JP6328485B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 74
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
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- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2633—Bombardment with radiation with high-energy radiation for etching, e.g. sputteretching
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
また、ウエーハに反りが生じると発光層を均一に積層することができず、LED等の光デバイスの品質にバラツキが生じるという問題がある。
このようにウエーハの表面または裏面を研削することにより反りが発生するのは、インゴットを生成する際に外周部に結晶歪が残存しているためと考えられる。
ウエーハの一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、ウエーハの一方の面から他方の面に亘り細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させて環状のシールドトンネルを形成し、該シールドトンネルに沿って外力を付与することにより該シールドトンネルの領域で破断し結晶歪が残留している外周部を除去することにより、ウエーハの外周に残存している結晶歪を除去する結晶歪除去工程を実施する、ウエーハの加工方法が提供される。
結晶歪除去工程の第1の実施形態は、先ず図3の(a)に示すようにレーザー加工装置3のチャックテーブル31上にウエーハ2の一方の面2aを上にして他方の面2bを載置し、該チャックテーブル31上にウエーハ2を吸引保持する。ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31を図示しない移動機構によって集光器322が位置する加工領域に移動し、図3に示すようにウエーハ2の外周縁より所定量内側の位置が集光器322の直下となるように位置付ける。そして、集光器322の集光レンズ322aによって集光されるパルスレーザー光線LBの集光点Pがウエーハ2の厚み方向の所望の位置に位置付けられるように図示しない集光点位置調整手段を作動して集光器322を光軸方向に移動する(位置付け工程)。なお、図示の実施形態においては、パルスレーザー光線の集光点Pは、ウエーハ2におけるパルスレーザー光線が入射される上面(一方の面2a側)から所望位置(例えば一方の面2aから5〜10μm他方の面2b側の位置)に設定されている。
レーザー光線の波長 :1030nm
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :6W
スポット径 :φ3.3〜13μm
(スポット径d=(2λ)/(π・NA)の式で求める
ことができる。波長λ=1030nmとして計算
すると、NA0.2のときd=3.3μm、NA0.
05のときd=約13μm)
周速度 :200mm/秒
図6に示す実施形態は、ウエーハ2の一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってウエーハ2に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、外周縁に沿ってアブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成することにより、結晶歪が残留している外周部を除去する。即ち、図6および図7の(a)に示すようにチャックテーブル31に保持されたウエーハ2の外周縁より所定量内側の位置を集光器322の直下となるように位置付ける。そして、集光器322からウエーハ2に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図7の(a)において矢印31aで示す方向に1回転させる。このとき、集光器322から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ2の上面である一方の面2a付近に合わせる。この結果、図7の(b)に示すようにウエーハ2には外周縁より所定量内側の位置に上面である一方の面2aから下面である他方の面2bに達する環状のレーザー加工溝25が形成され、環状のレーザー加工溝25の外側の結晶歪が残留している外周部24が除去される(レーザー加工溝形成工程)。
レーザー光線の波長 :355nm
繰り返し周波数 :10kHz
パルス幅 :50ns
平均出力 :7W
スポット径 :φ5〜15μm
周速度 :500mm/秒
21:ノッチ
22:シールドトンネル
23:結晶方位を示すマーク
3、30:レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42:研削手段
424:研削ホイール
Claims (2)
- 単結晶インゴットをスライスして形成したウエーハの加工方法であって、
ウエーハの一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、ウエーハの一方の面から他方の面に亘り細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させて環状のシールドトンネルを形成し、該シールドトンネルに沿って外力を付与することにより該シールドトンネルの領域で破断し結晶歪が残留している外周部を除去することにより、ウエーハの外周に残存している結晶歪を除去する結晶歪除去工程を実施する、ウエーハの加工方法。 - ウエーハの一方の面のレーザー光線照射領域の内側に結晶方位を示すマークを形成するマーク形成工程を実施する、請求項1に記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099447A JP6328485B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | ウエーハの加工方法 |
TW104111422A TWI630971B (zh) | 2014-05-13 | 2015-04-09 | Wafer processing method |
KR1020150059727A KR102196934B1 (ko) | 2014-05-13 | 2015-04-28 | 웨이퍼 가공 방법 |
US14/704,474 US9613795B2 (en) | 2014-05-13 | 2015-05-05 | Wafer processing method to remove crystal strains |
CN201510242376.8A CN105097448B (zh) | 2014-05-13 | 2015-05-13 | 晶片的加工方法 |
DE102015208890.1A DE102015208890A1 (de) | 2014-05-13 | 2015-05-13 | Waferbearbeitungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099447A JP6328485B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015216301A JP2015216301A (ja) | 2015-12-03 |
JP6328485B2 true JP6328485B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=54361909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014099447A Active JP6328485B2 (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9613795B2 (ja) |
JP (1) | JP6328485B2 (ja) |
KR (1) | KR102196934B1 (ja) |
