製造方法および基板
JP2010045151A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP2011051864A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ単結晶基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
JP2012017259A (ja) * 2000-03-13 2012-01-26 Cree Inc 単結晶、マイクロエレクトロニクス・デバイス構造、ウエハおよび製品
JP2013158779A (ja) * 2012-02-01 2013-08-19 Shin Etsu Polymer Co Ltd 単結晶加工部材およびその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2241850C3 (de) * 1972-08-25 1978-06-29 European Rotogravure Association, 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Druckformen mittels eines Energiestrahles
JPH0542337A (ja) * 1991-08-08 1993-02-23 Amada Co Ltd レーザによる自由曲面成形方法
CN2201907Y (zh) * 1994-08-11 1995-06-28 李中科 牙颌模型激光三维扫描装置
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP4576755B2 (ja) * 2001-06-18 2010-11-10 パナソニック株式会社 半導体基板の製造方法及び装置
CN100359636C (zh) * 2005-11-04 2008-01-02 南京大学 制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
CN100533666C (zh) * 2008-03-19 2009-08-26 厦门大学 一种氮化镓基外延膜的制备方法
JP4386142B2 (ja) * 2009-01-23 2009-12-16 三菱化学株式会社 窒化物系半導体素子の製造方法
CN101610643B (zh) * 2009-07-14 2010-12-01 华中科技大学 一种激光加工盲孔的方法
JP2012109341A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Shibuya Kogyo Co Ltd 半導体材料の切断方法と切断装置
US20130312460A1 (en) * 2011-02-10 2013-11-28 National University Corporation Saitama University Manufacturing method of single crystal substrate and manufacturing method of internal modified layer-forming single crystal member
CN103325878B (zh) * 2013-05-31 2015-12-23 西安电子科技大学 一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法
CN103824905A (zh) * 2014-02-24 2014-05-28 无锡晶凯科技有限公司 一种氮化镓led蓝宝石衬底柔性电子应用的激光剥离方法
CN103887377B (zh) * 2014-03-12 2016-04-27 江苏新广联科技股份有限公司 减少GaN基垂直结构LED漏电的器件工艺

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
JP2012017259A (ja) * 2000-03-13 2012-01-26 Cree Inc 単結晶、マイクロエレクトロニクス・デバイス構造、ウエハおよび製品
JP2006024782A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Sharp Corp 基板製造方法、および基板製造装置
JP2009061462A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板の製造方法および基板
JP2010045151A (ja) * 2008-08-12 2010-02-25 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP2011051864A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ単結晶基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
JP2013158779A (ja) * 2012-02-01 2013-08-19 Shin Etsu Polymer Co Ltd 単結晶加工部材およびその製造方法

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019043808A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 国立大学法人名古屋大学 基板製造方法
WO2019044142A1 (ja) 2017-09-01 2019-03-07 国立大学法人名古屋大学 基板製造方法
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US11152211B2 (en) 2018-04-20 2021-10-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10665458B2 (en) 2018-04-20 2020-05-26 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US11823953B2 (en) 2018-05-22 2023-11-21 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US11373859B2 (en) 2018-05-22 2022-06-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11854889B2 (en) 2018-05-24 2023-12-26 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods
US10770351B2 (en) 2018-05-31 2020-09-08 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
JP7201367B2 (ja) 2018-08-29 2023-01-10 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
JP2020035873A (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の加工方法
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11219966B1 (en) 2018-12-29 2022-01-11 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11901181B2 (en) 2018-12-29 2024-02-13 Wolfspeed, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US11911842B2 (en) 2018-12-29 2024-02-27 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11826846B2 (en) 2018-12-29 2023-11-28 Wolfspeed, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11034056B2 (en) 2019-05-17 2021-06-15 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US11654596B2 (en) 2019-05-17 2023-05-23 Wolfspeed, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
DE112022001333T5 (de) 2021-03-02 2023-12-14 Hamamatsu Photonics K.K. Substrat-Herstellungsvorrichtung
KR20230153408A (ko) 2021-03-02 2023-11-06 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 기판 제조 장치

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