CN (1) | CN105097448B (ja) |
DE (1) | DE102015208890A1 (ja) |
TW (1) | TWI630971B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152569A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2018012133A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | 株式会社ディスコ | 円形基板の製造方法 |
JP6908464B2 (ja) * | 2016-09-15 | 2021-07-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板加工方法および基板加工装置 |
JP6904793B2 (ja) * | 2017-06-08 | 2021-07-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成装置 |
JP6906845B2 (ja) * | 2017-06-22 | 2021-07-21 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP6955919B2 (ja) * | 2017-07-06 | 2021-10-27 | リンテック株式会社 | 除去装置および除去方法 |
JP2019016691A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-01-31 | リンテック株式会社 | 除去装置および除去方法 |
JP7045811B2 (ja) * | 2017-07-06 | 2022-04-01 | リンテック株式会社 | 除去装置および除去方法 |
CN117912995A (zh) * | 2018-04-27 | 2024-04-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理系统和基板处理方法 |
WO2020108602A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Chip molding structure, wafer level chip scale packaging structure and manufacturing method thereof |
US11251191B2 (en) | 2018-12-24 | 2022-02-15 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing multiple size drain contact via structures and method of making same |
JP2021010936A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | 株式会社ディスコ | レーザ加工装置 |
CN110323183A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-10-11 | 沛顿科技(深圳)有限公司 | 一种使用激光环切解决3d nand晶圆薄片裂片问题的方法 |
JP7481128B2 (ja) | 2020-03-02 | 2024-05-10 | 株式会社東京精密 | ウェーハ表面の改質装置および方法 |
CN112338369A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-09 | 太仓治誓机械设备科技有限公司 | 一种半导体晶圆切片成型机床 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58110500A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | Hitachi Metals Ltd | 単結晶ウエハ−の製造方法 |
US5212394A (en) * | 1989-03-17 | 1993-05-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Compound semiconductor wafer with defects propagating prevention means |
JP3213563B2 (ja) * | 1997-03-11 | 2001-10-02 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | ノッチレスウェーハの製造方法 |
JP2004039808A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Denso Corp | 半導体基板の製造方法及び製造装置 |
JP2006108532A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
US8389099B1 (en) * | 2007-06-01 | 2013-03-05 | Rubicon Technology, Inc. | Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same |
JP2010207988A (ja) | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd | ワイヤ放電加工装置 |
EP2915195A4 (en) * | 2012-11-05 | 2016-07-27 | Solexel Inc | SYSTEMS AND METHODS FOR SOLAR PHOTOVOLTAIC CELLS AND MODULES FORMED IN MONOLITHIC ISLANDS |
JP6151557B2 (ja) * | 2013-05-13 | 2017-06-21 | 株式会社ディスコ | レーザー加工方法 |
-
2014
- 2014-05-13 JP JP2014099447A patent/JP6328485B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-09 TW TW104111422A patent/TWI630971B/zh active
- 2015-04-28 KR KR1020150059727A patent/KR102196934B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-05 US US14/704,474 patent/US9613795B2/en active Active
- 2015-05-13 CN CN201510242376.8A patent/CN105097448B/zh active Active
- 2015-05-13 DE DE102015208890.1A patent/DE102015208890A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150130226A (ko) | 2015-11-23 |
CN105097448B (zh) | 2019-11-29 |
KR102196934B1 (ko) | 2020-12-30 |
DE102015208890A1 (de) | 2015-11-19 |
TW201544223A (zh) | 2015-12-01 |
TWI630971B (zh) | 2018-08-01 |
US20150332910A1 (en) | 2015-11-19 |
US9613795B2 (en) | 2017-04-04 |
CN105097448A (zh) | 2015-11-25 |
JP2015216301A (ja) | 2015-12-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R250 | Receipt of annual fees |
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